德州仪器近日推出了全球超小型 MCU，进一步扩展了品类齐全的 Arm® Cortex®-M0+ MSPM0 MCU 产品组合。MSPM0C1104 MCU 采用晶圆芯片级封装 (WCSP)，尺寸仅为 1.38mm2，大小约相当于一粒黑胡椒粒，让设计人员能在不影响性能的情况下，优化医疗可穿戴器件和个人电子产品等紧凑型应用的布板空间。"在耳塞和医疗探头这类超小型系统中，布板空间是一种稀缺而宝贵的资源，"德州仪器的 MSP 微控制器部副总裁兼总经理 Vinay Agarwal 表示。"得益于这款全球超小型 MCU，我们的 MSPM0 MCU 产品组合将会带来无限可能，让我们的日常生活体验变得更智能、更互联。"德州仪器的 MSPM0 MCU 产品组合包含 100 余款具有成本效益的 MCU，可以提供可扩展的片上模拟外设配置和多种计算选项，因而可增强嵌入式设计的传感和控制能力。该系列器件已于日前亮相于德国纽伦堡盛大举行的国际嵌入式展。超小封装，无限可能消费者不断提出要求，希望电动牙刷和触控笔等日常电子器件不仅尺寸更小、价格更低，而且能够具备更多功能。要在缩小产品尺寸方面进行创新，工程师愈发需要使用小巧的集成元件，以便在维持布板空间的同时增加功能。MSPM0C1104 MCU 充分发挥了 WCSP 封装技术的优势，通过精心的功能选配以及德州仪器的成本优化方案，使其 8 焊球 WCSP 的尺寸仅为 1.38mm2，较同类产品小 38%。此 MCU 搭载 16KB 内存，1 个 12 位三通道模数转换器，6 个通用输入/输出引脚；并且兼容标准通信接口，如通用异步收发器 (UART)、串行外设接口 (SPI) 和内部集成电路 (I2C)。这款全球超小型 MCU 集成了精准的高速模拟元件，工程师因而能够在不增加布板尺寸的情况下维持嵌入...
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2025/3/26 11:21:00
OPTIREG™电源管理芯片（PMIC）产品组合可实现高效电压调节，提供了带有直流-直流（DC/DC）和线性稳压器以及跟踪器的前置和后置稳压器架构。除供电外，该系列还集成了额外的监控和控制功能，支持客户开发用于安全相关应用的汽车ECU。为了进一步支持开发人员，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司持续扩大 OPTIREG™ PMIC系列的产品组合，推出了符合高标准汽车系统要求的集成式多轨电源解决方案OPTIREG™ PMIC TLF35585。TLF35585能够为 AURIX™和其他微控制器（MCU）提供可靠的供电，满足更高功能安全要求，从而实现稳健的系统。因此，这款新型电源解决方案适用于严苛汽车环境中的功能安全应用，尤其是在底盘、动力总成、域控和传动领域。TLF35585 PMIC包含一个升压降压预调节器，可为微控制器电源、通信电源和精确电压基准提供后置稳压电压轨。。它还带有两个跟踪器，跟踪参考电压，以向板外传感器供电。TLF35585的主要监控功能有可配置的窗口看门狗（时间触发器）、功能看门狗（问题和响应触发器）、错误引脚监控和电压监控器。为了与MCU进行交互，这款PMIC还提供16位 SPI、中断和复位功能。该产品达到ISO 26262最高系统安全级别ASIL D，并且结温范围扩展到最高175°C。其宽开关频率范围可提高效率，并支持小型滤波器元件的使用。此外，该IC还集成了灵活的状态机、带有定时器的唤醒功能和待机稳压器，因此用途广泛。OPTIREG™ PMIC TLF35585采用小型VQFN-48封装或TQFP-48封装，这两种封装均为热增强型封装，并且完全达到 AEC-Q100标准（0 级）。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/26 11:19:04
