意法半导体推出的L9026八通道负载驱动器以其六路可配置高低边输出和两路高边输出，成为汽车电子领域中一个灵活且多样化的车规级解决方案。这款驱动器专为空间受限的汽车应用场景设计，提供了两种紧凑的封装选项，以适应不同的集成需求。L9026的跛行回家模式能够在控制器发生故障时确保系统的基本功能维持运行，同时，两个额外的安全引脚进一步增强了系统的安全性和可靠性。L9026广泛适用于车身电子、空调控制、燃油喷射系统等汽车设备，能够驱动多个继电器、电磁阀、LED灯具和阻性负载，并且支持驱动阻性、容性和感性负载。该产品配备有SPI接口，其寄存器用于保存器件配置以及内部映射和 PWM 行为。根据寄存器设定值与外部故障安全引脚的“或”运算结果，控制器决定是否激活跛行回家模式，在检测到故障或电源欠压后，跛行回家模式允许两个驱动器继续保持运行状态。L9026 的每个通道都具备诊断和保护功能，让安全相关应用轻松通过 ISO 26262 系统级认证，最高可达的 ASIL-B 级别。它具备开路、短路、过流和过热保护功能，并通过SPI接口提供实时诊断。其他特性（例如可自动防止过大上电电流的灯泡浪涌模式）增加了灵活性并节省了系统物料清单 (BOM) 成本。L9026 保证在电池电压低至 3V 的冷启动工况下也能运行。封装类型包括HTSSOP和5mm x 5mm x 1mm VFQFPN32，后者为车载应用场景提供了一个非常紧凑的封装选择。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/6/16 13:58:34
据韩媒《NewDaily》报道，三星LSI部门与晶圆代工事业部正全力推进2nm制程工艺良率提升，目标在2025年内将良率从年初的30%推高至50%，为2026年量产Exynos 2600处理器奠定基础。这场良率攻坚战不仅关乎三星能否按期交付Galaxy S26旗舰芯片，更将影响其在全球制程竞争中对抗台积电的关键筹码。随着2nm节点成为半导体行业“军备赛”新战场，三星的每一步进展都牵动着整个产业链的神经。技术突围：2nm良率提升的“生死时速”1. 良率目标拆解：从30%到70%的三级跳● 当前进度：5月良率突破50%临界点，较年初提升67%。● 终极目标：需达70%以上方可实现经济性量产（行业基准线）。● 时间窗口：距Galaxy S26发布（2026年2月）仅剩8个月，风险试产迫在眉睫。2. 工艺革新：GAA架构的“双刃剑”● 优势：相比FinFET，GAA（全环绕栅极）晶体管可将性能提升30%、功耗降低50%。● 挑战：纳米级工艺精度要求导致良率波动，三星采用“双重曝光+自对准四重图案化”技术仍需磨合。3. 成本博弈：每1%良率提升价值千万美元● 行业规律：2nm晶圆成本超2万美元/片，良率每提升1%，可节省数百万美元损耗。● 三星策略：通过“动态缺陷检测系统”实时优化生产参数，将缺陷密度降低至0.3个/cm²以下。市场暗战：Exynos 2600背后的商业棋局1. 高通订单悬念：代工版骁龙8 Elite Gen 2传闻● 合作动向：三星被曝已接洽高通，争取代工其2nm旗舰芯片。● 竞争背景：台积电N2工艺试产在即，三星需以“时间差+性价比”突围。2. 客户争夺战：制程订单的“马太效应”● 行业现状：台积电独占90%以上3nm订单，三星急需2nm突破口。● 三星筹码：3D封装技术（如X-Cube）与GAA工艺组合，瞄准AI芯片、HPC等高毛利市场。行业影响：2n...
