STLM75是一款高精度数字CMOS温度传感器IC，具有sigma-delta温度-数字转换器和I²C兼容串行数字接口。它针对个人电脑、系统热管理、电子设备和工业控制器等一般应用，采用行业标准的8引脚TSSOP和SO8封装。该设备包含一个带隙温度传感器和9位ADC，可监测和数字化温度，分辨率高达0.5°C。STLM75在-55°C至125°C的整个温度测量范围内通常精确到（最大±3°C），在-25°C和+100°C范围内精度为±2°C。STLM75与LM75B引脚和软件兼容。STLM75规定在2.7 V至5.5 V的电源电压下工作。在3.3 V下工作时，电源电流通常为（125µA）。板载sigma-delta模数转换器（ADC）将测量的温度转换为以摄氏度为单位校准的数字值；对于Fahrenheit应用程序，需要查找表或转换例程。STLM75在工厂校准，不需要外部组件来测量温度。常见特性如下：•测量-55°C至+125°C（-67°F至+257°F）的温度•±0.5°C（典型）精度•从-25°C到+100°C，精度为±2°C（最大）•低工作电流：125μA（典型值）•无需外部组件•2线I2C/SMBus兼容串行接口•支持总线超时功能•可选择的总线地址允许在总线上连接多达八个设备•宽电源范围工作电压范围：2.7 V至5.5 V•转换时间为150 ms（最大）•可编程温度阈值和滞后设定点•引脚和软件与LM75兼容（即插即用）•通电默认值允许作为恒温器独立运行•关闭模式，以最大限度地减少功耗•输出引脚（开漏）可配置为中断或比较器/恒温器模式（两用事件引脚）
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2026/4/20 13:12:19
使用导电环氧树脂将管芯直接连接到接地平面。建议在0.127毫米（5密耳）厚的氧化铝薄膜基板上使用微带50Ω传输线，将射频引入和引出芯片。将芯片抬高0.075毫米（3密耳），以确保芯片表面与基板表面共面。将微带基板尽可能靠近管芯放置，以尽量减少带状键合长度。典型的芯片与基板间距为0.076mm至0.152mm（3密耳至6密耳）。为确保宽带匹配，建议在带状键合之前在PCB板上使用15fF电容性短截线。将微带基板尽可能靠近管芯放置，以尽量减少键合线长度。典型的芯片与基板间距为0.076mm至0.152mm（3密耳至6密耳）。操作注意事项为避免永久性损坏，请遵循以下储存、清洁、静电敏感性、瞬态和一般搬运注意事项：将所有裸芯片放入华夫饼或凝胶基ESD保护容器中，然后将芯片密封在ESD保护袋中以便运输。打开密封的ESD保护袋后，将所有模具存放在干燥的氮气环境中。在清洁的环境中处理芯片。请勿尝试使用液体清洁系统清洁芯片。遵循ESD预防措施，防止ESD电击。施加偏压时，抑制仪器和偏压电源瞬态。使用屏蔽信号和偏置电缆，以尽量减少电感拾取。用真空夹头或锋利的弯曲镊子沿边缘处理芯片。芯片表面可能有脆弱的气桥，不得用真空夹头、镊子或手指触摸。安装在连接环氧树脂芯片之前，在安装表面上涂上最少量的环氧树脂，以便在芯片放置到位后，在芯片周围观察到薄的环氧树脂填角。按照制造商的计划固化环氧树脂。引线键合射频端口建议使用0.003英寸×0.0005英寸的金带制成的射频键合。这些键必须以40克至60克的力进行热声键合。建议使用直径为0.001英寸（0.025毫米）的直流键进行热声粘合。以40g至50g的力形成球形键合，以18g至22g的力形成楔形键合。以150°C的标称阶段温度形成所有键合。施加最小量的超声波能量以实现可靠的粘合。保持所有粘合尽可能短，小于12密耳（0.31毫米）。或者，可...
