FM33LE0 支持以下 Flash 编程方法：•在系统编程（ISP）：通过 FMSH 专用编程器或者 KEIL 用户界面实施芯片编程，使用 SWD 接口•在应用编程（IAP）：通过 bootloader 代码实现芯片自编程，用户可定义任意串口，可用于实现程序在线升级编程前必须对 Flash 进行擦除。Flash 支持三种擦除操作：全擦、扇区擦、页擦一、Flash 擦写时钟执行 Flash 擦写时使用校准后的 RCHF 时钟，但是系统时钟可以是任意时钟。NVMIF 根据当前RCHF 实际频率设置，来产生相应的计时长度。需要支持的 RCHF 频率为 8M、16M 和 24M。擦写时钟独立于 CPU 时钟，两者之间作为异步时钟处理。二、Flash 擦写方法FM33LE0 支持 Flash 擦除操作，以及单次编程和连续编程。Flash 擦写前须进行 Key 校验，写入顺序错误或写入值错误，或者在 Flash Key 验证正确之前就进行擦除或编程 Flash 操作将会进入错误状态，并产生相应中断。Flash Key 认证错误之后将禁止擦写Flash 直到下一次复位。而在正常擦写完成后，向 KEY 寄存器写入任意值都会使状态机返回初始的写保护状态。状态转换如下图：软件可以通过查询 FLSIF.KEYSTA 来确认当前 Key 输入状态。三、全擦操作（Matrix Erase）全擦操作只能由 SWD 接口启动，软件禁止进行全擦。全擦操作仅擦除 main array，不会擦除特殊信息扇区。SWD 可以在制造商或用户模式下启动全擦，操作流程如下：•编程器通过 SWD 配置 ERTYPE 寄存器为 10•编程器通过 SWD 清除 PREQ 寄存器，置位 EREQ 寄存器•编程器通过 SWD 写入 Flash 全擦 Key：0x9696_9696 和 0x7D7D_7D7D•SWD 向 Fla...
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2026/1/13 11:35:48
FM24C64D 提供 65 536 位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），按 8 192 个字、每字 8 位组织，并带有 128 位唯一标识码（UID）和 32 字节安全扇区。该器件支持级联功能，最多允许 8 颗芯片共享同一双线总线，经过优化，适用于对低功耗和低电压运行至关重要的多种工业与商业应用场景。具备的特点工作电压低：Vcc = 1.7 V 至 5.5 V内部结构：8 192 × 8 位双线串行接口施密特触发、滤波输入，抑制噪声双向数据传输协议兼容 1 MHz（2.5 V5.5 V）与 400 kHz（1.7 V）写保护引脚，实现硬件数据保护32 字节页写模式（允许部分页写）可锁定的 32 字节安全扇区每颗芯片 128 位唯一 ID自定时写周期（最大 5 ms）高可靠性– 擦写寿命：1 000 000 次– 数据保存：40 年封装形式（均符合 RoHS，无卤）：PDIP8、SOP8、TSSOP8、TDFN8、超薄 4 球 WLCSP封装类型盘点以上是关于其的一些相关信息，如有采购及选型需求，可联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/13 11:31:11
FM24C16D 提供 16384 位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），按 2048 个字、每字 8 位组织，并带有 128 位唯一标识码（UID）和 16 字节安全扇区。该器件经过优化，适用于对低功耗和低电压运行至关重要的多种工业与商业应用场景。具备的特点工作电压低：Vcc = 1.7 V 至 5.5 V内部结构：2048 × 8 位双线串行接口施密特触发、滤波输入，抑制噪声双向数据传输协议兼容 1 MHz（2.5 V5.5 V）与 400 kHz（1.7 V）写保护引脚，实现硬件数据保护16 字节页写模式（允许部分页写）可锁定的 16 字节安全扇区每颗芯片 128 位唯一 ID自定时写周期（最大 5 ms）高可靠性– 擦写寿命：1,000,000 次– 数据保存：40 年封装形式（均符合 RoHS，无卤）：PDIP8、SOP8、TSSOP8、TSOT23-5L、TDFN8、超薄 5 球 WLCSP封装类型盘点以上是关于其的一些相关信息，如有采购及选型需求，可联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/13 11:29:27
