主 CPUCC1310 SimpleLink 无线 MCU 内置 ARM Cortex-M3 (CM3) 32 位处理器，负责运行应用程序及协议栈的高层部分。CM3 处理器提供了一个高性能、低成本的平台，满足系统对内存实现和低功耗的需求，同时提供卓越的运算性能和对中断的出色响应能力。CM3 的特性包括：为小尺寸嵌入式应用优化的 32 位 ARM Cortex-M3 架构出色的处理能力结合快速中断处理ARM Thumb®-2 混合 16/32 位指令集，在通常与 8/16 位器件相关的紧凑内存空间（几 KB）内，实现 32 位 ARM 核预期的高性能：单周期乘法指令和硬件除法原子位操作（位带），最大化内存利用率并简化外设控制非对齐数据访问，使数据能高效打包进内存快速代码执行允许降低处理器时钟频率或延长睡眠模式时间哈佛架构，具有独立的指令总线和数据总线高效的处理器核心、系统和内存面向数字信号处理的硬件除法和快速乘累加单元用于信号处理的饱和算术运算确定性、高性能的中断处理，适用于时间关键型应用增强的系统调试功能，支持广泛的断点和跟踪能力串行线跟踪减少调试和追踪所需的引脚数量可从 ARM™ 处理器家族迁移，以获得更好的性能和能效针对单周期闪存内存使用优化集成睡眠模式，实现超低功耗每 MHz 提供 1.25 DMIPSRF 核心RF 核心是一个高度灵活且功能强大的无线电系统，它接口模拟 RF 和基带电路，处理来自系统侧的数据并向其发送数据，并按给定包结构组装信息比特。RF 核心可自主处理无线电协议中的时间关键部分，从而减轻主 CPU 负担，为用户应用留出更多资源。RF 核心提供高级、基于命令的 API 供主 CPU 调用。RF 核心支持多种调制格式、频段和加速器功能，包括：广泛的数据速率范围：从 625 bps（提供长距离和高鲁棒性）到高达 4 Mbps广泛的调制格式：多级...
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2026/3/24 14:19:58
为简化系统设计，TPA3255 电子元器件除典型的 51V 功率级电源外，仅需一个 12V 电源。内部电压调节器可为数字电路和低压模拟电路（AVDD 和 DVDD）提供合适的电压电平。此外，所有需要浮动电源的电路——即高侧栅极驱动——均由内置自举电路支持，每个半桥仅需一个外部电容。音频信号路径（包括栅极驱动和输出级）被设计为两个相同且独立的半桥结构。因此，每个半桥拥有独立的自举引脚（BST_X）。功率级电源引脚（PVDD_X）与栅极驱动电源引脚（GVDD_X）在每座全桥上相互分离。尽管两者可从同一 12V 电源供电，但建议通过印刷电路板（PCB）上的 RC 滤波器分别连接至 GVDD_AB、GVDD_CD、VD 和 VDD。这些 RC 滤波器可提供推荐的高频隔离。应特别注意将去耦电容器尽可能靠近其对应引脚放置。通常，从电源引脚经过去耦电容到器件引脚的物理回路必须尽可能短，并尽量减少面积，以最小化电感。为确保自举电路正常工作，必须在每个自举引脚（BST_X）与功率级输出引脚（OUT_X）之间连接一个小陶瓷电容。当功率级输出为低电平时，自举电容通过内部二极管由栅极驱动电源引脚（GVDD_X）充电；当功率级输出为高电平时，自举电容电位被抬升至高于输出电位，从而为高侧栅极驱动器提供合适的电压。建议使用 33nF 陶瓷电容（尺寸 0603 或 0805）作为自举电容。即使在最小 PWM 占空比下，这些 33nF 电容也能储存足够能量，确保高侧功率场效应管（LDMOS）在 PWM 周期剩余时间内保持完全导通。需特别关注功率级电源部分：包括元器件选型、PCB 布局与布线。如前所述，每座全桥均配备独立的功率级电源引脚（PVDD_X）。为实现最佳电气性能、电磁兼容性（EMI）合规性及系统可靠性，强烈建议每个 PVDD_X 节点就近并联一个 1μF 陶瓷去耦电容。推荐遵循 PCB 布局中的 T...
