全新 MF-USHT 系列产品扩大了保持电流范围，提高了最大电压，并将工作温度范围提升至最高 +125 °C美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，扩展其 Multifuse® MF-USHT 表贴式 PPTC 可复位保险丝系列，新增了九款产品。这些新型号符合 AEC-Q200 标准，保持电流 (Ihold) 范围扩大至 2.0 A，最大电压 (Vmax) 提升至 36 VDC，最高工作温度提高至 +125 °C，进一步满足高性能应用需求。全新 MF-USHT的新型保险丝采用了 Bourns 独创的 freeXpansion™ 技术，在更紧凑的封装中实现更高的保持电流、更高的电压以及更佳的电阻稳定性，显著提升了产品性能。这些特性使其特别适合用于需要在高温环境下运行的电子设备，提供可靠的过流与过温保护。全新九款 Bourns® MF-USHT 系列 聚合物 PTC 可复位保险丝产品现已上市，并符合 RoHS* 标准。同时，产品已通过 UL/CSA/TÜV 认证，满足严格的安全标准要求。TÜV 认证范围涵盖 IEC 62319-1、IEC 60738-1 以及 IEC 60730-1:2013 第 15 条、第 17 条和附录 J 的规范。所有产品均于 Bourns 通过 IATF 16949 认证的工厂中生产，确保卓越的质量与一致性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/10 13:40:12
高通技术公司持续树立连接新标杆，公司宣布推出高通® X85 5G调制解调器及射频，这是公司第八代5G调制解调器到天线的解决方案，也是公司第四代AI赋能的5G连接系统。高通X85专为新一代联网和AI赋能的应用而设计，能够提供更快的速率以支持无缝流传输、下载和上传，提高拥堵区域的网络可靠性，延长电池续航并增强定位精度，从而带来全面用户体验。高通X85面向Android旗舰智能手机、PC、固定无线接入和物联网扩大5G Advanced领导力和差异化优势 要点：高通X85 5G调制解调器及射频突破5G创新边界，集成高通5G AI处理器，处于5G创新前沿，为Android智能手机提供最快、最省电、最可靠的5G Advanced连接体验。高通X85旨在提供混合AI和智能体AI体验所需的高性能5G连接。中国电信、中国移动、中国联通、谷歌、KDDI、NTT DOCOMO、T-Mobile和Verizon认可高通X85为全球移动网络、Android旗舰手机和用户带来的独特优势。巴塞罗那，2025年3月3日——高通技术公司持续树立连接新标杆，公司宣布推出高通® X85 5G调制解调器及射频，这是公司第八代5G调制解调器到天线的解决方案，也是公司第四代AI赋能的5G连接系统。高通X85专为新一代联网和AI赋能的应用而设计，能够提供更快的速率以支持无缝流传输、下载和上传，提高拥堵区域的网络可靠性，延长电池续航并增强定位精度，从而带来全面用户体验。高通X85具备行业5G Advanced特性，将为Android智能手机带来连接方面的领先优势。高通X85还为多种其它类型终端带来5G Advanced功能，包括PC、固定无线接入点、汽车、XR等。高通技术公司高级副总裁兼技术规划和边缘解决方案业务总经理马德嘉表示：“高通X85是调制解调器到天线系统，旨在提供最佳的5G体验。对...
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2025/3/10 13:35:14
TDK株式会社宣布推出全新 FS160* 系列 microPOL（μPOL）电源模块。 FS160* 系列 μPOL 直流-直流转换器全部配备全遥测技术，具有更高的性能、最小的尺寸以及不同于一般的功率密度等优点。该系列产品现已开始量产。经过优化的架构得以在尺寸极小的模块中实现不同于一般的高功率密度新推出的 FS1606 系列产品的尺寸仅为 3.3 毫米 x 3.3 毫米 x 1.35 毫米，可在 -40℃ 到 125℃的宽温度范围内运行，是6A 级别的最小解决方案，并通过 I2C 接口实现全遥测易于实现全遥测（电压、电流和温度）易于应用于由 ASIC、系统级芯片（SoC）及 FPGA 等复杂芯片组锚定的设计将在 APEC 会议-高级电源管理，预测性维护使用案例中展示 FS1606 产品。产品的实际外观与图片不同。TDK标志没有印在实际产品上。TDK株式会社（TSE：6762）宣布推出全新 FS160* 系列 microPOL（μPOL）电源模块。 FS160* 系列 μPOL 直流-直流转换器全部配备全遥测技术，具有更高的性能、最小的尺寸以及不同于一般的功率密度等优点。该系列产品现已开始量产。FS160* 系列 microPOL 模块产品的尺寸仅为 3.3 毫米 x 3.3 毫米 x 1.35 毫米（宽x深x高）。 由于其尺寸小且功率密度高，该系列的每个模块都能轻松集成至锚定于 ASIC、系统级芯片（SoC）以及最受欢迎的 FPGA 等复杂芯片组的设计中。 通过 I2C 接口，轻松实现全遥测（电压、电流和温度）。 该系列模块可在 -40℃ 到 125℃ 的宽结温范围内运行。3-A 零件（FS1603 系列）、 4-A 零件（FS1604 系列）和 6-A 零件（FS1606 系列）均提供多个不同版本。FS 系列还包括 12A（FS1412）和 25A（FS1525）产品。 ...
