ADMV7420 是一款完全集成的系统级封装 (SiP) 同相/正交 (I/Q) 下变频器，可在直流至 2 GHz 的中频 (IF) 输出范围和 81 GHz 至 86 GHz 的射频 (RF) 输入范围之间工作。该套件提供 10 dB 的小信号转换增益，以及 30 dBc 的镜像抑制。ADMV7420 在低噪声放大器之后使用镜像抑制混频器，该混频器由 6× 本地振荡器 (LO) 放大器驱动。针对直接转换应用提供差分 I 和 Q 混频器输出。或者，可以针对单端应用使用一个外部 90° 混合和两个外部 180° 混合来组合输出。ADMV7420 采用完全集成的表面安装 34 端子 11 mm × 13 mm 芯片阵列小外形无铅腔面 (LGA_CAV) 封装。ADMV7420 的外壳工作温度范围为 −40°C 至 +85°C。特点• 转换增益：10 dB（典型值）• 镜像抑制：30 dBc（典型值）• 噪声指数：5 dB（典型值）• 输入 IP3：1 dBm（典型值）• 输入 IP2：26 dBm（典型值）• 输入 P1dB：−5 dBm（典型值）• RFIN 时的 6× LO 泄漏：• I/Q 幅度不平衡：0.5 dB（典型值）• I/Q 相位不平衡：5°（典型值）• 完全集成的表面安装 34 端子 11 mm × 13 mm LGA_CAV 封装
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2024/4/2 17:24:51
ADMV7410 是一款完全集成的系统级封装 (SiP) 同相/正交 (I/Q) 下变频器，可在直流至 2 GHz 的中频 (IF) 输出范围和 71 GHz 至 76 GHz 的射频 (RF) 输入范围之间工作。该套件提供 13 dB 的小信号转换增益，以及 30 dBc 的镜像抑制。ADMV7410 在低噪声放大器之后使用镜像抑制混频器，该混频器由 6× 本地振荡器 (LO) 放大器驱动。针对直接转换应用提供差分 I 和 Q 混频器输出。或者，可以针对单端应用使用一个外部 90° 混合和两个外部 180° 混合来组合输出。ADMV7410 采用完全集成的表面安装 34 端子 11 mm × 13 mm 芯片阵列小外形无铅腔面 (LGA_CAV) 封装。ADMV7410 的外壳工作温度范围为 −40°C 至 +85°C。特点• 转换增益：13 dB（典型值）• 镜像抑制：30 dBc（典型值）• 噪声指数：5 dB（典型值）• 输入 IP3：1 dBm（典型值）• 输入 IP2：28 dBm（典型值）• 输入 P1dB：−8 dBm（典型值）• RFIN 时的 6× LO 泄漏：• I/Q 幅度不平衡：0.2 dB（典型值）• I/Q 相位不平衡：5°（典型值）• 完全集成的表面安装 34 端子 11 mm × 13 mm LGA_CAV 封装
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2024/4/2 17:21:32
ADMV7320 是一款完全集成的系统级封装 (SiP) 同相/正交 (I/Q) 升频器，可在直流至 2 GHz 的中频 (IF) 输入范围和 81 GHz 至 86 GHz 的射频 (RF) 输出范围之间工作。该套件使用由 6× 本地振荡器 (LO) 倍频器驱动的镜像抑制混频器。混频器输出后接可变增益放大器 (VGA) 和功率放大器 (PA)，提供 33 dB（典型值）的转换增益。提供差分 I 和 Q 混频器输入，并可通过适用于直接转换应用的差分 I 和 Q 基带波形进行驱动。或者，可以针对单端应用使用一个外部 90° 混合和两个外部 180 混合来驱动输入。ADMV7320 采用完全集成的表面安装 50 端子 16.00 mm × 14.00 mm 芯片阵列小外形无铅腔面 (LGA_CAV) 封装。ADMV7320 的工作温度范围为 −40°C 至 +85°C。特点• 最大转换增益：33 dB（典型值）• 增益调节范围：40 dB（最小值）• PSAT：增益 = 23.5 dB 和 19.5 dB 时为 26 dBm（典型值）• OIP3：增益 = 23.5 dB 且每个信号音的 POUT = 16.5 dBm 时为 31 dBm（典型值）• OP1dB：增益 = 23.5 dB 和 19.5 dB 时为 25 dBm（典型值）• 内置功率检波器• 用于 LO 调零的内置包络检波器• 完全集成的表面安装 50 端子 16.00 mm × 14.00 mm LGA_CAV 封装
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2024/4/2 17:20:24
