据行业最新消息，三星电子成功拿下高通第二代骁龙8至尊版（Snapdragon 8 Elite Gen 2）移动处理器的部分代工订单，计划采用其2nm制程技术进行生产，预计该处理器将于2025年下半年正式推出（数据来源：韩国《电子时报》）。这一合作标志着三星首次将2nm制程应用于高通旗舰级芯片生产，但业界分析指出，其订单规模仍远小于台积电。技术路线差异凸显工艺代差三星此次跳过3nm制程、直接以2nm切入，被视为对其3nm工艺竞争力不足的“曲线补救”。据市场研究机构TechInsights数据，台积电3nm制程良率已突破80%，而三星3nm良率仍徘徊在60%-70%之间。尽管如此，三星2nm制程通过GAA晶体管架构优化，在能效比上有望缩小与台积电的差距（数据来源：三星半导体官方技术白皮书）。订单分配折射供应链博弈尽管三星入局，但高通仍将大部分订单交给台积电，后者将采用升级版N3P制程生产主供版本。这种“双源代工”模式既保障了产能弹性，也符合高通近年来推动供应链多元化的战略。Counterpoint Research预测，2026年台积电在高端芯片代工市场的份额仍将维持在75%以上。产品节奏暗藏市场变数值得关注的是，三星2nm版骁龙8 Elite Gen 2或将由2026年下半年发布的Galaxy Z Fold 8首发搭载，这与三星传统上将专属优化版芯片优先用于Galaxy S系列旗舰机的策略形成鲜明对比。行业推测，三星可能调整产品路线图，或为折叠屏机型赋予更高技术优先级（数据来源：The Elec产业报道）。技术对决引发行业期待随着两款制程版本芯片同期面世，其性能与能效表现将成为焦点。半导体分析机构SemiAnalysis指出，2nm制程在相同功耗下可实现10%-15%的性能提升，但实际表现仍需观察量产良率与散热设计。对于消费者而言，2026年高端手机市场或将迎来“同芯不同命”...
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2025/5/9 13:48:15
在2025年台积电北美技术研讨会上，半导体制造巨头台积电宣布其1.4nm制程（A14）将延续现有技术路线，无需采用ASML最新High NA（高数值孔径）EUV光刻机。这一决策与此前公布的A16工艺（2nm增强版）形成技术路线延续，标志着台积电在制程领域构建起差异化竞争壁垒。成本博弈：单次曝光VS多次曝光的经济账据台积电业务发展高级副总裁Kevin Zhang透露，A14工艺预计2028年实现量产，其技术路线图显示，通过优化Low NA EUV光刻机的多重曝光工艺，可在不增加工艺复杂性的前提下，实现与High NA EUV相近的线宽控制能力。ASML官方数据显示，单台High NA EUV设备售价达3.8亿美元，较现有Low NA EUV设备高出111%。台积电测算表明，采用多重曝光方案可使单片晶圆成本降低约23%，设备折旧周期延长40%。技术路线分歧：英特尔激进与台积电稳健的博弈与台积电形成鲜明对比的是，英特尔正加速推进High NA EUV技术应用。作为全球首家接收ASML TWINSCAN EXE:5000系列设备的厂商，英特尔计划2025年在Intel 18A制程中导入该技术。然而，设备高昂的采购成本与维护支出，使得单个晶圆厂建设成本激增35亿美元。随着英特尔新任CEO陈立武近期与台积电高层展开会谈，业界猜测双方或将在封装领域探索合作可能，这为半导体行业技术路线之争增添新变量。工艺创新：背面供电技术成新赛道值得注意的是，台积电A14工艺虽未采用High NA EUV，但通过创新架构设计维持性能领先。其标准版A14工艺采用第二代纳米片晶体管技术，而计划2029年推出的A14P版本将首次引入背面供电网络（BSPDN），实现15%性能提升。更值得关注的是，台积电预留了技术升级窗口——A14X高性能版本或将根据High NA EUV设备成本变化，在2030年后评估导入可行性...
