ZMIQ-34H-K+是一种无源宽带同相/正交（I/Q）混频器，利用MCL自己的GaAs HBT器件SMIQ134H+。该混频器可以用作传输的单边带上变频器，也可以用作接收应用的图像抑制混频器。它特别适合于需要固有图像信号抑制和抑制不希望的边带的宽带使用。混频器覆盖了10至30 GHz的RF和LO频率范围以及DC至7 GHz的IF频率范围的宽带。作为无源混频器，ZMIQ-34H-K+的噪声系数低于有源混频器，为高性能应用提供了卓越的动态范围。该混频器采用紧凑、坚固的封装，带有SMA和2.92毫米同轴连接器。该模型也是SMIQ-134H+的优秀评估模块。特征宽带射频和本振，10至30 GHz宽带中频，直流至7 GHz出色的图像抑制，典型。30分贝出色的侧带抑制，典型。30分贝典型的高LO-RF隔离。35分贝高输入IP3，典型。+25 dBm可用作图像拒绝混合器和SSB转换器IF端口上带有SMA的小尺寸，2.92毫米RF和LO端口上的连接器应用测试和测量设备5G毫米波和回程无线电卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/8/6 13:39:40
Mini-Circuits的TERM-5W-183S+是一款宽带50Ω 能够吸收从DC到18GHz高达5W的信号的高功率终端。它在整个工作频率范围内提供了出色的回波损耗，有效地以最小的反射耗散信号功率。此型号有一个SMA公连接器，允许连接到SMA母连接器。该装置结构坚固，寿命长，采用钝化不锈钢外壳。特征宽带操作，直流至18 GHz输入功率处理，5 W出色的驻波比，典型值1.08 dB。坚固的结构应用蜂窝通信卫星通信试验装置国防和雷达
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2025/8/6 11:58:14
Mini-Circuits的TCD-10-23BDX+表面贴装双向耦合器提供10 dB标称耦合，在5至2250 MHz范围内具有出色的平坦度，支持各种应用，包括VHF/UHF、CATV、蜂窝等。该模型具有低主线损耗、高方向性和出色的回波损耗。耦合器采用芯线结构，安装在6引线塑料基座（0.16 x 0.15 x 0.22英寸）上，并包括Mini-Circuits的Tophat®功能，可实现更快、更精确的拾取和放置组装。特征宽带，5至2250 MHz低干线损耗，典型值2.0 dB。出色的回波损耗；典型值为18 dB。可水洗引线具有出色的可焊性应用甚高频/超高频有线电视蜂窝数据
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2025/8/6 11:52:05
Mini-Circuits的TCD-20-23BD+表面贴装双向耦合器提供20 dB的标称耦合，主线损耗低，从500到2000 MHz，支持各种应用，包括UHF、GSM、ISM、GPS和PCN、蜂窝等。该耦合器采用芯线结构，安装在5导联底座上（0.162 x 0.150 x 0.022英寸）。特征宽带500至2000 MHz，倍频程低干线损耗，典型值为0.2 dB。功率处理，2瓦坚固可靠应用UHF。GSM，ISM、GPS和PCN蜂窝
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2025/8/5 14:41:51
Mini-Circuits的HFHK-5000+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为5600至16000 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.2 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特征典型插入损耗。1.2分贝阻带抑制，典型。73分贝典型通带回波损耗。16分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/8/5 14:38:00
Mini-Circuits的HFHK-7300+是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为7900至17500 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.2 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特征典型插入损耗。1.2分贝阻带抑制，典型。73分贝典型通带回波损耗。11分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统
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2025/8/5 14:34:07
ZHL-10M1G01W1（X）+是一款中等功率宽带放大器，在10至1000 MHz频带内提供超过1W的输出功率，典型的小信号增益为34dB。该放大器采用半导体技术，可用于广泛的应用。单一电源电压确保了操作的便利性。放大器采用坚固的铝制外壳制成，可以配备或不配备散热器。特征宽带，10至1000 MHz高增益，典型值为34 dB。高P1dB，+31 dBm，典型值。高OIP3，典型值+45 dBm。应用通信系统研发、生产和测试系统测试和测量设备一般实验室应用
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2025/8/5 14:30:08