HMC220B是一款超小型、双平衡混频器，采用带裸焊盘（MINI_SO_EP）的 8 引脚微型小型封装。此基本的单片微波集成电路混频器由砷化镓（GaAs）肖特基二极管和片内平面变压器巴伦组成。该设备可用作 5 GHz 至 12 GHz 的上变频器、下变频器、双相解调器或相位比较器。由于优化的巴伦结构，HMC220B 提供了出色的本地振荡器（LO）到射频（RF）以及 LO 到中频（IF）的隔离，并且在低至 7 dBm 下工作。符合 RoHS 指令的 HMC220B 消除了对线焊的需求，并与大批量表面贴装制造技术兼容。特点• 低转换损耗：9 dB• 无需直流偏置和外部匹配• 上转换和下转换的理想选择• 宽带中频范围：直流至 4 GHz• 超小型封装：8 引脚 MINI_SO_EP
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2024/4/2 17:02:18
ADMV7310 是一款完全集成的系统级封装 (SiP) 同相/正交 (I/Q) 升频器，可在直流至 2 GHz 的中频 (IF) 输入范围和 71 GHz 至 76 GHz 的射频 (RF) 输出范围之间工作。该套件使用由 6× 本地振荡器 (LO) 倍频器驱动的镜像抑制混频器。混频器输出后接可变增益放大器 (VGA) 和功率放大器 (PA)，提供 35 dB（典型值）的转换增益。提供差分 I 和 Q 混频器输入，并可通过适用于直接转换应用的差分 I 和 Q 基带波形进行驱动。或者，可以针对单端应用使用一个外部 90° 混合和两个外部 180° 混合来驱动输入。ADMV7310 采用完全集成的表面安装 50 端子 16.00 mm × 14.00 mm 芯片阵列小外形无铅腔面 (LGA_CAV) 封装。ADMV7310 的工作温度范围为 −40°C 至 +85°C。特点• 最大转换增益：35 dB（典型值）• 增益调节范围：40 dB（最小值）• PSAT：增益 = 23.5 dB 和 19.5 dB 时为 26 dBm（典型值）• OIP3：增益 = 23.5 dB 且每个信号音的 POUT = 16.5 dBm 时为 31 dBm（典型值）• OP1dB：增益 = 23.5 dB 和 19.5 dB 时为 25 dBm（典型值）• 内置功率检波器• 用于 LO 调零的内置包络检波器• 完全集成的表面安装 50 端子 16.00 mm × 14.00 mm LGA_CAV 封装
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2024/4/2 17:01:01
HMC521ALC4是一款紧凑型、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器，采用符合RoHS标准的24引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准、双平衡混频器单元和一个90°混合耦合器，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。低频正交混合器件用于产生100 MHz中频(IF)输出。该器件为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC521ALC4无需线焊，可以使用表贴制造技术。特点• 下变频器，8.5 GHz至13.5 GHz• 转换损耗：9 dB（典型值）• 镜像抑制：27.5 dBc（典型值）• LO至RF隔离：39 dB（典型值）• 输入IP3：16 dBm（典型值）• 宽IF带宽：DC至3.5 GHz• 3.9 mm × 3.9 mm、24引脚LCC封装：16 mm²特点• 微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电• 测试设备• 军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、以及指挥、控制、通信和情报(C3I)
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2024/4/2 16:58:07
ADRF6650是一款高度集成的下变频器，集成了双混频器、双数字交换衰减器、双数字可变增益放大器、锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。此外，ADRF6650还集成了两个射频(RF)巴伦、串行增益控制(SGC)控制器和快速启用输入以实现分时双工(TDD)运行。片内RF巴伦可使ADRF6650支持50 Ω 端接RF输入。集成式无源混频器可为200 MHz滑动中频(IF)窗口提供高度线性下变频。ADRF6650使用宽带方波限制本振器(LO)放大器实现450 MHz至2700 MHz的RF带宽。与传统窄带正弦波LO放大器解决方案不同，此放大器允许在极宽的带宽范围内在高于或低于RF输入的条件下应用LO。ADRF6650提供两种生成差分LO输入信号的方法：通过具有低相位噪声VCO的片内小数N分频频率合成器在内部生成，或通过低相位噪声LO信号在外部生成。集成PLL/VCO的连续LO覆盖范围为450 MHz至2900 MHz。