Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车 (EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或 TVS 元件。TPSMB 非对称 TVS 二极管系列为 SiC MOSFET 栅极驱动器提供卓越的保护，与传统硅基 MOSFET 或 IGBT 相比，SiC MOSFET 栅极驱动器的开关速度更快，因此容易发生过压故障。TPSMB 系列独特的非对称设计支持SiC MOSFET不同的正负栅极驱动器额定电压，确保在使用 SiC MOSFET的各种苛刻汽车电源应用中实现更高性能，这些应用包括：车载充电器 (OBC)电动汽车牵引逆变器输入/输出接口Vcc 总线这些应用要求SiC MOSFET栅极驱动器具有高性能过压保护(OVP)，以确保最佳性能、寿命和效率。Littelfuse 保护业务产品管理总监 Charlie Cai 在强调该产品为汽车工程师带来的价值时表示：“TPSMB非对称TVS二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器保护提供了创新解决方案，无需使用多种元件，简化了工程师的设计流程。其紧凑、可靠的设计可确保关键汽车电源系统免受过压故障的影响，为电动汽车和其他高性能应用的持续发展提供支持。”TPSMB非对称系列表面贴装TVS二极管具有以下主要特性和优点：单元件SiC MOSFET栅极驱动器保护：取代多个齐纳或TVS二极管，简化设计并减少元件数量；非对称栅极驱动器电压保护：专为保护SiC MOSFET栅极驱动器而设计，这些驱动器需要...
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2025/1/8 16:20:36
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车 (EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或 TVS 元件。TPSMB 非对称 TVS 二极管系列为 SiC MOSFET 栅极驱动器提供卓越的保护，与传统硅基 MOSFET 或 IGBT 相比，SiC MOSFET 栅极驱动器的开关速度更快，因此容易发生过压故障。TPSMB 系列独特的非对称设计支持SiC MOSFET不同的正负栅极驱动器额定电压，确保在使用 SiC MOSFET的各种苛刻汽车电源应用中实现更高性能，这些应用包括：车载充电器 (OBC)电动汽车牵引逆变器输入/输出接口Vcc 总线这些应用要求SiC MOSFET栅极驱动器具有高性能过压保护(OVP)，以确保最佳性能、寿命和效率。Littelfuse 保护业务产品管理总监 Charlie Cai 在强调该产品为汽车工程师带来的价值时表示：“TPSMB非对称TVS二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器保护提供了创新解决方案，无需使用多种元件，简化了工程师的设计流程。其紧凑、可靠的设计可确保关键汽车电源系统免受过压故障的影响，为电动汽车和其他高性能应用的持续发展提供支持。”TPSMB非对称系列表面贴装TVS二极管具有以下主要特性和优点：单元件SiC MOSFET栅极驱动器保护：取代多个齐纳或TVS二极管，简化设计并减少元件数量；非对称栅极驱动器电压保护：专为保护SiC MOSFET栅极驱动器而设计，这些驱动器需要...
