总线上的事务通过一个启动（ST）信号来启动。启动条件定义为在SCL线保持高电平的同时，数据线上的电平从高变低。在主设备发送此信号后，总线即被视为忙碌状态。在启动条件之后传输的下一个数据字节的前7位包含从设备的地址，第8位则指示主设备是从从设备接收数据还是向从设备发送数据。当发送地址时，系统中的每个设备都会将启动条件后的前七位与其地址进行比较。如果它们匹配，则该设备认为自身已被主设备寻址。与LSM6DSV16X相关的从机地址（SAD）为110101xb。SDO/SA0引脚可用于修改设备地址的最低有效位。如果SDO/SA0引脚连接到电源电压，则最低有效位（Lsb）为1（地址为1101011b）；否则，如果SDO/SA0引脚连接到地，则最低有效位（Lsb）为0（地址为1101010b）。这种解决方案允许将两个不同的惯性模块连接到同一I²C总线并进行寻址。必须进行带确认的数据传输。在确认脉冲期间，发送器必须释放SDA线。然后，接收器必须将数据线拉低，以便在确认时钟脉冲的高电平时保持稳定低电平。已寻址的接收器必须在收到每个数据字节后生成一个确认。LSM6DSV16X内置的I²C接口作为从设备运行，必须遵循以下协议。在启动条件（ST）之后，发送从设备地址，一旦返回从设备确认（SAK），则传输8位子地址（SUB）。地址的增量由CTRL3（12h）（IF_INC）配置。从机地址由一个读/写位组成。如果该位为1（读），则必须在两个子地址字节后发出重复启动（SR）条件；如果该位为0（写），则主机向从机发送数据，方向不变。表12解释了SAD+读/写位模式的构成方式，列出了所有可能的配置。数据以字节格式（DATA）传输。每次数据传输包含8位。每次传输的字节数不受限制。数据传输时，最高有效位（MSb）在前。如果从机接收器未确认从机地址（即因正在执行某些实时功能而无法接收），则从机...
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2026/6/3 16:07:08
LSM6DSV16X的设计完全符合Android标准，具备以下片上功能：• 4.5 KB的FIFO数据缓冲区，数据可压缩两到三次– 灵活配置和分区，实现100%效率– 可以存储时间戳• 事件检测中断（完全可配置）– 自由落体– 唤醒– 6D定位– 点击和双击感应– 活动/非活动识别– 静止/运动检测• 具有可忽略不计的功耗和高性能的特定IP模块（称为“嵌入式功能”）– 计步器功能：步数检测器和步数计数器– 倾斜– 显著运动检测– 有限状态机（FSM）– 具有可导出功能和过滤器的机器学习核心（MLC），适用于人工智能应用– 自适应自配置（ASC）–嵌入式传感器融合低功耗（SFLP）算法• 传感器集线器– 最多可搭载六个传感器：两个内置传感器（加速度计和陀螺仪）和四个外置传感器• 用于处理外部模拟输入数据的模拟集线器• Qvar：电荷变化检测计步器功能：步数检测器和步数计数器LSM6DSV16X内置了一个高级计步器，其算法在超低功耗域中运行，以确保在电池受限的应用中实现超长的电池寿命。凭借增强的可配置性，这款先进的嵌入式计步器适用于从移动设备到可穿戴设备等一系列广泛的应用场景。该算法处理并分析加速度计波形，以便统计用户在步行和跑步活动中的步数。计步器以30赫兹的频率工作，且不受所选设备电源模式（超低功耗、低功耗、高性能）的影响，从而确保了与其他设备功能结合使用时，能够提供超低功耗的体验和极高的灵活性。计步器的输出数据可以在设备的FIFO缓冲区中进行批处理，以降低整体系统的电流消耗。ST免费提供支持和工具，以便轻松配置设备并调整算法配置，从而提供一流的用户体验。机器学习核心LSM6DSV16X嵌入了一个用于机器学习处理的专用内核，该内核提供了系统灵活性，允许在应用处理器中运行的一些算法移动到MEMS传感器，具有持续降低功耗的优点。机器学习核心逻辑允许识别数据模式（例如运动、压力、...