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2025/5/9 13:46:01
全球晶圆代工龙头台积电近日官宣启动亚利桑那州第三座制程工厂建设，标志着其北美战略进入新阶段。根据规划，该项目将形成包含6座晶圆厂和2座封装厂的产业集群，预计总投资额将突破1600亿美元，创下美国制造业史上最大外资单体投资纪录。此次扩产正值全球半导体产业格局调整关键期。据行业数据显示，台积电当前承担着全球55%以上的制程芯片代工需求，其美国基地将重点承接5nm及以下尖端工艺产能。值得注意的是，在美国《芯片法案》补贴实施细则尚未明确背景下，该企业仍持续加码在美投入，凸显其应对供应链区域化变革的战略考量。产业观察人士指出，台积电的扩产计划或将重塑北美半导体生态。目前其凤凰城园区已吸引超20家上下游配套企业入驻，预计到2026年可创造超1.5万个技术岗位。随着三期工厂建设启动，美国本土芯片自给率有望从当前12%提升至2028年的28%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/7 13:44:25
国际半导体产业协会（SEMI）最新数据显示，2024年全球半导体材料市场营收规模攀升至675亿美元，较上一年度增长3.8%。这一增长主要得益于全球半导体市场的整体复苏，以及高性能计算（HPC）和高带宽内存（HBM）等制程对高端材料需求的持续攀升。从细分领域来看，晶圆制造材料与封装材料均呈现出不同程度的增长。其中，晶圆制造材料营收达到429亿美元，同比增长3.3%；封装材料营收则为246亿美元，同比增长4.7%。这一增长趋势反映出半导体产业链上下游的协同发展，以及市场对封装技术的日益重视。值得注意的是，随着制程技术的不断推进，如DRAM、3D NAND Flash及逻辑IC等复杂制程的广泛应用，化学机械平坦化（CMP）材料和光阻剂等关键材料的需求实现了两位数的强劲增长。这些材料在半导体制造过程中发挥着至关重要的作用，其需求的增长直接反映了制程技术的快速发展和市场对高性能芯片的迫切需求。然而，并非所有半导体材料都呈现出增长态势。受产业链持续去库存的影响，尤其是成熟制程领域，硅晶圆的需求依然疲软。2024年，硅晶圆营收同比下降7.1%，成为半导体材料市场中为数不多的下滑品类。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/6 13:50:57
在半导体存储领域，三星电子与SK海力士的竞争从未停歇。近日，三星宣布了一项雄心勃勃的计划，旨在通过量产垂直通道晶体管（VCT）DRAM，重新夺回在DRAM市场的地位。然而，三星方面回应称，具体的DRAM产品蓝图尚未确定，这为市场增添了几分悬念。据三星内部人士透露，公司原计划在2026年第四季度量产基于4F2VCT创新结构的0a纳米级内存，但这一计划已被推迟至2028年。若VCT DRAM最终实现商业化，相关的新技术和设备投入将至少延续到2029年。这一变动无疑给市场带来了新的期待与猜测，也反映了三星在技术研发上的谨慎态度。VCT DRAM技术通过垂直排列晶体管，实现了更高的存储密度和容量，被视为存储技术的“游戏规则改变者”。然而，该技术的开发难度极大，不仅需要突破传统DRAM制程的限制，还需采用过去未曾使用过的先进封装技术。三星电子在决定下一代DRAM工艺方向时，曾在1e nm和VCT DRAM两种方案之间犹豫不决，最终选择了后者这一被认为具有“颠覆性”潜力的技术路径。这一选择，无疑彰显了三星在技术创新上的决心和勇气。与此同时，三星电子在DRAM市场的竞争对手SK海力士也在积极规划其未来技术路径。据透露，SK海力士的大致规划是从1d nm技术过渡到0a nm技术，并最终实现其所谓的VG DRAM（即3D DRAM）的商业化。这一规划显示出SK海力士在DRAM技术领域的持续创新和进取，也预示着未来DRAM市场的竞争将更加激烈。当前，三星电子正面临来自SK海力士在HBM市场的巨大压力。SK海力士已成功实现HBM3E产品的快速市场供应，并借此取得了亮眼的业绩。与之形成鲜明对比的是，三星电子的HBM3E产品却迟迟未能在市场上实现销售。此外，三星电子在DRAM市场的份额也已被SK海力士超越，这对其市场地位构成了严重威胁。为了重拾市场领导者地位，三星电子正加速将产能向HBM与DDR5产...
