PE42823是HaRP™技术增强型50ΩSPDT射频保护开关，专为高功率和高性能无线基础设施应用而设计，如支持高达6 GHz频率的宏蜂窝。该开关具有高线性度，在整个电源范围内保持不变。PE42823还具有出色的隔离性能、快速的开关时间，并采用16导联3×3×0.75 mm。规格参数开关配置: SPDT 最小频率: 700 MHz 最大频率: 6 GHz 介入损耗: 1.28 dB 关闭隔离—典型值: 23 dB 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 105 C 安装风格: SMD/SMT点击购买：PE42823A-X特性•51 dBm LTE的出色单事件峰值功率处理•卓越的线性性能•延长工作温度+105°C•4.5 kV HBM在射频引脚对地上的高ESD性能•封装：16引脚3×3×0.75mm QFN应用•4G/4.5G无线基础设施•5G/5G之前的大规模MIMO系统•基于TDD的射频收发器引脚图
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2025/1/17 13:42:45
PE42820是一款HaRP™技术增强型高功率反射SPDT射频开关，专为移动无线电、继电器更换和其他高性能无线应用而设计。该开关是PE42510A的引脚兼容升级版本，具有更宽的频率和电源范围，以及外部负极电源选项。它在30 MHz至2.7 GHz的范围内保持了出色的线性度和功率处理能力。PE42820还具有低插入损耗、高功率处理的特点，并采用32引脚5×5mm QFN封装。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT最小频率:30 MHz最大频率:2.7 GHz介入损耗:0.7 dB关闭隔离—典型值:24 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT单位重量:3 g点击购买：PE42820B-X特性•高功率处理•出色的线性•插入损耗低•2.3–5.5V的宽电源范围•+1.8V控制逻辑兼容•ESD性能•外部负电源选项•封装：32引脚5×5mm QFN引脚图
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2025/1/17 13:31:54
PE42562是一款HaRP™技术增强型吸收SP6T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以便PE42562提供无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为测试和测量以及高达8 GHz的无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP6T最小频率:9 kHz最大频率:8 GHz介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:1.148 g点击购买：PE42562A-X特性•高隔离度：6 GHz时为35 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.1 dB•210 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•外部VSS引脚，消除杂散•封装：24引脚4×4mm QFN应用•测试和测量•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/17 13:27:10
PE42512是一款HaRP™技术增强型吸收SP12T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以便PE42512提供无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为测试和测量以及高达8 GHz的无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP12T最小频率:9 kHz最大频率:8 GHz介入损耗:2.4 dB关闭隔离—典型值:22 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42512A-X特性•高隔离度：6 GHz时为39 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.3 dB•232 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•外部VSS引脚，消除杂散•封装：32引脚5×5mm QFN应用•测试和测量•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/16 14:20:15
PE42424是一款HaRP™技术增强型反射式50ΩSPDT射频开关，专为高功率和高性能WLAN 802.11 a/b/g/n/ac/ax和Wi-Fi 6E应用而设计，如运营商和企业Wi-Fi产品以及支持高达8.5 GHz带宽的超宽带应用。该交换机具有出色的端口到端口隔离、快速切换速度和高功率处理能力，所有这些都在一个紧凑的1.5×1.5 mm封装中。PE42424还具有高线性度，在整个电源范围内保持不变。此外，该器件具有强大的ESD和温度性能，不需要隔直电容器或任何外部匹配组件。规格参数开关配置:SPDT最小频率:100 MHz最大频率:8.5 GHz介入损耗:1.08 dB关闭隔离—典型值:26 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42420F-Z特性•802.11 a/b/g/n/ac/ax、Wi-Fi 6E和超宽带•（UWB）支持•卓越的隔离•快速切换•高功率处理•在整个供电范围内具有高线性•兼容1.8V控制逻辑•105°C工作温度•高ESD耐受性•包装：6芯1.5×1.5毫米DFN引脚图
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2025/1/16 14:14:13