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2026/6/3 16:05:11
OLS500适用于高速数字接口应用、消除接地回路和输入/输出缓冲。每个OLS500都有一个LED和集成高速探测器，安装并耦合在定制的密封表面安装无引线芯片载体（LCC）陶瓷封装中，在输入和输出之间提供1500 VDC的电气隔离。LED发出的光由集成探测器中的光电二极管收集，并由高增益线性放大器放大，该放大器驱动肖特基箝位集电极开路输出晶体管。OLS500的典型传播延迟为60ns。内部屏蔽将共模瞬态抗扰度提高到最低1000V/μs。设备安装是通过回流焊接或导电环氧树脂实现的。具备的特性•在-55°C至+125°C的环境温度范围内保证性能•保证最小共模抑制（CMR）瞬态抗扰度，1000 V/μs•1500 VDC电气隔离•低功耗肖特基晶体管-晶体管逻辑（LSTTL）/晶体管到晶体管逻辑（TTL）兼容•高速，典型速度为10 Mbps•低输入LED电流•类似于6N134、6N137和HCPL2601•提供100%高可靠性筛查OLS500结构图OLS500封装尺寸
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2026/6/1 14:44:35
OLS100专为需要高CTR和低饱和VCE的光隔离的应用而设计。每个OLS100器件由一个LED和N-P-N硅光电晶体管组成，安装并耦合在定制的密封表面安装无引线芯片载体（LCC）封装中。低输入电流使OLS100非常适合直接互补金属氧化物半导体（CMOS）到低功率肖特基晶体管（LSTTL）到晶体管逻辑（TTL）接口。OLS100设备可以使用回流焊或导电环氧树脂安装。具备的特性•电流传输比保证在-55°C至+125°C范围内•环境温度范围•电气隔离：1500 VDC•高电流传输比（CTR）：超温最低75%。在低输入电流下，IF=1 mA时，温度超过100%•高可靠性和坚固的结构•CTR与达林顿输出相当，但饱和度低•VCE=0.15v•类似于4N2X、4N4X型光耦合器OLS100封装尺寸OLS100框图
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2026/6/1 14:37:04
OLS600有一个LED和一个集成的高速检测器，它们安装并耦合在一个6针无引线芯片载体（LCC）封装中，在输入和输出之间提供1500 VDC的电气隔离。LED发出的光被集成探测器中的光电二极管收集。集成探测器包含一个施密特触发器，该触发器提供抗噪性和脉冲整形的滞后以及集电极开路输出。该产品的典型传播延迟为170ns。共模抑制（CMR）瞬态抗扰度大于1000 V/μs。设备表面安装是通过回流焊接或导电环氧树脂实现的。具备的特性•在-55°C至+125°C的环境温度范围内保证性能•保证最小CMR瞬态抗扰度1000 V/μs@300 VCM•1500 VDC电气隔离•微处理器兼容驱动器•开/关阈值滞后•快速切换：tr，tf=10ns典型值OLS600结构图OLS600开关测试电路图
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2026/6/1 14:32:35
OLS300适用于将晶体管晶体管逻辑（TTL）连接到低功率肖特基晶体管逻辑（LSTTL）或互补金属氧化物半导体（CMOS），以及宽带模拟应用。每个OLS300都有一个LED和集成光电二极管晶体管检测器，安装并耦合在定制的密封表面安装无引线芯片载体（LCC）陶瓷封装中，在输入和输出之间提供1500 VDC的电隔离。与标准光电晶体管相比，集成光电二极管晶体管通过降低基极到集电极的电容，将开关速度提高了几个数量级。OLS300的器件安装是通过回流焊接或导电环氧树脂实现的。具备的特性•电气参数保证在-55°C至+125°C的环境温度范围内•1500 VDC电气隔离•高速，典型速度为1 Mbps•开路集电极输出•高可靠性和坚固的结构•类似于6N135/136、4N55型光耦合器•耐辐射•可进行高可靠性筛查OLS300结构图OLS300封装尺寸图
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2026/6/1 14:28:24