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2025/4/30 13:25:56
一、产品介绍FC-L40Y型号产品属于40A系列电源产品配套使用的接线式EMC辅助器，适配于工作电流小于40A的机壳电源产品（例如金升阳LMF3000-20Bxx系列的大电流机壳电源）。将FC-L40Y加装在电源的前端，可以提高电源产品IEC/EN61000—4系列及CISPR32/EN55032标准的EMC性能。二、产品优势1、高共差模插入损耗①共模、差模插入损耗带宽较宽，CM抑制能力最高可达80dB@1MHz，DM则可达到75dB@13MHz。 2、高浪涌抑制能力该滤波器配套电源可有效抑制浪涌，以我司产品为例，配套我司LMF3000-20Bxx系列机壳电源的实测浪涌抑制能力见下图：差模浪涌从配套前的4.4kV降至1kV，共模浪涌从配套前的6.6kV降至0.7kV。3、EMI抑制效果该滤波器配套40A以内大电流机壳电源使用，能有效提升EMI抑制效果。以我司的40A以内大电流机壳电源产品（LMF3000-20Bxx系列）为例，实测得出EMI抑制效果如下：①LMF3000-20B12配套FC-L40Y测试能满足Class B，余量有13dB以上。 ②LMF3000-20B24配套FC-L40Y测试能满足Class B，余量有8dB以上。 ③LMF3000-20B48配套FC-L40Y测试能满足Class B，余量有8dB以上。4、符合安规标准FC-L40Y符合安规标准EN62368，具有CE、UKCA认证。三、产品应用1、应用场景FC-L40Y配套金升阳AC/DC大机壳LMF3000-20Bxx系列电源，广泛应用于工控、LED、路灯控制、安防、通讯、智能家居等。四、产品特点• 高共差模抑制能力（插入损耗 CM＞80dB@1MHz； DM＞75dB@13MHz）• 高浪涌抑制能力（可抑制浪涌线对线：±4KV； 线对地：±6KV）...
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2025/4/29 10:40:04
2025年第一季度，中国智能手机市场迎来关键转折点。根据Canalys最新数据，当季国内手机出货量达7090万部，同比增长5%，结束连续三年的震荡调整期。更值得关注的是，小米以1330万部出货量、19%市场份额的成绩，自2015年后首次夺回冠军宝座，而苹果则以8%的同比跌幅滑落至第五位，创下入华以来最差季度表现。头部阵营剧烈洗牌在政策激励与技术创新双重驱动下，小米凭借40%的同比增速强势登顶。其"人车家全生态"战略成效显现，手机与智能汽车、家居设备的互联订单占比已达总销量的35%。紧随其后的华为保持稳健增长，出货1300万部，折叠屏机型贡献超四成营收。OPPO、vivo分别以1060万部和1040万部守住第三、第四席位，两者在AI影像赛道的投入使其在3000-4000元价位段市占率提升至58%。技术路线分化加剧本季度最显著的特征是AI技术对市场格局的重构。搭载本地化大模型的机型出货量突破2800万部，渗透率达39.5%，较去年同期提升17个百分点。小米MIX Fold 4凭借DeepSeek MoE架构实现端侧AI运算速度提升3倍，带动品牌高端机型销量同比增长210%。反观苹果，由于iOS生态与国产AI框架适配滞后，其15系列机型在AI应用启动速度测试中落后安卓旗舰机40%，导致在华单季度流失120万核心用户。渠道变革催生新机遇随着"AI换机潮"兴起，线上线下融合模式出现突破性进展。数据显示，支持AI功能演示的体验店客流量较传统门店高出75%，转化率提升至38%。vivo通过铺设5000家"智慧生活馆"，使其X100系列首销周期缩短至7天。值得注意的是，三线以下城市成为增长新引擎，下沉市场AI手机出货量同比激增92%，其中荣耀Play系列凭借1999元定价策略，占据该细分领域45%份额。产业链备战技术奇点Canal...