全球晶圆代工领域正加速迈向2纳米技术节点，台积电、三星及英特尔三大巨头均计划在年内实现2纳米制程量产，标志着制程竞争正式进入2纳米时代。根据集邦科技分析，综合产品布局与产能规模考量，台积电有望在2纳米世代继续保持领先地位。近期行业动态显示，英特尔已宣布其18A制程技术准备就绪，预计2025年上半年完成客户设计定案；三星自研的2纳米Exynos 2600处理器亦传出投片消息；台积电则定于3月31日于高雄举办2纳米晶圆厂扩产奠基仪式，三大代工厂在2纳米赛道的竞速态势日趋激烈。集邦科技半导体研究处副处长乔安指出，尽管三家厂商均定于本年度实现2纳米量产，但市场格局将呈现明显分化。台积电凭借既有客户基础与产能优势，预计将成为今年2纳米市场的主要供应者。三星方面，当前2纳米制程客户群相对有限，主要依托自有System LSI部门消化产能，提升良率与客户服务质量是当务之急。技术实现层面，三星虽在3纳米节点率先采用环绕栅极（GAA）架构，但据韩媒披露，其2纳米Exynos 2600试产良率仅约30%。反观台积电，虽首次在2纳米节点导入GAA技术，良率表现已达三星的一倍以上。乔安强调，三星作为全球存储芯片龙头，长期形成的"标准化产品供应"模式在代工领域面临挑战。以AI芯片巨头英伟达为例，尽管曾尝试与三星合作，最终仍回归台积电怀抱，凸显三星在客户需求响应机制上的改进空间。至于英特尔，乔安认为其现有的CPU生产模式与晶圆代工业务存在显著差异。传统晶圆厂需同时处理30-40种工艺制程，单一客户可能涉及10余款产品，生产弹性要求远高于英特尔现有体系。建议英特尔调整制程架构，增强多产品兼容能力，方可提升代工市场竞争力。其与联电的战略合作，被视为技术互补与业务拓展的双向利好。受益于3纳米技术的代际优势，台积电已囊括绝大多数AI芯片订单，市场份额持续扩张。展望2纳米节点，台积电预计前两...
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2025/3/26 11:09:46
微控制器（MCU）是现代电子产品的核心器件，在边缘设备上开发最新的人工智能模型和在MCU上部署模型的工作流程，对开发者来说是一项极大的挑战。如果将带有硬件神经网络加速器（NPU）的高性能MCU与AI模型推理优化后相结合，开发人员就能更快地将AI模型部署到低功耗MCU中。为此，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布PSOC™ Edge MCU系列开始支持NVIDIA® TAO 模型。英飞凌PSOC™ Edge MCU系列采用 Arm® Cortex®-M55 处理器和 Ethos-U55微型NPU，提升了边缘设备机器学习（ML）能力。这个多功能MCU系列结合强大的NVIDIA TAO 模型和适配套件，将极大简化高精度视觉AI模型的创建、定制、优化和部署。英飞凌科技物联网计算和无线产品线高级副总裁Steve Tateosian表示：“NVIDIA是人工智能/机器学习领域的关键角色，因此我们与我们在视觉、音频和语音应用领域的主要客户对此次集成非常期待。通过在我们的PSOC™ Edge产品系列中集成NVIDIA TAO模型，我们将赋予开发者创建更智能、更高效系统的能力。这些系统在网络边缘工作，并且快速、精准地解决现实世界中的挑战。这显著加快了工业自动化、医疗、汽车以及智能物联网解决方案中支持机器学习相关应用的上市速度。”NVIDIA机器人和边缘计算副总裁Deepu Talla表示：“NVIDIA TAO为远端边缘带来了计算机视觉模型和优化部署流程的最新发展成果。英飞凌PSOC™ Edge与NVIDIA TAO的集成极大地简化了在各种设备上开发和部署定制AI的过程。”NVIDIA TAO的支持将会覆盖整个PSOC™ Edge系列，并提供完整的开发生态系统，包括工具、库和相关文...