Si5332是一款高性能、低抖动的时钟发生器，能够合成多达12个用户可编程的时钟频率，最高可达333.33 MHz。该设备支持使用外部或嵌入式晶体进行自由运行操作，或者可以锁定到外部时钟信号。输出驱动器最多支持12个差分时钟或24个LVCMOS时钟，或两者的组合。输出驱动器可配置为支持常见的信号格式，如LVPECL、LVDS、HCSL和LVCMOS。VDDO引脚具有通用性，可以设置为3.3V、2.5V、1.8V或1.5V（仅限CMOS），为多格式输出驱动器供电。核心电压源（VDD）接受3.3V、2.5V或1.8V，并且独立于输出电源（VDDOx）。Si5332使用其两级合成架构和获得专利的高分辨率低抖动MultiSynth技术，可以从单个设备生成整个时钟树。Si5332将宽带PLL与下一代MultiSynth技术相结合，提供业界最高输出计数的高性能可编程时钟发生器，抖动性能低于200 fs RMS。PLL锁定到外部16-50 MHz晶体或嵌入式50 MHz晶体，用于生成自由运行时钟，或锁定到外部时钟（CLKIN_2/CLKIN_2#或CLKIN_3/CLKIN_3#），用于生成同步时钟。在自由运行模式下，振荡器频率乘以PLL，然后由整数分频器或MultiSynth分频以进行分数合成。Si5332具有用户定义的通用硬件输入引脚，可以在ClockBuilder Pro软件实用程序中配置。通用硬件引脚可用于OE、扩频启用、输入时钟选择、输出频率选择或I²C地址选择。该设备提供在其非易失性存储器（NVM）中存储用户定义的时钟配置的选项，这将成为通电时的默认时钟配置。为了启用系统内编程，可以通过OTP提供加电模式，该模式以OTP定义的默认模式为芯片加电，但不启用输出。这允许主处理器首先写入用户定义的寄存器子集，然后重新启动加电序列以激活新编程的配置，而无需重新下载OTP。
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2026/6/1 14:24:05
OLF300适用于将晶体管晶体管逻辑（TTL）连接到低功率肖特基晶体管逻辑（LSTTL）、TTL或互补金属氧化物半导体（CMOS），以及宽带模拟应用。每个OLF300都有一个发光二极管和一个集成的光电二极管晶体管检测器，安装并耦合在一个定制的8针密封扁平封装中，在输入和输出之间提供1000 Vdc的电气隔离。与标准光电晶体管相比，集成光电二极管晶体管通过降低基极到集电极的电容，将开关速度提高了几个数量级。内部屏蔽提供了出色的共模抗扰性能。具备的特征•密封SMT封装•电气参数保证在-55°C至+125°C的环境温度范围内•1000 Vdc电气隔离•高速，典型速度为1 Mbit/s•开路集电极输出•300KHz带宽•类似于6N135/136、4N55•耐辐射•提供100%高分辨率筛查OLF300结构图
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2026/6/1 14:19:17
HMC613LC4B是一款连续检测对数视频放大器（SDLVA），工作频率为0.1至20 GHz。HMC613LC4B的记录范围为59 dB。该器件提供4/18ns的典型快速上升/下降时间和14ns的优越延迟时间。HMC613LC4B日志视频输出斜率通常为14 mV/dB。最大恢复时间小于30 ns。HMC613LC4B采用高度紧凑的4x4 mm SMT陶瓷封装，是高速信道化接收器应用的理想选择。具备的特征宽输入带宽；0.1至20 GHz高记录范围：18 GHz时为59 dB（-54至+5）输出频率平坦度：±1.5 dB对数线性度：±1 dB快速上升/下降时间：4/18ns恢复时间：26纳秒单正电源：+3.3V空间级包装可用24引脚4x4mm SMT封装：16mm2HMC613LC4B非常适合：•电子战、电子情报和瞬时测频接收机•测向雷达系统•ECM系统•宽带测试和测量•功率测量和控制电路•军事和航天应用功能图
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2026/5/29 11:35:41
HMC-C026是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器，采用微型密封模块，带有可更换的SMA连接器，工作频率在2至20 GHz之间。放大器在1 dB增益压缩下提供31 dB增益、2.5 dB噪声系数、+30 dBm输出IP3和高达+26 dBm的输出功率。宽带放大器输入/输出在内部匹配到50欧姆，并且是直流阻断的，使HMC-C026成为电子战、ECM雷达和测试设备应用的理想选择。集成电压调节器允许对负极和正极电源引脚进行灵活的偏置，而内部偏置排序电路确保了稳健的运行。具备的特征增益：31 dB @ 6 GHzP1dB输出功率：+26 dBm @ 6 GHz噪声系数：2.5 dB @ 8 GHz无杂散操作受控供应与偏压排序全密封模块现场可更换的SMA连接器工作温度范围：-55°C至+85°CHMC-C026宽带PA适用于：•电信基础设施•微波无线电和VSAT•军事和航天•测试仪器•光纤HMC-C026功率放大器功能图
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2026/5/29 11:29:01
