Mini-Circuits的GP2S1A+是50Ω GaAs MMIC双向分路器/合路器，工作频率为500至2500 MHz。GP2S1A+提供了1.0 dB插入损耗、22 dB隔离、0.02 dB幅度不平衡和0.4度相位不平衡的典型性能。结合使用，它具有最大10W的出色功率处理能力，能够通过高达370mA的直流电流。这种特性组合使其成为在信号分离期间保持信号完整性和低信号失真的完美设备，同时还可以在单一信号路径上处理与直流电流串联的高功率射频信号。特性宽带，500至2500 MHz典型的出色插入损耗。1.0分贝典型的出色振幅不平衡。0.02分贝典型相位不平衡良好。0.4摄氏度作为分路器的功率处理，最大10 W3x3 mm 12引线QFN型封装直流电流高达370 mA应用回程无线电系统雷达、电子战和电子对抗防御系统卫星通信
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2025/5/15 14:09:00
Mini-Circuits的GP2SA+为50Ω GaAs MMIC双向分路器/合路器，工作频率为800至2100 MHz。GP2SA+提供了1.0 dB插入损耗、22 dB隔离、0.02 dB幅度不平衡和0.4度相位不平衡的典型性能。结合使用，它具有最大10W的出色功率处理能力，能够通过高达370mA的直流电流。这种特性组合使其成为在信号分离期间保持信号完整性和低信号失真的完美设备，同时还可以在单一信号路径上处理与直流电流串联的高功率射频信号。特性宽带，800至2100 MHz典型的出色插入损耗。1.0分贝典型的出色振幅不平衡。0.02分贝典型相位不平衡良好。0.4摄氏度作为分路器的功率处理，最大10 W3x3 mm 12引线QFN型封装直流电流高达370 mA应用回程无线电系统雷达、电子战和电子对抗防御系统卫星通信
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2025/5/15 14:04:12
Mini-Circuits的AVA-223MP-D+是一种宽带、高动态范围的MMIC放大器，采用GaAs pHEMT工艺制造，具有高输出功率和宽带增益。该放大器的工作频率为100 kHz至22 GHz，具有典型的+25.9 dBm P1dB、+27.7 dBm PSAT、3.1 dB NF和+37.9 dBm OIP3。该设备与50Ω匹配，尺寸仅为3.28 x 1.55 mm。特性宽带100 kHz至22 GHz高饱和输出功率，典型。+27.7 dBmOIP3高，典型。+37.9 dBm典型低噪声系数。3.1分贝4至22 GHz的正增益斜率应用测试和测量设备5G MIMO和回程无线电卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/5/15 13:59:55
Mini-Circuits的AVA-223MP+是一种宽带、高动态范围的MMIC放大器，采用GaAs pHEMT工艺制造，具有高输出功率和宽带增益。该放大器的工作频率为100 kHz至22 GHz，具有典型的+26 dBm P1dB、+27.2 dBm PSAT、3 dB NF和+38.2 dBm OIP3。AVA-223MP+采用行业标准的5x5 mm 32引脚QFN式封装，便于集成到密集的电路板布局中。特性宽带，100 kHz至22 GHz高饱和输出功率，典型。+27.2 dBmOIP3高，典型。+38.2 dBm典型低噪声系数。3分贝4至22 GHz的正增益斜率应用测试和测量设备5G MIMO和回程无线电卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/5/15 13:52:10
Mini-Circuits的SSG-8N12G-RC是一款工作频率为8至12.5 GHz的宽带信号发生器。其典型输出功率高达+23dBm，是表征高功率毫米波组件和系统的理想信号源。配置CW/单音输出、灵活的脉冲序列、AM、FM和Chirp调制，或自动频率/功率扫描和跳频序列。SSG-8N12G-RC采用紧凑型封装开发，具有强大的软件控制和自动化功能，可为任何台架或生产测试应用提供经济高效的X波段信号发生器和LO源。这是一种高质量、可重复和可靠的信号源，具有低相位噪声和出色的谐波抑制能力。发电机可以通过USB或以太网（支持SSH、HTTP和Telnet协议）进行控制。提供了全面的软件支持，包括我们针对Windows的用户友好GUI应用程序、灵活的API以及针对Windows和Linux环境的编程说明。带有“动态寻址”的菊花链控制接口简化了控制集成，并允许将多个单元组合成多通道信号源，通过单个软件接口进行控制。特性经济高效的X波段信号发生器高输出功率，+23dBm出色的谐波和相位噪声CW、脉冲、AM、FM和啁啾输出紧凑型设计，适合台式使用以太网供电（PoE）已启用用于多模块动态控制的菊花链应用半导体大功率老化和寿命测试台式信号发生器自动化生产测试系统X波段雷达测试量子计算
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2025/5/14 14:35:25
Mini-Circuits的LPHI-90+是一种金属屏蔽封装的集总LC滤波器，具有良好的插入损耗和高抑制能力。该低通滤波器覆盖直流至90 MHz，阻带高达1.8 GHz。该滤波器具有高Q电容器和电感器，以实现低插入损耗。它在生产批次中具有可重复的性能。特性80 dB典型值的出色抑制。阻带处的快速滚降过渡插入损耗良好，典型值为2 dB。应用测试和测量谐波抑制接收器/发射器
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2025/5/14 14:31:36
TRS278-182-75+是一款75Ω表面贴装平衡变压器，覆盖45至1800 MHz频带，支持符合DOCSIS®3.1/4.0标准的系统和设备的带宽要求。变压器提供2.78:1的二次/一次阻抗比，插入损耗为0.7 dB，振幅不平衡为0.4 dB，相位不平衡为±2°。该装置采用5焊盘印刷层压板底座上的芯线结构，带有SN/AG/CU焊料端接饰面，尺寸为0.146英寸x 0.235英寸x 0.145英寸，可容纳密集的电路板布局。特性宽带，45至1800 MHz带次级中心抽头的平衡传输线适用于RoHS焊接系统应用有线电视DOCSIS®3.1DOCSIS®4.0全双工
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2025/5/14 14:20:34
Mini-Circuits的ZCDC20-263+宽带定向耦合器在0.5至26.5GHz的频率范围内具有卓越的性能。该耦合器具有优异的耦合平坦度、良好的方向性和功率处理能力。它非常适合实验室测试应用以及许多不同应用的宽带功率监测。特性宽频率范围，0.5至26.5 GHz可用频率为9 kHz至26.5 GHz出色的耦合平坦度，典型值为±1.7 dB。 方向性极佳，典型值为30dB。高达26.5 GHz出色的回波损耗，典型值为33dB。高达26.5 GHz功率处理高达20 W直流电流通过输入到输出应用5G固定卫星雷达仪表实验室使用
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2025/5/14 14:12:28