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2026/3/24 13:52:08
AD633 电子元器件评估板使用户能够轻松控制 AD633，从而进行简单的 bench-top 实验。其内置的灵活性允许便捷配置，以适应其他工作模式。下图是 AD633 评估板的照片。任何能够提供 ±10 mA 或更大电流的双极性电源均可用于执行预期测试，此外还可根据用户需求连接任意测试设备。参考下图的原理图，乘法器的输入为差分且直流耦合。三个位置滑动开关增强了灵活性，使乘法器输入可连接至有源信号源、接地，或直接连接至器件引脚以进行直接测量（如偏置电流）。输入可以单端或差分方式连接，但必须提供通往地的直流通路以支持偏置电流。若某输入源的阻抗非零，则需在相反极性输入端接入等值阻抗，以避免引入额外的失调电压。AD633-EVALZ 可通过开关 S1 配置为乘法器或除法器模式。图1 至图4分别展示了信号、电源和地平面的布线 artwork；图 5 显示了元件面和电路面的丝印层；图 6 展示了组装后的实物。图1-图4图5图6
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2026/3/24 13:40:25
以下是子类 1 高速串行链路建立过程的简要概述。步骤 1 — 码组同步每个接收器必须在其输入数据流中定位 /K/（K28.5）字符。当所有链路上检测到连续四个 /K/ 字符后，接收器块会向发射器块断言 SYNCOUTx± 信号，该信号在接收器的 LMFC 边沿处触发。发射器捕获 SYNCOUTx± 信号的变化，并在未来的发射器 LMFC 上升沿启动 ILAS（初始链路对齐序列）。步骤 2 — 初始链路对齐序列此阶段的主要目的是对齐链路的所有通道，并验证链路参数。在链路建立之前，需为每个链路参数指定值，以告知接收设备如何向接收块发送数据。ILAS 由四个或更多多帧组成。每个多帧的最后一个字符是多帧对齐字符 /A/。第一、第三和第四多帧填充预定义的数据值。JESD204B 规范文档第 8.2 节描述了 ILAS 期间预期的数据 ramp。解帧器使用每个 /A/ 的最终位置来对齐其内部的 LMFC。第二个多帧包含一个 /R/（K28.0）、/Q/（K28.4），以及对应于链路参数的数据。如有需要，接收器可添加额外的多帧至 ILAS。默认情况下，AD9173 在 ILAS 中使用四个多帧（可通过寄存器 0x478 修改）。若使用子类 1，则必须恰好使用四个多帧。在最后一个 ILAS 的 /A/ 字符之后，多帧数据开始流式传输。此时，接收器调整 /A/ 字符的位置，使其与自身内部 LMFC 对齐。步骤 3 — 数据流传输在此阶段，数据从发射器块流向接收器块。可选地，数据可进行扰码。扰码仅在 ILAS 后的第一个八位组才开始生效。接收器块处理并监控所接收数据中的错误，包括以下内容：不良运行 disparity（8b/10b 错误）不在表中（8b/10b 错误）意外控制字符错误 ILAS通道间偏斜误差（通过字符替换检测）若存在任何上述错误，将通过以下方式之一报告给发射...
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2026/3/24 13:31:48
AD9173 是一款 16 位双通道射频数模转换器（DAC）电子元器件，配备高速 JESD204B SERDES 接口，符合子类 0 和子类 1 操作规范。通过AD9173功能图可以看出：每个 DAC 核心包含三个可独立旁路的通道化器，支持每通道最高 1.54 GSPS 的复数据速率输入。八个高速串行链路以每通道最高 15.4 Gbps 的速率向通道数据路径传输数据。JESD204B 接口支持单链路和双链路工作模式，具体取决于所选模式配置。与 LVDS 或 CMOS 接口相比，SERDES 接口简化了引脚数量、电路板布局及器件输入时钟要求。上图：AD9173功能图输入数据的时钟源自 DAC 时钟或由设备时钟（根据 JESD204B 规范）提供。该设备时钟可由片上 PLL 生成的 DAC 参考时钟驱动，也可使用高保真度外部 DAC 采样时钟。器件可配置为每链路 1、2、3、4 或 8 线模式，具体取决于所需输入数据速率。AD9173 的数字数据路径为通道数据路径和主数据路径均提供可选的 (1×) 插值模式。此外，根据所选模式，通道数据路径还支持 2×、3×、4×、6× 和 8× 插值选项；主数据路径则支持 2×、4×、6×、8× 和 12× 插值选项。对于每个通道数字数据路径（当未使用 1× 通道插值时），均提供可编程增益级和 NCO 模块。NCO 模块具备 48 位模数 NCO 振荡器，可实现近乎无限精度的数字频率偏移信号处理。NCO 可在纯 NCO 模式下独立运行，通过 SPI 接口输入可编程直流值，或通过 SERDES 接口与数字数据路径结合数字数据进行控制。在三个通道化数据路径末端，一个求和节点将三路通道数据路径合并，最高可达 1.54 GSPS，随...