PLL基准输入支持很宽的频率范围，并且在相位频率检测器(PFD)之前有一个集成的基准分频器。ADRF6650通过高级硅锗(SiGe)双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)工艺制成。它采用符合RoHS标准的56引脚8 mm × 8 mm引脚架构芯片级封装(LFCSP)，带有裸露焊盘。性能规定在 −40°C至 +105°C最高焊盘温度范围内。特点• 配备集成小数 N PLL/VCO 的双路下变频器• RF：450 MHz 至 2700 MHz（连续）• LO 频率：450 MHz 至 2900 MHz，高端或低端注入• 43 dB 增益控制范围• 升频/降频和 SPI 增益控制• 集成式 RF 平衡不平衡转换器适用于单端 50 Ω 输入• 电源：3.3 和 5 V• 8 mm × 8 mm 56 引脚 LFCSP 封装
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2024/4/2 16:31:57
HMC977LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益、2.7 dB的噪声系数和21 dBc的镜像抑制性能。 HMC977LP4E采用LNA，后接由有源x2倍频器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I和Q混频器输出，所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 HMC977LP4E是混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件，兼容表贴制造技术。特点• 转换增益：14 dB（典型值）• 镜像抑制：典型值21 dBc（20 GHz至26.5 GHz时）• 2× LO至RF隔离：45 dB（典型值，20 GHz至26.5 GHz时）• 噪声系数：2.5 dB（典型值，20 GHz至26.5 GHz时）• 输入IP3：1 dBm（典型值，20 GHz至26.5 GHz时）• LO驱动范围：2 dBm至6 dBm• 24引脚4 mm x 4 mm LFCSP封装
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2024/4/2 16:25:43
HMC553ACHIPS 是一款通用型双平衡单片微波集成电路 (MMIC) 混频器，可用作频率介于 6 GHz 和 14 GHz 之间的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制成，不需要外部组件或匹配电路。凭借经优化的平衡/不平衡转换器结构，HMC553ACHIPS 可提供高本地振荡器 (LO) 到 RF 和 LO 到中频 (IF) 抑制（分别低至 32 dB 和 28 dB）。此混频器可在 9 dBm 至 15 dBm 的 LO 驱动电平下工作。特点• 无源：不需要直流偏置• 转换损耗：10 dB（最大值）• 高达 21 dBm（典型值）的输入 IP3• LO 到 RF 隔离：37 dB（典型值）• 宽 IF 带宽：直流至 5 GHz• 符合 RoHS 标准的 7 焊盘 0.950 mm × 0.750 mm 裸片应用• 微波和甚小孔径终端 (VSAT) 射频• 测试设备• 点对点无线电• 军事电子战 (EW)、电子对抗 (ECM) 以及指挥、控制、通信和情报 (C3I)
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2024/4/2 16:20:23
ADAR2004是一款4通道接收器IC，针对毫米波人体扫描应用进行了优化。ADAR2004接受10 GHz至40 GHz的差分输入信号，提供高达800 MHz的低中频(IF)输出。每个接收通道还具有独立的增益控制。混频器本机振荡器(LO)路径包括一个4×倍频器，该倍频器要求施加的LO频率在2.4 GHz到10.1 GHz之间。4×倍频器模块包括一个可编程滤波器，可在到达混频器前帮助降低谐波。包括两个可编程状态机，便于简化配置，并控制和快速切换倍频器、滤波器和接收器部分。这些时序控制器通过串行外围设备接口(SPI)编程，然后由脉冲输入（复位和推进）操控。ADAR2004仅需一个2.5 V电源，在打开一个通道的情况下功耗为910 mW。ADAR2004采用7 × 7 mm、48引脚LGA封装，工作温度范围为-40°C至+85°C。特点• 四通道 LNA， 混频器，IF VGA• 4x LO 乘法器（带可编程谐波滤波器）• RF 输入频率范围：10 GHz 至 40 GHz• IF 输出频率范围：0 MHz 至 800 MHz• LO 输入频率范围：2.4 GHz 至 10.1 GHz• 增益范围：21 dB 至 41 dB• 输入 P1dB：−20 dBm 典型值（最小增益时）• 噪声指数：9 dB 典型值（最大增益时）• 3 线或 4 线 SPI 控制• 通过片内可编程状态机实现快速乘法器/滤波器和接收器的切换和控制• 片内温度传感器和 ADC• 直流功率：910 mW（2.5 V 电源）• 48 端子 7 mm × 7 mm LGA 封装