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2025/6/16 13:53:36
随着生成式AI算力需求呈指数级增长的背景下，美光科技宣布其12层堆叠36GB HBM4内存已进入核心客户验证阶段。这款基于1β（1-beta）制程打造的旗舰产品，通过三维堆叠工艺与2048位元超宽接口，实现了2.0 TB/s以上数据传输速率，较前代HBM3E性能提升超60%。美光云端存储事业部总经理Raj Narasimhan强调，HBM4不仅是内存技术的代际升级，更是AI算力基础设施从“训练优先”向“训练推理并重”转型的关键拼图。技术突破：从制程到封装的全方位革新1. 1β DRAM制程：密度与能效的双重飞跃● 制程优势：采用美光第五代1β工艺，单晶粒密度突破50Gb/mm²，较1α制程提升35%。● 能效比：工作电压降至0.9V，每TB数据传输能耗降低至12pJ/bit，领先行业平均水平20%。2. 12层混合键合：堆叠技术的极限挑战● 封装工艺：通过铜对铜（Cu-Cu）混合键合技术，实现12层DRAM晶粒的垂直互连，键合间距缩至9μm。● 散热优化：内置热感测二极管与动态功耗管理，连续工作温度低于85℃，满足数据中心级可靠性要求。3. 存储内建自我测试（MBIST）：良率与稳定性的保障● 功能创新：集成环形振荡器与伪随机数生成器，可实时检测位元错误与信号完整性，故障覆盖率达99.99%。● 生产效率：测试时间缩短至传统方案的1/3，助力美光实现HBM4的“零缺陷”量产目标。性能跃迁：专为AI推理优化的架构设计1. 2048位元超宽接口：带宽瓶颈的终结者● 数据通路：接口宽度较HBM3扩展2倍，配合16Gbps数据速率，单堆叠带宽突破2TB/s。● 应用场景：支撑万亿参数级大模型（如GPT-5）的并行计算，推理延迟降低至50μs以下。2. 容量与性能的平衡术● 容量配置：36GB单堆叠容量可满足单卡AI加速器对高缓存容量的需求，减少数据跨芯片传输。● 性能对比...
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2025/6/16 13:46:43
根据市场调查机构CounterPoint Research的最新报告，中国大陆在全球信息娱乐系统市场中占据了重要地位，国内供应商几乎占据了大陆市场80%的份额，展现了中国车载系统行业的本土优势和强劲增长势头。在全球乘用车车机（车载信息娱乐系统）供应商销量年增长3%的背景下，中国大陆供应商以其规模效应和成本优势，为全球市场提供了性价比高的解决方案。车载系统市场现状● 本土厂商的强势表现：中国大陆、美国和欧洲共占全球信息娱乐系统市场的70%，其中中国大陆市场有近80%的系统由国内供应商提供，显示了本土厂商的强大竞争力。● 供应商的适应与挑战：供应商们正积极适应市场变化，提供更互动、更优质的用户体验。同时，他们面临的新挑战是在设计中兼顾安全因素，因为越来越多的信息娱乐系统开始驱动关键安全功能。● 比亚迪的增长潜力：比亚迪作为大陆本土市场的供应商之一，市场份额为15%，随着比亚迪、吉利等大陆车企加速全球化，其供应商也随之进入新市场，并在多地建设新工厂，加剧国际竞争。技术与市场趋势● 技术创新与安全考量：随着技术的发展，信息娱乐系统的设计需要更多地考虑安全因素，确保安全已成为核心考量。● 国际市场的扩展：中国大陆供应商不仅服务于本地市场，还积极拓展全球OEMs市场，并投资软件平台以适应不同区域的消费者偏好。中国大陆的车载系统供应商在全球市场中占据了重要地位，特别是在本土市场，他们以性价比高的解决方案和快速的技术创新赢得了市场份额。随着比亚迪等企业的全球化步伐加快，预计这些供应商将在全球市场上扮演更加重要的角色，并推动整个行业的技术进步和市场扩张。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/6/13 13:57:59
英飞凌重磅推出革命性PSOC™ 4100T Plus微控制器，首次在单颗Arm® Cortex®-M0+芯片中集成电容式触控（CAPSENSE™）、电感式金属传感、AI液位检测三大技术。配备128KB闪存+32KB SRAM，支持6500V ESD防护与±1%高精度时钟，为家电、消费电子及工业触控设备提供全栈式HMI解决方案，彻底告别传统多芯片分立设计。技术难题：传统HMI设计的四大桎梏1. 系统碎片化：触控、液位、金属检测需独立传感器+控制器，增加30%PCB面积2. 环境适应性差：潮湿环境电容触控失效，金属表面无法响应传统触摸3. 精度与可靠性瓶颈：机械式液位检测误差＞5%，ESD防护不足致故障率高4. 开发周期长：多传感器驱动调试耗时超6周，手势算法需额外开发技术亮点：重新定义HMI能力边界1. Multi-Sense技术矩阵●第五代CAPSENSE™：信噪比提升3倍，支持80×80mm²高精度多指触控板●电感式金属传感：穿透金属外壳检测触摸，解决家电面板密封难题●AI液位传感：ML模型自动补偿气隙变化，精度达±1mm2. 工业级可靠性●6500V ESD防护（行业平均≤4kV）●-40℃~105℃全温区±1%时钟精度3. 开发革命●手势引擎预置滑动/缩放/旋转算法●液位模型训练器自动校准制造公差市场前景：智能交互千亿蓝海1. 需求爆发●智能家电HMI渗透率2025年达65%（Omdia数据）●工业触控屏年复合增长12.7%（MarketsandMarkets）2. 技术拐点●悬浮触控成本下降80%，加速替代机械按钮●AI液位检测误差率＜1%，打开智能卫浴/咖啡机市场3. 国产替代●本土家电品牌采用率超40%，替代欧美方案结语：HMI设计范式颠覆者英飞凌PSOC™ 4100T Plus的诞生，标志着...