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2026/4/17 15:15:32
ADL7003是一种砷化镓（GaAs）、伪晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）、单片微波集成电路（MMIC）、平衡低噪声放大器，工作频率为50 GHz至95 GHz。在50 GHz至70 GHz的低频段，ADL7003提供14 dB（典型）的增益、21 dBm的输出IP3和12 dBm的输出功率，用于1 dB的增益压缩。在70 GHz至90 GHz的高频段，ADL7003提供15 dB（典型）的增益、21 dBm的输出IP3和14 dBm的输出功率，用于1 dB的增益压缩。ADL7003需要来自3V电源的120mA。ADL7003放大器输入/输出内部匹配为50Ω，便于集成到多芯片模块（MCM）中。所有数据都是在芯片通过最小长度为0.076mm（3mil）的0.076mm（3m il）带状键连接的情况下获取的。具备的特性：增益：典型值14 dB噪声系数：典型值5 dB输入回波损耗（S11）：典型值为15dB输出回波损耗（S22）：典型值为20 dB1 dB压缩的输出功率（P1dB）：典型值为14 dBm饱和输出功率（PSAT）：典型值为18 dBm输出三阶截距（IP3）：典型值为21 dBm电源电压：120 mA时为3 V50 Ω 匹配的输入/输出模具尺寸：1.9毫米×1.9毫米×0.05毫米应用：测试仪器军事与太空电信基础设施
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2026/4/17 15:06:23
LTC2328-16是一款低噪声、高速的16位逐次逼近寄存器（SAR）ADC，具有伪差分输入。LTC2328-16由单个5V电源供电，具有±10.24V的真实双极输入范围，非常适合需要宽动态范围的高压应用。LTC2328-16实现了±1.5LSB INL最大值，16位无缺失码，信噪比为93.5dB。LTC2328-16具有板载单触发参考缓冲器和低漂移（最大20ppm/°C）2.048V温度补偿参考。LTC2328-16还具有高速SPI兼容串行接口，支持1.8V、2.5V、3.3V和5V逻辑，同时还具有菊花链模式。快速的1Msps吞吐量和无周期延迟使LTC2328-16非常适合各种高速应用。内部振荡器设置转换时间，简化了外部定时考虑。LTC2328-16仅消耗50mW，并在转换之间自动休眠，从而降低了功耗，功耗随采样率而变化。还提供睡眠模式，将LTC2328-16的功耗降低到300µW，以便在非活动期间进一步节省电力。具备的特性：1Msps吞吐率±1.5LSB INL（最大）保证16位无缺失代码伪差分输入真双极输入范围±6.25V、±10.24V、±12.5VfIN=2kHz时的信噪比（典型值）为93.5dB在频率为2kHz时，THD（典型值）为111dB保证在125°C下运行单5V电源低漂移（最大20ppm/°C）2.048V内部参考机载单发参考缓冲器无管道延迟，无循环延迟1.8V至5V输入/输出电压SPI兼容串行I/O，采用菊花链模式内部转换时钟功耗50mW（典型）16导联MSOP封装应用：可编程逻辑控制器工业过程控制高速数据采集便携式或紧凑型仪器自动测试设备
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2026/4/17 15:01:18
M25P64是一款64 Mbit（8M x 8）串行闪存，具有写保护机制，可通过高速SPI兼容总线指令访问，时钟频率高达75 MHz。使用页面编程指令，存储器一次可以编程1到256个字节。增强的快速编程/擦除模式可用于加快工厂环境中的操作。每当VPPH电压施加到写保护/增强程序电源电压引脚（W/VPP）时，设备就会进入此模式。2.存储器被组织为128个扇区，每个扇区包含256页。每页的宽度为256字节。因此，整个存储器可以被视为由32768页或8388608字节组成。可以使用批量擦除指令擦除整个内存，也可以使用扇区擦除指令一次擦除一个扇区。为了满足环保要求，Numonyx提供无铅和符合RoHS标准的M25P64封装。重要提示：本数据表详细介绍了基于先前工艺或基于当前T9HX工艺（自2008年3月起提供）的M25P64设备的功能。T9HX中的新设备与旧设备向后兼容，并包括以下附加功能：最大频率（快速读取）提高到75 MHzUID/CFD保护功能具备的特性：64 Mbit闪存2.7 V至3.6 V单电源电压SPI总线兼容串行接口75 MHz时钟频率（最大）页面程序（最多256字节）1.4毫秒（典型值）在0.35毫秒内（典型的V_PP=9 V）扇区擦除（512 Kbit）批量擦除（64 Mbit）电子签章JEDEC标准双字节签名（2017h）RES指令，一个字节，签名（16h），用于向后兼容性16字节只读的唯一ID码（UID）：可根据客户要求提供硬件写保护：由三个非易失性位（BP0、BP1和BP2）定义的保护区大小每个扇区超过100000个擦除/编程周期数据保留期超过20年
