全球晶圆代工龙头台积电近日正式启动三年来首次大范围价格调整，引发半导体产业链震动。据台积电官方文件显示，此次调价涉及2nm及4nm两大先进制程，其中2nm制程晶圆单价上调10%，从3万美元/片跃升至3.3万美元（约合23.8万元人民币），创下晶圆代工行业历史新高。值得关注的是，4nm制程将实施差异化定价策略，根据客户订单规模和合作年限，涨幅设定在10%-30%区间。成本压力驱动战略调整此次调价背后是台积电面临的双重成本压力。财务数据显示，其美国亚利桑那工厂单位产能建设成本较台湾新竹基地高出35%，德国德累斯顿工厂更因能源价格因素，设备折旧周期延长至7年。与此同时，台积电2025年资本支出计划达420亿美元，其中78%将投入2nm及以下制程研发，较2024年提升12个百分点。这种资本密集型投入直接推高了晶圆制造成本。产业格局或将重塑作为占据全球晶圆代工市场62%份额的绝对龙头，台积电的定价策略具有行业风向标意义。Gartner半导体研究总监盛陵海指出："当台积电2nm制程毛利率突破65%临界点，将倒逼芯片设计企业重新评估制程迁移节奏。"事实上，这种影响已开始显现，某头部AI芯片企业透露，其3nm制程流片费用因价格调整将增加280万美元，直接导致产品上市计划推迟两个季度。技术竞赛持续升温在价格调整的同时，台积电正加速技术迭代步伐。2025年一季度，其2nm制程良率已突破72%，较2024年四季度提升9个百分点，达到行业水平。更值得关注的是，台积电宣布将2026年资本支出中的15%投入1.4nm制程研发，较原计划提前两年启动。这种技术优势，成为其维持定价权的关键筹码。中国市场应对策略面对中国大陆市场，台积电采取差异化布局。南京工厂28nm产能利用率维持在98%高位，支撑消费电子需求；而上海临港新厂则聚焦2nm特殊制程开发，服务高性能计算领域。这种"双...
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2025/5/21 13:54:53
金升阳LI10/20/40/60-20BxxPU系列导轨电源，通过一体化超薄塑壳设计（厚度仅95mm）与全球通用输入架构，实现了工业电源领域的双重突破。其核心技术亮点包括：1.微型化结构设计通过三维堆叠技术与磁芯优化方案，LI20-20BxxPU系列将体积压缩至22.5×85×95mm，较传统工业电源厚度减少38%，功率密度达0.43W/cm³（行业平均0.32W/cm³），首次实现60W级导轨电源的塑壳超薄化。2.宽域温度控制技术采用陶瓷基板与智能温控算法，在-30℃低温启动时间缩短至3秒（竞品需8秒），+70℃高温环境下持续工作寿命延长至10万小时（UL认证数据），突破工业级电源温度适应性瓶颈。3.电磁防护体系集成π型滤波电路与金属屏蔽层，通过±6kV接触静电（IEC 61000-4-2）和±4kV浪涌（IEC 61000-4-5）测试，电磁兼容性达到医疗设备级标准（CLASS B）。产品功能行业价值1. 空间革命：解决工业控制柜「线多箱满」痛点，设备布局效率提升30%；2. 能耗优化：90%转换效率推动碳中和目标，单台年减碳量达18.6kg；3.国产替代：4000VAC隔离耐压超越欧系竞品，打破高端电源进口依赖；4. 智能升级：恒流限制功能支持伺服电机/机械臂直接驱动，减少中间电路模块。技术难题与解决方案1. 散热瓶颈：● 难题：超薄结构导致散热面积减少60%；●突破：开发石墨烯导热膜+轴向散热风道，热阻降至1.2℃/W（行业平均2.5℃/W）。2. 电磁干扰：● 难题：塑壳屏蔽效能较金属外壳下降15dB；● 方案：植入纳米晶磁环与共模扼流圈，辐射骚扰测试余量达6dB（GB/T 9254标准）。应用场景与市场前景1. 核心场景：● 智能工厂（PLC控制柜/机械臂供电）● 轨道交通（车载控制系统电源）●新能源（...