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2025/1/3 11:21:35
圣邦微电子推出 SGM8431-1Q，一款高输出电流、轨至轨输入/输出、单 CMOS 车规级运算放大器。该器件可广泛应用于汽车应用中的多种场景，包括但不限于振荡器激励驱动器、电机驱动器、扬声器驱动器，以及 4mA 至 20mA 传输器。SGM8431-1Q 是一款专为汽车领域设计的单通道、轨至轨输入/输出、高电压和高输出驱动能力的 CMOS 运算放大器。这款器件针对 4.5V 至 36V 的单电源高压工作环境进行了特别优化，能够提供至少 400mA 的峰峰输出电流。针对混合动力汽车和电动汽车中电机驱动器的旋转变压器励磁需求，SGM8431-1Q 以其高电压和高输出电流的特性，特别适合于这些应用。在这些应用中，SGM8431-1Q 能够有效替代传统的由运算放大器和功率晶体管组成的复杂旋转变压器励磁驱动器，简化系统设计。经过 AEC-Q100 认证的 SGM8431-1Q，确保了其在汽车应用中的可靠性和耐用性。该器件采用符合环保理念的 TO-252-5 封装，并且能够在 -40℃ 至 +125℃ 的宽温度范围内稳定工作，满足汽车行业对高性能运算放大器的严苛要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/2 13:41:20
据SemiAnalysis报道，英伟达已经完成升级版Blackwell GPU，即B300芯片的流片，并透露了改进版的Grace-Blackwell组件，即GB300。报告指出，B300设计目标与B100和B200使用的相同，即台积电的4NP 4nm标称制造工艺。然而，对设计的调整使得其FLOPS性能比B200高出多达50%。B300 GPU还使用12层HBM3E DRAM，使得每块GPU的内存容量增加到288GB，尽管内存带宽仍保持在每块GPU 8TB/s。英伟达于2024年3月推出B100、B200 Blackwell GPUs和GB200组件，后者配备一个基于ARM的CPU加上两个GPU。原始Blackwell部件的推出因服务器机架中GPU过热而蒙上阴影。然而，机架的设置、液冷的使用，内部热监控以及性能管理技术都很复杂，需要超大规模客户和机架供应商进行大量配置和迭代的工作。运行温度更高SemiAnalysis表示，B300系列Blackwell部件的热设计预算增加到每CPU 1.2kW——相比之下B200 为1kW，并且具有更大的内存容量，非常适合推理应用。制造芯片的前沿晶圆通常在生产线上花费约三个月的时间，加上晶圆级测试、封装和组件测试的时间，通常决定了从流片到芯片发货的最低周期为六个月。据SemiAnalysis称，B300在封装上与B200/GB200有一些不同。据报道，英伟达将仅提高“SXM Puck”模块上的B300和BGA封装中的Grace CPU，让客户在计算板上采购更多组件。推荐的主机管理控制器 (HMC) 来自初创公司 Axiado，第二层内存是LPCAMM模块，可能来自美光。英伟达CEO黄仁勋将于2025年1月7日在拉斯维加斯举行的消费电子展上发表主题演讲，届时他可能会借此机会确认B300。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版...
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2025/1/2 13:36:36
看来英特尔准备在新一代产品中进一步提升VRAM容量，有消息称英特尔计划明年推出一款24GB Battlemage GPU。泄露的清单表明BMG-G21芯片上采用翻盖设计，理论上可容纳12个16Gb GDDR6模块。由于该报告声称这款GPU面向专业人士，因此它很可能是英特尔的Pro系列或Flex系列的指定产品。英特尔12月正式向主流市场推出Battlemage系列，包括Arc B580和即将发布的Arc B570。在这些GPU中，B580受到热烈欢迎；需求持续超过供应，以至于英特尔现在承诺每周补货以保持库存。传闻称英特尔至少准备了三种Battlemage芯片：BMG-G31、BMG-G21和BMG-G10。BMG-G21为Arc B580提供支持，包括192位接口和20个Xe2核心。业内人士称，英特尔计划在2025年推出一款配备24GB VRAM的专业GPU。所谓“专业”表明这款GPU并非针对主流市场；很可能是基于Alchemist的Flex系列或Pro系列的继任者。该GPU的目标用户群体包括数据中心、边缘计算、科学研究和个人开发。发货记录显示，英特尔一直在运送一款基于BMG-G21的GPU，采用翻盖配置的内存进行测试。作为参考，英特尔目前在Arc Pro系列中的旗舰产品Arc Pro A60拥有12GB VRAM。显存容量在训练AI模型和LLM（大语言模型）推理中起着巨大作用。当前竞争对手的容量高达48GB，比如AMD的Radeon W7000 GPU和英伟达的Ada Lovelace工作站卡。值得注意的是，英特尔BMG-G21是与英伟达RTX 4060竞争，而不是RTX 4090或RTX 6000 Ada。而且更现实的竞争对手可能是配备16GB的英伟达RTX 2000 Ada或配备8GB内存的AMD Radeon Pro W7600。3免责声明：本文为转载文章，转载此文目...