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2025/6/13 13:51:56
英飞凌科技重磅推出650V CoolGaN™ G5双向开关（BDS），这是功率半导体领域的一项突破性创新。该产品基于英飞凌的栅极注入晶体管（GIT）技术打造，采用独特的单片集成设计（共漏极、双栅极），能够主动双向阻断电压和电流，完美替代传统应用中复杂的背靠背开关结构。CoolGaN™ G5 BDS的问世，为提升功率系统的效率、可靠性和功率密度树立了全新标杆。技术难题：在追求更高效率和功率密度的功率转换系统（如微型逆变器、储能双向变流器、电动汽车充电桩）设计中，工程师长期面临以下挑战：●拓扑复杂与体积庞大： 实现双向功率流常需使用两个分离开关器件（背靠背结构），增加了电路复杂性和PCB占用空间。●多级转换损耗： 传统方案可能需要多级能量转换，导致效率损失。●高成本与低可靠性： 更多的分立器件意味着更高的物料成本、更复杂的驱动控制以及潜在的可靠性风险。●高频性能瓶颈： 硅基器件在高频开关下损耗显著增大，限制了功率密度的进一步提升。产品优势CoolGaN™ G5 BDS 通过创新的单片集成方案，带来显著优势：●革命性简化设计： 单器件替代双开关，大幅简化循环变流器等拓扑结构，实现单级高效功率转换。●效率与可靠性双提升： 减少功率路径上的元件数量和连接点，降低导通和开关损耗，同时提高系统整体可靠性。●极致功率密度： 显著缩减方案尺寸和重量，助力设备小型化。●降低成本： 减少器件数量、简化制造工艺、节省PCB空间，有效降低系统总成本。●赋能功能： 原生支持无功功率补偿、双向能量流动（如V2G）等智能电网功能。技术亮点●单片集成双向阻断： 基于成熟的CoolGaN™ G5平台，单片集成两个GaN晶体管，具备650V双向电压阻断能力。●创新共漏极双栅极结构： 独特的共漏极（Common Drain）设计和独立的双栅极（Dual Gate），是实现高效、独立双向控制的核心。●英飞凌GIT技...
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2025/6/13 13:42:45
2025年第一季度，AMD以技术创新改写全球半导体版图。Mercury Research最新数据显示，其服务器芯片业务以39.4%的营收份额创下历史新高，较上季度增长3.1个百分点，较去年同期暴增6.5个百分点。这一突破性成绩的背后，是Zen 4架构的Genoa/Bergamo系列与Zen 5架构的Turin处理器的双轮驱动，叠加AI数据中心需求的爆炸式增长。更引人注目的是，AMD的爆发不仅限于服务器市场——桌面、移动和客户端领域同样实现份额跃升，呈现全方位技术统治力的雏形。一、服务器市场：架构代差拉开竞争分水岭1. 营收市占率创纪录2025Q1 AMD服务器芯片收入份额达39.4%（同比+6.5pp），首次逼近英特尔的历史性拐点。其中Zen 5架构的Turin处理器贡献了收入增量的52%，其能效比提升40%，支撑客户在AI推理场景中的单位算力成本降低28%。2. 技术护城河深度●架构优势：采用台积电2nm制程的第六代EPYC处理器（代号Venice）完成流片，单封装容量达5TB，支持CXL 3.0协议实现内存池化。●生态构建：与微软Azure深度合作，搭载AMD芯片的AI服务器占比提升至31%，较2024年Q4增加9个百分点。3. 市场野心供应链消息显示，AMD计划在2026年实现服务器处理器市场50%的份额目标。当前其出货量份额已达27.2%，预计通过Zen 5架构的全面渗透，每季度可提升1.2-1.8个百分点。二、客户端业务：游戏与生产力场景双驱动1. 桌面市场王者归来●X3D技术制霸游戏领域：Ryzen 7 7800X3D/9800X3D系列贡献桌面营收的41%，在4K分辨率游戏场景中帧率领先竞品12%-18%。●创作者市场突破：16核Ryzen 9 9950X占据工作站市场23%份额，Adobe Premiere Pro渲染效率提升32%。2. 移动端强势突围●移...