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2025/3/24 13:45:11
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) 发布了下一代STM32高能效短距离无线微控制器 (MCU)，可简化消费电子产品和工业设备与物联网的连接。STM32WBA6新系列微控制器用于物联网智能设备，例如，穿戴医疗设备、健康监测器、动物项圈、电子锁、远程天气预测传感器等。新系列无线微控制器集成容量更大的内存和更多数字系统接口，同时保持能源效率，在新兴的产品设计中可以处理更丰富的功能。STM32WBA6 MCUs还内置可以通过SESIP3和 PSA Level 3认证的安全资产，例如，加密算法加速器、TrustZone® 隔离、随机数生成器和产品生命周期管理，有助于客户满足即将出台的 RED 和 CRA 法规的要求。意法半导体通用 MCU产品部总经理 Patrick Aidoune 表示：“稳健可靠的标准化无线连接是物联网成功的关键。STM32WBA6新系列MCU具有更丰富的功能和更大的存储容量，可满足智能家居、医疗、工厂和农业等高端应用的需求。现在，有了这些产品，客户可以加快开发速度，满足消费电子和工业市场对新产品的需求：功能更多，性能更强，尺寸更小，能耗更低。”STM32WBA6新系列微控制器的无线子系统支持蓝牙、Zigbee、Thread、Matter等在 2.4GHz频段运行的网络协议，并允许设备同时使用多种协议进行通信。这样，智能家居网桥等网络系统就可以通过蓝牙与业主的手机App通信，同时还可以通过 Zigbee 等Mesh网络管理照明或恒温器。STM32WBA6 系列还有单协议产品，以满足看重简单和性价比的客户需求。技术说明：· 通过集成处理器内核、外设接口和无线子系统，STM32WBA6 MCU 可帮助产品开发人员简化新设计，缩小产品尺寸，节省电子物料清单成本。与之前的 STM...
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2025/3/24 13:40:56
圣邦微电子推出 SGM38120，一款面向多摄像头和多传感器应用场景的电源管理芯片。该器件可应用于智能手机、智能手表、AR 眼镜、健康监测及智能监控等设备。SGM38120 是一款高性能的 7 通道低压差线性稳压器（LDO）电源管理集成电路（PMIC），集成了两种类型的 LDO 通道：两个低压差 N 沟道 MOSFET LDO 通道和五个高电源噪声抑制比（PSRR）及低噪声 P 沟道 MOSFET LDO 通道。这种设计使其能够满足多种电源管理需求，同时兼顾高效性和稳定性。器件特性：LDO1 和 LDO2：支持 1.4A 的输出电流；输入电压范围 0.7V 至 2.0V；可编程输出电压范围 0.528V 至 1.504V，步进 8mV；输出电压精度 1.3%。LDO3、LDO4 和 LDO6：输出电流能力 500mA；输入电压范围 1.8V 至 5.5V；可编程输出电压范围 1.504V 至 3.544V，步进 8mV；电源噪声抑制比（PSRR）表现出色，在 1kHz 频率下达到 105dB，在 1MHz 频率下仍能保持 70dB；LDO3 和 LDO4 噪声水平为 15μVRMS（典型值）；LDO6 噪声水平为 17μVRMS（典型值）。LDO5 和 LDO7：支持 750mA 的输出电流；输入电压范围 1.8V 至 5.5V；可编程输出电压包括 1.2V 以及 1.504V 至 3.544V，步进 8mV；电源噪声抑制比（PSRR）在 1kHz 时为 105dB，在 1MHz 时为 70dB，噪声水平为 17μVRMS（典型值）。为确保系统的安全性和可靠性，SGM38120 还配备了多种保护功能，包括过温保护（OTP）、输出过流保护（OCP）、欠压保护（UVP）和欠压锁定保护（UVLO）。此外，芯片还支持故障中断功能，能够及时响应异常情况，进一步提升系统的稳定性。在通信...