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2026/3/24 13:23:41
ADXR5453 陀螺仪电子元件实现了一套完整的机电式自测功能。通过向陀螺仪框架施加静电力，使电容传感指发生偏转。该偏转在物理上等效于由外部角速率引起的偏转。来自梁结构的输出信号经过与真实速率输出相同的信号链处理，从而实现对电气和机械部件的全面覆盖。该机电式自测在器件运行期间以高于其输出带宽的速率持续执行。自测程序生成等效的正负速率偏转信号，这些信息随后可被滤波，且不会对解调后的速率输出产生整体影响。连续自测试解调图正负自测偏转之间的差值幅度被滤波至 f₀/8000（约 1.95 Hz），并持续监测并与硬编码的自测限值进行比较。若实测幅度超出这些限值（见下图），则根据自测误差的大小触发两种错误条件之一：对于较轻的自测误差，故障寄存器中的 CST 位会被置位；但传感器数据响应中的状态位 [ST[1:0]] 仍保持为 01，表示传感器数据有效。对于更严重的自测误差，故障寄存器中的 CST 位同样被置位，而传感器数据响应中的状态位 [ST[1:0]] 将变为 00，表示传感器数据无效。上图中列出了这两种失效条件的阈值。如需要，用户可通过向自测内存寄存器（地址 0x04）发送读取命令来访问自测信息。
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2026/3/24 11:47:48
安森美A5191HRT调制解调器概述A5191HRT 是一款单芯片 CMOS 调制解调器，专用于高速公路可寻址远程变送器（HART）现场仪表和主站设备。该调制解调器配合少量外部无源元件，即可提供满足 HART 物理层要求所需的全部功能，包括调制、解调、接收滤波、载波检测及发送信号整形。A5191HRT 采用相位连续频移键控（FSK），速率为每秒 1200 比特。为节省功耗，在发送操作期间接收电路被关闭，反之亦然，从而实现 HART 通信中所用的半双工工作模式。特性单芯片、半双工 1200 bps FSK 调制解调器Bell 202 移频：1200 Hz 和 2200 Hz电源电压范围：3.0 V – 5.5 V发送信号波形整形接收带通滤波器低功耗：适用于本质安全应用兼容 3.3 V 或 5 V 微控制器内部振荡器需外接 460.8 kHz 晶体或陶瓷谐振器符合 HART 物理层规范工业温度范围：–40°C 至 +85°C提供 28 引脚 PLCC、32 引脚 QFN 和 32 引脚 LQFP 封装无铅器件应用HART多路复用器HART调制解调器接口4-20mA回路供电变送器不同封装引脚配置图
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2026/3/24 11:38:39
LT3755 的高速运行要求对电路板布局和元件 placement 给予高度重视。封装的裸露焊盘是 IC 唯一的 GND 端子，同时也是 IC 热管理的关键部分。必须确保裸露焊盘与电路板的接地平面之间实现良好的电气和热接触。为减少电磁干扰（EMI），应尽量减小高 dV/dt 开关节点（位于电感、开关漏极与肖特基整流器阳极之间）的面积。建议在开关节点下方使用接地平面，以消除层间耦合对敏感信号的影响。以下两条高 di/dt 走线长度应尽可能缩短：1) 从开关节点经开关管和检测电阻到 GND；2) 从开关节点经肖特基整流器和滤波器电容到 GND。这两条开关电流路径的接地点应在 LT3755 下方的公共点汇合，再连接至接地平面。同样，INTVCC 稳压器的旁路电容接地端应靠近开关路径的 GND 放置。通常这一要求意味着外部开关管应紧邻 IC 安装，同时 INTVCC 旁路电容也应如此布置。补偿网络及其他 DC 控制信号的接地应采用星形连接方式接到 IC 底部。切勿将高阻抗信号（如 FB 和 VC）长距离平行布线超过几毫米，以免拾取开关噪声。尤其要避免将 FB 和 PWMOUT 并行布设过长。此外，应尽量减少 SENSE 输入串联电阻，以防影响开关电流限制阈值（最可能导致其降低）。
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2026/3/24 11:31:01