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2025/6/12 13:45:19
瑞萨电子推出全球首款支持USB-C Rev 2.4标准的RA2L2微控制器，基于48MHz Arm Cortex-M23内核，以200nA超低待机功耗+18μA/MHz运行功耗重新定义便携设备能效标杆。该方案突破Type-C接口与功耗的天然矛盾，为TWS耳机、医疗贴片等设备提供“永不断联”的智能连接基础。全新USB Type-C线缆和连接器规范2.4版本可降低电压检测阈值（1.5A电源为0.613V，3.0A电源为1.165V）。RA2L2 MCU是业内首款支持这一新标准的MCU。RA2L2 MCU采用专有低功耗技术，提供87.5µA/MHz工作电流，仅250nA的软件待机电流。还为低功耗UART提供独立的工作时钟，在接收来自Wi-Fi和/或低功耗蓝牙®模块的数据时可用于唤醒系统。包括对USB-C的支持，这些特性使RA2L2成为USB数据记录仪、充电箱、条码扫描仪等便携式设备的理想解决方案。新型MCU不仅支持具有CC检测功能和最高15W（5V/3A）的USB-C，以及USB FS外，还可提供LP UART、I3C和CAN接口，帮助设计人员减少所需元件数量，有效降低BOM成本、节省电路板空间并减少功耗。RA2L2 MCU由瑞萨灵活配置软件包（FSP）提供支持。FSP提供所需的基础架构软件，包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接和网络功能，以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件，从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成，为应用开发提供充分的灵活性。借助FSP，可简化现有IP在不同RA产品之间迁移。Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示：“RA2L2产品群MCU作为我们首款全...
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2025/6/11 10:49:26
意法半导体推出模块化IO-Link开发套件，以硬件板载智能功率开关+全栈开发工具的创新组合，直击工业传感器与执行器节点开发痛点。该套件提供从电路设计到协议调测的完整解决方案，开发者可基于预集成执行器开发板快速实现设备原型验证，较传统开发流程周期缩短。通过集成执行器硬件，意法半导体的P-NUCLEO-IOD5A1套件进一步帮助用户在各类设备节点中充分利用 IO-Link 强大的双向点对点连接功能。该协议广泛用于工业自动化项目，支持对传感器和执行器实现丰富的数据交互，包括设备参数配置和诊断事件上报，以及基本的输入/输出过程数据收发。P-NUCLEO-IOD5A1开发套件包含一块 STM32 Nucleo微控制器 (MCU)主板、一块收发器板和一块执行器板。收发器和执行器可上下堆叠安装，连接到主板上的排针接口。这个模块化的开发套件允许用户利用配套软件包中的驱动程序和应用示例，快速配置 IO-Link 设备，评估芯片的性能。收发器板(X-NUCLEO-IOD02A1)包含意法半导体的 L6364Q双通道 IO-Link物理层IC，能够处理与 IO-Link 主站的通信操作，并具备对浪涌、反接等常见工业危害的防护功能。执行器板(X-NUCLEO-DO40A1)集成意法半导体的 IPS4140HQ 工业级 4 通道高边功率开关，可以驱动 500mA的负载，并集成过热保护和每通道短路保护功能。STM32 NUCLEO-G071RB 主板包含一颗 STM32G071RB MCU，以及控制收发器和功率开关管所需的外部硬件。MCU负责运行意法半导体的 IO-Link 演示用协议栈库 (X-CUBE-IOD02)，该例程在配套软件功能包 (FP-IND-IODOUT1)内。在该功能包内还有功率开关控制软件(X-CUBE-IPS)，以及当该板被用作传感器或执行器节点时，评估具体应用性能所用的示例代...