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2024/4/2 16:18:39
HMC560A 芯片是砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、双平衡混频器，可以在较小的芯片面积内用作 24 GHz至38 GHz 的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。HMC560采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至RF及 LO至中频(IF)抑制性能，分别为40 dB和44 dB。混频器的LO幅度为9 dBm至15 dBm。特点下变频器• 转换损耗• 24 GHz 至 29 GHz 时为 9 dB（典型值）• 29 GHz 至 38 GHz 时为 11 dB（典型值）• LO 到 RF 隔离• 24 GHz 至 29 GHz 时为 40 dB（典型值）• 29 GHz 至 38 GHz 时为 38 dB（典型值）• LO 到 IF 隔离• 24 GHz 至 29 GHz 时为 27 dB（典型值）• 29 GHz 至 38 GHz 时为 44 dB（典型值）• RF 到 IF 隔离• 24 GHz 至 29 GHz 时为 20 dB（典型值）• 29 GHz 至 38 GHz 时为 28 dB（典型值）• 输入 IP3• 24 GHz 至 29 GHz 时为 18 dBm（典型值）• 29 GHz 至 38 GHz 时为 19 dBm（典型值）• IF 带宽：直流至 18 GHz• 无源，不需要直流偏置
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2024/4/2 16:13:12
HMC525ACHIPS是一款紧凑型砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)同相/正交(I/Q)混频器，符合RoHS标准。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC525ACHIPS是混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC525ACHIPS无需线焊，可以使用表贴制造技术。特点• 无源：不需要直流偏置• 转换损耗：最大 11 dB（下变频器）• 输入 IP3：最小 17 dB（下变频器）• LO 到 RF 隔离：43 dB（最小值）• IF 焊盘频率范围：直流至 3.5 GHz• 符合 RoHS 标准的 12 焊盘裸片 (CHIP)
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2024/4/2 16:09:39
ADMV1139A是一款硅绝缘体（SOI）、微波、上变频器和下变频器，专为在37 GHz至50 GHz频率范围内工作的5G无线电设计而优化。上变频器和下变频器都提供两种频率转换模式。一种模式是从复杂中频（IF）信号转换和/或转换为复杂中频信号，然后通过可选的片上90°IF混合，称为IF模式。另一种模式是从差分基带同相/正交（I/Q）输入和输出的直接转换，称为基带模式。I/Q基带输出共模电压可在0.7 V和1.5 V之间编程。当该设备被用作图像抑制下变频器时，在校准之前，不需要的图像项通常被抑制到26dBc。ADMV1139A提供平方律功率检测器，以允许监测下变频器的混频器输入处的功率电平。射频接收输入、射频发射输出和本振（LO）接口均为单端，匹配50Ω。片上射频开关提供了将发射和接收射频端口组合在一起的选项，用于时分双工（TDD）应用。串行端口接口（SPI）提供LO链I/Q相位的调整，以实现最佳边带抑制。此外，SPI允许在不需要载波馈通优化时关闭输出包络检测器以降低功耗。ADMV1139A上变频器和下变频器安装在一个紧凑的、热增强的、6毫米×6.5毫米的球栅阵列（BGA）封装中。这种BGA封装能够使ADMV1139A从封装的顶部散热，以实现最有效的散热。ADMV1139A在−40°C至+95°C TC范围内工作。特点•将上变频器（发射机）、下变频器（接收机）和LO链与4×乘法器集成在一个芯片中•射频频率范围：37 GHz至50 GHz•发射器和接收器之间的可选片上射频开关端口•LO输入频率范围：7.25 GHz至12.05 GHz•上变频器和下变频器的两种操作模式•差分基带I/Q的直接转换（基带模式）•复杂的中频操作，可选片上混合（中频模式）•可编程基带输出共模电压，在接收模式下为0.7 V至1.5 V，通过SPI或物理引脚...