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2025/4/29 10:38:28
针对行业客户对于性能、体积和成本等多项实际应用的性能需求，金升阳特推出了经济型金属导轨电源产品LI(F)75-240W-R2S系列，目前75W、120W、150W、240W均已上市。 该系列具有90-264VAC全球通用输入电压范围，产品尺寸小，满足对空间要求苛刻的场景，结构紧凑且功耗低，同时还拥有出色的EMC特性，为客户系统提供稳定可靠的能量支持。一、产品优势1）宽输入输出电压① 全球通用输入电压范围：90 - 264VAC/127 - 370VDC (240W:85-264VAC/120-370VDC)，可交直流两用。2) 经济型定位① 采用自动化制造工艺，品质卓越的同时更具价格竞争力，售价较市场主流产品价格降低10%~15%左右。3）超薄设计，方便安装布局① 体积小，使得客户掌握极大的提高空间利用率（如LIF240-10BxxR2S系列尺寸仅有54*124*110mm，与市场同等功率产品相比，厚度减少30%以上）。4）安全可靠① 产品满足多环境应用性能，可靠性高，可保证产品3年质保。② 保护齐全，输出短路、过流、过压、过温保护，恒流保护功能。③ EMC性能良好，EMI CLASS B(120/150W:CLASS A)、浪涌共模±4kV、静电接触±6kV/空气±8kV等。④ 隔离耐压4000VAC(240W:3000VAC)，为高耐压需求用户提供保障。二、 产品应用 广泛应用于工控、LED、路灯控制、电力、安防、通讯等对空间要求比较苛刻的场景，为其提供高稳定度、高抗干扰、高电气性能的电源。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/4/28 13:23:37
作为航空航天与防务领域的技术领导者，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出防务级BR235/BR235D系列25A气密封装功率继电器。该产品通过MIL-PRF-83536军用标准及ISO-9001双重认证，专为商用航空、防务及航天应用中的关键电力控制系统设计，提供稳定的供应链保障与全球技术支持网络，确保极端环境下十年以上的可靠运行。此系列继电器采用3PDT（三刀双掷）结构，额定电流达25安培，提供多样化配置选项：包含抑制与非抑制线圈版本，支持6-48VDC及115VAC线圈电压；配备不同方向的安装片或无安装片结构，直插式或J型钩端子引脚，以及镀锡或镀金触点处理工艺。BR235 和 BR235D系列树立了高可靠性继电器的标准，在极端环境下具备卓越的性能。经测试验证，可耐受30G振动与200G机械冲击，并在-70°C至125°C温度环境下稳定运行。Microchip负责分立器件产品事业部的企业副总裁Leon Gross表示：“Microchip深知航空航天和防务领域对稳定且供货有保障的高可靠性继电器的迫切需求。我们的BR235和 BR235D继电器专为满足关键任务应用的最高可靠性和性能标准而设计。尽管其他供应商可能会转移重心或缩减支持， Microchip 始终致力于持续提供可靠的解决方案，助力客户应对各类独特挑战。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/4/28 13:17:12