PE42420是一款HaRP™技术增强型吸收SPDT射频开关，专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。它非常适合传输路径切换、RF和IF信号路由、AGC环路和滤波器组切换应用。这种通用交换机由两个对称的射频端口组成，具有高达6 GHz的出色端口间隔离。集成CMOS解码器有助于实现双引脚低压CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:50 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买:PE42420F-Z特性•增强了HaRP™技术•高线性•高度隔离•支持+1.8V控制逻辑•+105°C工作温度•高ESD耐受性引脚图
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2025/1/16 14:06:55
PE42359 UltraCMOS®RF开关设计用于覆盖从10 MHz到3 GHz的广泛应用。这种反射开关将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，可以使用单引脚或互补控制输入进行控制。使用标称3V电源电压，可以实现33.5 dBm的典型输入1 dB压缩点。PE42359还符合汽车应用的质量和性能标准，并获得了AEC-Q100 2级认证。规格参数开关配置:SPDT最小频率:10 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:1.1 dB关闭隔离—典型值:13 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42359SCAA-Z特性•AEC-Q100 2级认证•支持高达+105°C的工作温度•单引脚或互补CMOS逻辑控制输入•插入损耗低•1000 MHz时隔离度为30 dB•2kV HBM的高ESD耐受性•典型输入1 dB压缩点为+33.5 dBm•最低电源电压1.8V•包装：6导联SC‐70引脚图
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2025/1/16 13:59:35
PE43650是一款高线性、5位RF数字步进衰减器（DSA）。这种高度通用的DSA以0.5 dB的步长覆盖15.5 dB的衰减范围。PE43650 50ΩRF DSA提供多个CMOS控制接口。它在频率和温度上保持高衰减精度，并表现出非常低的插入损耗和低功耗。由于板载稳压器，性能不会随VDD而变化。此pSemi DSA采用4×4 mm 24引脚QFN封装。规格参数衰减:15.5 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:5 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.5 dB介入损耗:2.4 dB最大工作温度:+ 85 C最小频率:9 kHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:3.3 V, 5 V点击购买：PE43650A-Z特性•衰减：0.5 dB至15.5 dB•高线性度：典型+58 dBm IP3•出色的低频性能•编程模式：直接并行、锁存并行和串行•CMOS兼容•不需要隔直电容器•封装：24芯4×4×0.85毫米QFN应用•3G/4G无线基础设施▪ 射频/中频增益控制▪ 基站（BTS）和远程无线电头端（RRH）▪ 光学和射频中继器▪ 分布式天线系统（DAS）•陆地移动无线电系统•点对点通信系统引脚图
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2025/1/16 13:53:06
KAT-4+是一种吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该模型在直流至43.5GHz的频率范围内运行。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达2W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。规格参数衰减:5 dB最大频率:43.5 GHz阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel衰减器步长:4 dB最大 VSWR:1.9商标:Mini-Circuits最大工作温度:+ 85 C最小频率:0 Hz最小工作温度:- 40 C功率额定值:1.7 W单位重量:155.489 mg点击购买：KAT-4+产品特点•小包装，2x2 MCLP™•超宽带，DC-43.5 GHz•出色的驻波比，典型值为1.2:1。•高功率处理，1.7W典型应用•5G•测试和测量•雷达•沟通•防御尺寸图
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2025/1/16 13:44:58
LFCN-1325+是Mini-Circuits的一款低通陶瓷滤波器，最小5节，最大5节，中心或截止频率（fo/fc）为1560MHz，符合ROHS标准，陶瓷，外壳FV1206，4针。规格参数产品:Low Pass Filters频率:DC to 1325 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206 (3216 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C介入损耗:1.3 dB安装:Board Mount点击购买：LFCN-1325+特性出色的功率处理能力，9W尺寸小5个部分温度稳定LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用尺寸图
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2025/1/16 13:41:21
