LTC3113是一款宽VIN范围、高效、固定频率、降压-升压DC/DC转换器，可在高于、低于或等于输出电压的输入电压下运行。集成电路中包含的拓扑结构提供了低噪声操作，使其非常适合射频和精密测量应用。LTC3113可以提供高达3A的连续输出电流，以满足最苛刻的应用。在降压（buck）模式下，可以获得更高的输出电流。集成低RDS（ON）功率MOSFET和高达2MHz的可编程开关频率可实现紧凑的解决方案占地面积。可选择的Burst Mode®操作可提高轻载时的效率。其他功能包括1μA停机电流、集成软启动、短路保护、限流和热过载保护。LTC3113采用热增强型16引脚（4mm×5mm×0.75mm）DFN和20引脚TSSOP封装。具备的特性：输入电压高于、低于或等于输出电压的稳压输出1.8V至5.5V输入和输出电压范围3A连续输出电流VIN3.0V，VOUT=3.8V1.5A连续输出电流，VIN≥1.8V，VOUT=3.3V单个电感器低噪声降压-升压架构效率高达96%可编程频率从300kHz到2MHz可选择的Burst Mode®操作停机时输出断开关断电流：1μA内部软启动小型热增强16引脚（4mm×5mm×0.75mm）DFN封装和20引脚TSSOP封装应用：无线调制解调器备用电源系统便携式库存终端便携式条形码阅读器便携式仪表典型应用图如下：
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2026/4/16 13:49:57
LT®6604-10由两个匹配的全差分放大器组成，每个放大器都有一个四阶10MHz低通滤波器。固定频率低通滤波器近似切比雪夫响应。通过集成滤波器和差分放大器，失真和噪声变得异常低。在单位增益下，测得的带内信噪比达到了令人印象深刻的82dB。在更高的增益下，输入参考噪声降低，允许该部分处理较小的输入差分信号，而不会显著降低信噪比。两个通道之间的增益和相位高度匹配。每个通道的增益使用两个外部电阻器独立编程。LT6604-10通过提供可调的输出共模电压实现电平移位，使其成为直接与ADC接口的理想选择。LT6604-10完全指定用于3V操作。差分设计使单个3V电源在2Vp-p信号电平下具有出色的性能。具备的特性：带10MHz低通滤波器的双差分放大器四阶滤波器近似切比雪夫响应保证相位和增益匹配电阻器可编程差分增益82dB信噪比（3V电源，2VP-P输出）低失真，2VP-P，800Ω负载1MHz:88dBc第二，97dBc第三5MHz:74dBc第二，77dBc第三专为使用3V、5V和±5V电源而设计全差分输入和输出可调输出共模电压小型4mm×7mm×0.75mm QFN封装应用：双差分ADC驱动器加滤波器单端到差分转换器匹配的双差动过滤级差分信号的共模转换无线基础设施或网络应用中的高速ADC抗锯齿和DAC平滑高速测试和测量设备医学影像
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2026/4/16 13:42:12
LTC2956是一款微功率、宽输入电压范围、可配置的唤醒定时器，带按钮控制。它会定期唤醒并打开连接的系统，以执行监测温度或捕获图像等任务。完成任务后，LTC2956关闭系统以节省电力。使用配置电阻器，唤醒定时器周期可以从250毫秒调整到39天。系统唤醒时间可以通过SLEEP引脚的输入脉冲控制，也可以通过ONMAX引脚的电容器调节。LTC2956在1.5V至36V的宽电源输入范围内工作。800nA的低静态电流适合电池供电的应用。按钮输入允许用户关闭、打开或重置唤醒定时器。定时器关闭时，静态电流降至300nA。LTC2956还提供三个状态输出，以指示模式转换和按钮事件。对于需要正极或负极启用极性的应用程序，有两个版本可供选择。具备的特性：1.5V至36V电源输入范围可调唤醒时间：250ms至39天可调节的最大唤醒时间0.8µA静态电流0.3µA关断电流带去抖动的按钮输入低泄漏EN输出允许DC/DC转换器控制（LTC2956-1）高压EN输出驱动外部P沟道MOSFET（LTC2956-2）PB输入端±25kV ESD HBM12芯3mm×3mm QFN和MSOP封装应用：心跳计时器定期唤醒控制便携式和电池供电设备气压计数据采集