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2025/3/10 13:29:25
由于市场对于音频设备的紧凑、轻便、高集成度和节能的需求越来越高，音频设备制造商在不断提高音质的同时，也在努力满足这一需求。另外，他们还必须实现无缝连接、保证成本效益，并提供对用户友好的功能，这使得音频产品的开发变得更加复杂。为了解决这些难题，SounDigital在其全新1500 W D类放大器中集成了英飞凌科技股份公司的 CoolGaN™晶体管，支持800 kHz开关频率和五个通道，借助英飞凌氮化镓（GaN）技术，将其能效提升了 5%，能量损耗降低了 60%。SounDigital首席执行官Juliano Anflor表示：“很高兴采用英飞凌GaN功率半导体来提升我们音频放大器的性能，通过向全世界传播音乐，激发人们的灵感并带来欢乐。GaN晶体管不仅极大提高了整体系统性能，还在更大程度上降低了系统成本，提高了易用性。”英飞凌GaN业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“GaN技术正凭借效率和性能深入改变音频放大器行业。英飞凌GaN解决方案能够带来卓越的音质、更高的功率密度和更低的能耗，将SounDigital音响系统的保真度和性能提升到一个新的水平。”SounDigital 1500 W D 类放大器使用英飞凌100 V常关断E模式晶体管，包括采用 PQFN-3x5封装的IGC033S101 和采用 PQFN-3x3封装的IGB110S101 。这两款晶体管的导通电阻低，适用于要求严苛的大电流应用，能够显著提升SounDigital放大器的音质和效率。基于GaN的放大器在提供高性能的同时，可以减少75 W的功率耗散，使散热器体积缩小 50%。此外，在不影响性能的前提下，整个系统的体积缩小了40%。CoolGaN™晶体管进一步提高了音频质量，使总谐波失真（THD）降低70%，实现了更加精准、细腻的声音体验，并通过减少40%的待机电流大幅提升了能效。免责声明：...
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2025/3/10 13:25:39
业界消息称，三星电子正在为下一代HBM研究包括无焊剂在内的多种键合技术。三星电子自今年初起，已与海外主要合作伙伴启动了对无焊剂键合技术的初步评估工作。该技术将应用于 HBM4（第六代），目标是在今年年底前完成评估。目前三星电子采用 NCF（非导电性粘接薄膜）作为HBM制造的后工序技术。HBM是一种通过垂直堆叠多个DRAM来提高数据处理性能的存储器半导体。它通过 TSV（硅通孔）在每个DRAM上钻出微小的孔，并以电气方式连接这些孔。为了连接各个DRAM，使用了微小突起形状的微凸点。三星电子一直采用的是TC键合工艺，即在堆叠的每个DRAM之间插入NCF，并从上方进行热压。NCF在高温下熔化，起到连接凸块与凸块、固定芯片间的作用。无焊剂技术主要应用于 MR-MUF（Mass Reflow-Molded Underfill）。MR-MUF 不使用薄膜，而是利用液态的EMC（环氧树脂与无机二氧化硅混合而成的模塑材料）。MR-MUF在每堆叠一个DRAM 时，会先进行临时热压接合，待完全堆叠后，再通过加热（回流焊）完成接合过程。随后，在各芯片之间无间隙地注入EMC。EMC起到支撑各芯片的“底部填充（Underfill）”以及防止外部污染等作用。在现有的MR-MUF工艺中，为了去除残留在凸点上的氧化膜，会先涂覆一种称为助焊剂（flux）的物质，然后再清洗掉。然而，随着HBM的输入输出端子（I/O）数量在HBM4中相比之前翻倍至2024个，以及DRAM堆叠层数的增加，凸点之间的间距也会随之缩小。这种情况下，助焊剂可能无法被彻底清洗干净，从而可能损害芯片的可靠性。对此，半导体行业提出了无焊剂焊接方案。尽管设备厂商在无焊剂技术上的方法各异，但核心在于不使用焊剂而去除焊球周围的氧化层。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问...