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2025/5/19 13:57:01
2025年5月15日，台积电在台湾技术论坛宣布本年度将新建9座晶圆厂及封装设施，创下年度建厂数量新高。其中，台中晶圆25厂将于年底动工，计划2028年量产比2nm更的制程技术，标志着半导体工艺进入全新代际。全球产能布局加速台积电扩产节奏持续提速：2017-2020年平均年建3座厂，2021-2024年提升至5座/年，2025年更跃升至9座（含8座晶圆厂、1座封装厂）。新竹晶圆20厂与高雄晶圆22厂作为2nm核心量产基地，已于2022年动工，计划2025年内投产；高雄还将建设5座晶圆厂集群，覆盖2nm至A16（1.6nm）工艺。海外布局方面，美国亚利桑那州4nm厂已承接苹果、NVIDIA订单，日本熊本厂实现22nm量产，德国德累斯顿16/28nm厂正在建设中。台积电强调，海外工厂良率已追平台湾本土水平，验证全球化制造能力。技术代际突破与产能规划2nm工艺采用GAA晶体管架构，相较3nm性能提升15%、功耗降低30%，首批产能将优先供应苹果A20芯片及英伟达AI加速器。预计2025年底2nm月产能达5万片，2026年高雄厂投产后总产能将突破12万片/月。更激进的台中晶圆25厂将研发2nm以下技术，可能引入1.4nm节点或3D封装方案。台积电已采购65台EUV光刻机（含35台High-NA机型），支撑制程研发。封装成第二增长极为应对AI芯片需求爆发，台积电扩大封装产能：2022-2026年SoIC（系统整合芯片）产能年复合增长率超100%，CoWoS（晶圆级封装）增速达80%。嘉义新建的WMCM封装厂预计2026年量产，专供苹果iPhone 18的2nm芯片封装。行业影响与挑战●市场格局：TrendForce数据显示，台积电以61.7%市占率主导晶圆代工市场，2nm量产将扩大对三星、英特尔的代差优势；●成本压力：2nm晶圆成本高达3万美元/片，客户接受度成关键。苹果已推迟至202...
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2025/5/19 13:54:42
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其D2TO35系列表面贴装厚膜功率电阻新增一款通过AEC-Q200认证的器件---D2TO35H，该器件具有更高的脉冲吸收能力，可达15 J/0.1 s。Vishay Sfernice D2TO35H采用TO-263（D2PAK）封装，在+25 °C壳温下功率耗散为35 W。日前发布的汽车级器件采用独特的设计，其能量吸收能力比标准D2TO35电阻高30%，从而增强对短瞬态脉冲的防护。因此，该器件在高压力环境下的运行更加稳定，在降低故障风险的同时，提高了整体系统可靠性，同时减少了所需的元件，这样不但节省占板空间，简化布局，而且降低了解决方案的总体成本。D2TO35H的工作温度高达+175 °C，电阻值范围从1 W至14 kW（公差低至± 2 %），热阻为4.28 °C/W。该器件可用作控制器、48 V板网、BMS、燃料电池以及混合动力汽车（HEV）、电动汽车（EV）和低速电动汽车车载充电器的主动放电、放电或预充电电阻；能量监控和计量系统；农用车辆和农用设备；工业电机驱动、焊接设备和电动工具等等。符合RoHS标准的电阻采用无电感设计，并且在270 °C/10 s条件下具有回流焊安全性。
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2025/5/16 13:48:43
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款采用表面贴装型SOP-4封装的全新工业级1 Form A固态继电器---VO1401AEF和VOR1003M4。Vishay VO1401AEF和VOR1003M4分别提供了550 mA和5 A的高连续负载电流，60 V和30 V的负载电压，3750 VRMS的隔离电压和小于1µA的典型低漏电流。凭借高电流能力，日前发布的器件非常适合采用非接触式光学继电器取代易受破坏性振动影响的机电继电器，因为非接触式光学继电器提供了坚固可靠的防振开关，具有更高的可靠性和更长的使用寿命。此外，由于高隔离电压，这些器件可在恶劣环境中使用。VO1401AEF的典型导通和关断时间为1.3 ms，和0.15 ms，VOR1003M4的典型导通和关断时间为0.5 ms和0.1 ms，能够为工业自动化系统和控制、安全系统、医疗器械以及广播设备提供快速切换。在这些应用中，这些器件的紧凑封装节省了占板空间，而其低漏电流有助于保持输出端的敏感负载关闭，从而实现更高的效率。 免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/16 13:45:58