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2024/4/2 16:06:42
ADMV1530是一款通用的双平衡混频器，采用无障碍、符合RoHS标准的表面贴装技术（SMT）封装，可用作5 GHz至30 GHz之间的上变频器或下变频器。中频（IF）端口具有从0 GHz到10 GHz的宽带宽，可实现灵活的频率规划，避免产生杂散产品。该混频器采用砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）工艺制造，不需要外部组件或匹配电路。由于优化了巴伦结构，ADMV1530提供了极好的本地振荡器（LO）到RF和LO到IF抑制。混频器以19dBm的典型LO幅度工作。RoHS-compliantADMV1530消除了引线接合的需要，允许使用表面安装制造技术。ADMV1530采用紧凑型4毫米×4毫米18端接地栅格阵列（LGA）封装，可在−40°Cto+85°C的温度范围内工作。特点•转换损耗（下变频器）：15 GHz至30 GHz时的典型损耗为7 dB•输入IP3（下变频器）：27 dBm，典型频率为15 GHz至30 GHz•输入IP2（上变频器）：50 dBm，典型频率为15 GHz至30 GHz•输入1 dB压缩点（下变频器）：典型值为17 dBm•LO至RF隔离：典型值为40 dB•LO到IF隔离：在15 GHz到30 GHz时典型为50 dB•射频到中频隔离：在15 GHz到30 GHz时典型为25 dB•18端子，符合RoHS标准，4 mm×4 mm LGA封装
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2024/4/2 16:04:58
ADMV1550是一款通用型双平衡混频器，采用无铅RoHS兼容型表贴技术(SMT)封装，可用作15 GHz至65 GHz范围内的上变频器或下变频器。中频(IF)端口上具有DC至20 GHz的宽带宽，可进行灵活的频率规划以免出现杂散产物。该混频器采用砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。ADMV1550采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至IF抑制性能。该混频器采用15 dBm（典型值）的LO幅度运行。符合RoHS标准的ADMV1550无需线焊，可使用表贴制造技术。ADMV1550采用紧凑型4 mm × 4 mm、18引脚基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。特点• 转换损耗：8 dB（典型值，15 GHz至50 GHz时）• 输入IP3（下变频器）：20 dBm（典型值，15 GHz至50 GHz时）• 输入IP2（下变频器）：40 dBm（典型值，15 GHz至50 GHz时）• 输入P1dB（上变频器）：11 dBm（典型值）• LO至RF隔离：35 dB（典型值）• LO至IF隔离：35 dB（典型值）• RF至IF隔离：45 dB（典型值，15 GHz至50 GHz时）• 符合RoHS标准的18引脚、4 mm × 4 mm LGA封装应用• 微波和小型卫星地面站(VSAT)无线电• 测试设备• 军事电子战(EW)• 电子对抗(ECM)• 指挥、控制、通信和情报
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2024/4/2 16:00:07
ADMFM2000是一款双通道微波下变频器，封装系统（SiP）模块，输入射频和本地振荡器（LO）频率范围为5 GHz至32 GHz，输出中频（IF）频率范围从0.5 GHz至8GHz。一个公共LO输入信号被分割以馈送两个分离的缓冲放大器以驱动每个通道中的混频器。每个下变频路径由LNA、混频器、IF滤波器、数字步进衰减器（DSA）和IF放大器组成。ADMFM2000采用表面安装和裸模组件相结合的方式制造，具有精确的增益调节功能和低失真性能。ADMFM2000采用紧凑型屏蔽20.00 mm×14.00 mm、179球芯片级封装球栅阵列[CSP_BGA]，可在−40°C至+85°C的温度范围内工作。特点•双通道，0.5 GHz至32 GHz接收器•集成LNA•集成下变频混频器•混合器旁路集成开关•集成中频LPF:8 GHz带宽•集成DSA•衰减范围：31 dB，步长为1 dB•单个普通LO输入•50Ω匹配输入和输出•20.00 mm×14.00 mm，179球CSP_BGA
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2024/4/2 15:56:30
ADPA9002 是一款砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 微波单片集成电路 (MMIC) 功率放大器，工作频率范围为直流至 10 GHz。该放大器可以提供 15 dB 的增益、42 dBm 的 OIP3 和 31.5 dBm 的饱和输出功率 (PSAT)，只需要 12 V 的工作电压和 385 mA 的工作电流。ADPA9002 在正常工作时自偏置，并具有可选偏置控制以进行电源静态电流 (IDQ) 调整。该放大器适用于军用和航空航天以及测试设备应用。ADPA9002 还具有内部匹配至 50 Ω 的输入和输出，采用符合 RoHS 指令的 5 mm × 5 mm LFCSP 预制腔体封装，与大批量表面贴装技术 (SMT) 组装设备兼容。特点• OP1dB：29 dBm（典型值）• 增益：高达 15 dB（典型值）• OIP3：高达 43 dBm（典型值）• 385 mA 时自偏置电压 VDD = 12 V（典型值），VGG1 上提供可选偏压控制以进行 IDQ 调整• 50 Ω 匹配输入/输出• 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP
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2024/3/27 15:33:55
HMC797APM5E是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器，工作频率范围为DC至22 GHz。该放大器提供13.5 dB增益、39 dBm输出IP3和+28 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为400 mA（采用+10 V电源）。该多功能PA在4至20 GHz范围内具有正增益斜率，因而非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。HMC797APM5E放大器I/O内部匹配至50 Ω，方便集成到多芯片模块（MCM）中，采用无引脚QFN 5×5 mm表贴封装，无需外部匹配元件。特点• 高P1dB输出功率：28 dBm• 高Psat输出功率：29.5 dBm• 高增益：13.5 dB• 高输出IP3：39 dBm• 电源电压：+10 V（400 mA时）• 50 Ω匹配输入/输出• 32引脚5×5 mm SMT封装：25 mm2
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2024/3/27 15:29:02