LT3755亚德诺DC/DC 控制器概述LT®3755、LT3755-1 和 LT3755-2 是专为驱动高电流 LED 而设计的 DC/DC 控制器，可作为恒流源使用。它们通过内部稳压的 7.15V 电源驱动一个低侧外部 N 沟道功率 MOSFET。其固定频率、电流模式架构可在宽范围的输入电压和输出电压下实现稳定运行。接地参考型 FB 引脚不仅作为多种 LED 保护功能的输入端，还使转换器能够以恒压源方式工作。频率调节引脚允许用户在 100kHz 至 1MHz 范围内编程设定开关频率，以优化效率、性能或外部元件尺寸。LT3755/LT3755-1/LT3755-2 在 LED 串的高侧检测输出电流。高侧电流检测是最灵活的 LED 驱动方案，支持升压（boost）、降压（buck）或升降压（buck-boost）拓扑配置。PWM 输入可提供高达 3000:1 的 LED 调光比，CTRL 输入则提供额外的模拟调光能力。特性3000:1 真彩 PWM™ 调光宽输入电压范围：4.5V 至 40V输出电压高达 75V恒流与恒压调节100mV 高侧电流检测支持 LED 在升压、降压、升降压、SEPIC 或反激拓扑中工作可调频率：100kHz 至 1MHz开路 LED 保护带迟滞的可编程欠压锁定改进型开路 LED 状态引脚（LT3755-2）频率同步功能（LT3755-1）PWM 断开开关驱动器CTRL 引脚提供模拟调光功能低关断电流：1μA可编程软启动散热增强型 16 引脚 QFN (3mm × 3mm) 和 MSOP 封装符合 AEC-Q100 车规级认证，适用于汽车应用应用大功率电池充电器精确的限流电压调节器50W白色汽车LED前照灯驱动器典型应用图
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2026/3/24 11:19:38
德州仪器TS3A5223双通道 SPDT 双向模拟开关概述TS3A5223 是一款高速双通道模拟开关，此开关具有先断后通以及双向信号切换功能。TS3A5223 可被用作一个双路 2:1 复用器或者一个 1:2 双路去复用器。TS3A5223 提供极低的导通电阻、很低的 THD 和通道间串扰以及很高的关闭隔离。这些 特性 使得TS3A5223 适用于音频信号传输和切换 应用。TS3A5223 控制逻辑支持 1V - 3.6V CMOS 逻辑电平。此逻辑接口可在不增加电源输出电流 (ICC) 的前提下实现与各种 CPU 和微控制器的直接对接，从而降低了功耗。特性• 低导通电阻开关– 电压为 3.6V 时为 0.45Ω（典型值）– 电压为 1.8V 时为 0.85Ω（典型值）• 宽电源电压：1.65V 至 3.6V• 1.0V 兼容逻辑接口• 高切换带宽 80MHz• 在整个波段上，总谐波失真 (THD) 为 0.01%• 额定最小先开后合• 双向切换• –75dB 通道至通道串扰• 具有极低功率耗散和泄漏电流的 -70dB 通道至通道关闭隔离• 极小型 QFN-10 封装：1.8mm x 1.4mm• 针对所有引脚的 ESD 保护– 2kV HBM，500V CDM应用• 便携式电子产品• 智能手机、平板电脑• 家用电器• 有线通信TS3A5223功能图TS3A5223引脚配置图
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2026/3/24 10:48:00
QAT-6+固定衰减器概述QAT-6+是一种吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该模型的工作范围为直流至50 GHz。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达1.6 W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。特性小包装，2x2 mm MCLP™超宽带，直流至50 GHz出色的驻波比，1.1:1典型值。频率为25 GHz高功率处理，1.6 W应用5第五代移动通信技术（通常简称 5G）测试与测量雷达通信国防（或 防务）卫星QAT-6+引脚配置信息
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2026/3/23 15:14:54
NCS1-23+是Mini-Circuits的一款射频变压器芯片。其特性及应用范围如下：特性：宽带，1300至2000 MHz低相位不平衡，2度和振幅不平衡，典型值为0.3 dB。微型尺寸，0.079英寸x0.049英寸x0.033英寸LTCC结构低成本可水洗应用范围：宽带码分多址PCS全球定位系统外形图：