ZHL-10M1G01W0（X）+是一款中等功率宽带放大器，在10至1000 MHz频带内提供超过1W的输出功率，典型的小信号增益为22dB。该放大器采用半导体技术，可用于广泛的应用。单一电源电压确保了操作的便利性。放大器采用坚固的铝制外壳制成，可以配备或不配备散热器。特征宽带，10至1000 MHz高增益，典型值22dB。高P1dB，+31dBm，典型值。高OIP3，+46dBm典型值。应用通信系统研发、生产和测试系统测试和测量设备一般实验室应用
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2025/8/5 14:23:00
ZHL-0G62G5030（X）+是一款高功率宽带放大器，在600至2500 MHz频带内提供超过30W的输出功率，典型的小信号增益为51dB。该放大器采用半导体技术，可用于广泛的应用。单一电源电压确保了操作的便利性。放大器采用坚固的铝制外壳制成，可以配备或不配备散热器。连接散热器的高功率放大器特征宽带，600至2500 MHz高增益，典型值51 dB。高P1dB，+45 dBm，典型值。高OIP3，+52 dBm典型值。应用通信系统研发、生产和OTA测试系统测试和测量设备一般实验室应用
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2025/8/5 14:14:14
Mini-Circuits的HPA-20M2G7025+是一款仪器放大器，在20至2700 MHz频带内提供25 W的输出功率，典型的小信号增益为50 dB。该放大器采用半导体技术，可用于广泛的应用。放大器使用内置110/220V电源，使其易于在大多数实验室环境中使用。它具有热自我保护功能，可防止损坏放大器并提供额外的可靠性。它装在一个轻质铝合金外壳（15.35 x 8.27 x 3.25英寸）中，带有N型连接器，非常适合台式使用。特征宽带，20至2700 MHz高增益，典型值50 dB。高P1dB，典型值+40 dBm。高OIP3，+49 dBm典型值。内置110/220V交流电源应用通信系统研发、生产和OTA测试系统一般实验室应用测试和测量设备
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2025/8/5 14:09:21
Mini-Circuits的M4SWA4-34DR+是一款GaAs MMIC SP4T吸收开关，其内部驱动器专为直流至30 GHz的宽带操作而设计。该开关能够在宽频率范围内实现快速、纳秒级的切换，同时将栅极滞后效应降至最低。该型号具有出色的隔离性、高线性度，能够承受+24 dBm的射频输入功率。它采用4x4 mm QFN风格的小型封装，便于集成到紧凑的组件中。特征宽带，直流至30 GHz典型低插入损耗。1.8分贝高隔离，典型。47分贝高输入IP3，典型。+46 dBm典型快速上升/下降时间。23.1纳秒/6.4纳秒4x4 mm，24导联QFN型封装应用雷达、电子战和电子对抗防御系统通信基础设施测试和测量设备
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2025/8/5 14:04:37
Mini-Circuits的ZABT-250W-63+是一种同轴偏置三通，为420至6000 MHz的非常宽的频率范围内的应用提供高功率处理和低插入损耗。它提供45 dB的典型DC-RF隔离，并在直流输入端处理高达4.5A的直流电流。该型号具有坚固的结构，带有N型/SMA连接器。特征宽带，420至6000 MHz高功率处理，250 W低插入损耗，典型值为0.1 dB
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2025/8/4 14:56:15
Mini-Circuits的WR19-EFR+是一种工作频率为40至60 GHz的波导同轴适配器。该产品具有WR19波导接口，带有精确的标准UG383/U法兰至1.85mm内螺纹同轴连接器。WR19-EFR+由铝合金6061-T6加工而成，并镀金以确保可重复的射频性能。这种直角适配器在研发、生产、空中（OTA）毫米波测试实验室以及U波段通信和卫星通信系统中都有应用。特征全U波段频率范围，40至60 GHz低插入损耗，典型值为0.8 dB。出色的回波损耗，典型值为20dB。紧凑型直角设计精密UG383/U波导法兰1.85mm母连接器应用波导子系统快速成型研发、生产和OTA测试系统5G MIMO和回程无线电系统测试和测量设备卫星通信系统
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2025/8/4 14:53:51
Mini-Circuits的BLK-18W-N+是一种同轴内部直流模块，支持从50 MHz到18 GHz的广泛应用，包括Ku波段测试和测量等。*内部直流阻断是指阻断中心导体上的直流路径，但不阻断外部接地路径上的直流通路。该型号具有低插入损耗、出色的回波损耗和高达200V的直流电压处理能力。该装置一端为N型母接头，另一端为N形母接头，并装在坚固的不锈钢机身中，长度仅为2.07英寸。特征宽带50 MHz至18 GHz出色的驻波比，1.2:1，典型值高达18 GHz低插入损耗，典型值为0.5 dB，最高可达18 GHz内部直流块*N型连接器应用测试实验室应用-射频测试设备的直流块保护