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2025/3/10 13:23:35
近日，SK海力士将CIS事业部转为面向AI的存储器领域，以增强核心竞争力。SK海力士表示，CIS事业部自2007年成立以来，克服了各种困难，进入移动端市场取得了预期的成果。由此公司具备了仅靠存储器事业体验不到的逻辑半导体技术和定制（Custom）业务力量。SK海力士强调，随着AI时代的到来，公司在面向AI的存储器领域取得了巨大成果，同时为了成为AI产业的核心企业迎来了大转换期。 CIS事业部拥有的技术和经验是公司在增强面向AI的存储器竞争力所必需的，为聚集全公司的力量做出了此次决定。据悉，市场对于AI半导体存储器需求强劲，SK海力士凭借业界领先的HBM技术实力和以盈利为主的经营活动，在2024年实现了历史最高业绩，该公司2024财年营业收入为66.1930万亿韩元，营业利润为23.4673万亿韩元（营业利润率为35%），净利润为19.7969万亿韩元（净利润率为30%）。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/10 13:20:02
2025年3月6日，中国 —— 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) 推出Teseo VI系列全球导航卫星系统 (GNSS) 接收器芯片，目标应用锁定大规模采用高精度定位技术的多种行业。在汽车行业，Teseo VI芯片和模块将成为高级驾驶辅助系统 (ADAS)、智能车载系统、自动驾驶等安全关键应用的核心组件。在工业应用中，Teseo VI芯片可提升多种工业自动化设备的定位能力，包括资产追踪器、家用送货机器人、智能农业机械管理与作物监测、基站等定时系统，以及其他应用。意法半导体数字音频与信号解决方案部门总经理Luca Celant表示："Teseo VI新系列接收器代表我们在定位引擎领域取得了实质性创新突破，因为它是市场首个单片集成多星座四频信号处理器；首个采用两个Arm®处理器内核架构的卫星接收器芯片，让汽车辅助/自动驾驶系统同时具有很高的性能和ASIL级安全性；集成ST专有的相变存储器（PCM）技术，是开发新型高精度定位解决方案的高集成度、高性价比、高可靠性硬件平台。ST 的新卫星导航接收器芯片将赋能汽车ADAS驾驶系统实现令人期待的高级功能，并为制造业正在开发的许多新型应用赋能。Teseo VI 是市场上首个单片集成厘米级定位所需的全部系统元件，支持同时接收处理多星座四频段卫星信号，创新设计简化了导航定位终端产品的开发过程，提高了信号接收可靠性，即使在高楼林立的城区以及其他的卫星信号不好的环境中，也能可靠地接收卫星信号，同时还能降低开发终端产品的物料清单成本。此外，这个单片接收器还可加快产品上市时间，缩小外观尺寸，降低重量。Teseo VI新系列高精度定位接收器芯片利用意法半导体数十年的研制经验，并集成公司的多项专有技术，包括高精度定位和嵌入式存储器。技术说明：意法半导体的新系列...