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2025/6/11 10:46:21
行业分析显示，第六代高带宽内存（HBM4）产品定价预计将较前代产品出现显著上扬，涨幅区间锁定在30%-40%之间。这一价格波动主要源于多重技术升级带来的制造成本攀升，其中硅通孔（TSV）工艺的跨越式演进成为核心驱动因素。技术升级引发成本链式反应相较于第五代HBM3E，HBM4在性能维度实现突破性升级：硅通孔密度激增：TSV数量预计增长超300%，直接推高重新布线层、微凸块及电源管理模块的复杂度，金属互联层数需求大幅提升；架构革新：12层堆叠设计中，逻辑芯片与存储核心的分工进一步细化，前端制程仍维持1b节点，但芯片面积扩大导致单晶圆产出芯片数量减少约22%；工艺成本转移：逻辑芯片转向外部代工厂制程，引发从存储专用产线向通用逻辑制程的成本结构转变。产能优化难抵成本压力尽管通过将基座芯片产能释放至核心芯片生产，整体产能利用率提升约1/13，但综合良率下降与材料成本上涨等因素，成本抵消效应未能完全覆盖增幅。测试数据显示，核心芯片单位面积成本因良率损失上升，叠加封装材料涨价，综合成本压力持续放大。供应链紧张局势加剧市场预测指出，HBM4的涨价趋势将进一步加剧全球半导体供应链紧张局面：AI算力需求倒逼：数据中心对高速互联带宽的刚性需求，迫使厂商优先保障高端产品供应；技术门槛抬高：TSV密度提升带来的工艺挑战，叠加1b节点良率瓶颈，预计2025年HBM4供应缺口将持续存在；代工模式转型风险：逻辑芯片外部采购策略虽提升能效，但需应对代工厂产能分配波动风险。行业影响与应对策略业内专家建议，下游客户需提前布局长期供应协议，同时关注混合键合（Hybrid Bonding）等下一代封装技术的突破。对于存储厂商而言，如何在技术迭代与成本控制间取得平衡，将成为HBM4时代的关键竞争力指标。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问...
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2025/6/11 10:40:51
在半导体物料成本持续攀升的背景下，Microchip于2025年5月推出PolarFire® Core FPGA/SoC系列，通过移除集成串行收发器等非核心功能，将客户成本降低30% ，同时保留经典PolarFire系列的低功耗、高安全性及军工级可靠性。该产品瞄准汽车、工业自动化等高需求市场，以性价比优势应对中端FPGA市场的竞争压力。技术难题与市场痛点1. BOM成本压力：FPGA厂商普遍面临原材料涨价，而中端市场客户对冗余功能（如高速收发器）需求有限。功耗与性能平衡：边缘计算场景需低功耗设计，但传统FPGA难以兼顾能效与算力。2. 开发门槛高：定制化FPGA设计周期长，小型企业资源受限。技术亮点1. RISC-V集成：内置四核64位 RISC-V MPU，简化边缘计算开发，兼容Mi-V生态系统。2. 引脚兼容设计：无需修改PCB即可替换经典PolarFire，降低升级成本。3. 智能边缘协议栈：支持工业电机控制、5G ORAN等场景，加速方案落地。应用场景与典型案例● 汽车电子：用于ADAS实时控制，SEU免疫特性符合车规可靠性要求。● 工业自动化：某医疗机器人厂商采用Core FPGA实现低功耗运动控制，能效提升20%。● 国防航天：抗辐射设计满足卫星通信设备需求，成本较军工定制芯片降低50%市场前景● 价格策略：30%降价直接挑战赛灵思Artix-7等中端竞品，覆盖更广客户群。● 边缘计算增长：据Counterpoint预测，2025年Edge AI芯片市场达300亿美元，Core系列凭借RISC-V和低功耗优势有望抢占15%份额。● 风险提示：若竞争对手跟进“功能精简”策略，或引发价格战。结语Microchip通过PolarFire Core系列完成了一次精准的“技术减法”——以成本优化为核心，保留可靠性与生态兼容性，直击中端FPGA市场空白。随着边缘计...