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2025/3/24 13:37:42
华为终端BG CEO余承东在鸿蒙智行新品发布会上披露，自3月6日开启预售以来，问界M8累计订单已突破7万台，展现出强劲的市场号召力。这款定位"家庭智慧旗舰SUV"的新车预计将于4月正式上市，成为鸿蒙智行冲击中高端市场的又一力作。问界M8以5190mm超长车身和3105mm轴距，提供5/6座双版本选择，空间表现堪称越级。其搭载1.5T增程+前后双电机系统，纯电续航最高达240km，预售价35-45万元区间精准切入主流市场。技术层面，该车深度集成华为高阶智能驾驶方案，HarmonyOS 4.0智能座舱支持双无线快充、后排娱乐屏等实用配置，动力系统综合功率达392kW，提供增程/纯电双模选择。市场分析指出，问界M8成功填补M7与M9之间的市场空白，凭借华为智驾技术赋能，有望复制前作爆款基因。随着产品矩阵的持续完善，鸿蒙智行在中高端新能源市场的竞争力将得到全面提升。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/24 13:31:10
全球AI芯片巨头英伟达近日披露重大战略动向，公司计划在未来四年投入数千亿美元专项采购美国本土制造的芯片及电子产品。CEO黄仁勋在GTC全球开发者大会上强调，这一决策标志着英伟达在构建弹性供应链方面取得关键进展。根据最新披露，英伟达已实现在美国本土的制造突破：其最新一代AI芯片及数据中心服务器产品，正在台积电亚利桑那州晶圆厂和富士康得州智能工厂完成本地化生产。黄仁勋特别指出，这种"本土设计+本土制造"的双重保障模式，将显著提升供应链抗风险能力，确保关键产品的稳定供应。值得关注的是，英伟达正加速推进制造业务全面转移至美国的战略。目前在台积电美国工厂生产的GPU，已成为支撑全球AI投资热潮的核心算力组件。黄仁勋在大会上展示的战略图景显示，从基础芯片到系统级产品，英伟达正在美国本土重构完整的AI硬件生态链。该战略决策具有深刻的产业背景。今年初黄仁勋与特朗普政府的会晤中，曾高度评价美国新政府对AI领域的支持政策，认为这为本土半导体产业创造了前所未有的发展机遇。而特朗普政府的关税政策客观上加速了产业转移进程，台积电宣布追加1000亿美元美国投资，富士康亦与苹果联手在得州建立AI服务器超级工厂，显示出美国正成为全球半导体投资的新磁极。分析指出，英伟达此次战略调整不仅是对供应链安全的主动布局，更深层意义在于抢占全球AI产业制高点。通过构建"美国芯"生态闭环，英伟达进一步强化了在智能计算领域的领导地位，同时也预示着全球半导体产业格局正在发生深刻的结构性转变。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/24 13:19:39
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司扩展旗下XDP™ 数字保护产品系列，推出 XDP711-001。这是一款拥有 48 V 宽输入电压范围的数字热插拔控制器，具备可编程安全操作区域（SOA）控制且专为高功率 AI 服务器设计。该控制器拥有出色的输入及输出电压监控与报告功能，精度达 ≤0.4%，还有系统输入电流监控与报告功能，在全 ADC 范围内精度达≤0.75% ，可提升系统的故障检测和报告准确性。XDP711-001热插拔控制器采用脉冲 SOA 电流控制技术，即使在未采用最佳场效晶体管（FET）的系统中也能实现更安全的开启，从而降低系统物料（BOM）成本。这一XDP™产品系列的新成员专为驱动多个并联 MOSFET而设计，支持高功率设计这一AI服务器的关键需求。XDP711-001 采用三区块架构，该架构结合用于监控和故障检测的高精度遥测技术、针对功率MOSFET优化的数位 SOA 控制，以及能够驱动最多8个N型功率 MOSFET的高电流整合式驱动器，支持4 kW、6 kW和8 kW电力传输板（PDB）设计。这款新型热插拔控制器可在 7 V 至 80 V宽输入电压范围内运行，并能承受高达100 V的瞬时电压长达500毫秒，提供 ≤1.15% 精度的输入功率监控和报告。它具备兼容高速 PMBus™的主动监控功能，可提升系统可靠性。在严重过电流（SOC）情况下，可编程栅极关闭功能可于短短1微秒内迅速且确实地执行关闭操作。其他功能包括 IMON、PMON 以及突波抗扰能力，能进一步提高系统可用性。此外，全数字操作模式能大幅减少外部组件需求，实现紧凑的解决方案，使其成为空间受限的设计中兼具成本效益的理想选择。通过外部FET选择和一次性可编程（OTP）选项，XDP711-001可针对各种使用模式，灵活进行故障和警告侦测，以及去抖动（de-glicth）定时器的程序...