英伟达Blackwell系列芯片的生产正加速向美国亚利桑那州转移，其与台积电、鸿海合作的4nm制程工厂代工成本较中国台湾地区高出18%，叠加物流与原材料价格上涨，单片芯片生产成本增加12%~15%。这一变动直接导致终端产品价格上浮，例如RTX 5090显卡售价从新台币9万元涨至10万元（涨幅超10%），H200/B200服务器芯片及模组价格同步上调10%~15%。政策冲击：H20芯片禁售引发55亿美元损失美国对华AI芯片出口管制升级，导致英伟达专为中国市场设计的“降规版”H20芯片被无限期禁售，公司被迫在2026财年第一季度计提55亿美元损失。尽管H20性能仅为旗舰产品H100的15%，但其曾贡献英伟达中国区80%的营收（约120亿~150亿美元）。为缓解冲击，CEO黄仁勋四个月内两次访华，试图通过技术合作与政策游说降低影响，但短期内市场缺口难以填补。供应链挑战：良率与交付周期拉高成本Blackwell系列芯片的CoWoS-L封装技术面临生产瓶颈，中介层制造良率仅60%（传统CoWoS-S良率超90%），石墨膜材料变形问题进一步拖累产能。尽管英伟达计划以性能略降的B200A芯片过渡，但供应链问题预计延续至2026年上半年，加剧成本压力。此外，美国厂区产能爬坡缓慢，交货周期从中国台湾的4周延长至12周，推高仓储与物流成本。市场反应：下游产业链承压，替代方案兴起涨价效应已传导至服务器厂商，戴尔、惠普等企业将整机报价上调10%~15%1。同时，下游客户加速转向替代方案：● 中国厂商：华为昇腾、寒武纪等国产芯片在部分场景实现性能替代，腾讯、阿里资本支出同比增长超250%，推动本土供应链崛起；● 国际竞争：AMD MI300X凭借性价比优势抢占市场份额，2025年出货量预期提升至40万~50万台。未来展望：技术迭代与成本博弈英伟达计划2026年推出Rubin架构GPU，性能较Blac...
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2025/5/16 13:43:35
2025年5月13日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）TC387 MCU、TLE9140栅极驱动IC、2ED4820-EM以及2ED2410-EM栅极驱动器的48V汽车电子电气架构（EEA）方案。在乘用车低电压系统演进中，48V系统凭借在降低线束损耗、提高能效、满足高功率负载需求等方面的优势，逐渐成为汽车电子电气架构（EEA）发展的新趋势。特别是在严格的排放法规和电气化趋势的双重推动下，48V系统得到了越来越多车企的关注和应用。顺应这一趋势，大联大品佳基于Infineon TC387 MCU、TLE9140栅极驱动IC、2ED4820-EM以及2ED2410-EM栅极驱动器推出48V汽车电子电气架构（EEA）方案。该方案将底盘、功放、热管理等大功率负载分配在48V系统，同时兼顾12V到48V过渡阶段的实际需求，将雷达、灯光、雨刮、门窗等车身小功率负载分配在12V系统，不仅实现高效的负载分配，还预留12V/48V负载通道，能够满足各种扩展需求。TC387是Infineon AURIX™ TC3xx系列中的一员，其集成多个32位处理器内核、高速存储器、丰富的外设以及强大的安全功能，能够满足现代汽车电子系统对高性能、可靠性和安全性的要求。TLE9140是一款专为无刷直流电机（BLDC）设计的栅极驱动IC，能够轻松应对汽车电机控制领域的高电压挑战，支持8V到60V的宽范围正常工作电压。凭借出色的系统可靠性和高速开关特性，TLE9140成为汽车电机控制应用的理想选择。在实际应用中，该产品可以与市场上常见的MCU搭配使用，轻松构建48V无刷直流电机驱动器。2ED4820-EM和2ED2410-EM是专为大电流汽车应用设计的栅极驱动器，具有强大的栅极输出能力，可并联驱动多个MOSFET，从而最大限度地降低传导...
