MASW-000936是一款SPDT高功率、宽带、高线性、PIN二极管T/R开关，适用于0.05-6.0 GHz应用，包括WiMAX和WiFi。该设备采用行业标准的无铅4mm PQFN塑料封装。该器件采用MACOM的低损耗、高隔离开关二极管工艺制造的PIN二极管管芯。特征•卓越的宽带性能•低插入损耗：TX=0.20 dB@2.7 GHz•高隔离度：RX=50 dB@2.7 GHz•高TX射频输入功率=120 W CW@2.0 GHz，+85°C•高TX RF输入峰值功率：1000 W•仅需要正直流偏压•表面安装4mm PQFN封装•符合RoHS*标准，兼容260°C回流焊应用适用于大功率LTE、TD-SCDMA、WiMAX和军用无线电应用
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2025/9/1 14:14:40
MASW-000834-13560T是一款SPDT宽带、高线性、共阳极、PIN二极管T/R开关，适用于0.05-6.0 GHz应用，包括WiMAX和WiFi。该设备采用工业标准4mm PQFN塑料包装。该器件采用MACOM的专利硅玻璃HMIC™工艺制造的PIN二极管管芯。该芯片具有两个嵌入低损耗、低色散玻璃中的硅基座。二极管形成在每个基座的顶部。顶侧完全被氮化硅封装，并具有额外的聚合物钝化层。这些聚合物保护涂层可防止搬运和组装过程中的损坏和污染。这款紧凑的4mm PQFN封装SPDT开关具有0.05-6.0 GHz的宽带性能，在TX和RX状态下都具有出色的隔离损耗比。PIN二极管在2010 MHz下提供50 W的典型C.W.功率处理和65 dBm的IIP3，以获得最大的开关性能。特征·卓越的宽带性能，0.05-6.0 GHz·适用于超高功率TD-SCDMA和WiMAX应用·高Tx RF输入峰值功率1000 W·高TX射频输入功率=50 W C.W.@2010MHz·高隔离度：Rx=36dB@3.5 GHz，20mA/5V·高隔离度：Rx=44dB@2010 MHz，20mA/5V·低损耗：TX=0.38 dB@3.5 GHz，5V/20mA·低损耗：TX=0.33 dB@2010 MHz，5V/20mA·表面贴装4mm PQFN封装，符合RoHS*标准
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2025/9/1 14:12:42
MASW-011120是一款SPDT高功率、宽带、高线性、PIN二极管T/R开关，适用于0.03-6.0 GHz的高功率应用。该设备采用行业标准无铅5mm HQFN塑料封装。该器件采用低损耗、高隔离开关二极管工艺制造的PIN二极管管芯。MASW-011120可用于任何需要低损耗、高隔离和高功率处理SPDT的应用。特征·宽带性能·无铅5毫米20导联HQFN封装·符合RoHS标准·专为高功率TDD-LTE应用而设计·2.7 GHz时的功率处理：200 W CW@+85ºC·2.7 GHz时的高隔离度：RX=44 dB·2.7 GHz时的低损耗：TX=0.25 dB RX=0.35 dB
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2025/9/1 14:08:34
MAAL-011141是一款易于使用的宽带低噪声分布式放大器芯片。它的工作范围为直流至28 GHz，在8 GHz时提供17.5 dB的线性增益、16 dBm的P1dB和1.4 dB的噪声系数。输入和输出完全匹配50Ω 典型的回波损耗15dB。该放大器采用有源端接电路，在频率范围的下端实现比使用传统电阻端接技术更低的噪声系数。该产品采用GaAs pHEMT工艺制造，该工艺具有完全钝化的特点，可提高可靠性。MAAL-011141可用作低噪声放大器级或更高功率应用中的驱动器级。该设备非常适合测试和测量、电子战、ECM和雷达应用。特征•超宽带性能•噪声系数：8 GHz时为1.4 dB•高增益：8 GHz时为17.5 dB•输出IP3:27.5 dBm@8 GHz•偏置电压：VDD=5-6V•偏置电流：IDSQ=60-100mA• 50 Ω 匹配的输入/输出•仅限正电压•无铅5毫米32导联AQFN封装•符合RoHS标准应用程序•测试与测量、电子战、电子对抗和雷达
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2025/8/29 14:34:59