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2025/3/7 13:34:40
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2025年3月5日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款全新Cyllene 2 IC，以升级消费品中红外（IR）遥控应用的VSOP383xx系列前置放大电路。这些增强型解决方案采用2mm x 2mm x 0.76mm的QFN封装，以即插即用方式替代该系列中现有的器件，同时提供2.0 V至5.5 V的更宽电源电压范围，高37 %的黑暗环境灵敏度，以及在强DC光和Wi-Fi噪声下的更优性能。Vishay VSOP383xx系列前置放大器电路采用紧凑型封装，在更宽的电压范围内实现低功耗，从而延长电池寿命，并节省移动设备的空间。通过使用Vishay最新的自有IC技术升级组件，可确保产品的长期供货，并缩短向客户交付产品的周期。作为现有解决方案的直接替代产品——没有机械差异且电气特性相似，这些器件不需要对PCB进行重新设计，有助于节省成本。 前置放大器电路的设计目的是与光电二极管配合使用，用于电视、音响、游戏机、机顶盒（STB）、音频设备等的红外遥控。针对这些产品中的遥控功能，器件增强了对不同种类的灯的抗干扰能力，并且对电源电压上的纹波噪声提供了很高的抗扰度。此外，该解决方案不易受2.4 GHz和5 GHz频率的电磁干扰（这些电磁干扰可能导致不必要的输出脉冲）影响，因此可以放置在Wi-Fi天线附近，以提高设计灵活性，同时，器件在明亮阳光下的稳定性使其适合户外使用。这些器件符合RoHS标准，无卤素，并满足Vishay绿色标准，载波频率有36 kHz（VSOP38336）和38 kHz（VSOP38338）两种。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/7 13:30:14
NAND Flash与DRAM市场供需正在改善，2025年NAND Flash合约价预计将于第二季底回升，并持续至年底。主要原因来自于原厂减产与供应紧缩。自2024年第四季起，三星及铠侠/西部数据已大幅下修投片，导致2025年NAND位元供给增幅仅13%，而需求则成长15%。这使得供给吃紧情势将延续至2026 年，进一步推动价格回升。企业级SSD需求扩张，PCIe 5.0 SSD渗透率将从2024年的9%提升至2026年的61%。随着AI推理与企业数据存储需求的提升，企业级SSD将加速取代传统HDD。2025年企业级SSD市场将年增15%，而PCIe 5.0 SSD的高效能需求将进一步推升产业成长。随着NAND Flash原厂持续控制供应，2025年合约价将于第二季底回升，并持续至年底，涨幅至少可延续数个季度。高层数NAND堆叠技术的变革，使原厂的资本支出扩张受限，导致市场供给成长缓慢。DRAM市场虽然供需逐渐平衡，但价格回升动能仍不明显。2025年第一季与第二季DRAM供需比仍高于100%，显示供应仍大于需求，预计到下半年供需才会趋于平衡。与此同时，AI PC市场的崛起，将带动DDR5与LPDDR5X的需求增长。存储市场供需改善，带动NAND Flash与DRAM相关供应链企业迎来成长机会。然而，市场仍需关注以下风险，若NAND Flash原厂提前扩产，可能影响价格回升幅。DRAM市场短期内仍供过于求，价格回升动能不足。全球经济与电子产业需求变数，可能影响整体存储市场的复苏速度。未来，市场将关注企业级SSD、AI PC 与工控应用的成长潜力，这些领域将成为存储市场的主要驱动力。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/7 13:23:58
英伟达公布第四财季营收后，供应链透露，英伟达再砍单CoWoS封装，且先前洽谈的CoW（Chip on Wafer）前段封装制程委外订单，最终未达共识。法人分析，台积电制程产能利用率仍接近满载，甚至高于年初产量，但随英伟达前代Hooper GPU生命周期进入尾声，总订单量可能逐渐减少，有待下一代产品GB300推出提升需求。台积电在3月2日对此传闻不予回应。一位封测供应链人士指出，近期台积电CoWoS相关订单依然供不应求，并没有被削减，可能是由于工艺和产品世代交替，甚至可能是一些客户开始布局下一代扇出型面板级封装（FOPLP），导致误会加深。此前在2025年初，市场消息传出“台积电CoWoS被削减订单”，在1月份的台积电法说会上，魏哲家以“外面谣言多，公司正在持续扩产，以满足客户需求”间接否认了削减订单的传言。黄仁勋上周也在英伟达的财报会议上明确指出，Blackwell系列芯片供应链问题已完全解决，“需求非常强劲”。业内分析，以英伟达为例，今年中Hopper架构系列H10、H100、H200等AI芯片全面停产，客户转向以Blackwell架构为主的B200或B300。但由于Blackwell架构采用的台积电CoWoS-L封装技术需要采用局部硅中介层（LSI）加上重分布层（RDL）等两种技术，因此良率仍不及先前CoWoS-S的99％，目前仅约70％至80％，产出自然不及先前水平，成为今年全年台积电CoWoS平均月产能下降的主要因素。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/7 13:20:10