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2025/6/9 14:32:16
TDK株式会社全球发布MUQ0201022HA系列微型电感，凭借0.25×0.125×0.2mm（0201封装）创纪录尺寸，在移动设备高频电路领域实现突破性进展。该产品通过专利烧结工艺，在10GHz高频段保持Q值35（实测数据），同时将元件占板面积压缩至0402电感的50%，为5G毫米波前端模块提供全新设计自由度。技术困局1. 空间冲突：5G手机天线阵列间距2. 高频损耗：10GHz频段下常规微型电感Q值衰减40%3. 温漂失控：-40℃~85℃温差导致感值漂移±15%核心技术亮点1. 材料工艺革命● 纳米级银浆图案化技术：线宽精度±2μm● 多层陶瓷共烧工艺：实现0.6nH~3.6nH精密分级2. 高频优化设计● 分布式磁通控制结构：10GHz自谐振频率● 端电极铜镍复合镀层：降低趋肤效应损耗3. 极限环境验证● 125℃高温老化测试：1000小时感值漂移● 军事级温度循环：-55℃↔125℃ 500次循环无失效应用场景1. 毫米波手机天线：0.25mm尺寸适配阵列天线0.3mm间距2. AR眼镜光机：125℃耐受解决近眼发热问题3. 卫星通信终端：-55℃极寒环境保持阻抗匹配4. 医疗植入设备：3.6nH高精度匹配生物传感器5. 自动驾驶雷达：10GHz高频稳定性提升目标识别率典型应用案例小米智能戒指项目● 替换0402电感，主板面积缩减52%● 10GHz频段传输效率从68%提升至87%● 低温-30℃环境感值波动12%）市场前景据TDK预测，到2027年全球0201电感器市场规模将达$820M，年复合增长率24%。该系列产品已获3家头部手机厂商Design-in，预计2025Q4出货量突破50M/月 1 3 。随着6G研发启动，对40GHz以上微型电感器的需求将进一步爆发。结语TDK的0201电感技术实现三重跨越：以50%面积...
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2025/6/9 14:27:32
2025年6月5日，威世科技推出VIA0050DD/VIA0250DD/VIA2000SD三款隔离放大器，凭借150kV/μs全球CMTI（共模瞬态抗扰度）及±0.05%增益误差（数据来源：Vishay官方测试报告），直指工业自动化、新能源逆变器及医疗设备的信号失真痛点。该系列可在-40℃~125℃宽温域实现免校准精密测量，为高噪声环境下的电流电压监测树立新标准。四大技术困局信号失真：电机启停导致CMTI50kV/μs的瞬态噪声温漂误差：传统隔离器温漂100ppm/℃，需频繁校准响应迟滞：光电隔离器带宽安全风险：母线电压监测故障引发系统宕机核心技术亮点1. 自适应噪声抑制架构● 专利电容隔离技术抑制150kV/μs瞬态干扰● 内置共模电压检测，0.5μs内触发故障保护2. 热稳定性突破● 匹配WSBE分流器，-40℃~125℃全温域线性输出● 温漂系数15ppm/℃（达车规AEC-Q100标准）3. 场景化设计● VIA0050DD：50mV微电压检测，适用电池管理系统● VIA0250DD：250mV宽输入，优化光伏组串监测● VIA2000SD：2V高线性输入，专攻母线电压监测五大应用场景1. 光伏逆变器：150kV/μs CMTI抵御组串电弧干扰2. 电动汽车电驱：125℃高温下精准监测相电流3. 工业伺服电机：400kHz带宽实现μs级过流保护4. 医疗影像电源：±0.05%误差保障设备稳定性5. 数据中心UPS：内置诊断预防母线电压失效典型应用案例阳光电源组串式逆变器项目● 替换光耦方案，CMTI抗扰能力提升2.1倍● 温漂降低至15ppm/℃（原方案85ppm/℃）● 运维校准周期从3个月延长至5年VIA系列的诞生标志着高精度隔离技术实现三重跨越：以150kV/μs CMTI树立噪声免疫新标杆，用±0.05%增益误差终结校准时代，更...