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2025/3/21 13:24:36
为满足风电轨交、精密制造等可靠性要求严苛、性能优异的应用环境，金升阳推出了高端M系列导轨——LIMF120/240/480-23Bxx系列，该系列设计参考防爆认证，60℃可满载工作，提供5年质保，且兼具防盐雾、5G抗震、三防漆保护等优势，可适应各类应用工况，为客户系统提供稳定可靠的能量支持。一、产品优势如下 1）宽输入输出电压 ① 全球通用输入电压范围：85 - 277VAC/120 - 390VDC，支持305VAC/2H输入，可交直流两用； ② 输出可调范围宽，可有效解决长距离供电的线损问题。2）性能强大 ① 产品效率高达93%，高效环保，减少发热的同时提升了电源可靠性和使用寿命； ② 工作温度范围：-40℃ to +85℃，60℃可满载工作，适用于机房高温环境； ③ 满足1.5倍（3s）瞬态峰值功率，可与直流电机或其他大容性负载搭配使用； ④ 带PFC功能，DC OK，输出短路、过流、过压、过温保护。3）稳定可靠 ① 真空电镀外壳，基板双面三防漆、通过48h防盐雾测试，符合ANSI/ISA71.04-2013 G3等级防腐测试，可用于高污染环境； ② 通过双85验证测试，恶劣应用环境下可正常使用； ③ 符合5G振动测试标准，可有效避免振动环境导致的结构/焊接失效问题； ...
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2025/3/21 13:20:18
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布推出针对电动自行车、吸尘器、机器人和无人机等多种采用锂电池供电的消费产品推出锂电池组一站式管理解决方案——R-BMS F。得益于所提供的预验证固件，R-BMS F（具备固定固件的即用型电池管理系统）将显著缩短开发者的学习周期，助力其快速设计出安全、高效的电池管理系统。R-BMS F解决方案专为2-4节和3-10节串联（S）的锂离子电芯设计，包括瑞萨业界卓越的电量计IC（FGIC）、集成微控制器（MCU）和模拟电池前端、预编程固件、软件、开发工具及完整文档——所有这些都以完整的评估套件形式提供，现已准备发货。瑞萨于3月16日至20日，在美国佐治亚州亚特兰大举行的国际电力电子应用展览会（APEC）期间，在其展台（展位号#2021）上现场展示该全新电池管理系统（BMS）解决方案。预编程固件简化开发过程固件在电池管理系统中的作用至关重要，其负责监控电池的充电状态（SoC）、健康状态（SoH）、电流和温度，并主动平衡每个电芯的电压以及检测故障。然而在某些情况下，消费电子产品开发商可能因缺乏所需的高度专业化的知识，而难以开发出能够确保电池在安全温度范围内工作，并在多次充放电循环中保持足够使用寿命的控制算法。瑞萨的R-BMS F解决方案包括内置的预测试固件，可与FGIC的集成MCU配合使用。固件包含关键的预编程功能，可最大限度地延长电池寿命并确保安全运行：这些功能囊括电芯平衡、电流控制，以及电压和温度监控等。为进一步提升灵活性，电池管理系统允许开发者通过图形用户界面（GUI）设置众多参数，以满足特定要求，并针对不同的电芯化学成分调整解决方案，而无需全套的集成开发环境（IDE）。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/21 13:16:49