据报道，供应链消息显示，2025年第一季度，台积电3nm制程的稼动率接近100%，5nm制程的稼动率达到105%，成功弥补了16/12nm、7/6nm制程只有60 - 65%稼动率的不足。此外，代工价格的上调也足以抵消16/12nm、7/6nm制程稼动率仅六成多所带来的不利影响。目前，尽管受到美国对中国AI芯片管制措施以及特朗普第二次上台后持续推出关税等政策的压力，但台积电的运营表现并未受到太大影响。反而，1月下旬在台湾地区发生的多起地震，对台积电的运营表现产生了一定影响。台积电于2月10日披露，受地震影响，预计2025年第一季度的收入将接近250亿美元-258亿美元指导区间的下限；毛利率仍将在57%至59%之间，营业利益率预计为46.5%至48.5%，全年展望维持不变。供应链业内人士称，台积电首季财测未作下调，主要得益于其拿下了全球客户7nm以下的大量订单。此前，台积电预计2025年将迎来强劲增长，全年营收有望迈向千亿美元大关，未来还计划挑战2千亿美元营收目标，其中AI相关营收将实现翻倍。预计在未来五年，营收将以接近20%的年复合成长率稳步增长。供应链业内人士分析，台积电凭借手中大量全球芯片大厂订单，且在市场中缺乏强劲竞争对手，关税和客户竞争对其影响较为有限。当前，台积电面临的最大挑战或许是一系列关于在美国投资的传言，例如美国政府要求其进一步扩厂，以及在英特尔复兴计划中，台积电需要承担的责任与角色。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/6 13:15:37
今年PC产业除了新世代RTX50系列电竞商机，业界持续看好AI PC成长动能，据研调机构Canalys最新报告显示，若将范围缩减至AI PC领域，2024年第4季苹果凭藉M系列芯片提早布局，成为AI PC第一大品牌，市占率高达45%，狠甩联想、惠普（HP）、戴尔（Dell）等竞争对手。Canalys报告显示，全球2024年第4季PC出货第一依然为联想，市占率25%，其次依序为惠普20%、戴尔15%、苹果10%、华硕（2357）7%、宏碁（2353）6%，整体排名变化不大。不过若将产品限定AI PC机种，则排名出现大翻转，苹果成为AI PC龙头厂。这是因为Canalys将AI PC定义为“具备单独AI运算单元，可在本机上执行AI工作”的机种，定义相较PC业界广泛，如微软定义的AI PC，AI算力必须超过一定水准。在此定义下，苹果去年第4季AI PC市占率达45%，后面依序为联想15%、惠普14%、戴尔9%、华硕9%、宏碁3%。整体PC产业当季AI PC出货量为1,540万台，AI PC占整体PC出货比重达23%；从2024全年来看，AI PC出货量占整体PC的17%，苹果市占率高达54%，其次才为联想及惠普，各占12%。PC业界普遍看好今年成长动能，包含微软操作系统Windows 10支援即将终止，以及AI PC渗透率提升等正面因素，都将推动整体PC换机潮。经济日报免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/6 13:12:54
氮化镓（GaN）技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止，GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异，产品十分零散，客户缺乏兼容多种封装的货源。为了解决这个问题，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出采用RQFN 5x6 封装的 CoolGaN™ G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封装的CoolGaN™ G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶体管。英飞凌科技中压氮化镓产品线负责人Antoine Jalabert博士表示：“这两款新器件兼容行业标准硅MOSFET封装，满足客户对标准化封装、更易处理和加快产品上市速度的需求。