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2025/1/2 13:34:47
PC等终端产品需求缺乏，导致DRAM价格连续3个月下跌，跌幅扩大。因需求低迷，导致在智能手机、PC、数据中心服务器上用于暂时存储数据的DRAM价格继续下跌。11月份DDR4 8Gb批发价(大宗交易价格)为每个1.9美元左右，容量较小的4Gb价格为每个1.46美元左右，比上个月下跌4%，连续第3个月下跌，跌幅比9-10月的3%呈现扩大。DRAM需求中，约50%来自PC和服务器、约35%来自智能手机。库存下降，不过中国市场的终端产品销售放缓，持续为买方市场。存储厂商无法以强硬的姿态进行涨价谈判。AI用HBM供应追不上需求，然而HBM供应开始稳定，很难按照存储厂商预定的价格进行交易。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/31 9:40:28
艾诺半导体的ezSiP(System in Package)降压电源模块EZ8828和EZ8836，该系列产品支持单颗最高42V(EZ8836)的输入电压，最大16A(EZ8828)输出电流，同时也可采用多颗EZ8828/EZ8836并联来提升功率等级。适用于测试机、医疗设备、通信基站等领域中使用24V总线供电的较大功率工业应用场景，同时也标志着艾诺半导体对工业、医疗等领域应用的持续拓展和深耕。选择合适的艾诺电源模块可以有效满足有设计时间和空间限制难题的工程师需求，为他们提供高效、可靠的电源管理解决方案。01 EZ8828/EZ8836产品特点· 输入电压范围：4.5 to 32V(EZ8828) 4.5 to 42V(EZ8836)· 输出电压范围：0.6 to 14V(EZ8828) 0.6 to 18V (EZ8836)· 输出电流：双路6A单路并联12A(EZ8836) 双路8A单路并联16A(EZ8828) · 支持I²C数字通信· ±1.2%最大总直流输出精度· 支持差分远端采样· 支持多相均流· 频率可调250kHz~750 kHz· 输出过流、过压保护· 输出过温保护· 额定工作温度范围：-40℃~125℃· 80-Lead 10mm×12.5mm×5.01mm BGA封装02 效率优秀，可靠性高凭借集成技术与卓越的封装工艺，艾诺半导体EZ8826和EZ8836的峰值效率能够达到 96%以上。同时，其特殊的封装材料与形式，一方面有效减小了整体方案的尺寸，另一方面还起到了均匀温升的作用，进而提高了整体的效率和可靠性。不同输入输出电压下的效率数据可参考下图2和...
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2024/12/30 13:21:19
美国柏恩 Bourns 全新扩展其产品线，推出符合 AEC-Q200 标准车规级 HVMA03F40C-ST10S 反激式变压器。该系列专为在紧凑尺寸中实现高功率密度与更高效率而设计，Bourns 持续推出具备更高能力的高隔离反激式及栅极驱动变压器系列产品，以因应当今汽车、工业以及能源储存设计对于功率密度的不断增长需求。Bourns® HVMA 型号变压器的多项特性使其成为电动车、晶体管栅极驱动、高压电池管理系统，以及混合动力车辆中跨电压系统隔离供电的理想解决方案。此外，该系列亦能有效支持宽带隙设计中使用的高频碳化硅 (SiC)、绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 和氮化镓 (GaN) 开关组件。Bourns 在开发微型化磁性结构方面具备成熟的设计技术。