MAAL-011129是一款易于使用的三级低噪声放大器，具有高增益和宽带50Ω匹配。它的设计工作频率为18至31.5 GHz，采用无铅2x2 mm 8引脚PDFN塑料封装。MAAL-011129具有集成有源偏置电路和偏置三通，允许直接连接到VDD，而无需外部扼流圈或直流块。偏置电流由简单的外部电阻器RB设置，因此用户可以定制功耗。当VBIAS=0 V时，设备可以置于断电模式。MAAL-011129提供了一种表面安装、易于使用、低噪声的放大器解决方案，非常适合VSAT、点对点和24 GHz ISM等各种接收器应用。特征噪声系数：2.5 dB@24 GHz高增益：24 GHz时为23 dB50 Ω 输入和输出匹配单电压偏置：3 V至5 V范围集成有源偏置电路电流可在1mA-80mA范围内调节无铅2毫米8导联PDFN封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS标准
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2025/8/29 14:32:07
MAAL-010528是一款高性能X波段GaAs LNA，采用微型无铅3mm PQFN表面贴装塑料封装。该MMIC的工作频率为8至12 GHz，提供20 dB的标称增益，具有出色的增益平坦度、26 dBm的高OIP3线性度和1.6 dB的中频带噪声系数。该部分采用自偏置架构，只需要一个正电源。该设备内部匹配50 O输入/输出，由于其易于使用和出色的性能参数，非常适合多种应用，包括Vsat、雷达和微波无线电。特征1.6 dB噪声系数单4 V偏压@60 mA内部完全匹配50Ω无铅3mm 16导联PQFN封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS标准
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2025/8/29 14:28:48
MACOM的MAADSS0010是一款1 dB阶跃GaAs MMIC数字衰减器，采用无铅QSOP-16（SSOP-16）封装，衰减范围为31 dB。它需要RF端口上的外部隔直电容器、正电源电压和五个单独的位控制电压。MAADSS0010特别适用于需要高衰减精度、低插入损耗和低互调产物的场合。典型应用包括基站、无线数据和无线本地环路增益电平控制电路。MAADSS0010是使用M/A-COM的GaAs 1.0微米工艺制造的。该工艺具有全芯片钝化功能，可提高性能和可靠性。特征5位，1 dB步长卓越的精确度单正极控制（+3V至+5V）无铅QSOP-16（SSOP-16）封装铜上镀100%哑光锡无卤素“绿色”模塑料260°C回流兼容符合RoHS标准的MAATSS0002版本
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2025/8/29 14:26:45
MA4SW410是一款SP4T、串联分流、宽带、PIN二极管开关，采用MACOM的专利HMICTM（异质微波集成电路）工艺制造。该工艺允许将形成串联分流二极管和通孔的硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中。通过在电路元件之间加入小间距，结果“是HMIC芯片在高达26.5GHz的频率下具有低插入损耗和高隔离度。它被设计为用作中等功率、高性能的开关，与使用分立元件的类似设计相比，其性能更优越。芯片的顶面由聚合物涂层保护，用于手动或自动处理，大型金焊盘有助于促进低电感带的连接。芯片背面的金金属化允许通过80/20、金/锡焊料或导电银环氧树脂进行连接。MA4SW410是一种高性能开关，适用于需要高隔离插入损耗比的多频带ECM、雷达和仪表控制电路。使用标准±5V、TTL控制、PIN二极管驱动器，可实现50nS的开关速度。特征•宽带•规定频率为50 MHz至20.0 GHz•适用于50 MHz至26.5 GHz•插入损耗更低/隔离度更高•全单片玻璃封装芯片•在+25°C时，CW功率处理高达+33 dBm•符合RoHS标准应用程序•航空航天与国防•ISM
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2025/8/29 14:23:56