FM17580是一款高度集成的工作在13.56MHz下的非接触通讯芯片，支持以下2种不同的工作模式。支持符合ISO/IEC14443TypeA协议的读写器模式支持符合ISO/IEC14443TypeB协议的读写器模式并且同时提供了低功耗的快速发场功能，方便电池供电、需要低功耗工作、并且需要实时处理任意时刻会进入射频场的外部卡片的读写器设备。具有低电压、低功耗、驱动能力强、多接口支持、多协议支持等特点。适用于低功耗、低电压、低成本要求的非接触读写器应用。具备的特点支持ISO/IEC 14443 TypeA 读写器模式支持ISO/IEC 14443 TypeB 读写器模式读写器模式支持M1 加密ISO14443 TYPEA 支持通讯速率106kbps，212kbps，424kbps读写器操作距离可达50mm（取决于天线设计）支持多种host 接口SPI 接口最高10Mbps，PVDD 为1.7V 时最高5MbpsHost 接口独立电源供电64Byte 收发缓冲FIFO中断输出模式灵活可配两种低功耗模式Soft powerdown 模式Deep powerdown 模式（常温典型值50nA）可编程定时器内置振荡电路外接27.12MHz 晶体宽电压工作范围2.5V3.6V射频发射驱动采用独立电源供电，最高可达5.5V内置CRC 协处理器可编程I/O 引脚下面是基于FM17580的典型应用图以上是关于其的一些相关信息，如有采购及选型需求，可联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/13 11:20:27
非接触逻辑加密芯片是RFID与传感产品线最早的一个产品系列，该系列产品基于ISO14443协议，有多种存储容量规格的系列产品。依托具有优良兼容性的射频模拟设计技术、高可靠的存储设计技术，此系列产品被广泛应用于交通、校园、门禁门锁、小额支付、证件、防伪等领域。以下是关于其型号的详细介绍FM11RF005M容量为 512Bits，符合ISO14443-A 标准，工作频率为 13.56MHz，工作距离不小于 10CM。FM11RF005M 内含加密控制和通讯逻辑电路，是具有极高的保密性和逻辑处理功能的多用途非接触逻辑加密芯片，可广泛应用于低成本的城市轨道交通、各类计费支付卡和数据采集系统等领域。FM11RF005M 非接触式逻辑加密由 FM11RF005M 芯片、天线和卡基组成；本身不携带电源；通过天线获得读写器发出的能量进行工作；与读写器之间的通讯采用无线射频技术来实现。FM11RF005U容量为 512Bits，符合ISO14443-A 标准，工作频率为 13.56MHz，工作距离不小于 10CM。FM11RF005UL 的 OTP 和存储器只读锁定功能，使其成为具有较高的保密性的多用途非接触式射频卡芯片，适用于城市轨道交通、各类计费支付卡和数据采集系统等应用领域。FM11RF005UL 非接触式射频卡由 FM11RF005UL 芯片、天线和卡基三部分组成。它本身不携带电源，通过天线获得读写器发出的能量进行工作，与读写器之间的通讯采用无线射频技术来实现。FM11RF08S该芯片容量为 1K x 8 bits，符合 ISO14443 -A标准，工作频率为 13.56MHz。FM11RF08S 带三重防伪认证，内含加密控制和通讯逻辑电路，是具有保密功能和逻辑处理功能的多用途非接触射频卡芯片，可广泛应用于低成本的城市轨道交通、各类计费支付卡和数据采集系统等领域。相对于 FM11RF...