美光科技在迎来台积电前董事长刘德音加入董事会后，近期与存储封测领域的领军企业力成达成了深度合作，大幅扩大了DRAM的委外封测订单。据悉，此次订单量激增了五成，直接推动了力成产能利用率的显著提升。力成对未来的市场前景持乐观态度，并预计存储市场在第二季度将迎来复苏。力成董事长蔡笃恭表示，公司将持续增加在AI相关技术和HBM封测领域的投入，以扩大订单量。美光科技在台湾的投资已满30周年，据统计，截至2024年，美光在台湾的投资额已累计超过1.1万亿元新台币，成为台湾最大的外商投资企业。美光与供应链伙伴建立了紧密的合作关系，并积极发展HBM技术，与SK海力士、三星等巨头共同抢占市场商机。有消息称，为了满足庞大的市场需求，美光计划在台中厂区进一步扩大HBM产能，并将部分封测产能转用于HBM封测，这使得DRAM封测产能受到挤压并出现缺口，从而促使美光扩大了委外封测的合作范围。力成预计采用堆叠式封装（PoP）技术，并有望从第二季度开始进入量产阶段。据初步估算，PoP制程的产量将实现季度增长五成，产能利用率也将大幅提升。业界分析指出，美光与力成已携手合作近十年，双方建立了深厚的默契与信任。从力成西安工厂至今，力成一直是美光DRAM和NAND Flash委外封测的重要合作伙伴。此次深度合作不仅将进一步巩固双方的合作关系，还将共同开拓AI和HBM领域的新蓝海。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/20 13:18:43
目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的英飞凌科技股份公司于 2024年9月推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5产品系列，这是首款击穿电压达到2000 V的碳化硅二极管分立器件。该产品系列目前扩展到TO-247-2封装，其引脚可与现有的大多数TO-247-2封装兼容。该产品系列非常适合最高直流母线电压为1500 VDC的应用，是太阳能和电动汽车充电桩的理想之选。这款TO-247-2 封装的2000 V CoolSiC™肖特基二极管G5的额定电流范围为10 A至80 A。相比1200 V 解决方案，这款产品能使开发人员在应用中实现更高功率等级，同时将器件数量减半，从而简化整体设计，并有助于从多电平拓扑结构无缝过渡到两电平拓扑结构。此外，TO-247-2 封装的肖特基二极管还采用.XT互联技术，大大降低了热阻抗，提高了热管理能力。它还通过HV-H3TRB可靠性测试，验证了在潮湿环境中的稳定性。这款二极管没有反向恢复和正向恢复，且具有正向电压低的特点，从而确保了系统性能的提升。2000 V二极管系列可与英飞凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC 封装CoolSiC™ MOSFET 2000 V完美匹配。除TO-247-2 封装外，CoolSiC™肖特基二极管 2000 V还提供 TO-247PLUS-4 HCC封装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/19 11:24:52
安森美(onsemi)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。与使用第7代场截止（FS7） IGBT技术相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度，从而实现比市场上其他解决方案更低的整体系统成本。这些IPM改进了热性能、降低了功耗，支持快速开关速度，非常适用于三相变频驱动应用，如AI数据中心、热泵、商用暖通空调（HVAC）系统、伺服电机、机器人、变频驱动器（VFD）以及工业泵和风机等应用中的电子换向（EC）风机。EliteSiC SPM 31 IPM 与安森美 IGBT SPM 31 IPM 产品组合（涵盖 15A 至 35A 的低电流）形成互补，提供从 40A 到 70A 的多种额定电流。安森美目前以紧凑的封装提供业界的广泛可扩展、灵活的集成功率模块解决方案。随着电气化和人工智能应用的增长，尤其是更多AI数据中心的建设增加了能源需求，降低该领域应用的能耗变得愈发重要。在这个向低碳排放世界转型的过程中，能够高效转换电能的功率半导体发挥着关键作用。随着数据中心的数量和规模不断增长，预计对 EC 风机的需求也将随之增加。这些冷却风机可为数据中心的所有设备维持理想的运行环境，对于准确、无误的数据传送至关重要。 SiC IPM 可确保 EC 风机以更高能效可靠运行。与压缩机驱动和泵等许多其他工业应用一样，EC 风机需要比现有较大的 IGBT 解决方案具有更高的功率密度和能效。通过改用 EliteSiC SPM 31 IPM，客户将受益于更小的尺寸、更高的性能以及因高度集成而简化的设计，从而缩短开发时间，降低整体系统成本，并减少温室气体排放。例如，与使用当前 IGBT 功率集成模块 (PIM) 的系统解决方案相比，在 70% 负载时的功率损耗为 ...