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2026/4/15 13:58:52
LTC4440-5由于其高速开关（纳秒）和大交流电流（安培），需要对VCC和VBOOST-TS电源进行适当的旁路。粗心的元件放置和PCB迹线布线可能会导致过度振铃和欠调/过调。为了获得LTC4440-5的最佳性能：A.在VCC和GND引脚以及BOOST和TS引脚之间尽可能靠近地安装旁路电容器。应尽可能缩短引线，以降低引线电感。B.使用低电感、低阻抗的接地平面，以减少任何接地压降和杂散电容。请记住，LTC4440-5开关的峰值电流2A，任何明显的接地压降都会降低信号完整性。C.仔细规划电源/接地布线。了解大负载开关电流的来源和去向。为输入引脚和输出功率级保持单独的接地回路。D.保持驱动器输出引脚和负载之间的铜迹线短而宽。E.使用MS8E封装时，一定要将LTC4440-5封装背面的暴露焊盘焊接到电路板上。LTC4440-5正确焊接到2500mm²的双面1oz铜板上，其热阻约为40°C/W。如果暴露的背面和铜板之间没有良好的热接触，将导致热阻远大于40°C/W。
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2026/4/15 13:52:25
LTC4440-5是一款高频高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，设计用于VIN电压高达60V的应用。LTC4440-5还可以在80V VIN瞬态期间承受并继续工作。强大的驱动器能力降低了具有高栅极电容的MOSFET的开关损耗。LTC4440-5的上拉具有1.1A的峰值输出电流，下拉具有1.85Ω的输出阻抗。LTC4440-5的特点是提供独立的TTL/CMOS兼容输入阈值，具有350mV的滞后。输入逻辑信号在内部被电平移位到自举电源，该自举电源可以在地上高达95V的电压下工作。LTC4440-5针对驱动（5V）逻辑电平FET进行了优化，并包含一个欠压锁定电路，该电路在激活时禁用外部MOSFET。LTC4440-5有薄型（1mm）SOT-23或热增强型8引脚MSOP封装可供选择。具备的特性：宽工作VIN范围：高达60V坚固的架构，可耐受80V VIN瞬态强大的1.85Ω驱动器下拉（带6V电源）强大的1.1A峰值电流驱动器上拉（带6V电源）7ns下降时间驱动1000pF负载10ns上升时间驱动1000pF负载驱动标准阈值MOSFET带滞后的TTL/CMOS兼容输入输入阈值与供应无关欠压锁定薄型（1mm）SOT-23（ThinSOT™）和热增强型8引脚MSOP封装应用：电信电力系统分布式电源架构服务器电源高密度功率模块通用低压侧驱动器
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2026/4/15 13:40:51
RS-485设备的驱动器输出/接收器输入经常出现高压故障，这是由于电源短路超过TIA/EIA-485-A标准中规定的-7V至+12V范围造成的。通常，RS-485应用需要昂贵的外部保护装置，如正温度系数（PTC）保险丝，才能在这些恶劣的电气环境中运行。在恶劣的电气环境中，系统设计人员还必须考虑常见的EMC问题，选择组件为RS-485总线引脚提供IEC 61000-4-2 ESD、IEC 61000-4-4 EFT和IEC 61000-4-5浪涌保护。在选择合适的EMC保护组件时，系统设计人员面临着两个挑战：遵守EMC法规，以及将EMC保护的动态击穿特性与RS-485收发器相匹配。为了克服这些挑战，设计人员可能需要运行多个设计、测试和印刷电路板（PCB）板迭代，导致上市时间变慢和项目预算超支。