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2026/1/13 11:05:46
电气原理图主要是用来表明设备电气的工作原理及各种电器元件的作用，是一种相互之间关系的表达方式。合理运用电器原理图的方式和技巧，对于分析电气线路、排除电路故障、程序编程等方面有显著作用。下面就一块来了解一下吧！1.电气原理图组成电气原理图通常由主电路、控制电路、保护、配电电路等几部分组成。2.常见的绘图软件电气CAD、protel99、Cadence等3.基础的电气符号图3.1电气常用图形符号3.2电气常用文字符号3.3常用的辅助文字符号以上就是关于电气原理图的一些基础电气符号信息，希望对你在设计中有所帮助，如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/13 10:09:06
1.安森美74HC373概述74HC373 的引脚排列与 LS373 完全一致。器件输入端兼容标准 CMOS 输出；外加上拉电阻后，也可与 LSTTL 输出兼容。当锁存使能（Latch Enable）为高电平时，这些锁存器对数据“透明”——输出随输入异步变化；当锁存使能变为低电平后，满足建立与保持时间的数据即被锁存。输出使能（Output Enable）端不影响锁存器的内部状态，但当其为高电平时，所有器件输出均被强制进入高阻态。因此，即使输出未被使能，数据仍可被锁存。HC373A 的功能与 HC573A 完全相同，后者将数据输入端置于封装对面一侧，以方便 PCB 布线。HC373A 是 HC533A 的非反相版本。2.具备的特征•输出驱动能力：15个LSTTL负载•输出直接连接到CMOS、NMOS和TTL•工作电压范围：2.0至6.0 V•低输入电流：1.0 A•CMOS器件的高抗噪特性•符合JEDEC标准7.0 A要求•ESD性能：HBM 2000 V；机器型号200V•芯片复杂度：186个FET或46.5个等效门•这是一个无铅设备3.芯片尺寸图如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/13 9:55:43
1.概述LM4132 系列精密电压基准虽然采用经济型 CMOS 工艺，却能达到与最顶尖的激光修正双极基准相当的性能。其关键在于利用 EEPROM 寄存器，在 CMOS 带隙架构内对曲率、温度系数（tempco）和初始精度进行校正，并可在封装级重新编程，从而克服组装漂移。传统激光修正在芯片塑封后出现的电压精度和温度系数漂移，往往限制了最终精度。与其他 LDO 型基准不同，LM4132 可提供高达 20 mA 的输出电流，无需输出电容，也无需缓冲放大器。加上 SOT-23 小封装，这些优势使其特别适合空间受限的应用。串联型基准的功耗低于并联型，因为空载时无需“闲置”最大可能的负载电流。结合其 60 µA 超低静态电流和 400 mV 低压差特性，LM4132 成为电池供电系统的理想选择。芯片提供 A、B、C、D、E 五个精度等级，灵活度更高：最高等级（A）：初始精度 0.05%，温度系数 ≤10 ppm/°C最低等级（E）：初始精度 0.5%，温度系数 30 ppm/°C2.型号特性输出初始电压精度：0.05 %低温漂：10 ppm/°C低供电电流：60 µA使能引脚支持 3 µA 关断模式输出电流能力：20 mA电压选项标准：1.8 V、2.048 V、2.5 V、3 V、3.3 V、4.096 V可定制：1.8 V – 4.096 V 范围内任意值输入电压范围VREF + 400 mV 至 5.5 V（负载 10 mA 时）外接电容兼容低 ESR 陶瓷电容，系统更稳定。2.1符合汽车级应用要求已通过 AEC-Q100 认证，主要结果如下：器件温度等级 1：环境温度工作范围 –40 °C 至 +125 °C器件 HBM ESD 分类等级 23.常见应用•仪表和过程控制•测试设备•数据采集系统•基站...