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2025/3/19 11:14:58
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，全新推出 SRF0703HA 系列双绕组屏蔽功率电感器。Bourns® 全新符合 AEC-Q200 标准的车规级功率电感器，可用于并联、串联、双电感器或变压器配置，为设计师提供额定电流与电感设计灵活性。此外，此款单一封装的双绕组电感器相比于使用两个独立电感器，提供了节省空间和降低成本的解决方案。全新符合 AEC-Q200 标准的车规级电感器提供额定电流和电感设计灵活性，可用于并联、串联、双电感器或变压器配置Bourns® SRF0703HA 系列专为单端初级电感转换器 (SEPIC) 拓扑结构、汽车系统和电源供应器提供了解决方案。该系列拥有 -55°C 至 +150°C 的广泛操作温度范围，并具备磁屏蔽功能，能有效降低辐射，非常适用于需满足低噪音要求的应用场景。全新 Bourns® SRF0703HA 双绕组屏蔽功率电感器系列现已上市，全系列均符合 RoHS* 标准且为无卤产品**。*RoHS 指令 2015/863 之 2015 年 3 月 31 日和附件。**Bourns 产品符合“无卤”要求前提 (a) 溴含量少于等于 900 ppm (b) 氯含量少于等于 900 ppm，并且 (c) 溴与氯的 含量总和少于等于 1500 ppm。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/18 13:26:55
全球连接和电源解决方案供应商 Qorvo®今日宣布，推出旗下首款全集成低功耗超宽带（UWB）片上系统（SoC）QM35825，进一步拓展其 UWB 产品组合。这款高性能、超低功耗 SoC 凭借基于雷达的传感技术实现精准定位追踪，适用于存在检测自动化、家用安全门禁、非接触式生命体征监测，以及个性化内容体验等场景。得益于 Qorvo 在 UWB 领域深耕超过十年的专业积累，QM35825 实现令人瞩目的 104dBm 链路预算，并拥有片上人工智能（AI）及机器学习（ML）处理能力，显著提升测距精度与稳定性。该全新解决方案立足于以开发者为中心的架构，提供易于访问的 API，确保与现有生态系统的顺畅集成，加速 UWB 创新应用的部署。“Qorvo 持续推动 UWB 技术创新。我们的解决方案帮助客户迅速将产品推向市场，从而加快了 UWB 的普及。”Qorvo 副总裁兼连接解决方案事业部总经理 Marc Pégulu 表示，“QM35825 凭借卓越的射频（RF）性能，结合雷达功能和精细测距精度，为消费、工业与企业市场的下一代应用铺平了道路。”QM35825 目前已开始向关键客户和网络基础设施提供商提供样品，体现 Qorvo 致力于以行业性能推进 UWB 技术发展的承诺。为支持新兴应用场景，Qorvo 已构建由 30 多家企业组成的强大合作伙伴生态系统，并设立活跃的技术论坛以促进协作。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/18 13:23:00