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2026/4/17 14:51:21
MAX20734该单芯片调节器提供极其紧凑、高效的电源方案，具有高精度输出电压和优异的瞬态响应，适用于网络、数据通信和电信设备。其布局指南主要如下：PCB布局会极大地影响稳压器的性能。设计不佳的电路板会降低效率、噪声性能，甚至控制回路稳定性。在较高的开关频率下，布局问题尤为关键。作为一般准则，输入电容器和输出电感器应放置在稳压器IC附近，而输出电容器应尽可能靠近负载集中在一起。这些组件的迹线应尽可能短和宽，以尽量减少寄生电感和电阻。连接IC上的输入电容器和VDDH（电源输入节点）的迹线需要特别注意，因为它们承载的电流具有最大的均方根值和最快的转换速率。根据最佳实践，输入电容器应尽可能靠近输入电源引脚放置，最小的封装高频电容器最靠近IC，距离IC引脚不超过60密耳。优选地，应在这些高频电流路径的正下方有一个不间断的接地平面，接地平面位于顶层下方不超过8密耳处。通过将这种高频交流电流的流动限制在调节器的紧密回路中，可以最大限度地减少电磁干扰（EMI）。电压感测线应直接与负载点进行差分布线。接地平面可以用作这些或其他敏感信号的屏蔽，以保护它们免受高频噪声的电容或磁耦合。对于负载和调节器IC相隔很长距离或阻抗的远程传感应用，将大部分输出电容器直接放置在负载上非常重要。理想情况下，为了系统稳定性，所有输出电容器应尽可能靠近负载放置。在遥感应用中，需要共模滤波来滤除感测线中的高频噪声。为了获得最佳性能，应使用以下布局建议：IC下方必须有一个低阻抗和不间断的接地平面，并在电感器和输出电容器组下方延伸。建议对所有承载高电流的路径（即GND、VDDH、VX）使用多个通孔。通孔应靠近芯片放置，以创建尽可能短的电流回路。过孔的放置不得阻碍接地平面中的电流或镜像电流的流动。应使用靠近芯片的单个通孔将顶层AGND迹线连接到第二层接地平面，不得连接到顶部电源接地区域。反馈分频器和补偿网络应靠近IC，以...
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2026/4/17 14:47:07
MAX20734是一款完全集成的高效开关稳压器，配备PMBus™，适用于工作电压为4.5V至16V、需要高达40A（最大）负载的应用。这款单芯片稳压器为网络、数据通信和电信设备提供了极其紧凑、高效的电源传输解决方案，具有高精度的输出电压和出色的瞬态响应。IC通过PMBus或连接到专用编程引脚的电容器和电阻器提供广泛的可编程功能。使用此功能，可以针对特定应用优化操作，减少组件数量和/或在调节器的性能和系统成本之间进行适当的权衡。易于编程，可以将相同的设计用于多个应用程序。IC包括保护和遥测功能。正负循环过电流保护和过热保护确保了坚固的设计。当输入电压超出规格时，输入欠压锁定会关闭设备以防止操作。状态引脚提供输出信号，表明输出电压在范围内，系统正在调节。优势和特点高功率密度和低元件数整体解决方案尺寸509mm²，包括电感器和输出电容器峰值效率90.7%，VDDH=12V，VOUT=1V快速瞬态响应：支持高达300A/μs的负载阶跃瞬态优化组件性能和效率，缩短设计时间遥测和电源管理的PMBus兼容接口通过数字总线报告电压、电流和温度通过系统和IC自我保护功能提高电源可靠性带开路检测的差分遥感打嗝过电流保护可编程热关机应用● 通信设备● 网络设备● 服务器和存储设备● 负载点电压调节器● µP芯片组● 内存VDDQ● I/O
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2026/4/17 14:42:45