CoolGaN™ G3 100 V晶体管器件将采用5x6 RQFN封装，典型导通电阻为 1.1 mΩ；CoolGaN™ G3 80 V将采用 3.3x3.3 RQFN 封装，典型电阻为2.3 mΩ。这两款晶体管的封装首次让客户可以采取简便的多源采购策略，以及与硅基设计形成互补的布局，而新封装与GaN组合带来的低电阻连接和低寄生效应能够在常见封装中实现高性能晶体管输出。此外，这种芯片与封装组合拥有更大的暴露表面积和更高的铜密度，使热量得到更好的分布和散发，因此不仅能提高热传导性，还具有很高的热循环稳定性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/5 10:54:23
2025年2月25日，英特尔发布两大全新以太网产品线——英特尔以太网控制器E830和网络适配器，以及英特尔以太网控制器E610和网络适配器，旨在满足企业、电信、云、边缘、科学计算（HPC）和AI等领域日益增长的需求。这些新一代解决方案可以提供强劲的高性能连接，同时提升能效与安全性，并降低总体拥有成本（TCO）。英特尔公司网络与边缘事业部副总裁Bob Ghaffari表示：“在万物互联的今天，网络对于商业成功和技术转型至关重要。随着英特尔以太网E830和E610产品的推出，我们正在帮助客户满足对高性能、高能效解决方案日益增长的需求，这些解决方案能够优化网络基础设施，降低运营成本并改善总体拥有成本（TCO）。”通过将英特尔至强6处理器与高性能的以太网连接相结合，英特尔全新以太网解决方案将为可扩展的数据密集型应用奠定基础，助力企业加速创新、降低成本并赢得竞争优势。得益于制程节点与以太网技术的新进展，英特尔以太网E830和E610系列在数据中心和边缘环境中的每瓦性能与安全性实现显著提升。以太网技术始终是现代网络基础设施的核心。随着AI、虚拟无线接入网（vRAN）、5G云计算、边缘及物联网（IoT）应用推动着数据与连接的需求增长，英特尔的以太网解决方案经过专门设计，可提供满足这些持续演进的需求所需的性能、可扩展性与安全性。英特尔以太网控制器E830和网络适配器能够优化高密度的虚拟化工作负载，提供灵活的端口配置、出色的时间同步能力与卓越的安全功能；英特尔以太网控制器E610和网络适配器则针对控制平面操作提供了理想的解决方案，具备出色的可管理性与卓越的能效表现。英特尔以太网E830系列：高性能和多功能连接英特尔以太网E830系列为虚拟化企业、云、电信及边缘环境中严苛的工作负载提供高性能、安全且高能效的解决方案。首批产品包括双端口25GbE PCIe和符合OCP 3.0标准的适配器，更多配...
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2025/3/5 10:48:43
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布其最新推出的三款微控制器（MCU）产品群已成功获得PSA一级认证，并附带欧盟《网络弹性法案（CRA）》的合规性扩展。此次认证由Applus+实验室进行，标志着瑞萨在网络安全领域以及对即将出台的欧盟法规合规性方面迈出重要一步。获得认证的RA4L1 MCU产品群是采用Arm® Cortex®-M33（CM33）内核的32位低功耗微控制器（MCU），支持Arm TrustZone®技术，在低电压运行、低功耗和高性能之间实现了理想的平衡。其集成的低功耗功能、安全引擎和通信接口使这些产品成为工业自动化、家用电器、智能家居、消费电子、楼宇/家居自动化，以及医疗/保健应用领域的理想之选。获得认证的RA8E1和RA8E2 MCU产品群均基于Arm® Cortex®-M85（CM85）架构，专为包括工业自动化、家用电器、智能家居系统和医疗设备在内的广泛应用而设计。RA8E1 MCU产品群支持Arm Helium™技术，适用于视觉和语音AI应用；RA8E2 MCU产品群则内置图形LCD控制器，可用于人机界面（HMI）解决方案。PSA认证作为全球领先的安全框架，由Arm与行业合作伙伴于2019年共同建立。该框架已推出针对其一级认证的扩展，以满足即将实施的欧盟《网络弹性法案》合规要求。这项新法规将于2027年12月成为强制性规定，广泛适用于各种数字产品。Daryl Khoo, Vice President of the Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示：“我们很自豪能够站在物联网安全领域的前沿。瑞萨获得PSA一级认证及CRA合规扩展，充分彰显了我们致力于为客户提供安全、面向未来解决方案的坚定决心与承诺。”David Maidment, seni...
