美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，宣布推出 BVRA 系列，这是一款符合 AEC-Q200 标准的汽车级多层压敏电阻。该系列新型低压压敏电阻因其改进的能量体积分布和功率损耗设计，具备出色的瞬态能量吸收性能。BVRA 系列专为需要浪涌保护的汽车电路设计，同时也适用于保护其他集成电路和组件，如电源、娱乐电子设备以及基于 CAN、LIN 和 FLEXRAY 协议的模块。Bourns® BVRA系列压敏电阻的工作电压范围为5.5至85 VDC，响应时间小于 0.5 奈秒，有助于确保在瞬态事件中快速转移能量。该系列提供多种紧凑型 0402、0603、0805 和 1206 表面贴装封装，Bourns® 新型压敏电阻还采用了绝缘覆盖层，旨在提高效率并简化集成。此外，这些型号符合 IEC 61000-4-5 标准，并提供稳定的漏电流，确保高可靠性和一致性的过电压保护解决方案。Bourns® BVRA 系列符合 AEC-Q200 标准的汽车级多层压敏电阻现已上市，且符合RoHS*标准，无铅设计。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/11/14 11:22:21
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布，率先在全球范围内推出用于电动汽车（EV）驱动电机系统（E-Axle）的“8合1”概念验证（注）（PoC）方案——通过单个微控制器（MCU）即可控制八项功能。该PoC与尼得科（Nidec）合作开发，集成电机、齿轮（减速机）、逆变器、DC/DC转换器和车载电池充电器（OBC）。此外，系统级测试也已顺利完成，以确保其性能。E-Axle作为电动汽车中的一个单元，集驱动电机、齿轮和逆变器于一体。通过整合多项功能，E-Axle系统能够减小系统尺寸和重量，简化电动车设计。瑞萨为开发这款全新的8合1E-Axle系统提供包括半导体和参考设计在内的关键组件。瑞萨同时计划基于该款PoC的参考设计，为各种“多合1”系统带来一站式半导体芯片及解决方案。借助这些解决方案，开发人员可以立即实施并评估“多合1”系统，从而加快电动汽车的开发。除尼得科的电机和齿轮外，该PoC中的功能还包括瑞萨的逆变器（输出功率70至100kW，最高效率可达99%或更高）、1.5kWDC/DC转换器、6.6kW OBC、配电单元（PDU）、电池管理系统（BMS）以及汽车正温共效率（PTC）加热控制器。一般来说，E-Axle的每种功能都需要一个专用的MCU和电源管理IC（PMIC），以实现对“多合1”系统的控制。而瑞萨成功研发出的这一新型E-Axle系统仅需一个MCU和一个PMIC即可控制整个8合1系统。通过系统集成将这些功能集成到单个MCU，此款PoC可显著缩减元器件数量、系统成本及尺寸。全新PoC经过最佳性能测试，包括众多瑞萨产品：车规级32位MCU RH850/U2B、用于MCU供电的PMIC、隔离栅极驱动器RAJ2930004AGM、用于逆变器的IGBT模块、针对OBC和DC/DC转换器的功率器件。得益于这些创新技术，瑞萨可为客户提供全面的系统与软件支持，以及“多合1”解决方案的关键...
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2024/11/13 11:15:49
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。此次发售的产品包括4款分立封装的产品（TO-247-4L和TO-247N各2款）“RGA80TRX2HR／RGA80TRX2EHR／RGA80TSX2HR／RGA80TSX2EHR”和11款裸芯片产品“SG84xxWN”，预计未来将会进一步扩大产品阵容。近年来，汽车和工业设备朝高电压化方向发展，这就要求安装在车载电动压缩机、HV加热器和工业设备逆变器等应用中的功率元器件也能支持高电压。另一方面，为了实现无碳社会，从更节能、简化冷却机构、外壳的小型化等角度出发，对功率元器件的效率提升也提出了强烈的要求。另外，车载电子产品还需要符合车载产品可靠性标准。不仅如此，在逆变器和加热器电路中，还要求功率元器件在发生短路时能够切断电流，并且需要具有更高的短路耐受能力。在这种背景下，ROHM通过改进器件结构，并采用合适的封装形式，开发出支持高电压、并实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT新产品。第4代1200V IGBT通过改进包括外围结构在内的器件结构，不仅实现了高达1200V的耐压能力和符合车载电子产品标准的可靠性，还实现了10µsec.（Tj＝25℃时）的业界超高短路耐受能力以及业界超低的开关损耗和导通损耗特性。另外，新产品采用4引脚TO-247-4L封装，通过确保引脚间的爬电距离*4，可在污染等级为2级的环境*5中支持1100V的有效电压，与以往产品相比，可支持更高电压的应用。由于爬电距离对策是在器件上实施的，因此也有助于减轻客户的设计负担。此外，TO-247-4L封装产品通过增加开尔文发射极引脚*6，还实现了高速开关和更低损...