当全球电子产业链的“去风险化”浪潮撞上现实成本壁垒，苹果的“印度制造”野心正面临一场关键压力测试。据供应链人士透露，苹果计划在2025年底前将印度iPhone产能提升10%，目标年产突破5000万部，并试图将销往美国市场的主力机型生产重心从中国转向印度。这一激进扩张背后，既是应对美国关税宽限期倒计时的应激反应，更是全球供应链博弈下的长期战略押注。产能冲刺与隐形瓶颈：印度工厂逼近负荷极限目前印度每年承接3000万至4000万部iPhone组装订单，占苹果全球产能约20%。为实现年底增产目标，苹果正通过设备采购支持、技术转移等方式协助鸿海、塔塔集团等合作伙伴扩产。然而，知情人士指出，印度现有工厂设备利用率已接近95%，短期内再扩产数百万部需克服工人培训周期延长、本地化零部件供应不足等难题。若目标达成，印度将贡献苹果全球iPhone产量的25%，但中国仍以80%的份额掌握绝对话语权。关税窗口期博弈：MacBook、iPad加速“越南制造”为规避美国潜在关税风险，苹果同步启动“双线作战”——除印度iPhone扩产外，要求供应商将美国市场销售的MacBook、iPad产能向越南转移，印刷电路板（PCB）等关键部件生产则向泰国分流。数据显示，2024年越南电子制造产能利用率同比提升22%，但消费电子精密结构件仍高度依赖中国供应链。一名零部件供应商坦言：“金属外壳、连接器在中国生产可节省30%成本，转移订单等于自损利润率。”成本与地缘的平衡术：供应链重构卡在“最后一公里”苹果的供应链迁徙计划遭遇经济学铁律的阻击。尽管要求供应商将更多零部件从中国运往东南亚，但机械部件、金属加工等环节因印度、越南本土产业链成熟度不足，短期内难以实现规模化替代。以iPhone 16为例，其采用的新型钛合金中框需在中国完成精密加工后运至印度组装，跨境物流成本较全链条中国生产增加18%。这种“半迁徙”模式虽降低关...
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2025/4/28 13:14:56
在全球半导体产业竞逐埃米级制程的硝烟中，台积电再次抛出技术震撼弹。在6月12日举行的2025北美技术研讨会上，这家芯片代工巨头首次披露A14制程量产时间表——计划于2028年投入生产，这标志着其技术路线图已突破传统纳米尺度命名体系，剑指1nm以下物理极限。制程迭代上演“三线作战”根据最新技术蓝图，台积电正在构建覆盖多个技术代际的立体化制程布局：N3P制程：作为3nm家族的第三代成员，已于2024年Q4如期量产，主要服务于需要性能增强但保留3nm IP设计的数据中心与HPC客户。N3X制程：预计2026年登场，承诺在相同功耗下性能较N3P再提升5%，或在同频下功耗降低7%，专攻高性能计算领域极限需求。A16/A14制程：采用全新架构的A16制程锁定2026年底试产，而更具颠覆性的A14制程将在2028年落地，其晶体管密度与能效比将超越当前规划的2nm技术。值得关注的是，台积电首次将“埃米级制程”纳入官方路线图。尽管未透露具体技术细节，但业界推测A14可能采用CFET（互补式场效应晶体管）或2D材料等突破性技术，以应对1nm以下量子隧穿效应带来的物理挑战。3nm家族榨出最后性能红利在制程成本飙升的背景下，台积电正通过技术微创新深挖3nm潜力。N3P制程通过优化器件结构与引入新型高迁移率材料，使逻辑密度较初代N3E提升4%，同时维持设计兼容性。而即将推出的N3X通过后端金属堆叠优化，可将信号传输延迟降低15%，这对追求超高时钟频率的AI加速器芯片至关重要。“我们的3nm技术生命周期将超越行业预期。”台积电研发副总裁柯安迪在研讨会现场表示，“从N3E到N3P再到N3X，每个节点都带来可观的PPA（性能、功耗、面积）提升，这为客户提供了灵活的成本效益选择。”万亿美元野望背后的AI赌局面对半导体市场周期性波动，台积电展现出罕见激进姿态——2025年资本支出维持400亿美元高位，其中80...