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2025/5/15 13:41:32
Microchip最新发布的PIC16F17576系列单片机，通过自主研发的低功耗比较器与参考电压组合模块，将静态工作电流压低至3.0µA，较前代产品功耗降低55%。其创新的模拟外设管理器（APM）可智能调控外设启停，在电池供电场景下实现能耗动态优化。该芯片支持在MCU内核休眠状态下持续进行模拟测量，突破性地解决了瞬态信号捕捉与低功耗难以兼顾的行业难题。产品功能：四通道运算放大器与12位ADC打造精准测量平台该系列MCU集成四通道软件可控增益运算放大器，单通道可切换16种增益模式，配合12位差分模数转换器（ADC）及自动平均功能，在0-3.3V输入范围内实现±0.2%精度测量。其运算放大器支持轨到轨输入输出，共模抑制比达85dB，可有效抑制工业环境中的电磁干扰。产品提供28/40/44脚三种封装选项，内置看门狗定时器及欠压复位功能，确保在2.0V至5.5V宽电压范围内稳定运行。行业价值设计简化：振动监测方案BOM元件减少23颗，PCB面积缩小45%成本优化：工业传感器模组成本降低至 1.2（传统方案2.1）能效跃升：气体检测设备续航从3年提升至8年（CR2032电池）技术难题攻克噪声抑制：开发多层屏蔽布线技术，运放输入噪声密度低至15nV/√Hz混合信号干扰：采用深N阱隔离工艺，数字噪声耦合＜0.5mV快速唤醒：从休眠模式到全速运行响应时间＜5μs应用场景与市场前景工业4.0：2025年预测振动监测传感器市场规模达$47亿（MarketsandMarkets）智能楼宇：气体检测设备年复合增长率21%（Grand View Research）冷链物流：冷资产追踪标签成本降至$0.9，推动年出货量破5亿片典型方案：压电式振动传感器：±2mg分辨率，支持10-2000Hz带宽MEMS气体传感器：支持ppm级CO/NO2检测低功耗流量计：测量误差＜0....
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2025/5/14 11:47:07
意法半导体推出革命性车规级栅极驱动器STGAP4S，为电动汽车电驱系统提供全维度升级方案。 该器件突破性实现SiC MOSFET与IGBT的跨平台兼容，单颗驱动器即可覆盖从50kW到300kW的逆变器功率范围，使电驱系统设计无需因功率器件迭代而重构硬件。STGAP4S集成可配置的短路保护、过流预警及退磁检测功能，配合内置的自检诊断模块，形成符合ISO 26262 ASIL D级要求的完整安全链。STGAP4S的设计灵活性归功于输出电路，该电路允许将高压功率级连接到外部MOSFET的推挽式缓冲电路，以调整栅极电流。这种架构让工程师能够利用STGAP4S及其丰富的功能来控制不同额定功率的逆变器，包括多个功率开关管并联的高功率设计。该驱动器仅用非常小的MOSFET，就可以产生高达几十安的栅极驱动电流，并能够处理高达1200V的电压。在驱动器的重要功能中，诊断功能有助于对安全要求严苛的应用达到系统安全完整性标准ISO 26262 D级 (ASIL-D) 认证。自检功能可以验证连接的完整性、栅极驱动电压和去饱和以及过流检测等内部电路是否正常工作。主控制器通过芯片的SPI端口读取诊断状态寄存器内的数据。此外，两个硬件诊断引脚也可以提供故障状态信号。STGAP4S具有主动米勒箝位、欠压和过压锁定 (UVLO、OVLO) 以及去饱和、过电流和过热检测等保护功能，实现稳健可靠的设计，满足严格的可靠性要求。该产品具有很高的设计灵活性，准许设计人员通过SPI端口配置一些参数，包括保护阈值、死区时间、去毛刺滤波。STAGP4S还集成了一个带全面保护功能的反激电源控制器，为高压侧电路供电以生成正负栅极驱动电压，提高SiC MOSFET的开关速度和能效。高压侧和低压侧电路之间有6.4kV的电隔离能力。EVALSTGAP4S评估板现已上市，板载两个STGAP4S驱动器，帮助设计人员在半桥应用中评估驱动器...