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2024/11/13 11:08:06
数据中心目前占全球能源消耗的2%以上。在人工智能的推动下，预计到2030年，这一数字将增长到7%左右，相当于整个印度目前的能耗。实现从电网到核心的高效功率转换对于实现卓越的功率密度至关重要，从而在降低总拥有成本（TCO）的同时提高计算性能。因此，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）将推出TDM2354xD和TDM2354xT双相电源模块，具有出色的功率密度，适用于高性能AI数据中心。这些模块实现了真正的垂直功率传输（VPD），并提供了业界的电流密度1.6A/mm2。英飞凌在今年早些时候还推出了TDM2254xD双相功率模块。英飞凌科技公司电源IC副总裁Rakesh Renganathan表示：“我们很自豪能够使用我们的TDM2354xT和TDM2354xD VPD模块助力高性能AI数据中心。这些半导体器件将凭借英飞凌的商标质量和稳健性更大程度地提高系统性能，从而为数据中心实现更佳TCO。我们行业的功率器件和封装技术，结合我们广泛的系统专业知识，将进一步推进高性能和绿色计算，作为我们推动数字化和脱碳使命的一部分。”通过采用英飞凌强大的OptiMOS™ 6沟道技术、芯片嵌入式封装（通过提高电气和热效率实现超高功率密度），以及新型电感器技术，TDM2354xD和TDM2354xT模块的外形变得更薄，进而实现了真正的垂直功率传输。这两款模块也因此树立了功率密度和质量的新标准，更大程度地提高了AI数据中心的计算性能和效率。TDM2354xT模块支持的最大电流为160 A，是业内首款采用8 x 8 mm² 小外形尺寸的跨电感稳压器（TLVR）模块。两款模块在与英飞凌的 XDP™控制器相结合后，可提供极快的瞬态响应，并且最多可将板载输出电容降低50%，进一步提高了系统功率密度。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文...
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2024/11/11 13:12:23
近日，全球物联网整体解决方案供应商移远通信宣布，正式发布其全星系多频段高精度GNSS模组LG580P。该模组具备高精度、高稳定性、低功耗等特点，并支持20Hz RTK + Heading 更新频率，为智能机器人、精准农业、测量测绘、自动驾驶等高精度导航应用场景带来了全新解决方案。与单天线、高精定位GNSS模组LG290P相比，LG580P同时支持高达20Hz的RTK高精度定位和双天线定向解算，可实现0.8cm+1ppm高定位精度以及0.1/米的高定向精度，更加适用于高动态下的定位和定向场景。卓越的高精度定位定向能力LG580P是一款支持RTK高精度定位和双天线定向的GNSS模组，具备同时接收GPS、GLONASS、Galileo、BDS、QZSS 和 NavIC 全卫星系统的L1、L2、L5多频段信号的能力，并兼容多个 SBAS（星基增强系统），包括WASS、EGNOS、BDSBAS、MSAS、GAGAN 和 SDCM，确保了该模组在全球范围内的广泛覆盖和高精度定位。LG580P采用双天线技术，内置RTK算法，不仅支持厘米级高精度定位，还支持0.1°级高精度定向，能够很好地满足机器人、测量测绘等场景对于高精度定位及定向的需求。与此同时，该模组还支持高达20 Hz的更新频率，从而进一步提升高动态定位定向场景的适用性、增强客户产品稳定性、加快响应速度，为用户带来更好的定位定向体验。在RTK+ Heading算法的加持下，经测试，在户外开阔天空、使用高精度有源GNSS天线、基线长度小于1公里的场景下，LG580P的水平定位精度为0.8cm+1ppm，高程定位精度为1.5cm+1ppm，定向精度为0.1°（双天线基线1m）。强大的抗干扰能力与安全保障在硬件设计上，该模组内置专业级干扰信号检测和NIC 抗干扰单元，可抑制多路窄带干扰，能够显著提升其在复杂电磁环境下...