VBF-2450+是一款50Ω带通滤波器，采用坚固的一体式结构。这些单元覆盖2400-2550MHz带宽，在通带内具有良好的匹配性，在阻带内具有很好的抑制性。VBF-2450+具有良好的插入损耗和出色的功率处理能力。它可处理高达2W的射频输入功率，并提供-40°C至+85°C的宽工作温度范围。特性更锋利的滚落回波损耗，典型值14 dB。阻带抑制，典型值30dB。坚固的一体式结构功率处理：2瓦应用谐波抑制ISM频段2.4-2.485 GHz
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2025/5/14 14:08:07
Mini-Circuits的HFHK-5500+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为6000至16500MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.2 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性典型插入损耗。1.2分贝阻带抑制，典型。73分贝典型通带回波损耗。11分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/5/14 13:56:47
Mini-Circuits的HFHK-4600+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为5000至15500 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.1 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性典型插入损耗。1.1分贝阻带抑制，典型。75分贝典型通带回波损耗。16分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/5/14 13:53:21
Mini-Circuits的HFHK-3500+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为3900至12500 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.9 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性典型插入损耗。0.9分贝阻带抑制，典型。76分贝典型通带回波损耗。15分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/5/14 13:49:55
Mini-Circuits的HFHK-2000+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为2100至9500 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.7 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性典型插入损耗。0.7分贝阻带抑制，典型。74分贝典型通带回波损耗。18分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/5/14 13:46:11
Mini-Circuits的HFHK-2700+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为3000至11000 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.8 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保射频性能变化最小，同时提供非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性典型插入损耗。0.8分贝阻带抑制，典型。74分贝典型通带回波损耗。17分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/5/14 11:55:13
MERA-533+是一款双匹配宽带放大器，提供高动态范围。它具有可重复的性能。它被封装在3.25 x 3.25毫米的MCLP塑料包装中。MERA-533+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。整个装置（A1和A2）在85°C外壳温度下的预期MTBF为420年。特性•一个封装中有两个匹配的50欧姆放大器•InGaP HBT中频和射频放大器•频率范围DC至4 GHz•高增益，典型值20.5 dB。0.1 GHz•在50-1000MHz下具有非常好的平坦度响应。•典型值高达+17.9 dBm。输出功率为0.1 GHz•高IP3，0.1 GHz时为+35 dBm•低噪声系数，典型值为3.5 dB。•低热阻•瞬态保护•可用作平衡放大器和推挽放大器应用•蜂窝•有线电视•超高频/甚高频通信•接收器和发射器•FTTH
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2025/5/13 15:27:54
YSF-322+是小型电路系统级封装中的高级放大器模块。该模块完全匹配50Ω 输入/输出阻抗，内置输入和输出直流阻断电容器。它被封装在一个5 x 6毫米的MCLP塑料包装中。YSF-322+采用E-PHEMT*技术，使其能够在单个正电源电压下工作。特性•匹配的50欧姆表面贴装放大器•高增益，典型值为20 dB。2 GHz•典型值高达+20 dBm。2 GHz输出功率•高IP3，2 GHz时为+35 dBm•低噪声系数，典型值为2.8 dB。2 GHz•高指向性，30dB隔离•内部输入和输出直流模块•单独的直流端子应用•蜂窝•便携式无线•接收器和发射器•雷达•GSM•WiMax•仪器仪表
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2025/5/13 15:14:09
Mini-Circuits的RMK-5-13+倍频器提供5的乘法因子，将150至200 MHz的输入频率转换为750至1000 MHz的输出频率，支持合成器、本地振荡器、卫星上下变频器等应用。该单元支持+17 dBm的信号输入功率，转换损耗为21.2 dB，谐波抑制效果非常好。乘法器采用微型表面贴装封装（0.25 x 0.31 x 0.16英寸），非常适合密集的电路板布局。特性•低转换损耗，典型值21.2 dB。•出色的相邻谐波抑制，F4，典型值63 dBc。F6，68 dBc典型值•可水洗应用•合成器•本地振荡器•卫星上下变频器
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2025/5/13 15:06:55
M3SWA-2-50DRA+是一款具有集成CMOS驱动器的高隔离度快速开关吸收型SPDT开关，在消耗50µa典型电流的同时，以单正电源电压运行。它专为宽带操作而设计。它采用3.25mm x 3.25mm的小型8引脚封装，可通过250V的ESD（HBM）。特性•高隔离度，1 GHz时为52 dB•插入损耗低，典型值为0.8 dB。1 GHz•电源电流消耗低，典型值为50µA。•快速上升/下降时间，典型值为16ns。应用•防御•通信基础设施•测试和测量
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2025/5/13 14:56:58