OP90是一种高性能的微功率运算放大器，可在1.6V至36V的单电源或±0.8V至±18V的双电源下工作。输入电压范围包括负轨，使OP90能够在单电源操作中将输入信号接地。当从单一电源运行时，OP90的输出摆动还包括接地，实现了“零进、零出”操作。OP90消耗的静态电源电流小于20μA，同时能够向负载提供超过5mA的输出电流。输入偏移电压低于150μV，无需外部调零。增益超过700000，共模抑制优于100dB。低于5.6μV/V的电源抑制比最大限度地减少了电池供电系统中经历的偏移电压变化。OP90提供的低偏移电压和高增益为微功率应用带来了精确的性能。OP90的最低电压和电流要求使其适用于电池和太阳能应用，如便携式仪器、遥感器和卫星。电池供电应用OP90可以在1.6V的最小电源电压下运行，也可以在±0.8V的双电源下运行，并且只消耗14pA的电源电流。在许多电池供电的电路中，OP90可以在需要更换电池之前连续运行数千小时，从而减少设备停机时间和运营成本。高性能便携式设备和仪器经常使用锂电池，因为与旧的原电池相比，锂电池的保质期长、重量轻、密度高。大多数锂电池的标称输出电压为3V，并以平坦的放电特性而闻名。OP90的低电源电压要求，结合锂电池的平坦放电特性，表明OP90可以在电池的整个使用寿命内运行。
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2026/4/17 14:35:23
SG2000系列集成了七个NPN达林顿对和内部抑制二极管，用于在许多需要恶劣环境的军事、航空航天和工业应用中驱动灯、继电器和螺线管。所有单元均具有开路集电极输出，击穿电压大于50V，载流能力为500mA。五种不同的输入配置提供了与DTL、TTL、PMOS或CMOS驱动信号接口的优化设计。这些器件设计用于在-55°C至125°C的环境温度下工作，采用16针双列直插式陶瓷（J）封装和20针无引线芯片载体（LCC）。塑料SOIC（DW）设计用于在0°C至70°C的商业温度范围内运行。特性七个NPN达林顿对-55°C至125°C的环境工作温度范围集电极电流至600mA输出电压范围为50V至95V电感负载用内部箝位二极管DTL、TTL、PMOS或CMOS兼容输入密封陶瓷封装
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2026/4/17 14:22:44
过压保护：TPS54540-Q1设备包含一个输出过电压保护（OVP）电路，以在低输出电容设计中从输出故障条件或强卸载瞬态中恢复时，最大限度地减少电压过冲。例如，当电源输出过载时，误差放大器将实际输出电压与内部参考电压进行比较。如果FB引脚电压在相当长的一段时间内低于内部参考电压，则误差放大器的输出将增加到与峰值电流限制阈值对应的最大电压。当过载条件消除时，稳压器输出上升，误差放大器输出转换到正常工作电平。在某些应用中，电源输出电压的增加可能比误差放大器输出的响应更快，从而导致输出过冲。当使用低值输出电容器时，OVP功能通过将FB引脚电压与上升的OVP阈值（标称为内部电压参考的109%）进行比较来最小化输出过冲。如果FB引脚电压大于上升的OVP阈值，则立即禁用高侧MOSFET以最小化输出过冲。当FB电压降至标称为内部电压参考的106%的下降OVP阈值以下时，高侧MOSFET恢复正常工作。
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2026/4/17 14:19:16
TPS54540-Q1器件是一个42V、5-a的降压稳压器，带有集成的高侧MOSFET。根据ISO 7637，该设备能够承受高达65 V的负载转储脉冲。电流模式控制提供了简单的外部补偿和灵活的元件选择。低纹波脉冲跳跃模式将空载电源电流降低到146μA。当使能引脚拉低时，停机电源电流降至2μA。欠压锁定在内部设置为4.3V，但可以使用启用引脚处的外部电阻分压器来增加。输出电压启动斜坡由内部控制，以提供受控的启动并消除过冲。宽的可调频率范围允许优化效率或外部组件尺寸。输出电流逐周期限制。频率折返和热关断在过载情况下保护内部和外部组件。TPS54540-Q1采用8针热增强型HSOP PowerPAD封装。具备的特性：符合汽车应用要求AEC-Q100合格，结果如下：设备温度等级1：环境工作温度范围为-40°C至125°C器件HBM ESD分类等级H1C设备CDM ESD分类等级C3B低负载下的高效率，脉冲跳过生态模式™92-mΩ高侧MOSFET146-μA工作静态电流和2-μA关断电流100 kHz至2.5 MHz可调开关频率与外部时钟同步集成BOOT充电FET的轻载低压差可调UVLO电压和滞后0.8-V 1%内部电压参考8针HSOP PowerPAD™封装应用：•车辆配件：GPS（见SLVA412）、娱乐、ADAS、eCall•USB专用充电端口和电池充电器（见SLVA464）•工业自动化和电机控制•12V、24V和48V工业、汽车和通信电源系统
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2026/4/17 14:10:44