MACOM的MA4FCP200是一种硅倒装芯片PIN二极管，采用获得专利的HMIC工艺制造，可提供可重复的电气特性。这种二极管是使用为极低寄生效应设计的工艺在外延晶片上制造的。二极管用氮化硅完全钝化，以尽量减少漏电流。芯片还具有额外的聚合物层，用于冲击和划痕保护，以防止在处理过程中损坏有源区。小外形和低0.05pS RC产品使该器件可用于需要多掷开关和开关移相器电路的场合。特征低串联电阻低电容快速切换速度氮化硅钝化聚合物防刮擦保护符合RoHS标准
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2025/8/29 14:16:48
MACOM的MA4AGSW1A是一种铝镓砷化物，单极单掷（SPST），吸收PIN二极管开关。该开关采用MACOM专利异质结技术形成的增强型AlGaAs阳极。AlGaAs技术生产的开关比使用传统GaAs工艺制造的器件损耗更小。在50GHz下，插入损耗可以降低0.3dB。该器件是在OMCVD外延晶片上使用为高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺制造的。芯片内的PIN二极管具有低串联电阻、低电容和快速开关速度。它们用氮化硅完全钝化，并有一个额外的聚合物层用于划痕保护。保护涂层可防止在搬运和组装过程中损坏二极管结和阳极空气桥。需要片外偏置电路。应用分析该设备的输出端口J2在隔离模式下端接至50Ω，这使得该信号被吸收而不是反射回来。此功能使其成为仪器和雷达应用的理想选择。吸收开关可以添加到其他AlGaAs反射开关中，以提高隔离VSWR并增加隔离幅度。PIN二极管的超低电容使其非常适合用于70 GHz以下的低损耗和高隔离微波和毫米波开关设计。AlGaAs二极管的较低串联电阻降低了器件的总插入损耗和失真。AlGaAs PIN开关用于雷达系统、辐射计和其他多功能组件的开关阵列等应用。
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2025/8/29 14:12:32
MACOM的MA46H120系列是一种砷化镓倒装芯片超突变变容二极管。这些器件是在OMCVD外延晶片上使用为高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺制造的。MA46H120二极管用氮化硅完全钝化，并有一层额外的聚酰亚胺用于划痕保护。保护涂层可防止在自动或手动操作过程中损坏接合处。倒装芯片配置适用于拾取和放置插入。特征·用于线性调谐的恒定伽玛·低寄生电容·高Q·氮化硅钝化·聚酰亚胺防刮擦保护·表面安装配置
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2025/8/29 14:10:18
CSFD25是一款无源桥式二极管倍频器，专为大容量无线和测试设备应用而设计。该设计利用肖特基桥四元二极管和宽带平衡-不平衡转换器来获得优异的性能。由于使用高温焊料和内部使用的焊接装配工艺，使其成为半自动化和自动化装配的理想选择。特征·输入：10至2400 MHz·表面安装·输入驱动电平+10 dBm（标称）·输出：20至4800 MHz
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2025/8/29 14:08:01
MACOM的AT-106-PIN是一款GaAs FET 6位数字衰减器，最小步长为1dB，总衰减为50dB。该衰减器和集成TTL驱动器采用密封的陶瓷24引脚表面安装封装。AT-106-PIN非常适合在需要精度、快速切换、极低功耗和低互调产品的地方使用。典型应用包括精密接收器电路和其他增益/调平控制电路中的动态范围设置。特征衰减：1 dB至50 dB温度稳定性：从-55°C到+85°C，典型值为±0.18 dB低直流功耗密封表面安装封装集成TTL驱动器50 欧姆标称阻抗无铅CR-13包装260°C回流兼容符合RoHS标准
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2025/8/29 13:58:04