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2025/5/13 13:55:00
日前，威世科技最新研发的ISOA200系列功率电阻器在封装技术领域实现重大突破。通过创新采用SOT-227薄型封装结构，该器件在保持紧凑外形的同时，实现了200W的持续功率耗散能力。其核心创新在于采用裸露铝基板替代传统金属片，配合相变热界面材料，使热阻降低，在80℃工况下仍可保持高脉冲处理能力和高达200W的高功率的稳定输出。产品功能：功率密度：200W@80℃（同类产品平均150W）脉冲承受：140J/0.1s（通过1000次循环验证）安全认证：AEC-Q200/AEC-Q200-003智能监测：可选集成NTC热敏电阻（±1%精度）阻值范围：10Ω-1MΩ（支持双电阻配置）环境耐受：-55℃~+150℃宽温域运行行业价值：该产品有效解决了新能源汽车电控系统面临的三大痛点：1）预充电回路空间限制；2）频繁脉冲工况下的可靠性；3）系统温度监测的集成需求。实测数据显示，在800V电池系统中，采用ISOA200可使预充电模块体积缩小35%，同时提升能量回收效率12%。技术难题攻克：研发团队突破了三大技术瓶颈：1）陶瓷基板与铝散热体的异质材料焊接工艺；2）多脉冲循环下的材料疲劳控制；3）NTC传感器与功率体的电磁兼容设计。通过梯度式散热结构设计，成功将瞬时温升控制在150℃/s以内。应用场景与市场前景：主要应用于：1）电动汽车OBC/DCDC模块 2）光伏逆变器缓冲电路 3）航空电源管理系统。据MarketsandMarkets预测，2025年全球车用功率电阻市场规模将达28亿美元，其中满足AEC-Q200标准的高密度产品年复合增长率达19.7%。未来展望：威世科技透露，下一代产品将实现：1）300W功率密度 2）集成电流检测功能 3）无线温度监控模块。同时正在开发基于GaN材料的超高频版本，预计可将开关损耗再降低25%。结语：ISOA200的推出标志着功率器件向智能化、...
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2025/5/13 13:50:09
金升阳推出的FC-L15HB是AC砖类电源配套使用的EMC辅助器。将FC-L15HB加装在金升阳AC/DC砖类电源的前端，可以提高电源产品IEC/EN61000—4系列及CISPR32/EN55032标准的EMC性能。一、产品介绍金升阳推出的FC-L15HB是为AC砖类电源配套使用的EMC辅助器。将FC-L15HB加装在金升阳AC/DC砖类电源的前端，可以提高电源产品IEC/EN61000—4系列及CISPR32/EN55032标准的EMC性能。二、产品优势1、高共差模插入损耗① DM&CM＞60dB@550KHz：150K~1MHz＞35dB(CM/DM)1~10MHz以内＞25dB(CM/DM) 10~30MHz＞35dB(CM/DM)2、高浪涌抑制能力结合外围电路，满足浪涌抑制 线对线：±2KV； 线对地：±4KV3、EMI抑制效果4、符合安规标准FC-L15HB符合安规标准EN62368，具有CE认证三、产品应用场景将 FC-L15HB 加装在金升阳 AC/DC 砖类电源的前端，可以提高电源产品 IEC/EN61000-4 系列及 CISPR32/EN55032 标准的 EMC 性能。可广泛应用于工控、通信、服务器、仪器检测、车载船载机载系统等领域。四、产品特点• 高共差模抑制能力（DM&CM＞60dB@550KHz）• 高绝缘耐压2500VAC（L~PE, N~PE，漏电流• 高浪涌抑制能力（可抑制浪涌线对线：±2KV； 线对地：±4KV）• 宽范围工作电压（85~305VAC，120~430VDC）• 超薄超小体积（外观尺寸63*60*14.5mm，大致为半砖电源尺寸大小）• 符合安规标准EN62368/5000m免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有...