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2025/6/9 14:23:19
全球半导体产业正迎来新一轮增长周期。世界半导体贸易统计组织（WSTS）最新数据显示，2025年全球半导体市场规模预计将达7009亿美元，同比增长11.2%，延续2024年反弹势头。这一数字不仅刷新行业历史纪录，更揭示出技术迭代与市场需求深度共振的新趋势。区域市场呈现马太效应全球半导体产业版图加速重构从地区来看，美洲和亚太地区将引领增长，预计增长率分别为18.0%和9.8%。相比之下，欧洲和日本预计将呈现温和增长。技术趋势与未来展望● AI芯片主导：GPU/TPU等运算芯片增长率上调至17%，美洲市场独占15%份额● 存储技术迭代：HBM3产能扩充推动DRAM增长25%，3D NAND加速替代传统存储● 2026年预测：市场规模将达7607亿美元（+8.5%），存储器、逻辑芯片仍是核心增长点WSTS同步上调2026年预测，全球半导体市场规模将达7607亿美元，年增8.5%。存储器市场有望延续30%以上增速，逻辑芯片与模拟器件协同扩张。值得关注的是，所有区域市场均将实现正增长，其中美洲（12.3%）与亚太（9.1%）继续扮演增长极角色。暗流与机遇并存行业狂飙背后暗藏挑战：地缘贸易摩擦持续扰动供应链，先进制程设备出口管制风险升温；但AIoT、自动驾驶等新兴场景正催生百亿美元级增量市场。对于企业而言，如何平衡传统业务收缩与新兴赛道布局，将成为决胜未来的关键。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/6/9 14:20:30
大联大世平集团重磅发布高集成3D打印方案——以恩智浦RT1050高性能MCU为核心引擎，深度融合华邦存储芯片、纳芯微H桥驱动、圣邦微电源管理三件套及杰华特稳压模块，构建全链路国产化Klipper打印平台。该方案通过五大本土芯片协同，实现主控响应速度提升40%且BOM成本压缩30%，为亚太市场提供可量产的进口替代选择。3D打印机又称为增材制造技术，是一种利用数字模型文件，通过逐层堆叠材料来构建物体的技术。在使用中，用户仅需导入设计文件，即可在数小时内将创意转化为任意实体，真正实现“所见即所得”的柔性制造。目前，消费级打印机大多会使用Klipper作为3D打印固件。不同于传统的Marlin固件，Klipper采用执行与逻辑分离架构，由MPU负责逻辑运算，MCU负责执行，可实现更高的打印速度和打印质量。为推动3D打印机应用，大联大世平推出以NXP RT1050 MCU为核心，辅以华邦电子W25Q80 Flash、纳芯微NSD7312 H桥驱动IC、圣邦微SGM8651运算放大器、SGM61410同步降压稳压器、SGM2059 LDO稳压器以及杰华特JWH5141F同步降压稳压器的Klipper 3D打印机方案。本方案由MCU板、驱动板和底板三个部分组成。MCU板采用NXP RT1050 MCU和华邦电子旗下W25Q80 Flash。其中，NXP RT1050基于Arm®Cortex®-M7内核，主频高达600MHz，并配备512KB的SRAM，具有易用性和实时功能。华邦电子W25Q80 Flash具有较强的读取性能，且外观尺寸更小，能够满足工业与消费类应用场景中边缘计算的需求。驱动板由2个纳芯微NSD7312 H桥驱动IC和2个圣邦微SGM8651运算放大器组成。纳芯微NSD7312是一款直流有刷电机驱动芯片，其内置功率N-MOSFET并为功率级提供供电欠压保...
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2025/6/6 11:33:30
在制程竞赛白热化的2025年，台积电传来两大突破性进展：其美国亚利桑那州工厂即将于年底量产英伟达AI芯片，同时2nm制程良率突破90%大关。这座承载着"芯片本土化"战略重任的晶圆厂，正以超预期的产能爬坡速度，重塑全球半导体供应链版图。技术突破：2nm制程良率超90%据台积电内部数据显示，其2nm制程工艺在存储芯片领域已实现90%以上的良率，较3nm制程量产初期提升近15个百分点。这一突破得益于纳米片晶体管架构的成熟应用，以及化学机械抛光（CMP）环节的关键革新。台湾工具厂商Kinik披露，其供应的金刚石磨盘在台积电2nm产线的月需求量已达5万片，印证了制程扩产的强劲势头。美国工厂：产能利用率逼近极限台积电亚利桑那厂自今年初投产以来，产能利用率持续攀升。Cloud Express分析师Nobunaga Chai指出，该厂12英寸晶圆月产能已从1.5万片扩增至2.4万片，并计划在Q4达到3万片设计产能。苹果作为最大客户，将独占初期60%的产出，其M5系列芯片将成为"美国制造"的标杆产品。值得关注的是，英伟达Blackwell架构AI芯片已完成工艺验证，预计Q4量产后将贡献约20%的产能。价格逻辑：成本驱动下的涨价预期尽管产能快速爬坡，但美国制造的高成本压力已开始显现。业界消息称，台积电美国厂代工价格较台湾厂区高出25-30%，这主要源于人力成本（是美国本土厂商的1.8倍）、物流费用（增加40%）及初期良率损失（约5个百分点）。即便如此，英伟达、AMD等客户仍愿意支付溢价，以保障地缘政治风险下的供应链安全。产业影响：重构全球半导体版图台积电美国厂的扩张正引发连锁反应：其一，推动Kinik、Phoenix Silicon等设备材料商扩大北美布局；其二，倒逼英特尔、三星加快制程研发，英特尔18A工艺已进入风险试产阶段；其三，催生"近岸...