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2026/1/12 10:56:47
1.概述MP8756 是一款全集成、高频率、同步整流的降压型开关电源转换器。它可在宽输入电压范围内提供高达 6 A 的持续输出电流，并具有出色的负载与线性调整率，方案极为紧凑。凭借 MPS 独有的开关损耗降低技术及内部低 Rsub 功率 MOSFET，MP8756 在宽负载电流范围内均能保持高效率。自适应恒定导通时间（COT）控制模式带来快速瞬态响应，并简化环路补偿；DC 自动调谐环路进一步保证良好的负载与线性调整特性。完整的保护功能包括：过流限制、过压保护（OVP）、欠压保护（UVP）及热关断。该转换器所需外部元件极少，采用 QFN-12（2 mm × 3 mm）封装。2.具备的特征4.5V至26V宽工作输入范围输出可从0.6V调节超声波模式（USM）117μA低静态电流6连续输出电流快速瞬态自适应COT直流自动调谐回路POSCAP和陶瓷输出稳定1% 参考电压内部软启动输出放电700kHz开关频率OCP、OVP、UVP（打嗝）和热关机提供QFN-12（2mmx3mm）封装3.常见的应用膝上型计算机平板电脑网络系统个人视频记录器平板电视和显示器分布式电力系统4.芯片封装及引脚配置信息如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:46:15
DS18B20 可通过 VDD 引脚外接电源供电，也可工作于“寄生电源”模式——无需本地外部电源。寄生电源非常适合远程测温或空间极度受限的场合。上图给出了 DS18B20 的寄生电源控制电路：当总线为高电平时，芯片通过 DQ 引脚“窃取” 1-Wire 总线上的能量。窃得的电荷在总线高电平期间为芯片供电，同时部分电荷被储存在寄生电容 Cpp 中，以供总线低电平时使用。采用寄生电源时，VDD 引脚必须接地。在寄生电源模式下，只要满足规定的时序与电压要求，1-Wire 总线与 Cpp 可为 DS18B20 的大部分操作提供足够电流。然而，当芯片正在进行温度转换或将暂存器数据复制到 EEPROM 时，工作电流可达 1.5 mA。该电流会在弱上拉电阻上产生不可接受的压降，也超过 Cpp 的供电能力。为确保 DS18B20 获得足够电流，必须在温度转换或暂存器复制期间对 1-Wire 总线实施“强上拉”。典型做法是用 MOSFET 把总线直接拉到电源轨，如下图所示。必须在主机发出 Convert T [44h] 或 Copy Scratchpad [48h] 命令后 10 µs（最大）内切换到强上拉；强上拉必须持续整个转换时间 tconv 或数据拷贝时间 tWR（10 ms）；强上拉期间，1-Wire 总线上不得进行任何其他操作。DS18B20 也可采用传统方式供电：把外部电源接到 VDD 引脚。如下图所示。优点：无需 MOSFET 强上拉，温度转换期间 1-Wire 总线可自由传输其他数据。高温注意事项当环境温度高于 +100 °C 时，不推荐采用寄生电源，因为高温漏电流增大，可能导致通信失败。若应用可能超过该温度，强烈建议改用外部电源供电。电源类型检测某些情况下，主机不知道总线上的 DS18B20 是寄生供电还是外部供电，而这决定是否需要强上拉。主机可发送：S...