PE42641是基于UltraCMOS®工艺技术开发的HaRP™增强型SP4T射频开关。该交换机包含四个相同的符合WEDGE/CDMA标准的TX路径，可用于各种GSM和WCDMA移动应用以及高达3000 MHz的其他无线应用。它也适用于蜂窝和非蜂窝移动应用的天线频带切换和可切换匹配网络。它将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，不需要隔直电容器。此符合RoHS标准的零件采用标准的3×3×0.75mm QFN封装。规格参数开关配置:SP4T最小频率:100 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:0.55 dB关闭隔离—典型值:27.5 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel特性•对称、高功率SP4T：所有端口均符合WEDGE/CDMA标准•插入损耗极低：1000 MHz时为0.45 dB，2000 MHz时为0.6 dB•HaRP™-增强技术，实现无与伦比的线性•极高隔离度：900 MHz时为35 dB，1900 MHz时为29 dB•极高的ESD耐受性•用于2针控制的集成解码器•4.5欧姆串联导通电阻低•不需要隔直电容器•封装：16引脚3×3×0.75mm QFN应用
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2025/1/15 14:29:23
PE42582是一款HaRP™技术增强型吸收SP8T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以便PE42582提供无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使该设备成为测试和测量以及高达8 GHz的无线应用中滤波器组切换和RF信号路由的理想选择。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP8T最小频率:9 kHz最大频率:8 GHz介入损耗:1.6 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:2.442 g点击购买：PE42582A-X特性•高隔离度：6 GHz时为41 dB•低插入损耗：6 GHz时为1.1 dB•227 ns的快速切换时间•33 dBm CW的功率处理•逻辑选择（LS）引脚提供了最大的控制逻辑灵活性•终止所有关闭状态模式•外部VSS引脚，消除杂散•封装：24引脚4×4mm QFN应用•测试和测量•高达8 GHz的无线应用•过滤器组切换•射频信号路由引脚图
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2025/1/15 14:15:44
PE4251是一款HaRP™增强型吸收式SPDT射频开关，适用于一般交换应用和移动基础设施。该器件提供3.3/5V的灵活电源电压、单引脚或互补引脚控制输入和4000V ESD容差。它为pin二极管和机械继电器开关提供了一种简单的替代解决方案。规格参数开关配置:SPDT最小频率:10 MHz最大频率:4 GHz介入损耗:1 dB关闭隔离—典型值:37 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel点击购买：PE4251MLI-Z特性•增强了HaRP™技术•低插入损耗：1000 MHz时为0.60 dB•高隔离度：1000 MHz时为62 dB•P1dB典型值：+30.5 dBm•IIP3典型值：+59 dBm•快速切换时间：150 ns•灵活的电源电压：3.3V±10%或5.0V±10%电源•卓越的ESD保护：4000V HBM•不需要隔直电容器•单针或互补控制输入引脚图
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2025/1/15 14:10:10
PE42442是一款HaRP™技术增强型吸收SP4T射频开关，专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。该开关是PE42451的引脚兼容四掷版本，具有更宽的频率和电源范围。它由四个对称的射频端口组成，具有高达6 GHz的极高隔离度。集成CMOS解码器便于使用两针或三针1.8V CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数开关配置:SP4T最小频率:30 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:1.9 dB关闭隔离—典型值:32 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi点击购买：PE42442A-Z特性•四个对称、可吸收的射频端口•高度隔离•高线性•兼容1.8V控制逻辑•105°C工作温度•255 ns的快速切换时间•两针或三针CMOS逻辑控制•外部负电源选项•高ESD耐受性引脚图
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2025/1/15 14:06:29
PE42421 UltraCMOS®RF开关设计用于覆盖从10 MHz到3 GHz的广泛应用。这种反射开关将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，可以使用单引脚或互补控制输入进行控制。使用标称3V电源，可以实现+33.5dBm的典型输入1dB压缩点。规格参数开关配置:SPDT最小频率:10兆赫最大频率:3 GHz介入损耗:0.5分贝关闭隔离—典型值:20分贝最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT点击购买：PE42421SCAA-Z特性•单引脚或互补CMOS逻辑控制输入•低插入损耗：1000 MHz时为0.35 dB，2000 MHz时为0.5 dB•1000 MHz时隔离30 dB，2000 MHz时隔离20 dB•典型输入1 dB压缩点为+33.5 dBm•最低电源电压1.8V•SC-70包装引脚图