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2025/4/27 13:17:34
Bourns最新推出CW2012A系列AEC-Q200车规级片状电感，采用2012封装（2.0×1.2mm），在10MHz频率下Q值突破85，自谐振频率达3.5GHz，DCR低至0.05Ω。该电感通过优化铁氧体材料配方与绕线工艺，使ADAS系统EMI滤波效率提升70%，同时支持-55℃~150℃宽温工作，为车载雷达、5G V2X通信模块及射频功放提供毫米级解决方案。这些新型片状电感采用陶瓷核心的绕线结构，具有有助于减少功率损耗、提升电路效率和功能性的特点。其高Q值可达80，电感范围从2至1000纳亨利（nH），DCR范围从30至2600毫欧，最大额定电流可达800毫安，工作温度范围为-55°C至+125°C。Bourns® CW2012A系列片状电感器现已上市，全系列均符合 RoHS* 标准。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/4/25 13:17:13
Vishay最新推出的27款标准型与TMBS®整流器，以行业最小的DFN33A封装（3.3mm x 3.3mm）实现突破性性能：标准整流器支持600V高压与6A电流，TMBS®系列更在60V-200V区间达成9A超高载流能力。独创的侧边焊盘设计提升焊接良率30%，全系通过AEC-Q101车规认证，为车载电源模块、工业变频器及5G基站设备提供高可靠性解决方案。DFN33A是Vishay Power DFN系列的最新封装尺寸，具有3.3 mm x 3.3 mm的紧凑尺寸，典型厚度低至0.88 mm，因此，日前发布的Vishay General Semiconductor整流器能够更有效地利用PCB空间。与传统SMB（DO-214AA）和eSMP®系列SMPA（DO-220AA）相比，封装尺寸分别减小44 %和20 %。此外，器件厚度比SMB（DO-214AA）和SMC薄2.6倍，比SMPA（DO-220AA）薄7 %。同时，整流器优化的铜质设计和芯片贴装技术保证了卓越的散热性能，可在更高的额定电流下工作。这些器件适用于低压、高频逆变器、DC/DC转换器、续流二极管、基带天线热插拔电路中的极性保护和轨到轨保护，以及交换机、路由器和光网设备的以太网供电（PoE）。对于这些应用，整流器可在高达+175 °C的高温下工作，同时，器件超低的正向压降和低漏电流提高了设计效率。DFN33A封装具有易于吸附焊锡的侧边焊盘，可进行自动光学检测（AOI），而无需进行X射线检测。 这些整流器非常适合自动贴装，根据J-STD-020标准，其湿度灵敏度（MSL）为1级，最高回流峰值温度达260 °C。这些器件符合RoHS规范，无卤素，其哑光镀锡引脚符合JESD 201 第二类晶须测试要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，...
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2025/4/25 13:14:03
用于汽车应用的100V新产品，在3225封装尺寸下具有10μF电容（实现大电容）有助于减少元件数量，实现成套设备小型化符合AEC-Q200标准产品的实际外观与图片不同。TDK标志没有印在实际产品上。TDK株式会社发布CGA系列汽车级积层陶瓷电容器（MLCC）新品，以3.2x2.5x2.5mm（3225）超小封装实现100V耐压与10µF容值组合，刷新同尺寸、同电压规格的全球最高电容纪录。该器件采用X7R二类电介质，可在-55℃至125℃温度范围内稳定工作，满足汽车电子严苛环境需求，计划于2025年4月量产，为电动汽车电驱系统、车载充电模块等高密度电路设计提供关键支撑。近年来，随着电子控制单元（ECU）功能日益复杂，功耗不断增加，大电流系统逐渐成为主流。与此同时，也要求车辆轻量化（线束更轻），并且48V电池系统的使用也越来越普遍。因此，对于大容量100V产品的需求不断增加，例如电源线中使用的平滑电容器和去耦电容器。通过优化材料和产品设计，CGA系列100V产品在相同封装尺寸下实现了两倍于传统产品的容量。这种新产品可以使MLCC的使用数量和安装面积减少一半，有助于减少元件数量并实现设备的小型化。今后，TDK将进一步扩大产品阵容，以满足客户需求。* 截至2025年4月, 根据 TDK术语平滑：大容量电容器的充放电可抑制整流电流中脉冲流的电压波动，使其更加平滑去耦：在集成电路电源线和接地线之间插入电容器，当负荷发生急剧变化时，通过临时提供电流来抑制电源线的电压波动AEC-Q200：汽车电子委员会的汽车无源元件标准主要应用各种汽车用48V产品的电源线路的平滑和去耦主要特点与优势由于产品在3225封装尺寸下可提供10μF高电容，因此可以减少元件数量并实现设备小型化符合AEC-Q200标准的高可靠性免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所...