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2026/1/12 10:39:42
DS18B20数字温度计提供9位至12位摄氏温度测量，并具有非易失性用户可编程上下触发点的报警功能。温度测量操作DS18B20 的核心功能是直接输出数字温度的温度传感器。其分辨率可由用户配置为 9、10、11 或 12 位，分别对应 0.5 °C、0.25 °C、0.125 °C 和 0.0625 °C 的温度步进。上电默认分辨率为 12 位。芯片上电后处于低功耗空闲状态。主器件必须发出“转换温度”命令 Convert T [44h] 才能启动温度测量与模数转换。转换结束后，温度数据被存入暂存器中的 2 字节温度寄存器，DS18B20 随即返回空闲状态。若 DS18B20 由外部电源供电，主器件可在 Convert T 命令后发出“读时隙”，芯片会在转换期间回传 0，转换完成后回传 1。若采用寄生电源供电，则无法使用这种通知方式，因为整个转换期间总线必须被强上拉拉高。温度数据格式DS18B20 输出的温度数据以摄氏度为单位已做校准；若需华氏度，必须另行查表或运行转换程序。温度寄存器中的数据为 16 位符号扩展二进制补码（见图）。符号位 S 表示温度正负：S = 0 为正，S = 1 为负。12 位分辨率时，温度寄存器所有位均有效；11 位分辨率时，bit 0 未定义；10 位分辨率时，bit 1 和 bit 0 未定义；9 位分辨率时，bit 2、1、0 未定义。表 1 给出了 12 位分辨率下若干数字输出与对应温度值的示例。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:33:49
MX25L12833F 是一款 128 Mb（16,777,216 × 8）串行 NOR Flash 存储器。当处于双线或四线 I/O 模式时，内部结构分别变为 67,108,864 位 × 2 或 33,554,432 位 × 4。该芯片采用串行外设接口（SPI）及软件协议，在单线 I/O 模式下仅需 3 根信号线即可操作：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。片选信号 CS# 为低时启用对器件的串行访问。双线读模式时，SI、SO 引脚变为 SIO0、SIO1，用于地址/哑元位输入与数据输出。四线读模式时，SI、SO、WP#、RESET#（8 引脚封装）分别变为 SIO0、SIO1、SIO2、SIO3，同样负责地址/哑元位输入与数据输出。MX25L12833F 的 MXSMIO（Serial Multi I/O）接口支持整芯片的连续读取操作。发出编程/擦除命令后，内部自动执行编程/擦除及校验算法，可针对指定页、扇区或块进行操作。编程可按字节、页（256 字节）或字单位执行。擦除可按 4 KB 扇区、32 KB 块、64 KB 块或整片执行。为便于用户使用，芯片内含状态寄存器，可通过读取 WIP（Write-In-Progress）位来查询编程或擦除是否完成。此外，还提供高级安全功能以增强保护与保密性。当 CS# 为高且器件空闲时，自动进入待机模式。MX25L12833F 采用旺宏专有存储单元，可承受 100,000 次编程/擦除循环，仍能可靠保存数据。不同封装下的引脚配置图如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:25:07
W29N01HV（1 Gbit）NAND Flash 存储器为空间、引脚和功耗均受限的嵌入式系统提供了一种存储方案。 回拷（Copy Back）操作回拷操作需要两组命令：先下发“回拷读”命令序列（00h-35h），再下发“回拷编程”命令序列（85h-10h）。回拷读（00h-35h）该命令与“回拷编程”配合使用。操作流程：向命令寄存器写入 00h；输入 4 个周期的源页地址；再写入 35h，启动把选中页的数据从存储阵列搬入数据寄存器。命令序列执行完毕且 RY/#BY 返回高电平后，可通过反复拉低 #RE 把数据读出；数据从当初“回拷读”命令指定的列地址开始顺序输出。此时可不限次数地使用“随机数据输出”命令（05h-E0h）调整输出列地址。至此，芯片处于就绪状态，等待接收“回拷编程”命令。回拷编程（85h-10h）“回拷读”完成且 RY/#BY 变高后，即可写入“回拷编程”命令。