为满足各行各业对高性能、数学密集型应用日益增长的需求，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）正式发布PIC32A系列MCU。该产品进一步扩充了公司强大的32位MCU产品线，专为汽车、工业、消费、人工智能/机器学习（AI/ML）及医疗市场提供高性价比、高性能的通用型解决方案。32位PIC32A MCU采用200 MHz CPU，集成高速模拟外设，旨在大幅减少对外部元件的需求。其特性包括高达40 Msps的12位ADC、5纳秒高速比较器和100 MHz增益带宽积（GBWP）运算放大器，适用于智能边缘传感。这些特性结合高性能CPU，可在单一MCU上实现多任务处理，优化系统成本和物料清单（BOM）。此外，集成的硬件安全功能包括闪存和RAM的纠错码（ECC）、内存内置自测试（MBIST）、I/O完整性监控、时钟监控、不可变安全启动及闪存访问控制，旨在为嵌入式控制系统应用中的软件代码提供安全的执行环境。PIC32A MCU内置64位浮点单元（FPU），可高效处理数据密集型数学运算，支持模型化设计快速部署。这些MCU可助力开发者在传感器接口和数据处理等计算密集型应用中实现加速执行。Microchip 负责MCU业务部的副总裁Rod Drake 表示：“PIC32A系列面向智能传感与控制应用，通过平衡成本效益、性能与模拟外设，扩充了我们现有32位产品组合。高速外设与其他集成功能减少了对特定外部组件的需求，在降低系统复杂度的同时提供高性能解决方案。” 开发工具 PIC32A MCU由MPLAB® XC32编译器、MPLAB Harmony嵌入式软件开发框架以及dsPIC33A Curiosity 平台开发板（EV74H48A）和PIC32AK1216GC41064通用DIM（EV25Z08A）提供支持。为支持功能扩展，Cu...
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2025/3/18 13:17:01
半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布推出专为1.2V SoC应用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容，此产品的面世将进一步强化兆易创新在双电压供电闪存解决方案领域的战略布局。凭借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分满足市场对于嵌入式存储解决方案日益增长的需求，成为智能可穿戴设备、医疗健康、物联网、数据中心及边缘人工智能应用的理想选择。 GD25NE系列SPI NOR Flash的核心供电电压为1.8V，IO接口电压为1.2V，支持单通道、双通道、四通道、双沿四通道模式，最高时钟频率为STR 133MHz，DTR 104MHz。GD25NE系列的写入时间典型值为0.15ms，扇区擦除时间为30ms，其与常规1.2V单电压供电的Flash解决方案相比，数据读取性能提升了20%，写入速度提升60%，擦除时间缩短30%。凭借这些技术优势，GD25NE系列成为新兴嵌入式应用的卓越之选。为进一步满足能耗敏感型应用的需求，GD25NE系列采用超低功耗设计。其深度睡眠功耗电流低至0.2µA，在双沿四通道104MHz频率下的读取电流低至9mA，擦写电流低至8mA。与传统的1.8V Flash解决方案相比，GD25NE系列的1.2V IO接口设计可将功耗降低50%。这一优化的电源架构不仅显著提升了能效，还保持了Flash器件的高性能表现，同时简化了SoC的系统设计。“GD25NE系列作为双电源SPI NOR Flash品类的代表，实现了高性能与超低功耗的完美平衡，”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“凭借显著降低的功耗、更快的读取速度以及更高的擦写效率，GD25NE系列能够满足新一代1.2V SoC持续演进的需求。未来，兆易创新还将不断拓展双...
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2025/3/17 13:28:28