为了降低系统成本和设计复杂性，ADM2795E在RS-485总线引脚上提供了经过认证的集成EMC保护和过压故障保护。ADM2795E集成EMC和过电压故障保护电路具有最佳的性能匹配，为电路设计人员节省了大量的设计和测试时间。文末图片显示了一个隔离的EMC保护的RS-485电路布局示例，该示例针对RS-485总线引脚的IEC 61000-4-2 ESD 4级、IEC 61000-4-4 EFT 4级和IEC 61000-5-5浪涌保护达到4级。该电路使用几个分立元件，包括两个TISP浪涌保护器、两个瞬态阻断单元（TBU）和一个双TVS。由于ADM2795E的集成保护组件，与具有分立EMC保护组件的解决方案相比，PCB面积显著减小。
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2026/4/15 13:36:37
ADM2795E是一款5 kV rms信号隔离RS-485收发器，在RS-485总线引脚上具有高达±42 V的交流/直流峰值总线过压故障保护。ADM2795E是一款RS-485/RS-422收发器，集成了IEC 61000-4-5 4级浪涌保护，可在RS-485总线引脚（a和B）上提供高达±4 kV的保护。该设备在总线引脚上具有IEC 61000-4-4 4级EFT保护，最高可达±2 kV，并具有IEC 61000-4-2 4级ESD保护，使该设备能够在收发器接口引脚上承受高达±15 kV的电压，而不会闭锁。该设备具有±25V的扩展共模输入范围，可提高噪声环境中的数据通信可靠性。ADM2795E能够在宽电源范围内运行，具有1.7 V至5.5 V的VDD1电源范围，允许连接到低压逻辑电源。ADM2795E在3 V至5.5 V VDD2电源上运行时，也完全符合TIA/EIA RS-485/RS-422标准。该器件在-40°C至+125°C的扩展工作温度范围内具有充分的特性，并采用16引脚宽体SOIC封装。具备高稳健性的 RS-485ADM2795E是一款3 V至5.5 V RS-485/RS-422收发器，具有鲁棒性，可在恶劣的应用环境中运行时减少系统故障。ADM2795E是一款RS-485/RS-422收发器，集成了IEC 61000-4-5 4级浪涌保护，可在RS-485总线引脚上提供高达±4 kV的保护，而无需瞬态电压抑制器（TVS）或TISP®浪涌保护器等外部保护组件。ADM2795E在总线引脚上具有高达±2 kV的IEC 61000-4-4 4级EFT保护和IEC 61000-4-2 4级ESD保护。ADM2795E是一种RS-485收发器，除了为RS-485总线引脚提...
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2026/4/15 13:28:50
HMC-C075是一个两级功率放大器模块，工作频率在10 MHz至6 GHz之间。该放大器在1dB增益压缩下提供25dB增益、42dBm输出IP3和29dBm输出功率，而15V电源仅消耗740mA。HMC-C075是电子战、电子对抗、雷达和测试设备应用的理想选择。放大器输入/输出（I/O）被直流阻断，内部匹配为50Ω。集成电压调节器允许对负极和正极电源引脚进行灵活的偏置，而内部偏置排序和主动偏置控制允许在温度范围内进行稳健的操作和稳定的性能。具备的特性主要有：高增益：25 dB高1 dB压缩（P1dB）输出功率：29 dBm高输出三阶截距（IP3）：42 dBm受监管的供应和偏置排序SMA连接器工作温度：-40°C至+70°C操作原理：HMC-C075封装包含四个安装位置，用于在动态应用中固定放大器封装的螺钉和热接触。将放大器连接到合适尺寸的散热器上，以便在操作过程中，背面外壳温度永远不会超过70°C。在背面外壳温度高于70°C的情况下操作设备会导致设备寿命缩短。在施加直流电压之前，将射频输入和射频输出均终止至50Ω。当设备上施加直流电压时，切勿断开射频输出。应用：电信基础设施测试仪器军事与太空电子战（EW）电子对抗（ECM）雷达测试设备附图：功能框图