此款最新变压器符合 IEC 标准的隔离与高电气间隙/爬电距离要求，并采用尖端的机械与电气设计，有助于提升系统性能与安全性。Bourns® HVMA03F40C-ST10S 提供 10 毫米爬电距离的表贴式封装，设计人员可在现有平台上利用其支持高达 900 V 的工作电压，或简化新平台的设计。此外，此款 3 瓦反激式变压器支援 100 kHz 至 400 kHz 的开关频率范围，以及 -40 °C 至 +155 °C 的工作温度范围。全新 Bourns® HVMA03F4A-LP8S 系列反激式变压器现已上市，符合 RoHS* 标准和 REACH** 规范。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/30 13:18:47
12月26日，市调机构Counterpoint Research在报告中指出，自折叠屏智能手机市场诞生以来，中国市场经历了快速增长，但目前增速有所放缓。预计2024年中国折叠屏手机出货量将达到910万部，同比增长2%。Counterpoint Research表示，在折叠屏手机类别中，大折叠手机的表现优于小折叠手机，这主要得益于大折叠手机提供了更广泛的使用场景。受此趋势影响，OPPO和vivo今年相继停止了小折叠手机的生产。然而，与上面的趋势相反，小米在7月推出了其首款小折叠手机Mix Flip，市场反响热烈。Counterpoint Research认为，尽管中国的折叠屏手机市场增速放缓，但在饱和的智能手机市场中，折叠屏手机市场仍是一个亮点。为了吸引更多消费者并推动更广泛的普及，创新且更具吸引力的使用场景将变得至关重要。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/30 13:14:38
随着尖端代工厂2025年开始使用2nm工艺节点量产芯片，半导体领域正在上演一场激烈的竞争。这恰逢3nm量产的第三年。首批搭载3nm芯片的智能手机是苹果iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max，这两款手机都配备基于台积电第一代3nm节点（N3B）构建的A17 Pro应用处理（AP）。台积电第二代3nm节点（N3E）用于制造iPhone 16系列所用的A18和A18 Pro AP。尽管早前有传言称台积电将使用其2nm节点制造A19系列AP，但明年的iPhone 17系列芯片将采用台积电第三代3nm工艺（N3P）制造。苹果可能希望等到2026年的iPhone 18系列才使用2nm节点制造其A20和A20 Pro AP，以节省费用。使用新工艺节点制造芯片所用的硅片价格通常在该节点使用的第一年更高。全球最大的晶圆代工厂台积电已经在2nm上已有足够的客户。除了其最大客户苹果已全部签约2026年的2nm产能外，台积电的客户如HPC（高性能计算）制造商、人工智能（AI）、芯片制造商和移动芯片制造商也都参与其中。这使得台积电在2nm订单方面领先于英特尔和三星代工厂。除了苹果，其他表示希望搭上购买台积电2nm产能的知名公司包括AMD、英伟达、联发科和高通。过去几年，三星代工厂在4nm、3nm和2nm的良率方面一直存在问题。三星代工厂在为高通生产骁龙8 Gen1时，4nm良率非常糟糕，以至于后来高通放弃三星代工，转而选择台积电。台积电制造了骁龙8+ Gen 1 AP。最终，三星代工厂将4nm 良率提高到70%。然而，三星代工厂在3nm方面仍然存在良率问题，据报道，这导致3nm Exynos 2500 AP的生产延迟。因此，三星可能不得不支付额外的资金，为所有Galaxy S25系列手机配备更昂贵的骁龙8 Elite SoC，而不是其内部的Exynos 2500。低良率会增加...