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2024/11/11 11:57:26
2024 年 11 月 5 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出RA8E1和RA8E2微控制器（MCU）产品群，进一步扩展其业界广受欢迎的MCU系列。2023年推出的RA8系列MCU是首批采用Arm® Cortex®-M85处理器的MCU，实现市场的6.39 CoreMark/MHz（注）性能。新款RA8E1和RA8E2 MCU在保持同等性能的同时，通过精简功能集降低成本，成为工业和家居自动化、办公设备、医疗保健和消费品等大批量应用的理想之选。RA8E1和RA8E2 MCU采用Arm Helium™技术，即Arm的M-Profile矢量扩展，与基于Arm Cortex-M7处理器的MCU相比，在数字信号处理器（DSP）和机器学习（ML）应用层面实现高达4倍的性能提升，使得快速增长的AIoT领域应用成为可能——在这一领域，高性能对于AI模型的执行至关重要。RA8系列产品集成低功耗特性和多种低功耗模式，在提供业界性能的同时，可进一步提高能效。低功耗模式、独立电源域、更低的电压范围、快速唤醒时间，以及较低的典型工作和待机电流组合，使得系统整体功耗更低。帮助客户降低整体系统功耗并满足相关法规要求。新款Arm Cortex-M85内核还能以更低的功耗执行各种DSP/ML任务。RA8系列MCU由瑞萨灵活配置软件包（FSP）提供支持。FSP带来所需的所有基础架构软件，包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和TrustZone支持，以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件，从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成，为应用开发打造充分的灵活性。借助FSP，可轻松将现有设计迁移至新的RA8系列产品。Daryl Khoo, Vice President of ...
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2024/11/11 11:54:15
据 Semafor报道，美国国会议员正在秘密讨论如何帮助英特尔渡过难关的方案。方案包括提供资金和政策支持，甚至包括推动英特尔考虑与AMD和 Marvell 等竞争对手合并。报道称英特尔正在面临前所未有的财务挑战，英特尔第三季度亏损了惊人的166亿美元（ 1178亿人民币 ），净利润同比骤降了6064.76%。同时将裁员人数增加了约 10%，达到 16500 名员工。英特尔作为唯一 一 家既设计又制造领先芯片的美国公司，美国当然不会袖手旁观。如果英特尔倒闭，那么美国将不得不依赖台积电和三星最先进的芯片。更重要的是，英特尔是美国最大的出口商之一，2023年的出口收入超过400亿美元（2840亿元人民币）；此外，英特尔还与五角大楼的 Secure Enclave 计划合作，为军队制造尖端芯片。加之美国与中国在半导体领域的竞争，美国是绝对不会让英特尔倒闭的。因此美国政府正在与英特尔进行谈判，探讨多种挽救方案。美国政策立法者总结2008年为克莱斯勒和通用汽车救助时的经验，不会考虑为英特尔提供一次性救助，而是让英特尔尝试自救。也就是推动英特尔考虑与AMD和 Marvell 等竞争对手合并，整合资源，降低成本提高竞争力。如果合并的话，英特尔的代工业务基本不变，主要影响的是芯片设计业务。当然，不是说合并就能合并的。除了需要双方达成共识外，还需要经过监管机构的审批和市场的认可。此外，合并后的企业文化融合、业务整合等问题也是不容忽视的挑战。那曾经的PC霸主，为何沦落到濒临破产的局面？英特尔从巨头陨落并非一朝一夕。业界人士分析，主要有以下原因：1、失去智能手机市场2000年代，苹果推出了iPhone，谷歌推出了Android，迅速占据了市场。同时，高通等竞争对手专注于开发适合移动设备的低功耗芯片。英特尔拒绝生产 iPhone 处理器，认为无法获得足够的利润。相反，苹果使用基于 Arm Holdi...