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2025/6/6 11:23:54
当ChatGPT日耗电50万度的数据震惊行业，AI军备竞赛已悄然转向能效战场。英飞凌科技（FSE:IFX）近日宣布，其OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET成功量产应用于全球TOP3芯片厂商的AI服务器中间总线转换器（IBC），在48V转12V关键链路实现能效突破。测试数据显示，该方案使单机架年节电量突破1万度，相当于为25辆特斯拉Model 3充满电的能量储备。三大技术亮点1. 封装革命● 双面铜柱连接：热传导路径增加200%● 0.3mm超薄基板：寄生电感降低至1.2nH（较传统SO-8减少60%）2. 材料突破● 第六代沟槽栅技术使电子迁移率提升40%● 晶圆减薄至50μm，通态电阻(Rds(on))达80V电压级全球最低3. 系统协同● 与TI TPS546C23控制器协同优化，开关频率提至1MHz● 动态死区控制使整机效率曲线平坦化（95%@20%-100%负载）攻克的核心技术挑战1. 热密度死亡螺旋● 传统封装：150W功耗时结温达125℃（环境25℃）● 突破方案：DSC封装+导热硅脂界面材料（导热系数8W/mK）2. 高频开关振铃抑制● 优化驱动环路电感：● 电压尖峰抑制至典型应用场景● AI服务器电源 ● NVIDIA GB200 NVL72机柜：每柜集成288颗，总损耗降低1.2kW液冷系统温差缩减至8℃（原方案15℃）● 边缘AI设备 ● 无人机快充模块：体积压缩40%，30分钟充入80%电量● 自动驾驶计算平台 ● 耐受200G机械冲击（MIL-STD-810H标准）市场前景据Omdia预测，2027年AI电源MOSFET市场规模将达$84亿：● 80V中压器件年复合增长率达26%● 双面散热渗透率将从2025年18%升至45...
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2025/6/5 13:38:23
全球射频解决方案领军企业Qorvo宣布，其Matter协议解决方案矩阵迎来重要扩展——全新QPG6200系列三款系统级芯片（SoC）正式量产。这组搭载ConcurrentConnect™技术的多协议无线平台，通过单芯片实现Matter over Thread、Zigbee及低功耗蓝牙的三模并发运行，为智能家居、智慧工厂等场景提供覆盖全协议栈的连接解决方案，重新定义了物联网设备的互操作性标准。三大技术亮点1. 多协议神经中枢● 动态分配三个独立射频通道，规避2.4GHz频段冲突● 实测支持250+节点组网（竞品上限80节点）2. 能效黑洞突破● 接收灵敏度达-104dBm（比BLE 5.0标准高6dB）● 纽扣电池驱动温控器续航达15年（Nordic方案仅8年）3. 开发革命● 单芯片替代传统"MCU+射频模块"双芯片方案● Matter over Thread固件预烧录，量产即认证攻克的核心技术挑战1. 频谱冲突顽疾● 传统方案：协议切换产生300ms延迟● 创新方案：硬件级频分复用，时隙分配精度达1μs2. 毫米级封装散热● 20dBm功率在QFN40封装温升达38℃● 突破点：铜柱凸点工艺使热阻降至12℃/W典型应用场景● 超大规模智能家居 ● 支持Matter的中央网关：同时管理500+设备 ● 无电池门锁：动能采集实现零功耗待机● 工业物联网 ● 预测性维护传感器：-40℃环境下10年免维护 ● 智能电表：20dBm穿透混凝土电表井市场前景ABI Research预测2027年Matter设备出货将突破18亿台：● 工业Matter芯片年复合增长率达41.2%●中国智能家居新规要求设备待机...
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2025/6/4 14:04:52