HMC-C004是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器，采用微型密封模块，带有可更换的SMA连接器，工作频率在10 MHz至20 GHz之间。自偏置放大器提供15dB的增益、3-4dB的噪声系数和+24dBm的饱和输出功率，同时需要单个+12V电源。增益平坦度在±0.5 dB时表现出色，与0.01至10 GHz的线性相位偏差为±2度，使HMC-C004成为OC192光纤LN/MZ调制器驱动器应用的理想选择。宽带放大器的输入/输出在内部与50欧姆相匹配，并且在内部被直流阻断。具备的特征增益：15dB饱和输出功率：+24 dBm50欧姆匹配输入/输出受监管的供应和偏差排序密封模块现场可更换SMA连接器工作温度-55至+85˚CHMC-C004宽带驱动器非常适合：•OC192 LN/MZ调制器驱动器•电信基础设施•微波无线电和甚小孔径终端•军事与航天•测试仪器HMC-C004功能图
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2026/5/29 11:24:49
CAT28F512是一款高速64K x 8位电可擦除和可重编程闪存，非常适合需要系统内或售后代码更新的应用。完整存储器内容的电擦除通常在0.5秒内实现。它的引脚和读取时序与标准EPROM和EEPROM设备兼容。编程和擦除是通过操作和验证算法执行的。使用两个写周期方案通过I/O总线输入指令。地址和数据被锁存，以在写入操作期间释放I/O总线和地址总线。CAT28F512采用Catalyst先进的CMOS浮栅技术制造。它的设计可承受100000次编程/擦除周期，数据保留期为10年。该器件有JEDEC批准的32针塑料DIP、32针PLCC或32针TSOP封装。特性快速读取访问时间：90/120/150ns低功耗CMOS功耗：有源：最大30mA（CMOS/TTL电平）待机：最大1mA（TTL电平）待机：最大100µA（CMOS电平）高速编程：每字节约10µs1秒典型芯片程序12.0V±5%编程和擦除电压电子签名商业、工业和汽车温度范围程序/擦除停止定时器片上地址和数据锁存JEDEC标准引脚：32针DIP32针PLCC32针TSOP（8 x 20）100000个程序/擦除周期10年数据保留程序验证模式执行编程验证周期，以确保在每个字节编程操作后所有位都已正确编程。特定地址已经从刚刚完成的写入周期中锁存，并保持锁存状态，直到验证完成。通过将C0H写入命令寄存器来启动程序验证操作。内部参考产生必要的高电压，这样用户就不需要修改VCC。
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2026/5/29 11:12:54
CMD244是宽带GaAs MMIC分布式放大器芯片，工作频率从DC到24GHz。放大器提供18dB的增益，相应的输出1dB压缩点为+25dBm，10GHz时的噪声系数为2.5dB。CMD244采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD244提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。这种放大器是高成本混合放大器的完美替代品。具备特点•超宽带性能•正增益斜率•高输出功率•低噪音系数•封装尺寸小CMD244的背面是RF接地。芯片连接应使用导电和导热环氧树脂或共晶连接完成。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。
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2026/5/28 16:34:25
CMD249是宽带GaAs MMIC分布式功率放大器芯片，工作频率从DC到20 GHz。放大器在10 GHz下提供大于12 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为+30 dBm，输出IP3为38 dBm。CMD249采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD249提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。主要特点•超宽带性能•高线性•高输出功率•出色的回波损耗•封装尺寸小装配指南：CMD304的背面是RF接地。芯片连接应仅使用导电和导热环氧树脂完成。不建议使用共晶连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100um，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。
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2026/5/28 16:06:55
CMD304是一款超宽带砷化镓（GaAs）微波集成电路（MMIC）分布式驱动放大器芯片，工作频率范围为直流至67吉赫兹（GHz）。该放大器在30吉赫兹时提供9.5分贝（dB）的增益，相应的噪声系数为3分贝，输出1分贝压缩点为+11分贝毫瓦（dBm）。CMD304采用50欧姆匹配设计，无需射频（RF）端口匹配。主要特点超宽带性能平坦增益响应低噪声系数低功耗封装尺寸：1350um x1150um 装配指南CMD304的背面是RF接地。芯片连接应仅使用导电和导热环氧树脂完成。不建议使用共晶连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100微米，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。