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2025/1/15 14:01:22
PE43713是一款50Ω、HaRP™技术增强型7位RF数字步进衰减器（DSA），支持9 kHz至6 GHz的宽频范围。它具有无毛刺衰减状态转换功能，支持1.8V控制电压，包括扩展至+105°C的工作温度范围和可选的VSS_EXT旁路模式，以提高杂散性能，使该设备成为测试和测量（T&M）的理想选择。PE43713是PE43703的引脚兼容升级版本。集成数字控制接口支持衰减的串行可寻址和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。PE43713覆盖了0.25 dB、0.5 dB和1 dB步长的31.75 dB衰减范围。它能够在4 GHz内保持0.25 dB单调性，在5 GHz内保持0.50 dB单调性和在6 GHz内保持1 dB单调性。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数衰减:31 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:7 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:1 dB介入损耗:2.45 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:9 kHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:2.3 V to 5.5 V单位重量:5.058 g点击购买：PE43713B-Z特性•0.25 dB、0.5 dB和1 dB的灵活衰减步长，最高可达31.75 dB•无故障衰减状态转换•单调性：0.25 dB至4 GHz，0.5 dB至5 GHz，1 dB至6 GHz•工作温度延长至+105°C•具有串行寻址能力的并行和串行编程接口•封装——32引线5×5mm QFN应用•测试和测量（T&M）•通用射频衰减器引脚图
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2025/1/15 13:56:52
AD9681是一款8通道、14位、125 MSPS模数转换器(ADC)，内置片内采样保持电路，专门针对低成本、低功耗、小尺寸和易用性而设计。该产品的转换速率模数转换器最高可达125 MSPS，具有杰出的动态性能与低功耗特性，适合比较重视小封装尺寸的应用。 该ADC要求采用1.8 V单电源供电以及LVPECL/CMOS/LVDS兼容型采样速率时钟信号，以便充分发挥其工作性能。无需外部基准电压源或驱动器件即可满足许多应用需求。AD9681会自动倍乘采样速率时钟，以便产生合适的LVDS串行数据速率。它提供数据时钟输出（DCO±1、DCO±2），用于在输出端捕获数据，以及帧时钟输出（FCO±1、FCO±2）用于发送新输出字节信号。支持独立关断各通道；禁用所有通道时，器件典型功耗低于2 mW。该ADC内置多种功能特性，可使器件的灵活性达到较佳、系统成本较低，例如可编程时钟与数据对准、生成可编程数字测试码等。可获得的数字测试码包括内置固定码和伪随机码，以及通过串行端口接口(SPI)输入的用户自定义测试码。采用符合RoHS标准的144引脚CSP-BGA封装。额定温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围。该产品受美国专利保护。规格参数安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:BGA-144分辨率:14 bit通道数量:8 Channel接口类型:SPI采样比:125 MS/s输入类型:Differential结构:Pipeline模拟电源电压:1.7 V to 1.9 V数字电源电压:1.7 V to 1.9 VSNR – 信噪比:74.8 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C转换器数量:8 Converter工作电源电压:1.8 V输出类型:CMOS/LVDS/TTLPd-功率耗散:988 mW电源电压-最...
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2025/1/15 13:48:48
PE43705是一款50Ω、HaRP™技术增强的7位射频数字步进衰减器（DSA），专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。该DSA是PE43703的引脚兼容升级版本，具有更高的功率处理能力和更宽的频率、控制电压和工作温度范围。集成数字控制接口支持衰减的串行和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。它以0.25 dB、0.50 dB或1 dB的步长覆盖31.75 dB的衰减范围，从50 MHz到8 GHz保持单调的阶跃响应。PE43705还具有安全的衰减状态转换功能，采用32引脚5×5mm QFN封装。此外，如果射频端口上存在0V直流电，则不需要外部隔直电容器。规格参数衰减:31.75 dB最大频率:8 GHz阻抗:50 Ohms位数:7 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.25 dB商标:pSemi最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel产品类型:Attenuators点击购买：PE43705B-Z特性•衰减选项：覆盖0.25 dB、0.5 dB或1.0 dB步长的31.75 dB范围•安全衰减状态转换•高功率处理•高线性度：+58 dBm IIP3•兼容1.8V控制逻辑•105°C工作温度•编程模式：直接并行、锁存并行、串行和串行可寻址•通电时的高衰减状态（PUP）•ESD性能•封装：32引脚5×5mm QFN引脚图
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2025/1/14 14:23:39