TUSB211A是第三代USB 2.0高速信号调节器，旨在补偿传输信道中的交流损耗（由于电容性负载）和直流损耗（由于电阻损耗）。TUSB211A利用专利设计，通过边缘增强器加速USB 2.0高速信号的过渡边缘，并通过直流升压功能提高静态电平。此外，TUSB211A包括预均衡功能，以补偿较长电缆长度应用中的符号间干扰（ISI）抖动。USB低速和全速信号特性不受TUSB211A的影响。TUSB211A在不改变分组定时或增加传播延迟或延迟的情况下提高了信号质量。TUSB211A帮助系统通过长达5米的电缆通过USB 2.0高速近端眼合规性。TUSB211A与USB On-The-Go（OTG）和电池充电（BC）协议兼容。具备的特性：宽电源电压范围：2.3–6.5 V超低USB断开和关闭功耗提供USB 2.0高速信号调理兼容USB 2.0、OTG 2.0和BC 1.2支持低速、全速和高速信号主机或设备无关支持长达5米的电缆长度通过外部下拉电阻值设置四个可选信号EQ（边缘升压和直流升压）使用两个TUSB211A设备支持长达10米的电缆长度可扩展的解决方案——设备可以菊花链连接，用于高损耗应用引脚与TUSB211、212、214、216和217A（3.3V）兼容常见应用：•笔记本电脑、台式机或扩展坞•便携式电子设备•平板电脑•手机•电视•有源电缆、电缆扩展器、背板
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2026/4/17 14:07:13
UCC27714是一款600V高侧、低侧栅极驱动器，具有4-a源极和4-a吸收电流能力，旨在驱动功率MOSFET或IGBT。该器件包括接地参考通道（LO）和浮动通道（HO）中的一个，浮动通道设计用于使用自举电源工作。该器件具有出色的鲁棒性和抗噪性，能够在HS引脚上高达-8VDC的负电压（VDD=12V）下保持操作逻辑。该器件接受10 V至20 V的宽范围偏置电源输入，并为VCC和HB偏置电源引脚提供UVLO保护。UCC27714采用SOIC-14封装，额定工作温度为-40°C至125°C。具备的特性：高端、低端配置，具有独立输入高达600V（HS引脚）的完全运行为Bootstrap操作设计的浮动通道VDD=15V时4-A信宿4-A源极的峰值输出电流能力同类最佳传播延迟（最大125 ns）同类最佳延迟匹配（最大20ns）TTL和CMOS兼容输入逻辑VDD偏置电源范围为10V至20V两个通道的偏置UVLO保护轨对轨驱动负电压瞬态下的稳健运行高dv/dt抗扰度（HS引脚）逻辑（VSS）和驱动器（COM）的独立接地，能够维持电压差可选启用功能（引脚4）当输入浮动时，输出保持在低电平输入和启用引脚电压电平不受VDD引脚偏置电源电压的限制高低压引脚分开，实现最大爬电和间隙输入和启用引脚上的负电压处理能力应用：•离线交流和直流电源中的半桥和全桥转换器•用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度开关电源•太阳能逆变器、电机驱动器和UPS
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2026/4/17 13:56:04
CGHV96050F2是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种GaN内部匹配（IM）FET具有出色的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，GaN具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供了更大的功率密度和更宽的带宽。该IM FET采用金属/陶瓷法兰封装，可实现最佳的电气和热性能。具备的特性：•8.4-9.6 GHz操作•典型功率为80 W•10 dB功率增益•55%典型PAE•内部匹配50欧姆•功率下降0.1 dB应用程序：•海洋雷达•天气监测•空中交通管制•海上船舶交通管制•港口安全
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2026/4/17 13:52:46
ADP121受到电流和热过载保护电路的保护，不会因过度功耗而损坏。ADP121设计用于在输出负载达到225mA（典型值）时限制电流。当输出负载超过225mA时，输出电压降低以保持恒定的电流限制。内置热过载保护，将结温限制在最高150°C（典型值）。在极端条件下（即高环境温度和功耗），当结温开始升至150°C以上时，输出关闭，输出电流降至零。当结温降至135°C以下时，输出再次打开，输出电流恢复到标称值。考虑从VOUT到GND发生硬短路的情况。起初，ADP121的电流受到限制，因此只有225mA的电流被引入短路。如果结的自热足够大，导致其温度升高到150°C以上，热关断会关闭输出并将输出电流降至零。当结温冷却并降至135°C以下时，输出打开并传导225 mA至短路，再次导致结温升至150°C以上。135°C和150°C之间的这种热振荡会导致225 mA和0 mA之间的电流振荡，只要输出端仍然存在短路，这种振荡就会持续下去。电流和热极限保护旨在保护设备免受意外过载情况的影响。为了确保可靠运行，必须对器件的功耗进行外部限制，使结温不超过125°C。