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2026/4/15 13:18:55
LT8301是ADI(亚德诺)一款微功率隔离反激式转换器。通过直接从初级侧反激波形中采样隔离的输出电压，该部件不需要第三绕组或光隔离器进行调节。输出电压由单个外部电阻器编程。内部补偿和软启动进一步减少了外部组件的数量。边界模式操作提供了一种具有出色负载调节的小型磁性解决方案。低纹波突发模式操作在轻负载下保持高效率，同时最大限度地减少输出电压纹波。1.2A、65V DMOS电源开关与所有高压电路和控制逻辑集成在一个5引脚ThinSOT™封装中。LT8301的输入电压范围为2.7V至42V，可提供高达6W的隔离输出功率。高集成度以及边界和低纹波突发模式的使用，为隔离电源输送提供了一种易于使用、低组件数量和高效的应用解决方案。具备的特性如下：2.7V至42V输入电压范围1.2A、65V内部DMOS电源开关低静态电流：睡眠模式下为100µA活动模式下为350µA重载下的边界模式运行轻载下的低纹波突发模式®操作最小负载满输出的0.5%（典型值）带单个外部电阻器的VOUT设置调节时不需要变压器第三绕组或光隔离器精确的EN/UVLO阈值和滞后内部补偿和软启动输出短路保护5导联TSOT-23封装AEC-Q100符合汽车应用标准常见应用如下：隔离式电信、汽车、工业、医疗电源隔离辅助/内务电源非连续传导模式操作随着负载的减轻，边界导通模式以相同的比例增加开关频率并降低开关峰值电流。以高达几MHz的较高开关频率运行会增加开关和栅极电荷损失。为了避免这种情况，LT8301有一个额外的内部振荡器，它将最大开关频率限制在430kHz（典型值）以下。一旦开关频率达到内部频率钳位，该部件就开始延迟开关接通，并以不连续导通模式运行。
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2026/4/14 15:46:21
电源和稳压器必须与连接在AVDDx、PVDDx、DVDD_x、AVDD_REGx、IOVDDx和VDD1球及其相关GND球（AGNDx、PGND、IOGNDx和DGNDx）之间的电容器充分解耦。表11显示了哪些接地球与哪些供应球配对。有四个数字电源球，IOVDD1、IOVDD2、IOVDD3和VDD1。用一个100 nF的电容器将这些球解耦，该电容器尽可能靠近四个球及其相关的GND球（分别为IOGNDx和AGND1）。此外，在这些球附近方便地放置一个10μF的电容器。同样，模拟电源引脚AVDD3和AVDD4每个都需要一个100 nF的电容器，尽可能靠近每个球及其相关的AGNDx球，并在这些球附近方便地放置一个10μF的电容器。IDAC的输出电流来自PVDDx供电球。每个PVDDx电源球及其相关GND球（PGND）附近必须有一个100 nF的电容器。此外，在PVDDx电源处放置至少一个10μF电容器。IDAC输出滤波器取决于放置在CDAMPx和PVDDx之间的10nF电容器。ADC参考需要一个4.7μF的电容器放置在ADC_REFP和ADC_REFN之间，并尽可能靠近每个球。ADC_REFN必须直接连接到AGND4。ADuCM320包含四个内部调节器。这些调节器需要外部去耦电容器。DVDD_1V8和DVDD_2V5球分别需要一个470 nF的电容器连接到DGND1和IOGND3。AVDD_REG0和AVDD_REG1每个都需要一个到AGND4的去耦电容器。为了产生准确且低漂移的参考电流，请通过低ppm 3.16 kΩ电阻器将IREF球连接到AGND4。在布局中要注意确保从每个去耦电容器的接地端流向其相关接地球的电流与印刷电路板上的其他接地电流共享尽可能少的轨道。
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2026/4/14 15:40:30