操作流程：向命令寄存器写入 85h；输入 4 个周期的目标页地址；再写入 10h，内部控制器自动开始把数据编程到新的目标页。编程期间 RY/#BY 保持低电平；也可用“读状态”命令（70h）代替 RY/#BY 检测完成时间。状态寄存器 Bit6=1 时表示就绪，此时 Bit0 指示操作结果：0=成功，1=失败。在“回拷编程”序列中，可插入“随机数据输入”命令（85h）来修改原始数据：先用“回拷读”把源页搬入数据寄存器；再写 85h 并给出需修改的列地址，同时在外部数据线上放置新数据；可多次使用 85h 任意修改；最后写 10h，原始数据与修改后的数据一起被写入目标页。由于回拷过程不经过外部存储器，且源页数据可能已存在位错误，建议在编程前先用可靠的 ECC 算法校验/修正数据。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:18:08
W29N01HV（1 Gbit）NAND Flash 存储器为空间、引脚和功耗均受限的嵌入式系统提供了一种存储方案。编程操作页编程（80h-10h）W29N01HV 的页编程命令必须按块内地址从低页到高页的顺序依次编程，禁止跳序编程。若将一页分区使用，本器件最多允许对同一页进行 4 次部分页编程；之后必须先擦除才能再次编程。注意：不支持在未擦除的情况下对同一位进行多次编程。串行数据输入（80h）页编程操作以向命令寄存器写入“串行数据输入”命令（80h）开始；随后输入 4 个地址周期，再连续写入数据。每个 #WE 周期把串行数据装入数据寄存器。数据输入完成后，向命令寄存器写入“编程”命令（10h）。此时内部写状态控制器自动执行编程与校验算法。编程开始后，可通过监测 RY/#BY 引脚或状态寄存器第 6 位（与 RY/#BY 同步）来判断是否完成。内部阵列编程期间（tPROG 时段）RY/#BY 保持低电平。在页编程过程中，芯片仅响应两条命令：读状态（70h）和复位（FFh）。当器件进入就绪状态后，状态寄存器第 0 位（I/O0）指示编程结果：Bit0 = 0 表示编程成功；Bit0 = 1 表示编程失败。命令寄存器将保持“读状态”模式，直到下发新的命令。随机数据输入（85h）在执行页编程（80h）并已将初始数据装入数据寄存器后，若还需在同一页内补充写入数据，可在下发“编程”命令（10h）之前，使用“随机数据输入”命令（85h）指定新的列地址进行写入。该命令可在同一页内多次使用。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:08:44
什么是W29N01HV单层式 (SLC) NAND 型闪存？W29N01HV（1 Gbit）NAND Flash 存储器为空间、引脚和功耗均受限的嵌入式系统提供了一种存储方案。它特别适用于代码到 RAM 的映射、固态应用，以及语音、视频、文本和照片等媒体数据的存储。该器件在单 2.7 V–3.6 V 电源下工作，活动时电流低至 25 mA，CMOS 待机电流仅 10 µA。整个存储阵列共 138,412,032 字节，划分为 1,024 个可擦除块，每块 135,168 字节。每个块由 64 个可编程页组成，每页 2,112 字节。其中 2,048 字节用于主数据区，另外 64 字节为备用区（通常用于差错管理功能）。W29N01HV 采用标准 NAND Flash 接口，通过复用的 8 位总线传输数据、地址和命令。五条控制信号线——CLE、ALE、#CE、#RE 和 #WE——完成总线协议控制。此外，器件还提供 #WP（写保护）和 RY/#BY（就绪/忙）两个信号引脚，用于监测芯片状态。2.具备哪些功能？基本特性–密度：1Gbit（单芯片解决方案）–Vcc：2.7V至3.6V–总线宽度：x8–工作温度工业：-40°C至85°C单层电池（SLC）技术。组织–密度：1G位/128M字节–页面大小2,112字节（2048+64字节）–块大小64 页面（128K+4K字节）最高性能–读取性能（最大值）随机阅读：25us顺序读取周期：25ns–写入擦除性能页面编程时间：250us（典型值）块擦除时间：2ms（典型值）–耐久性100000擦除/程序循环（1）–10年数据保留期指令集–标准NAND命令集–额外的指挥支持复制回最低功耗–读数：25mA（典型值3V），–编程/擦除：25mA（典型3V），–CMOS待机：10uA（典型值）空间高效包装–48针标准T...