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2026/3/23 11:46:10
ADRF5020是一款通用型单刀双掷(SPDT)开关，采用硅工艺制造。它采用3 mm × 3 mm、20引脚基板栅格阵列(LGA)封装，在100 MHz至30 GHz频率范围内提供高隔离度和低插入损耗。其工作原理主要如下：工作原理ADRF5020电子元器件需要在VDD引脚施加正电源电压，在VSS引脚施加负电源电压。建议在电源线上使用旁路电容器以最小化射频耦合。ADRF5020在射频公共端口（RFC）和射频投掷端口（RF1和RF2）内部匹配到50 Ω；因此，不需要外部匹配组件。所有射频端口都直流耦合到0 V，当射频线电位等于0 V时，射频端口不需要直流阻断。该设计是双向的；射频输入信号可以应用于RFC端口，而射频投掷端口（RF1或RF2）作为输出，反之亦然。ADRF5020包含一个驱动器来执行内部逻辑功能，并为用户提供简化的控制接口优势。该驱动器具有两个数字控制输入引脚，CTRL和EN。当EN引脚为低电平时，RF1到RFC路径处于插入损耗状态，而RF2到RFC路径处于隔离状态，或者反之，取决于应用于CTRL引脚的逻辑电平。插入损耗路径（例如，RF1到RFC）在其投掷端口（例如，RF1）和公共端口（RFC）之间同样良好地传导射频信号。隔离路径（例如，RF2到RFC）在其插入损耗路径和其投掷端口（例如，RF2）之间提供高损耗，终止于内部50 Ω电阻器。当EN引脚为高电平时，无论CTRL的逻辑状态如何，RF1到RFC路径和RF2到RFC路径都处于隔离状态。RF1和RF2端口终止于内部50 Ω电阻器，RFC变为开路反射。理想的加电顺序如下：将EPAD和GND引脚连接到接地参考。给VDD和VSS供电。在给VDD供电后给VSS供电可以避免在上升过程中VDD上的电流瞬变。应用数字控制输入CTRL和EN。在VDD供电之前应用数字控制输入可能会无意中正向偏置并损坏内部ESD保护结构。...
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2026/3/23 11:35:08
24MR-35M+同轴适配器定义Mini-Circuits 的 24MR-35M+ 是一款同轴适配器，一端为 2.4 mm 直角公头（Right-Angle Male），另一端为 3.5 mm 公头（Male），支持从直流（DC）至 33 GHz 的广泛应用。该型号在整个频率范围内提供优异的电压驻波比（VSWR）和低插入损耗。24MR-35M+ 采用钝化不锈钢结构制造，整体长度仅为 0.71 英寸（约 18.03 mm），紧凑耐用，适用于空间受限的高频系统。特性超宽带，直流至33GHz低插入损耗，典型值0.11 dB。出色的VSWR，1.11:1典型值。直角车身电气规格（在 +25°C 条件下）参数 频率 (GHz)最小值典型值最大值单位频率范围-DC-33GHz插入损耗0.01–33-0.11 0.44dB电压驻波比 (VSWR)0.01–33-1.111.35:1备注：规格测试最低频率为 0.01 GHz。案例风格图
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2026/3/19 14:22:58
BAT-1+吸收式固定衰减器定义BAT-1+ 是一款宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高可靠性且可重复性优异的砷化镓（GaAs）半导体工艺制造。其工作频率范围从直流（DC）至 60 GHz，在整个频段内实现了出色的衰减精度与平坦度，同时保持卓越的回波损耗性能。该型号可承受高达 2 W 的输入功率，使其成为多种应用的理想选择，包括：测试与测量、卫星通信、雷达系统、电子战（EW）、电子对抗防御系统（ECM Defense Systems）、电信基础设施以及 5G 通信。特性宽频带：DC 至 60 GHz覆盖从基带到毫米波全频段，适用于各类射频系统设计。高功率处理能力：2 W支持中高功率应用场景，如发射链路调节或负载匹配。优异回波损耗：典型值 14 dB表明端口匹配良好，反射小，有助于提升系统稳定性与信号完整性。封装尺寸：1.5 × 1.5 mm，6 引脚 QFN 式封装小型化表面贴装封装，便于集成到高密度 PCB 布局中，适合自动化生产。应用测试与测量设备卫星通信系统雷达、电子战（EW）及电子对抗防御系统（ECM）电信基础设施5G sub-6 GHz 及毫米波（mmW）应用功能图（俯视图）