HMC984LP4E是一款高性能、超低相位噪声、SiGe BiCMOS鉴频鉴相器和电荷泵，设计搭配HMC983LP5E（小数分频器）使用，共同组成高性能、低噪声、超低杂散发射小数N分频频率合成器。其整数运算分析如下：VCO在整数PLL中始终以PD频率的整数倍运行。一般来说，源自整数PLL的杂散信号只能出现在PD频率的倍数处。这些不需要的输出通常简称为参考边带。与参考频率无关的马刺必须来自外部来源。外部杂散源可以通过电源、接地或输出端口间接调制VCO，或者由于滤波器的隔离不良而绕过环路滤波器。它还可以简单地添加到PLL的输出中。HMC984LP4E和HMC983LP5E经过设计和测试，具有超低杂散性能。如果电路板布局设计良好，参考杂散电平通常可以低于-100 dBc。建议使用低噪声和高电源抑制的稳压器，如HMC860LP3E，以尽量减少外部杂散源。低于-100 dBc的参考杂散电平需要出色的电源板隔离、VCO与合成器数字开关的隔离以及VCO负载与PLL的隔离。典型的电路板布局、稳压器设计、演示板和应用信息可用于非常低的杂散操作。与Hittite推荐的隔离级别相比，应用电路板中隔离级别较低的操作可能会导致更高的杂散级别。当然，如果应用环境包含与PD频率无关的其他干扰频率，并且如果应用与电路板布局和调节的隔离不足，那么不需要的干扰频率将与所需的PLL输出混合，并导致额外的杂散。这些杂散的电平取决于隔离和电源调节或抑制（PSRR）。
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2026/4/14 15:31:34
HMC984LP4E的主要目标应用程序将与HMC983LP5E一起使用，如文末图片所示。这两个组件共同构成了一个高性能、低噪声、超低杂散发射的分数N频率合成器。这两个组件被分开，以最大限度地提高它们之间的隔离度，并最大限度地减少所有PLL中存在的常见失真和调制副产物。精心的IC设计和两个组件之间更高的隔离度导致了高性能、高频谱效率的PLL，具有极低的杂散发射。HMC984LP4E是一款高性能低噪声相位检测器和电荷泵。它由以下主要功能块组成：参考/晶体缓冲器参考路径“R”分隔符差分相位/频率检测器5V充电泵两个锁检测电路串行端口接口图：HMC984LP4E与HMC983LP5E组成频率合成器的典型应用
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2026/4/14 15:28:23
ADF4377是一款高性能、超低抖动、双输出整数N锁相环（PLL），带有集成压控振荡器（VCO）电子元件，非常适合数据转换器和混合信号前端（MxFE）时钟应用。其高性能PLL具有-239 dBc/Hz的品质因数、超低1/f噪声和高相位频率检测器（PFD）频率，可以实现超低带内噪声和集成抖动。ADF4377的基本VCO和输出分频器产生800 MHz至12.8 GHz的频率。ADF4377集成了所有必要的电源旁路电容器，节省了紧凑型电路板上的电路板空间。对于多数据转换器和MxFE时钟应用，ADF4377通过实现自动参考输出同步功能、跨过程、电压和温度的匹配参考输出延迟功能以及小于±0.1ps的无抖动参考输出延迟调整功能，简化了其他时钟解决方案所需的时钟对齐和校准例程。具备的特性如下：输出频率范围：800 MHz至12.8 GHz抖动=18 fsRMS（积分带宽：100 Hz至100 MHz）抖动=27 fsRMS（ADC信噪比法）宽带本底噪声：12 GHz时为-160 dBc/HzPLL规格−239 dBc/Hz：归一化带内相位噪声基底−147 dBc/Hz：归一化带内1/f噪声相位检测器频率高达500 MHz参考输入频率高达1000 MHz典型的杂散fPFD：在fOUT=12 GHz时为-95 dBc参考输入到输出延迟规格设备间标准偏差：3ps温度系数：0.03 ps/°C调整步长：±0.1 ps多芯片输出相位对齐3.3 V和5V电源7 mm×7mm 48引脚LGA