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2026/1/12 9:45:20
上图是AD9979的典型应用。CCD输出由AD9979的模拟前端（AFE）电路处理，该电路包括相关双采样（CDS）、可变增益放大器（VGA）、黑电平钳位和ADC。数字化后的像素数据被送至数字图像处理器芯片，进行后期处理与压缩。为使CCD正常工作，系统ASIC通过3线串行接口将所有CCD时序参数写入AD9979。AD9979以图像处理器或外部晶振提供的系统主时钟CLI为基准，产生CCD所需的水平时钟以及内部AFE的所有时钟。AD9979的所有时钟均与VD和HD输入同步。其所有水平脉冲（CLPOB、PBLK和HBLK）均由内部编程并生成。AD9979内部集成了H1～H4及RG的H驱动器，因此这些时钟可直接连接至CCD。AD9979支持3 V的H驱动电压。下图给出了AD9979的最大水平与垂直计数器尺寸。这些计数器控制所有内部水平与垂直时钟，用于指定行与像素位置。最大HD长度为每行8191像素，最大VD长度为每帧8192行。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 11:00:55
1.概述AD9979 是一款专为高速数字摄像机应用而设计的高度集成 CCD 信号处理器。其像素速率最高达 65 MHz，内部集成完整的模拟前端（含模数转换）和可编程时序驱动器。Precision Timing™ 内核可在 65 MHz 工作时，以约 240 ps 的分辨率精细调整高速时钟。模拟前端包含黑电平钳位、相关双采样（CDS）、可变增益放大器（VGA）以及一片 65 MSPS、14 位模数转换器（ADC）。时序驱动器提供 CCD 所需的高速时钟驱动信号（RG、HL 及 H1～H4）。全部功能通过 3 线串行接口进行配置。AD9979 采用节省空间的 7 mm × 7 mm、48 引脚 LFCSP 封装，工作温度范围为 −25°C 至 +85°C。2.具备的特征1.8V模拟和数字核心电源电压具有-3 dB、0 dB、+3 dB和+6 dB增益的相关双采样器（CDS）6 dB至42 dB 10位可变增益放大器（VGA）14位65 MHz模数转换器带可变液位控制的黑色液位夹完整的片上定时发生器Precision Timing™内核，分辨率为240 ps，工作频率为65 MHz片上3V水平和RG驱动器用于快门和系统支持的通用输出（GPO）7毫米×7毫米，48导联LFCSP内部LDO稳压器电路3.常见应用专业高清摄像机专业/高端数码相机广播摄像机工业高速摄像机4.引脚配置信息如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 10:53:02
应用信息 - 评估板HMC470A 采用 4 层评估板设计。每层铜箔厚度为 0.5 oz（0.7 mil）。顶层介质材料为 10 mil 厚的 Rogers RO4350，以实现最佳高频性能；中间层和底层介质材料为 FR-4 类型，使整块板总厚度达到 62 mil。射频（RF）与直流（DC）走线布置在顶层铜箔上。底层和中间层为完整地平面，为射频传输线提供稳固的接地参考。射频传输线采用共面波导（CPWG）模型设计，线宽 16 mil，地间距 13 mil，特性阻抗为 50 Ω。为加强射频与热接地，在传输线周围及封装裸露焊盘下方尽可能多地布置了金属化过孔。上图展示了已装配的 HMC470A 评估板顶视图。评估板通过 2×6 针排针 J3 接地。电源与数字控制引脚也连接至 J3。电源走线上放置了 1 nF 去耦电容，用于滤除高频噪声。RF1 与 RF2 端口通过 50 Ω 传输线分别连接至 SMA 连接器 J1 和 J2。RF1 与 RF2 端口通过外部 330 pF 电容实现交流耦合。一条直通（thru）校准线连接 J9 与 J10，该传输线用于在不同环境条件下测量 PCB 的损耗。ACG 引脚通过 330 pF 电容接地。下图与表分别给出了评估板的电路原理图与材料清单（BOM）。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/9 10:51:04