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2024/12/30 13:13:40
据Counterpoint研究团队表示，2023年第二季2024年第三季，全球智能型手机AP(Application Processor)/SoC芯片市场呈现多元变化，若依各主要芯片供货商今年第三季表现来看，联发科以36%的市场份额居第一，其第三季的整体芯片出货量小幅成长，其中5G芯片组出货量稳定，而LTE芯片组则微幅增长。数据显示，高通市场份额为26%，受季节性因素影响，第三季芯片出货量呈减少，但三星Galaxy Z Flip 6与Fold 6系列将成为Snapdragon 8 Gen 3出货的主要成长动力，且最新推出的Snapdragon 8 Elite芯片，已与多家手机品牌厂商达成设计合作。苹果市场份额为18%，其第三季推出A18芯片组，带动出货量季增，最新i16基础版标配A18芯片，Pro版则搭载A18 Pro芯片，强化高阶市场竞争力。此外，紫光展锐的UNISOC市场份额为11%，第三季出货量呈减少，但凭借强大的LTE产品组合，仍在低阶市场(99美元以下)保持稳定市占率。三星Exynos芯片第三季出货量略有成长，其主要受惠于Galaxy S24 FE搭载Exynos 2400芯片，而Galaxy A55与A35机型的热销，进一步推动Exynos 1480与Exynos 1380的出货表现。Counterpoint表示，随着智能型手机市场逐步复苏，各大芯片厂商正积极调整产品组合与市场策略，以满足不同价位带的市场需求。从高阶产品的技术创新到低阶市场的深度布局，全球智能型手机芯片市场的竞争态势依然激烈。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/27 17:09:05
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出全新高效能、超紧凑型气体放电管 (GDT) 系列。Bourns® GDT21 系列为双电极组件，专为设计于节省空间的表贴式封装，可实现卓越的脉冲电压限制。此全新系列专为空间受限应用的需求而打造，并针对雷击和交流开关负载产生的感应电压提供更高效保护解决方案。Bourns® GDT21 系列采用紧凑的 EIA 1206 封装，具备业界领先的浪涌保护能力，确保在严苛环境中提供稳定可靠的性能。该系列的电压限制功能和快速响应时间，有助于在快速上升的瞬变事件中减少对下游组件的应力。此外，GDT21 系列拥有广泛的工作温度范围 (-40 °C 至 +105 °C) 和电压范围 (150 V 至 600 V)。低电容特性可最大限度降低插入损耗，非常适合在通讯系统中维护信号完整性。同时，该系列可用于工业控制、机顶盒、HVAC 系统、天线等多种设计需求。Bourns 气体放电管与浪涌保护产品线经理 David Chavarría 表示：「全新推出的 GDT21 系列充分展现了我们在微型化高效能电路保护产品领域的不懈努力。透过与客户的紧密合作，Bourns 持续响应应用需求的不断变化，提供卓越的浪涌处理能力、高可靠性和空间高效的解决方案。我很高兴地宣布，Bourns 全新 GDT21 系列成功满足了这些严苛要求。」免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/26 13:22:32
近期英伟达GB200AI服务器出货递延杂音四起，英伟达CEO接受外媒专访时辟谣，表示「GB200正满载生产、进展顺利」，并大赞最新Blackwell平台服务器在推理过程中兼顾高效和节能之余，效能更大增30倍。英伟达CEO直言，「愈来愈多公司争相建置AI能量，三个月的时间差可能就会改变游戏规则。」 业内指出，英伟达出面辟谣，并对Blackwell平台服务器「超强效能」信心喊话，有稳定军心味道，也为鸿海、广达、纬创、英业达等GB200 AI服务器代工厂出货提供信心。鸿海、广达等首批出货GB200 AI服务器的代工厂先前均透露，将于年底前小量出货，明年第1季放量。如今英伟达出面稳军心，代工厂大量认列GB200 AI服务器机柜出货实质营收贡献，可望如先前预期推进。广达指出，高频、高算力服务器产品在验证过程中，从前段芯片组良率到后段装机测试等，一定会出现各式各样问题，供应链势必会一层一层解决，确保量产良率。英伟达Blackwell平台AI芯片正陆续交付，「最强AI芯片」GB200服务器出货放量在即，市场对出货进度关注节节升温。研调机构集邦科技（TrendForce）示警，由于高速互通介面、热设计功耗（TDP）等关键零组件设计规格明显高于主流，供应链需要更多时间调校优化，AI服务器机柜放量出货时程恐递延至明年第2季甚至第3季，比业界预期晚一季到半年。英伟达CEO受访透露Blackwell平台AI芯片出货进展顺利，也点出其超强效能。黄仁勋表示，过去通常需花费数月处理训练模型所需数据，接着再训练模型，透过Blackwell可提升训练模型效率，将时间压缩至原先三分之一到四分之一，假如原先需要六个月，现在仅需耗时一个半月左右。谈及Blackwell推理能力，英伟达指出，推理过程遵循的不是零样本学习或单样本学习，而是长期思考模式，本质上是AI先在脑海中构思各种不同解法，再用更多算力，提...