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2025/4/24 13:19:30
Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出革命性电源管理IC MCP16701，专攻AI加速卡与边缘服务器供电痛点。该PMIC集成8路1.5A可并联降压转换器（效率＞95%）、4路300mA LDO及智能MOSFET驱动控制器，可在-40℃~125℃工业温域实现±1%电压精度，为Xilinx Versal等FPGA提供全链路电源解决方案。这款高集成度器件可使电路板面积减少48%，元件数量较分立方案降低60%以上。MCP16701采用8 × 8 mm小尺寸VQFN封装，为空间受限应用提供紧凑灵活的电源管理解决方案。MCP16701通过可配置的功能集可满足各种电源需求，并支持 Microchip 的 PIC64-GX MPU 和 PolarFire® FPGA。Microchip 负责模拟电源和接口业务部的副总裁Rudy Jaramillo表示：“随着 MCP16701 的推出，Microchip 通过提供前所未有的集成度和灵活性，为 电源管理IC 技术树立了新标准。这款电源管理IC专为高性能应用而设计，旨在帮助客户简化设计流程。”MCP16701 具有 I2C 通信接口，可简化电源管理IC 与其他系统元件之间的通信并提高通信效率。该器件工作温度范围为TJ -40°C至+105°C，可在各类复杂环境条件下实现可靠的性能。MCP16701的主要特点是支持所有转换器以12.5 mV/25 mV步进动态调节输出电压。这种最大限度的灵活性使设计人员能够精准调整功率输出，以满足特定应用要求，帮助提高整体系统效率和性能。MCP16701 加入了 Microchip 电源管理IC产品系列，这个系统中已包括 MCP16502、MCP16501 等产品，用于为高性能 MPU 应用（包括工业计算、数据中心、物...
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2025/4/24 13:17:18
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布推出基于Arm® Cortex®-M23处理器打造的RA0E2微控制器（MCU）。这一系列新品具备显著的成本竞争力，提供极低功耗的同时，拥有更宽的温度范围，并配备多种外设功能及可靠的安全特性。瑞萨于2024年推出RA0 MCU系列，凭借其在高性价比和低功耗特性，该系列产品迅速赢得广大客户的青睐。其中，RA0E1已在消费电子、家电及白色家电、电动工具、工业监控等诸多领域得到广泛应用。RA0E2 MCU与RA0E1产品兼容，在保持相同外设和超低功耗的基础上，扩展引脚。这种兼容性允许客户复用现有的软件资源。新产品带来业界低功耗：其工作模式下的功耗仅为2.8mA，而在休眠模式下更是低至0.89mA。此外，其集成的高速片上振荡器（HOCO）为该系列MCU实现极快的唤醒时间，使RA0 MCU能够更长时间保持软件待机模式，功耗进一步降低至仅0.25µA。瑞萨的RA0E1和RA0E2超低功耗MCU为电池供电的消费电子设备、小型家电、工业系统控制与楼宇自动化应用打造了理想解决方案。针对低成本优化的功能集RA0E2的功能集经过精心优化，专为成本敏感型应用打造。其支持1.6V至5.5V的宽工作电压范围，这意味着客户在5V系统中无需额外配备电平转换器/稳压器。RA0 MCU集成定时器、串行通信、模拟功能、功能安全功能以及数据安全机制，可有效降低客户BOM成本。另外，产品还提供多种封装选项，包括5mm x 5mm 32引脚QFN微型封装。此外，新款MCU搭载的高精度（±1.0%）HOCO可显著提升波特率精度，使设计人员无需再额外使用独立振荡器。与其它HOCO不同，该HOCO能在-40°C至125°C的环境中保持这一精度；如此宽的温度范围使得客户即便在回流工艺后，也能避免昂贵且耗时的“微调”操作。Daryl...