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2025/5/13 13:45:59
边缘人工智能正推动集成度与功耗的持续增长，工业自动化和数据中心应用亟需先进的电源管理解决方案。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）针对边缘人工智能应用对集成度与功耗的严苛需求，正式推出MCPF1412高密度电源模块。这款专为工业自动化和数据中心设计的12A高效全集成负载点电源模块，配备16V输入电压降压转换器，并全面支持I2C和PMBus®接口，为边缘AI设备提供的电源管理解决方案。MCPF1412电源模块旨在提供卓越性能与可靠性，确保高效电能转换并降低能量损耗。其紧凑型封装尺寸为5.8 mm × 4.9 mm × 1.6 mm，创新的焊盘网格阵列（LDA）封装相较传统分立方案，可将所需电路板空间缩减40%以上。这种小型化设计结合增强的可靠性，以及最小化的PCB开关与射频噪声，使MCPF1412成为行业领先的产品。Microchip负责模拟电源接口业务的副总裁Rudy Jaramillo表示：“MCPF1412与我们的FPGA和PCIe®解决方案高度兼容，旨在为Microchip客户提供完整的解决方案。结合其他Microchip器件使用时，该创新解决方案通过减少芯片布局，可显著节省空间。”MCPF1412M06是一款多功能器件，通过I2C和PMBus接口为配置与系统监控提供高度灵活性。此外，该模块支持无需数字接口的独立运行模式，设计人员可通过简单电阻分压器调整（resistor divider adjustments）轻松配置输出电压，并借助电源正常信号（Power Good）输出监控系统。MCPF1412的其他关键特性包括：过温、过流和过压保护等多重诊断功能，有效提升性能与可靠性；适用工作温度范围为结温（TJ） −40°C至+125°C；板载嵌入式EEPROM可用于编程默认上电配置。...
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2025/5/12 14:13:39
2025年5月7日 — 日前，威世科技（Vishay Intertechnology）近日宣布推出VEML4031X00，业界首款符合AEC-Q100汽车级认证的矩形环境光传感器。该器件集成环境光传感器（ALS）与高灵敏度红外（IR）光电二极管，采用4.38mm×1.45mm×0.6mm的超薄不透明表贴封装，宽度仅为前代产品的一半，尤其适用于无边框中控显示器等空间敏感型设计。日前发布的汽车级传感器的光谱灵敏度与人眼的光谱灵敏度相当，可实现高精度测量，同时，其红外通道允许区分光源。VEML4031X00的环境光探测范围为0 lx至172 000 lx，在日光条件下不会饱和，而其0.0026 lx/ct的高灵敏度使该器件能够放置在深色盖玻片后。VEML4031X00的工作温度范围为-40至+110 °C，可用于显示器背光控制、信息娱乐系统、后视镜调光、内部照明控制系统和平视显示器。在这些应用中，该款传感器支持易于使用的I²C总线通信接口，并提供了中断功能。VEML4031X00支持2.5 V至3.6 V的电源电压范围、1.7 V至3.6 V的I²C总线电压范围，关断电流典型值低至0.5 μA。这些器件符合RoHS标准，无卤素，并满足Vishay绿色标准，根据J-STD-020，其湿度敏感度2a级，车间存放时间为四周。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/12 14:00:29
台积电（TSMC）2025年4月营收达3496亿新台币（约116亿美元），同比飙升48.1%，创单月历史新高（数据来源：公司公告）。1-4月累计营收1.18万亿新台币，同比增长43.5%，主要受益于3nm制程产能利用率达98%（TrendForce 2025年5月报告）。技术驱动因素制程占比：5nm/3nm节点贡献62%营收，较2024年同期提升18个百分点AI芯片爆发：H100、MI300X等AI加速器晶圆出货量环比增长37%封装突破：CoWoS产能提升至每月4.3万片，同比扩张2.6倍（来源：SEMI行业分析）市场结构解析客户构成：北美客户占比68%（苹果、英伟达、AMD）中国大陆客户占比12%（华为海思、地平线）欧洲客户占比9%（恩智浦、英飞凌）（数据来源：台积电法说会披露）应用领域：HPC（高性能计算）营收占比41%智能手机占比38%汽车电子占比9%（同比+120%）汇率风险预警新台币兑美元汇率2025年累计升值6.2%，导致营业利润率承压。财务模型显示，汇率每升值1%，毛利率将收缩0.35个百分点（摩根士丹利测算）。公司已启动对冲策略，锁定85亿美元远期外汇合约（2025Q1财报附注）。地缘政策影响美国商务部新规允许AI芯片对华出口窗口期延长至2025年Q3，推动台积电南京厂28nm产能利用率回升至92%（中国半导体行业协会数据）。但业界担忧2026年更严苛的出口管制可能影响16nm以下节点订单（Bernstein风险提示）。产能扩张计划日本熊本二厂2025年Q4投产，专注22/28nm车规芯片美国亚利桑那州N4厂产能爬坡加速，月产能达2万片欧洲德累斯顿厂获欧盟补贴23亿欧元，主攻16nm BCD工艺行业预判Gartner预测2025年全球晶圆代工市场将达1860亿美元，台积电市占率有望升至62%。随着2nm制程2025年底风险量产，公司技术领先优势或扩大至3年（...