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2024/12/26 13:19:01
2024年12月23日，中国 – 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) 推出了与高通技术公司(Qualcomm) 战略合作的首款产品，新产品可以简化下一代工业和消费物联网无线解决方案开发过程。此项合作的初期目标是依托意法半导体的强大的STM32生态系统，借助高通技术公司的无线连接解决方案，为消费和工业市场推出无线物联网模块。第一款模块ST67W611M1包含一个 Qualcomm® QCC743 多协议连接系统芯片 (SoC)，预装了 Wi-Fi6、Bluetooth 5.3 qualified和Thread combo协议，可以与任何 一款STM32微控制器 (MCU) 或微处理器 (MPU)轻松集成。该模块将支持Wi-Fi上的Matter协议，可以实现面向未来的无线连接，让STM32产品组合能够顺利进入Matter生态系统。为了方便系统集成，该模块还包含4MB的代码和数据闪存，以及一个40MHz晶振。此外，模块还配有一个集成的PCB天线或微型 RF (uFL) 外部天线连接器。意法半导体微控制器、数字 IC 和射频产品部 (MDRF) 总裁 Remi El-Ouazzane 表示：“我们的合作为使用STM32 系列设计嵌入式系统的广大开发者带来了多重优势。现在，产品开发者可以轻松获得高通的极具影响力和使用广泛的无线连接技术和STM32开发生态系统强大的软件、工具和功能，以及加快项目进度的优势。”高通技术公司连接、宽带和网络业务部总经理Rahul Patel表示：“我们的使命才刚刚开始，我们预计这一合作将会产生更多的成果，为新的边缘处理应用赋能，我们期待与意法半导体继续合作，通过 Wi-Fi、蓝牙、AI、5G等技术为用户带来更多无与伦比的连接体验。”模块内置高级硬件安全功能，包括硬件加密加速...
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2024/12/24 14:19:09
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出 Riedon™ 型号 SSD-500A 系列数字分流传感器，具有 500 安培的额定电流。此系列具备扩展的电气额定值，支持 24 V 的供电电压（典型电流为 15 mA），以满足更广泛的电池相关应用中的高精度检测需求，其应用领域包括大规模能量储存系统、再生能源发电基础设施、工业马达驱动器、建筑自动化系统以及电动车充电站等。Bourns Riedon™ SSD-500A 系列采用先进的基于数字直流分流的电流传感器，为特定恶劣的工业环境提供卓越的精度、稳定性和电气隔离。该系列还配备内建的 24 位模拟数字转换器（ADC），提供即插即用的便利性，使设计人员能迅速将高精度电流测量功能整合到新设计中或改装现有设计。这些基于分流的传感器不仅免除定期校准的需求，并有助于提高能源使用效率。为进一步提升设计灵活性，SSD-500A 系列提供 RS-485 和 CANbus 接口选项。Bourns 全新 Riedon™ SSD-500A 系列数字型分流传感器现已上市，符合 RoHS* 标准。*RoHS 指令 2015/863 之 2015 年 3 月 31 日和附件。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/24 14:17:52
2024年12月20日，中国——为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓(GaN)电源(PSU)的设计，意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装(SiP)的谐振转换器参考设计。意法半导体的MasterGaN-SiP在一个封装内整合了GaN功率晶体管与开关速度和控制准确度优化的栅极驱动器。使用高集成度的系统级封装SiP代替采用多个分立元件的等效解决方案，有助于最大限度地提高电源的性能和可靠性，同时加快设计速度，节省PCB电路板空间。新的电源参考设计的目标应用是空间有限、能效至关重要的工业级电源。该电源整合了MasterGaN1L(内置两个650V 150mΩ GaN FET晶体管)与意法半导体的L6599A谐振控制器，峰值能效高于94%，原边无需安装散热器。