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2025/3/5 10:42:35
2025 年 3月 3 日，中国——意法半导体的 STM32C0系列微控制器 (MCU) 新增三款产品，为设计人员带来更高的设计灵活性，提供更高的存储容量、更多的接口和CAN FD选择，以增强通信能力。STM32C0高性价比系列的新产品STM32C051配备最高64KB的闪存，适合对存储空间要求更高而STM32C031 MCU又无法满足的应用设计，最多48引脚的封装具有更多的接口和用户I/O通道。另外两款新产品STM32C091和STM32C092的闪存容量扩展到256KB，采用最多64引脚的封装。此外，STM32C092还增加了一个CAN FD接口，有了片上CAN FD接口，用户可以削减 BOM物料清单成本，简化工业通信和网络设备的硬件设计，充分利用协议升级后的灵活性、速度和有效载荷能力。意法半导体通用 MCU 部门总经理 Patrick Aidoune 表示：“作为 STM32系列中注重成本的产品线，STM32C0系列为开发者提供很高的设计灵活性，片上闪存容量从32KB到256KB ，并集成丰富的外设接口。现在，STM32C091/C092的大容量闪存和 RAM可以让设计人员把图形用户界面软件与主应用程序都存放在微控制器上，利用 ST的TouchGFX工具创造悦目娱心的使用体验，简化开发过程。”作为 STM32 系列经济实惠的入门级产品，STM32C0 MCU包含广泛使用的接口，例如，无晶振 USB 全速设备和USART，以及定时器和模拟/数字转换器 (ADC)。为了完善注重成本的功能组合，这个经济设计具有片上时钟，电源输入只有一个，可以节省更多的外部元件，例如，计时器、去耦电容，降低物料清单成本 (BOM)。节省外部元器件还可让PCB电路板变得更小、更简单。STM32C0全系MCU为开发人员带来了更多的好处，包括 ST的延长产品寿命计划，确保ST的芯片在工业项目的整个...
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2025/3/4 13:21:36
随着NAND Flash厂商积极减产以维持供需秩序，市场预期NAND Flash下游将于今年第二季进入补库存周期，NAND Flash合同价也有望于第二季底开始上涨，涨价趋势至少可持续至年底，NAND Flash下半年有望转为供不应求。法人预估，群联为极少数有望切入NAND原厂所主导的企业级SSD市场的第三方供应商，其次，群联自去年第四季起大规模购入低价库存，并把握NAND于下半年供不应求的机会中提高市场占有率，目前已有多位潜在客户处于验证阶段，预估公司2025全年企业级SSD营收有望缴出年增翻倍的佳绩。市场预估，宜鼎2025年DRAM及NAND Flash模块出货量将年增19%及15%，主要受惠于工控产业复苏，以及DRAM在网通领域市场占有率提升。由于工控产业2025年有望迎来两位数以上增长，看好2025年为工控边缘AI爆发性增长元年，而DeepSeek出世有助于提高市场对边缘AI领域的关注度。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/3 13:19:58
MediaTek 将于 2025 年世界移动通信大会（MWC 2025）期间推出 5G-A 调制解调器解决方案 M90。MediaTek M90 符合 3GPP Release 17 和 Release 18 标准，提供高达 12Gbps 的下行传输峰值速率，可通过 3GPP Release 17 2T-2T 上行链路传输切换技术（Uplink TX switching）提升 20% 性能。MediaTek M90 支持 Sub-6GHz（FR1，至高可达 6CC-CA）和毫米波（FR2，至高可达 10CC-CA）网络连接，并提供 5G 双卡双通、双数据传输功能。MediaTek M90 内置 MediaTek 调制解调 AI 技术（MediaTek Modem AI，MMAI），引入了可提升设备能效和通信性能的 AI 模型。AI 模型可识别数据流量模式以优化功耗和延迟，还可通过检测设备方向和使用场景提供更出色的网络连接体验。MMAI 中的智能天线（Smart Antenna）技术可利用 AI，借助聚合的大规模天线阻抗和信号数据，训练高性能模型，以 99.5% 的准确率实现精确的使用环境识别，并通过优化用户连接助力数据吞吐量提升高达 24%。MediaTek 无线通信技术本部群资深本部总经理范明熙表示：M90 调制解调器的 AI 和 5G 功能可为设备制造商提供更大的设计灵活性，从而实现更具差异化的性能表现。作为经过高度集成和优化的整体解决方案，MediaTek M90 可在各类设备中带来卓越的用户体验。MediaTek 致力于推动 5G-A 的发展，同时我们已在构建向 6G 网络演进的技术。MediaTek M90 还集成了卫星通信（非地面网络）技术，支持面向低速率连接应用的 3GPP IoT-NTN 和面向高速率连接服务的 NR-NTN 技术，展现 MediaTek 基...
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2025/3/3 13:12:04