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2026/3/19 14:20:12
BAT-4+吸收式固定衰减器定义BAT-4+ 是一款宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高可靠性且可重复性优异的砷化镓（GaAs）半导体工艺制造。其工作频率范围从直流（DC）至 60 GHz，在整个频段内实现了出色的衰减精度与平坦度，同时保持卓越的回波损耗性能。该型号可承受高达 2 W 的输入功率，使其成为多种应用的理想选择，包括：测试与测量、卫星通信、雷达系统、电子战（EW）、电子对抗防御系统（ECM Defense Systems）、电信基础设施以及 5G 通信。特性宽频带：DC 至 60 GHz覆盖从基带到毫米波全频段，适用于各类射频系统设计。高功率处理能力：2 W支持中高功率应用场景，如发射链路调节或负载匹配。优异回波损耗：典型值 15 dB表明端口匹配良好，反射小，有助于提升系统稳定性与信号完整性。封装尺寸：1.5 × 1.5 mm，6 引脚 QFN 式封装小型化表面贴装封装，便于集成到高密度 PCB 布局中，适合自动化生产。应用测试与测量设备卫星通信系统雷达、电子战（EW）及电子对抗防御系统（ECM）电信基础设施5G sub-6 GHz 及毫米波（mmW）应用功能图（俯视图）
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2026/3/19 14:16:23
BAT-20+固定衰减器定义BAT-20+ 是一款宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高可靠性且可重复性优异的砷化镓（GaAs）半导体工艺制造。其工作频率范围从直流（DC）至 60 GHz，在整个频段内实现了出色的衰减精度与平坦度，同时保持卓越的回波损耗性能。该型号可承受高达 1.6 W 的输入功率，使其成为多种应用的理想选择，包括：测试与测量、卫星通信、雷达系统、电子战（EW）、电子对抗防御系统（ECM Defense Systems）、电信基础设施以及 5G 通信。特性宽带，直流至60 GHz高功率处理，1.6 W出色的回波损耗，典型。18分贝1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统电信基础设施5G低于6 GHz和毫米波功能图（俯视图）
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2026/3/19 14:09:57
BFHKI-2162+陶瓷带通滤波器定义BFHKI-2162+ 是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）超高中频抑制带通滤波器，其通带范围为 19.4 GHz 至 23.8 GHz，可支持多种应用。该型号在 10.3 GHz 以下实现高达 72 dB 的阻带抑制，在 40 GHz 以下实现 49 dB 的阻带抑制。该滤波器采用小巧的 4.95 mm × 3.65 mm 陶瓷封装形式，非常适合高密度信号链 PCB 布局，能够与 MMIC 尺寸和性能完美匹配。BFHKI 系列内置集成式中介层焊盘，便于通过自动化制造设备安装到 PCB 上。得益于其坚固的单片结构，该模型在整个宽频带内提供典型的 2.8 dB 插入损耗。LTCC 制造工艺确保了射频性能的极小波动，同时交付的产品能胜任高湿度与极端温度等严苛环境条件。该型号可承受最高 1 W 的射频输入功率，并拥有宽广的工作温度范围：-55°C 至 +125°C。特性带集成插入板的LTCC带通滤波器超高阻带抑制，典型。49分贝小尺寸，4.95x3.65毫米坚固的陶瓷结构应用测试和测量设备卫星通信航空航天和国防信号调节功能图+25°C时的典型频率响应
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2026/3/19 14:04:49