该电源还集成了意法半导体的SRK2001A同步整流控制器，整体面积紧凑，为 80mm x 50mm，功率密度高达每立方英寸34瓦(W/inch³)。该电源的最大输出电流为10A，在24V直流电压时，输出功率为250W，待机电流低于1µA，卓越的节能效果。L6599A和SRK2001A内置的保护功能可以防护过流、短路和过压的冲击，而输入电压监测可确保电源正常启动并提供欠压锁定。EVL250WMG1L现已上市，集成了全部功能，可立即测评电源功能。相关文档全文发布在www.st.com/evl250wmg1l上，可帮助系统设计人员加快GaN电源项目开发进度。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/23 13:53:03
交钥匙触摸控制器是将机械按钮升级为现代触摸按钮或显示屏的一种快速简便的方法。随着12按钮MTCH2120 触摸控制器的推出，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）为设计人员提供了在用户界面上实现触摸按钮功能的直接途径。这款低功耗、耐水的交钥匙触摸器件集成了Microchip统一生态系统，使设计流程更加简便，并促进了其他交钥匙解决方案和基于 MCU 的触摸实施之间的过渡。MTCH2120 是基于 I2C 的触摸控制器系列中的首款产品，支持全面的设计生态系统。MTCH2120可提供稳定的触摸体验，不受噪声事件和湿度的影响，同时具有很高的灵活性，可适应个别产品的要求。低功耗功能可将按钮分组，从而减少扫描活动并降低功耗，同时使按钮保持完全工作状态。MTCH2120 的功能和生态系统包括：轻松调谐功能（Easy Tune）可根据实时噪声评估自动调整灵敏度和滤波器电平，无需进行繁琐的阈值调整一个MPLAB® Harmony 主机代码配置器插件，无需在主机上实施I2C协议，可直接连接 Microchip MCU 和 MPU通过 MPLAB 数据可视化工具进行设计验证I2C端口扩展器功能可访问 Microchip 的触摸库并与之兼容，从而最大限度地减少了设计人员对复杂软件工程和固件处理的需求，有助于缩短设计周期MTCH2120 评估板，板载 SAM C21主MCU，可立即集成到原型设计中Microchip开发系统和大学计划副总裁Rodger Richey表示：“MTCH2120 将数十年的触控经验与 Microchip 全面的支持和开发工具生态系统相结合，提供了易于使用的触控体验。这是个双赢的解决方案。开发人员可以实现最高级别的触摸稳健性和极大的设计灵活性，而无需繁琐的调整或编程。”MTCH2120是Microchip MTCH系列中首款采用I2C 的...
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2024/12/23 13:49:23
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，通过AEC-Q200认证的0102、0204和0207封装薄膜MELF电阻推出提高阻值范围的精密版器件--- MMU 0102、MMA 0204和MMB 0207。Vishay Beyschlag 的这三款器件的温度系数（TCR）低至 ± 15 ppm/K，公差仅为 ± 0.1 %，阻值高达10 MW，满足各种应用高稳定性和高可靠性的要求。与之前的薄膜MELF电阻产品相比，日前发布的器件阻值显著提高。例如，TCR为 ± 25 ppm/K、公差为0.1 %的0204封装器件，过去阻值仅为511 kW。而TCR和公差相同的条件下，精密MMA 0204的阻值提高10倍，达到5.11 MW，± 15 ppm/K 更低TCR条件下的阻值为1 MW。由于阻值提高，单个MMA 0204 或MMB 0207可取代多个串联的低阻值器件，不仅节省空间，而且有助于简化设计并降低总成本。精密电阻基于金属膜技术，提高电源电流检测的可靠性，适用于汽车高级驾驶辅助系统（ADAS）、激光雷达、连接和摄像系统以及通信、工业和医疗设备。这些应用环境下，器件设计牢固、具有良好的耐硫能力和出色的整体稳定性，稳定率等级超过0.05。器件适合在自动SMD装配系统上加工，无铅（Pb）电阻符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。器件规格表：
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2024/12/23 13:44:05