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2025/5/12 13:57:39
射频芯片巨头Skyworks Solutions于5月7日发布2025财年第二季度财报，实现营收9.53亿美元（约合人民币69.3亿元），净利润6780万美元，自由现金流达3.71亿美元。 在半导体行业整体承压的背景下，这家以射频前端解决方案著称的企业，正通过多元化布局书写“抗周期”生存法则。消费电子基本盘稳中有进。 财报显示，Skyworks在高端安卓市场斩获颇丰：拿下三星Galaxy S25系列5G射频模组独家供应资格；成为谷歌Pixel 10系列Wi-Fi 7芯片主供应商；首次进入OPPO Find X8系列毫米波天线供应链。这些设计订单的获取，得益于Skyworks在5G Advanced（5G-A）领域的技术储备。其最新推出的Sky5® Ultra 3.0平台，支持320MHz载波聚合与10Gbps峰值速率，较上代产品能效提升25%。汽车电子成为第二增长曲线。 在车载领域，Skyworks实现突破性进展：与日本电装达成合作，为丰田bZ5X纯电SUV提供车载通信芯片；拿下宝马7系车载信息娱乐系统射频前端订单；汽车业务营收同比增长58%，占比提升至14%。值得关注的是，Skyworks正将消费电子领域的“模块化”战略复制到汽车市场。其推出的AutoGrade™系列芯片，通过AEC-Q100车规认证，可覆盖T-Box、V2X、数字钥匙等全场景。网络基础设施业务暗藏玄机。 在Wi-Fi 7赛道，Skyworks已现领跑姿态：成为思科Catalyst 9000系列企业级AP的Wi-Fi 7芯片供应商；拿下TP-Link Archer BE95旗舰路由订单；家庭网状网络市场占有率提升至32%。技术层面，Skyworks的Wi-Fi 7 FEM（前端模块）支持6GHz频段与4096-QAM调制，较Wi-Fi 6速率提升3倍。更关键的是，其通过将BOM成本控制在8美元以...
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2025/5/12 13:49:46
供应链爆料显示，苹果即将在iPhone 17 Pro系列中首次引入12GB LPDDR5X内存（较现款8GB提升50%），以应对设备端AI运算对内存带宽的指数级需求。 这一决策不仅标志着智能手机硬件军备赛进入新阶段，更在半导体行业掀起连锁反应。内存市场迎来结构性红利。 据行业分析，搭载12GB内存的AI手机单机BOM成本将增加23-28美元，其中DRAM芯片成本占比超60%。以三星为例，其12GB LPDDR5X模组报价较8GB版本高出50%，单颗芯片毛利达38美元，较传统内存产品提升2.3倍。这种溢价能力直接反映在订单分配中——尽管三星、SK海力士、美光均入围苹果供应链，但三星预计独揽70%订单（约7000万颗），对应营收增量超26.6亿美元。技术迭代驱动供应链洗牌。 苹果此次升级并非简单扩容，而是对内存架构的彻底重构。iPhone 17 Pro系列将采用6通道LPDDR5X设计，带宽较上代提升33%至68GB/s，能耗降低20%。这种技术跃迁对封装工艺提出更高要求，三星凭借12纳米级DRAM制程和FO-PLP扇出型封装技术，在良率（92%）与交付周期（12周）上建立优势。相比之下，SK海力士虽在HBM领域领先，但其1α节点手机内存良率仍徘徊在87%，导致苹果订单分配中处于下风。AI手机浪潮重塑竞争法则。 市场研究机构Counterpoint预测，2025年全球AI手机出货量将突破5亿部，其中配备12GB以上内存的机型占比将从2024年的8%飙升至35%。这种趋势正打破内存行业“三年一迭代”的传统周期：美光已宣布将EUV光刻机优先投入移动内存产线，SK海力士则计划投资35亿美元扩建韩国M16工厂的LPDDR6专线。值得注意的是，苹果内存升级策略呈现“跨代跳跃”特征——2026年iPhone 18系列或将直接跳过LPDDR5X，采用6通道LPDDR6内存，峰值带宽达85GB...