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2025/8/4 14:44:21
Mini-Circuits的TCBT-2R5GL+是一种超宽带表面贴装偏置三通，覆盖20至2500 MHz的应用，在整个频率范围内具有低插入损耗、出色的VSWR和高DC-RF隔离。该型号能够处理高达+30 dBm（1W）的射频输入功率和高达200mA的直流输入电流。该装置具有安装在陶瓷基座（0.15 x 0.15 x 0.14英寸）上的芯线结构，带有迷你电路顶帽功能，可实现更快、更准确的拾取和放置组装。特征•宽带，20至2500 MHz•低插入损耗，典型值为0.4 dB。•微型表面安装0.15“x0.15”•可水洗应用•偏置放大器•激光二极管偏置•有源天线的偏置
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2025/8/4 14:40:16
Mini-Circuits的VEQY-8-63+是一种吸收式增益均衡器，采用高度重复的GaAs IPD*MMIC工艺制造，包含具有负插入损耗斜率的电阻器、电容器和电感器。VEQY-8-63+的标称衰减斜率为8 dB。特征•8 dB斜率•宽带，DC-6 GHz•出色的驻波比，典型值为1.2:1。•连接器封装应用•通讯•雷达•防御
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2025/8/4 14:36:46
TSL8028N是一个单通道、集成射频、前端、多芯片模块，专为不同应用而设计。该设备的工作频率为2 GHz至5 GHz。TSL8028N配置有级联、两级GaAs LNA和基于GaN的SPDT开关。在高增益模式下，级联的两级LNA和开关在3.6 GHz下提供1.1 dB的低噪声系数和33 dB的高增益，高增益模式的输出三阶截断点（OIP3）为33 dBm（典型值）。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在50mA的较低电流下提供14dB的增益。在掉电模式下，LNA关闭，器件消耗4mA。在发射操作中，当RF输入连接到端接引脚（TX）时，开关在3.6GHz下提供0.3dB的低插入损耗，并处理50dBm的长期演进（LTE）平均功率（8dB峰均比（标准杆数）），用于全寿命操作。该设备采用符合RoHS标准的紧凑型5毫米x 5毫米32引脚QFN。特征@3.6 GHz:1.1 dB[低增益模式]•3.6 GHz时的OP1dB:21 dBm[高增益模式]@3.6 GHz:12 dBm[低增益模式]•工作频率：2至5 GHz•3600 MHz时的插入损耗：0.3 dB[TX模式]•3.6 GHz下的开关隔离度：17 dB[RX HG模式]•3.6 GHz时的RXHG隔离度：48 dB[PD=5V&BP=0V]•3.6 GHz时的RXLG隔离度：48 dB[PD=BP=5V]•TCASE=105°C时的高功率处理全寿命•LTE平均功率[8 dB标准杆数]：50 dBm•高OIP3[高增益模式]：典型值为32 dBm•高增益模式电流：5V时典型值为90mA•低增益模式电流：5V时典型值为50mA•断电模式电流：5V时典型值为4mA•正向逻辑控制•5毫米×5毫米×0.85毫米，32导联QFN应用● 4G/5G基础设施无线电、宏基站● 小细胞和细胞中继器●...
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2025/8/4 14:23:57
TSL8329M 是一款双通道集成射频前端多芯片模块，适用于不同应用场景。该器件的工作频率范围为2.0 GHz至4.2 GHz。TSL8329M配置有双通道，内置级联两级低噪声放大器（LNA）和高电子迁移率晶体管（GaN）基单刀双掷（SPDT）开关。在高增益模式下，级联两级低噪声放大器和开关可实现1 dB的低噪声系数以及在3.6 GHz频率下32 dB的高增益，并具有35 dBm的三阶交调截点（OIP3）（典型值）。在低增益模式下，两级低噪声放大器中的一级工作，提供13 dB的增益，工作电流为45 mA。在省电模式下，低噪声放大器关闭，器件工作电流仅为5 mA。在发射工作模式下，当射频输入端连接到终端引脚（TERM-CHB或TERM-CHB）时，开关在3.6 GHz频率下插损低至0.45 dB，并能处理43 dBm的长期演进（LTE）平均功率（峰值与平均功率比（PAR）为9 dB），确保全生命周期稳定工作。特征•3.6 GHz时的增益：32 dB（高增益模式）@3.6 GHz:13 dB（低增益模式）•3.6 GHz下的NF:1.0 dB（高增益模式）@3.6 GHz:0.9 dB（低增益模式）•3.6 GHz时的OP1dB:20 dBm（高增益模式）@3.6 GHz:10.5 dBm（低增益模式）•工作频率：2.0至4.2 GHz•高隔离：RXOUT-CHA和RXOUT-CHB：典型值为40 dB•TERM-CHA和TERM-CHB：典型值为55 dB•3600 MHz时的插入损耗：0.45 dB（TX模式）•TCASE=105°C时的高功率处理全寿命•LTE平均功率（9 dB标准杆数）：43 dBm•高OIP3（高增益模式）：典型值为35 dBm•高增益模式电流：5V时典型值为90mA•低增益模式电流：5V时典型值为45mA•断电模式电流：5V正逻辑控制下典型...
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2025/8/4 14:11:55