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2026/4/16 14:13:39
ADP121是一款静态电流、低压差、线性稳压器，工作电压为2.3V至5.5V，可提供高达150mA的输出电流。150mA负载下的低135mV压降提高了效率，并允许在宽输入电压范围内运行。满载时30μA的低静态电流使ADP121成为电池供电便携式设备的理想选择。 那么它的操作原理是什么？ADP121在满载时产生30μa的低静态电流（典型值）使ADP121成为电池供电便携式设备的理想选择。关机电流消耗通常为100nA。ADP121经过优化，可与1μF的小型陶瓷电容器配合使用，具有出色的瞬态性能。在内部，ADP121由参考、误差放大器、反馈分压器和PMOS传输晶体管组成。输出电流通过PMOS传输器件传输，该器件由误差放大器控制。误差放大器将参考电压与来自输出的反馈电压进行比较，并放大差值。如果反馈电压低于参考电压，则PMOS器件的栅极被拉低，允许更多电流流动并增加输出电压。如果反馈电压高于参考电压，则PMOS器件的栅极被拉得更高，从而允许更少的电流流动并降低输出电压。ADP121的输出电压范围为1.2V至3.3V。ADP121在正常工作条件下使用EN引脚启用和禁用VOUT引脚。当EN为高时，VOUT接通；当EN为低时，VOUT关闭。对于自动启动，EN可以与VIN绑定。
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2026/4/16 14:09:45
LTC3113在高频下切换大电流。应特别注意PCB布局，以确保稳定、无噪声和高效的应用电路。文末图片展示了一个具有代表性的4层PCB布局，概述了一些主要考虑因素。下文概述了一些关键准则：所有循环的大电流路径应尽可能短。这可以通过使文末图片中所有突出显示的组件的路线尽可能短和宽来实现。电容器接地连接应通过尽可能短的路径向下到达接地平面。VIN上的旁路电容器应尽可能靠近IC放置，并且应具有尽可能短的接地路径。裸露焊盘是LTC3113的电源接地连接。多个通孔应将背板直接连接到接地平面。此外，连接到背板的金属化的最大化将改善热环境并提高IC的功率处理能力。请参考文末图2，作为适当暴露焊盘电源接地和通孔布局的示例，以提供良好的热连接和接地性能。突出显示的组件及其连接应全部放置在完整的接地平面上，以尽量减少回路横截面积。这最大限度地减少了EMI并减少了电感降。所有突出显示的组件的连接应尽可能宽，以降低串联电阻。这将提高效率，并最大限度地提高降压-升压转换器的输出电流能力。为了防止大的循环电流干扰输出电压感测，应使用靠近IC且远离电源连接的通孔将每个电阻分压器的接地返回到接地平面。保持电阻分压器到反馈引脚FB的连接尽可能短，并远离开关引脚连接。如果可用，应在内部铜层上进行交叉连接。如果需要将这些放在地平面上，请使地平面上的轨迹尽可能短，以尽量减少对地平面的干扰。
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2026/4/16 14:00:47
LTC3113是一款低噪声、高功率同步降压-升压DC/DC转换器，针对要求苛刻的应用进行了优化。电流限制操作降压-升压转换器有两个限流电路。初级电流限制是一个平均电流限制电路，如果输入电流超过7.8A，它会向FB提供电流以降低输出电压。由于反馈回路的高增益，注入的电流迫使误差放大器输出减小，直到通过开关A的平均电流减小到大约电流限制值。平均电流限制利用处于活动状态的误差放大器，从而在电流故障条件消除后提供平滑的恢复，几乎没有过冲。由于电流限制基于通过开关A的平均电流，因此电流限制中的峰值电感器电流将取决于过电流条件下的占空比（即输入和输出电压）。为了使此限流功能最有效，FB到地的戴维南电阻应超过100k。平均电流限制电路的速度受到误差放大器动态特性的限制。在硬输出短路时，电感器电流可能会在平均电流限制电路做出反应之前大幅增加到电流限制之外。因此，存在第二电流限制电路，如果电流超过平均电流限制值的约142%，则该电路会关闭开关a。这在瞬时硬输出短路的情况下提供了额外的保护。如果输出电压名义上低于1.2V，与正常工作电流限制相比，两个电流限制都会降低。
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2026/4/16 13:55:30