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2025/4/23 9:47:58
随着新能源电动汽车行业的蓬勃发展，其动力系统的关键组件：IGBT及SiC MOSFET驱动件需求量十分可观；为更好地迎合上述市场的需求，金升阳推出了高性能的第三代插件式单路驱动电源QA_(T)-R3S系列（“T”为贴片式封装）。该产品适用于充电桩、新能源光伏、智能电网、工业控制、轨道交通和变频白电等行业。产品优势1) QA-R3S系列驱动电源产品① 5000VAC高可靠隔离电压,满足加强绝缘输入-输出隔离电压高达5000VAC，优于市场上常规产品，且满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。② 满足1700V长期绝缘要求（适用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压（局部放电）达到1700V，应用范围覆盖1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。③ 高可靠性，耐受1000+次温度冲击④ 多项性能指标提升该系列驱动电源相较于友商类似产品，在整体性能上可做到与行业水平持平或更优。2) QA_T-R3S系列驱动电源产品① 5000VAC高可靠隔离电压,满足加强绝缘输入-输出隔离电压高达5000VAC，优于市场上常规产品，且满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。② 满足2000V/2500V长期绝缘要求，6W产品原副边间距14mm该系列2.4W产品基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压（局部放电）达到2.5kV，应用范围覆盖2.5kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；而6W产品长期绝缘电压达到2kV，应用范围覆盖2kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。③ 贴片式封装方式该系列均采用SMD封装方式，相比插件式封装，可有效节省空间、更灵活地在电路板上布局，并可提高产品生产的自动化程度和产品的防潮性能。④ 高可靠性，耐受1000+次温度冲击⑤ 多项性能指标提升典...
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2025/4/21 13:38:54
TDK 株式会社 通过推出全新 HVC 5481G，进一步拓展其 Micronas HVC 5x 嵌入式电机控制器系列在汽车应用领域的功能。HVC 5481G 是一款可编程Soc栅极驱动芯片，用于控制带有 6 个 N 通道 FET 的外部功率桥，从而驱动各类执行器、风扇和泵。*HVC 5481G 样品现已上市，预计 2026 年开始批量生产。HVC 5481G SoC 与现有的 HVC 5x 系列软件兼容，并集成一个配备 64 KB 闪存和 8 KB SRAM 的 ARM® Cortex®-M3 CPU。它能够直接从 12 V 汽车供电轨取电，并集成了 LIN 收发器以实现通信功能。IC 支持多种电机控制算法，涵盖利用 BEMF 检测的无传感器 6 步换相以及单分流 FOC 算法。该设备配备 7 个通用 IO 引脚、内部定时器和捕获比较寄存器，可与 Micronas 霍尔效应或 TDK TMR 传感器实现无缝对接。HVC 5481G 采用紧凑的 5×5 mm PQFN32 封装，并依据 AEC-Q100 标准的一级标准认证，为中功率 BLDC 应用提供了可靠且高效的解决方案。凭借其坚固耐用的设计和功能特性，HVC 5481G 成为汽车和工业应用领域的理想之选，可确保系统的高性能与高适应性。术语表ADC：模数转换器BLDC：无刷直流电机FOC：矢量控制CPU：中央处理器AEC-Q100：汽车应用场景合格标准一级：环境温度 125℃，工作结点温度 150℃HVC：高压微控制器LIN：面向汽车应用场景的本地互连网络QFN：四平无引脚封装主要应用*汽车应用中的鼓风机、泵和风扇基于 LIN 的座椅移动装置用于车门和尾门的高智能高功率执行器主要特点和效益**高度集成，低 BOM 成本
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2025/4/21 13:36:51