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2026/4/14 15:08:31
定向耦合器广泛应用于中国及全球4G/5G基站、5G网络覆盖、北斗导航天线、车载高精度导航（无人驾驶）天线等应用，产品具有小型化、低损耗、宽频带、高功率密度、高可靠性、高性价比等竞争优势。另外，大功率宽带表贴式及嵌入式耦合器系列，实现微波大功率功放系统的功率合成分配，信号采集等功能。应用于有源相控阵雷达，微波收发组件、微波功放、电台、卫星通信等项目，提供标准化及特制化的高品质高可靠产品。研通的性能及可靠性指标和国际产品对标，管脚定义和封装尺寸与国际产品兼容，实现原位替代。特点：●低损耗●高定向性●回波损耗大●表面贴装兆亿微波商城是研通的代理商之一，经营各个型号的研通型号，如若有型号对比及需求，可直接联系客服。以下是部分研通定向耦合器的型号：DC0300L20DC0350M20DC0450E20DC0600A05DC07F02DC09T10DC09T20DC09F05DC09F20DC0900P30DC0850M20DC0900A05DC0900P05DC0900A10DC0900A20DC0900E20DC0900M30DC0900A30DC0900B30DC0900P10DC1400P10DC1500A10DC1500A20DC1500A30DC14F02DC1400P20DC19F20DC20F30DC1900P04DC1900P05DC1900P05HDC1900P10DC1900P20DC1900P30DC1900A05DC1900A10DC1900A20DC1900A30DC1900E10DC19T10DC19T20DC19F05DC20T02DC2500P07DC20F02DC2100P05DC2100P05HDC2100P10DC2100P20DC2100A05DC2100A10DC2100A20DC2100A30DC2500P02DC25T10DC25T20D...
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2026/4/13 13:23:52
LTM8064的高度集成缓解了甚至消除了与PCB布局相关的大多数困难。然而，LTM8064是一种开关电源，必须注意尽量减少电磁干扰并确保正常运行。即使集成程度很高，您也可能无法通过随意或糟糕的布局实现指定的操作。建议布局见文末图片。确保接地和散热合格。要记住的几条规则是：将RFB和RT电阻器尽可能靠近其各自的引脚。将CIN电容器尽可能靠近LTM8064的VIN和GND连接。将COUT电容器尽可能靠近LTM8064的VOUT和GND连接。放置CIN和COUT电容器，使其接地电流直接在LTM8064附近或下方流动。将所有GND连接连接到顶层上尽可能大的铜浇注或平面区域。避免断开外部组件和LTM8064之间的接地连接。使用通孔将GND铜区域连接到板的内部接地平面。自由地分布这些GND通孔，以提供良好的接地连接和到印刷电路板内部平面的热路径。注意文末图片中热通孔的位置和密度。LTM8064可以从通孔提供的散热中受益，这些通孔在这些位置连接到内部GND平面，因为它们靠近内部电源处理组件。热通孔的最佳数量取决于印刷电路板的设计。例如，电路板可能会使用非常小的通孔。它应该使用比使用较大孔的电路板更多的热通孔
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2026/4/13 11:51:56