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2026/5/28 15:58:58
Qorvo的QPA1027是一款封装的高功率s波段放大器，采用Qorvo生产的0.25 um GaN-on-SiC高压工艺（QGaN25HV）制造。QPA1027覆盖2.8-3.5 GHz，提供60 W的饱和输出功率和22 dB的大信号增益，同时实现55%的功率附加效率。QPA1027封装在带有铜桨的塑料包覆成型QFN中，易于操作，具有良好的热性能。因此，QPA1027具有偏置灵活性，允许用户改变电压以实现最佳系统性能，同时保持高可靠性。QPA1027与50欧姆相匹配，两个I/O端口上都有集成的直流阻断帽。QPA1027具有高性能、良好的热特性以及易于处理和系统集成的特点，是雷达和卫星通信系统的理想选择。无铅，符合RoHS标准。主要特点频率范围：2.8-3.5 GHzPSAT（PIN=26 dBm）：48 dBmPAE（PIN=26 dBm）：55%小信号增益：31dB偏置：脉冲VD=50 V，IDQ=300 mA，VG=-2.7 V典型值。封装尺寸：6.0 x 6.0 x 0.85毫米主要应用S波段雷达卫星通信可焊性符合最新版J-STD-020标准，无铅焊料，260°C。请勿将封装盖暴露在 280°C的温度下
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2026/5/28 15:53:37
Qorvo的QPA2962是在Qorvo QGaN15 GaN-on-SiC工艺上制造的宽带功率放大器。QPA2962的工作频率为2至20 GHz，在22 V漏极偏压下提供10 W的饱和功率、13 dB的大信号增益和22%的功率附加效率。RF端口匹配50Ω，包括集成隔直电容器和RF扼流圈。QPA2962采用5 x 5 mm气腔层压封装，为设计人员提供了一种方便的SMT兼容器件，在减小尺寸和成本的同时，提供了宽带功率、增益和效率的宝贵组合。QPA2962非常适合军事和商业市场的宽带通信系统、电子战、测试仪器和雷达应用。QPA2962无铅，符合RoHS标准。主要特点：•频率范围：2-20GHz•PSAT（PIN=27 dBm）：40 dBm•PAE（PIN=27 dBm）：22%•功率增益（PIN=27 dBm）：13 dBm•小信号增益：19 dB•偏压：VD=22 V，IDQ=1680 mA•封装尺寸：5.0 x 5.0 x 1.455毫米应用•通信系统•电子战•雷达•测试设备
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2026/5/28 15:47:39
Qorvo的QPA1011D是一款X波段高功率MMIC放大器，采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC工艺（QGaN15）制造。QPA1011D的工作频率为7.9-11 GHz，通常提供25 W的饱和输出功率，功率附加效率为37%，大信号增益为20 dB。宽带性能的这种组合提供了设计者所寻求的灵活性，以提高系统性能，同时减小尺寸和成本。QPA1011D还可以支持各种操作条件，以最好地支持系统要求。凭借良好的热性能，它可以支持一系列偏置电压，并且在CW和脉冲操作下都表现良好。QPA1011D与50Ω匹配，两个RF I/O端口上都集成了隔直电容器，简化了系统集成。宽带性能和操作灵活性使其能够支持卫星通信和数据链路，以及军事和商业雷达系统。QPA1011D在晶圆上进行了100%的直流和射频测试，以确保符合电气规范。无铅，符合RoHS标准。特征频率范围：7.9-11 GHz输出：PIN=25 dBm时为45 dBmPAE:25 dBm时为37%大信号增益：PIN=25 dBm时为20 dB小信号增益：26 dB集成功率检测器偏压：VD=24 V，IDQ=1200 mA，VG=−2.0 V典型值脉冲VD：脉宽=100µS，直流=10%芯片尺寸：2.75 x 3.12 x 0.10毫米应用卫星通信数据链接军用和商用雷达脉冲操作评估板（EVB）布局组件注：PCB是多层的1.所有4种金属厚度均为0.5盎司2.上芯1为罗杰斯4003C，厚度为8密耳3.下芯2为370HR，6密耳厚4.Pre-Preg是一种环氧涂层玻璃纤维布5.成品PCB总厚度为25±3密耳6.该EVB使用铜制PCB，在高功耗长脉冲和/或CW条件下实现最佳热管理
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2026/5/28 15:33:24