Qorvo QPC2108是一款封装的6位数字移相器，采用Qorvo的高性能0.15μm GaAs pHEMT工艺制造。它的工作频率超过2.5-4 GHz，同时提供360个相位覆盖，LSB为5.625。QPC2108具有出色的RMS相位误差。QPC2108采用6 x 6 mm的小型塑料包覆成型QFN封装，两个端口均采用直流阻断，双向操作，仅使用正控制逻辑，支持易用性和简单的系统集成。低直流功耗也为系统设计者在系统的整体电源管理方面提供了更大的灵活性。该设备无铅，符合RoHS标准。特性•频率范围：2.5-4 GHz•6位数字移相器•双向•360°覆盖，LSB=5.625°•RMS相位误差：•RMS振幅误差：•插入损耗：5 dB•回波损耗：16dB•输入P0.1dB:23 dBm•输入IP3:45 dBm•切换速度：•控制电压：0/+5V•QFN封装尺寸：6.0 x 6.0 x 0.79毫米
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2025/8/28 15:07:55
MAPS-010144是一款GaAs pHEMT 4位数字移相器，采用4mm PQFN塑料表面贴装封装，集成CMOS驱动器。步长为22.5°，以22.5°的步长提供从0°到360°的相移。该设计已经过优化，以最大限度地减少相移范围内的衰减变化。MAPS-010144非常适合在需要高相位精度和相移范围内最小损耗变化的情况下使用。4mm PQFN封装提供了比通常用于具有内部驱动器的数字移相器更小的占地面积。典型应用包括通信天线和相控阵雷达。特性·4位数字移相器·符合RoHS标准·无铅4mm 24导联PQFN封装·耳朵99·50Ω阻抗·相移范围内衰减变化最小·低直流功耗·串行或并行控制·集成CMOS驱动器·360°覆盖，LSB=22.5°应用·航空航天与国防·无线网络和通信
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2025/8/28 15:05:50
Qorvo的TGP2108-SM是一种封装的6位数字移相器，采用Qorvo高性能0.15μm GaAs pHEMT工艺制造。它的工作频率超过2.5-4 GHz，同时提供360个相位覆盖，LSB为5.625。TGP2108-SM具有出色的RMS相位误差，采用5 x 5 mm的小型塑料包覆成型QFN封装，两个端口均采用直流阻断，双向操作，仅使用正控制逻辑，TGP2108-SP支持易用性和简单的系统集成。低直流功耗也为系统设计者在系统的整体电源管理方面提供了更大的灵活性。该设备无铅，符合RoHS标准。特性•频率范围：2.5至4 GHz•6位数字移相器•双向•360度覆盖，LSB=5.625度•RMS相位误差：••应用•S波段•雷达•大规模MIMO
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2025/8/28 15:03:34
Qorvo的TGP2102是一款5位数字移相器MMIC，采用Qorvo经过验证的0.25um功率pHEMT工艺，支持各种Ka波段相控阵应用，包括军用雷达。5位设计采用紧凑的拓扑结构，实现了1.41平方毫米的管芯面积和高性能。TGP2102提供5位数字相移功能，在32至37 GHz的带宽内具有标称7dB的插入损耗和5°RMS相移误差。TGP2102需要最少的片外组件，并在-5V的控制电压下运行。每个器件都在晶圆上进行了射频测试，以确保性能符合要求。该设备以芯片形式提供。特性•频率范围：32至37 GHz•7 dB标称插入损耗•35 GHz时3.5°RMS相位误差•35 GHz时0.4 dB RMS幅度误差•负控制电压•单端逻辑•0.25um pHEMT 3MI技术•芯片尺寸：1.88 x 0.75 x 0.1毫米（0.074 x 0.030 x 0.004英寸）应用•军用雷达•发送/接收•大规模MIMO
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2025/8/28 15:00:26
MAPS-010163-DIE是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器。步长为5.6°，以5.6°的步长提供从0°到360°的相移。该设计已经过优化，以最大限度地减少相移范围内的衰减变化。MAPS-010163-DIE非常适合在需要高相位精度和相移范围内最小损耗变化的情况下使用。典型应用包括通信天线和相控阵雷达。特性·6位数字移相器·360°覆盖，LSB=5.6°·低直流功耗·低直流功耗·50 Ω 阻抗·符合RoHS标准
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2025/8/28 14:59:05