负载共享时从多个输入轨跟踪输入电流当使用多个固定输入轨道进行负载共享时，系统可以配置为迫使每个LTM8064的输入电流相互跟踪。假设应用程序在12A下供电3.3V，并且所考虑的系统具有稳定的24V和12V输入轨，不受功率预算的限制。将每个从属µModule IC连接到其自己的12V输入轨，并将主设备连接到24V输入轨。主设备的输入和输出陶瓷电容器以及RT和FB电阻器由表1中的相应线路选择。此外，用于从属设备的输入和输出陶瓷电容器和RT电阻器也由表1中的适当线路选择。从属设备的FB电阻器应比主设备的FB电阻低1%的标准电阻值，或大约0.98•RFB_MASTER。可能需要调整从属设备的FB电阻器的最终值，以补偿布局差异或寄生效应。由于从属设备的输入轨电压恰好是主设备输入轨电压的一半，如果从属设备向负载提供的电流限制在主设备向负载输出电流的一半，则从属设备消耗的输入电流将与主µModule IC消耗的输入电流相同。因此，从属设备上CTRL1引脚的电压必须是主设备IOUTMON电压的一半。从主设备的IOUTMON引脚到地的100k/100k电阻分压器用于设置两个从属µModule IC提供给负载的电流。前面的讨论是针对特定应用的。只要主设备的输入轨大于从属设备的输入轨道，这个过程就可以用于其他固定输入轨。
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2026/4/13 11:46:25
HMC608LC4是一款高动态范围GaAs pHEMT MMIC中功率放大器，采用无铅SMT封装。放大器有两种工作模式：高增益模式（Vpd引脚对地短路）；以及低增益模式（Vpd引脚左开）。下表显示了在高增益模式下工作的放大器的电气规格。工作频率为9.5至11.5 GHz，放大器在+5V电源电压下提供29.5 dB的增益、+27.5 dBm的饱和功率和23%的PAE。噪声系数为6dB，而输出IP3为+33dBm。射频输入/输出采用直流阻断，匹配50欧姆，便于使用。HMC608LC4消除了引线键合的需要，允许使用表面贴装制造技术。特性输出IP3:+33 dBm饱和功率：+27.5 dBm@23%PAE增益：29.5dB电源：+5V@310 mA50欧姆匹配输入/输出符合RoHS标准的4x4mm SMT封装典型应用HMC608LC4非常适合：点对点无线电点对多点无线电军事最终用途附图：功能图
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2026/4/13 11:29:32
LTC4286的设计目的：是以受控的方式打开和关闭电路板的电源电压，使电路板能够安全地插入或从带电背板上移除。在正常操作期间，电荷泵和栅极驱动器打开外部N沟道MOSFET栅极，将功率传递给负载。栅极驱动器使用电荷泵，其电源来自VDD引脚。此外，栅极驱动器中还包括一个内部14V栅极到源极箝位电路，用于保护外部MOSFET的氧化物。在正常操作中，LTC4286在启动去抖动延迟后接通外部N沟道MOSFET，将电源传递给负载。使用ISET电压或MFR_CONFIG1寄存器中的位，可以以2 mV的步长将精确的电流限制值设置为6 mV至20 mV。在启动期间，SENSE+和SENSE-之间的电压被控制为不高于具有折返（α）的电流限制阈值。通过外部栅极RC网络，启动电流可以设置为更低的值。输出端的过电流故障可能会导致有源限流（ACL）期间MOSFET功耗过高。为了限制这种功率，ACL放大器在感测电压超过电流限制值时，通过降低有源控制回路中的栅极到源极电压来调节SENSE+和SENSE-引脚之间的电压。当MOSFET漏极到源极电压较高时，通过将电流限制折回到标称值的30%，可以进一步降低功耗。在发生灾难性输出短路的情况下，当感测到的电流是标称电流限制的三倍时，快速电流限制比较器会立即将GATE引脚拉低1A。为防止MOSFET过热，电流限制超时由TMR引脚上的电容器设置。TMR引脚配置为驱动单个电容器，并在启用有源限流时以20µa的电流上升。如果TMR引脚达到其2.56 V阈值，LTC4286将关闭GATE，IOUT_OC_FAULT位将被设置，这将导致FAULT#引脚拉低。然后，TMR引脚使用5µa电流源斜坡下降，直到电压降至0.2 V以下。如果通过将GPIO2（配置为FAULT#）引脚连接到UV引脚来启用过电流自动重试，LTC4286将在9.28秒的冷却定时器结束时再...
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