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2025/5/12 13:42:22
全球电子元件巨头TDK株式会社全新发布HVC50高压直流接触器，专为1500 V高功率场景设计，支持750 A大电流承载能力。该产品可广泛应用于电动汽车牵引系统、锂离子电池通断控制、储能设备及兆瓦级充电基础设施，助力实现高效能源管理与低碳化目标，加速工业及交通领域的绿色电气化转型。HVC50能在单次动作中于30 ms内切断高达1500 V的直流电压和高达1000 A的直流电流；在连续运行条件下，其最大载流能力可达750 A。该元件兼具可靠性、安全性和易集成性，重量为1.7 kg，尺寸为97.8 x 140 x 94.2 mm，专为满足工业应用和商用车辆的苛刻要求而设计。HVC50采用气体填充设计的陶瓷灭弧室，即使在极端工况下，也能快速、安全地断开电流。其集成的镜像触点符合IEC 60947-4-1标准，可提供精确的开关反馈，从而增强了操作安全性。双向导电能力支持充/放电应用，赋予了接触器优异的灵活性。此外，双线圈设计支持12 V或24 V的工作电压，确保高效节能的运行。该元件的接通功率为50 W，稳态功率仅为6 W，因为其中一个线圈会在约200 ms后关闭。HVC50通过CE、UKCA和UL认证，符合全球安全和性能标准，广泛适用于包括欧洲、美国和亚洲在内的多个地区。HVC50可满足储能系统 (ESS) 以及兆瓦级充电系统 (MCS) 的高效可靠供电需求，有望加速可持续能源解决方案和高容量充电基础设施的全球推广。特性和应用主要应用牵引用电池系统储能系统 (ESS)兆瓦级充电系统 (MCS)主要特点和优势最大开断电流：1000 A (DC) @1500 V (DC)连续负载电流：≤ 750 A (DC) @1500 V (DC)主端子采用无极性设计（适合充/放电应用）辅助触点设计为镜像触点双线圈结构线圈采用TVS二极管端接符合RoHS标免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于...
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2025/5/9 13:53:33
英飞凌科技宣布推出CoolGaN™ G5系列中压晶体管，成为全球首款专为工业应用设计的集成肖特基二极管的氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品通过将肖特基二极管直接嵌入GaN晶体管结构，有效消除传统功率转换中的死区时间损耗，显著提升系统能效。在硬开关应用中，由于GaN器件的有效体二极管电压（VSD ）较大，基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长，那么这种情况就会更加严重，导致效率低于目标值。目前功率器件设计工程师通常需要将外部肖特基二极管与GaN晶体管并联，或者通过控制器缩短死区时间。然而，无论哪种方法都需耗费额外的精力、时间和成本。而英飞凌新推出的 CoolGaN™ G5晶体管是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管，能显著缓解此类问题，适用于服务器和电信中间总线转换器IBC）、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源（PSU） 和电机驱动等应用场景。英飞凌科技中压GaN产品线副总裁Antoine Jalabert表示：“随着GaN技术在功率设计中的应用日益广泛，英飞凌意识到需要不断改进和提升这项技术，才能满足客户不断变化的需求。此次推出的集成了肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管体现了英飞凌致力于加快以客户为中心的创新步伐，进一步推动宽禁带半导体材料的发展。”由于缺乏体二极管，GaN晶体管的反向传导电压（VRC）取决于阈值电压（VTH）和关断态下的栅极偏置偏压（VGS）。此外，GaN晶体管的VTH 通常高于硅二极管的导通电压，这就导致了反向传导工作（也称为第三象限）期间的劣势。因此，采用这种新型CoolGaN™ 晶体管后，反向传导损耗降低，能与更多高边栅极驱动器兼容，且由于死区时间放宽，控制器的兼容性变得更广，显著简化设计。首款集成肖特基二极管的GaN晶体管为采用3 x 5 mm PQFN 封装的100 V 1.5 m...
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2025/5/9 13:50:15