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2024/11/11 11:33:25
3D深度传感器在车载监控系统中发挥着重要作用，能够实现创新的汽车座舱、与新服务的无缝连接，以及更高的被动安全性。它们对于满足欧洲新车评估计划（NCAP）的要求和安全评级，以及实现卓越的舒适性功能至关重要。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）专为汽车应用开发了高度集成的IRS9103A垂直腔表面发射激光器（VCSEL）驱动器集成电路（IC）。结合英飞凌的REAL3™图像传感器，这款车规级激光二极管驱动器IC可实现尺寸更小、成本更低、性能更强大的3D摄像头模块设计。英飞凌科技环境传感产品线副总裁 Andreas Kopetz 表示：“消费电子中的标准产品也可用于汽车飞行时间（ToF）应用。现在只需一个元件就能代替原本驱动激光照明源的四个分立关键元件。这不仅更大程度地简化了设计，尽可能减少了材料用量和模块尺寸，同时还提高了性能和稳健性。”该驱动器IC将低压差分信号（LVDS）接收器、栅极驱动器和开关元件集成在一个1.35 x 1.35 mm²的微型晶圆级封装中，且符合AEC-Q100 2级标准。该IC可完全由现有的3.3 V成像仪电源供电，因此无需为分立栅极驱动器增加5 V电压轨。这款产品支持10 A驱动器电流和14 V激光二极管电压，可在最高130 MHz的调制频率下驱动两个三结VCSEL。内置的故障安全机制（如欠压和过热保护）以及脉宽调制器与英飞凌REAL3™图像传感器的组合，为眼部安全3D ToF摄像头模块提供了理想的封装。除了缩小占板面积之外，将四个符合AEC-Q100标准的关键元件减少至一个还带来了其他优点，例如简化设计、减少开发工作量等。此外，新产品还降低了元件公差，使电气性能与光学性能之间的转换变得更加高效、稳健，提高了供应的可靠性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多...
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2024/11/8 11:48:44
2024年11月4日，中国 — 意法半导体新推出一款增强版移动数据通信模块，可简化大规模物联网设备的连接和管理，加快可持续智能电网和智能产业的应用。ST87M01模块平台通过了NB-IoT认证，可选装ST4SIM嵌入式SIM (eSIM)卡，以便接入移动网络服务。此外，该系列模块现在还预装了Vodafone网络配置文件，因此，客户可以快速轻松地接入网络覆盖面极大的Vodafone全球移动网络。 此外，意法半导体还在同一模块中增加了无线M-Bus (wM-Bus) 连接功能，为收集居民水电燃气的使用数据提供了一个额外的标准化的备用信道。在移动通信网络中断的情况下，无线M-Bus可以用作备用网络连接。无线M-Bus提高了抄表的灵活性，抄表员可以根据需要选择开车上门抄表和在办公室远程抄表。市场领先的智能水表创新公司Maddalena S.p.A选用了ST87M01设计在其最新的高端水表产品线，加快尖端水表解决方案的开发周期。Maddalena S.p.A.首席技术官Filippo Fontanelli表示：“通过与意法半导体合作，我们能够集成先进的NB-IoT物联网技术，选用这个市场上屈指可数的开箱即用的尺寸紧凑的具有NB-IoT认证的移动连接功能的工业级模块。通过采用这个解决方案，我们的新电表能够加快客户的智能电网部署。这一合作突显，技术领域，合作伙伴关系越来越重要，让我们能够提供可靠、高性能的解决方案，满足市场不断变化的需求。”意法半导体特定应用产品 (ASP) 部门总经理Domenico Arrigo表示：“与集成一种连接技术的解决方案相比，在同一模块内整合eSIM和NB-IoT两种连接技术的解决方案可以简化系统管理，降低系统成本，同时保护数安全，并增加一道额外的安全保护。ST87M01为客户提供了加载Vodafone移动网络配置文件的便捷选项，为希望大规模部署总...
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2024/11/6 11:09:32
株式会社村田制作所（以下简称“村田”）开发了一种“可伸缩电路板”（以下简称“本产品”），即使电路板弯曲和拉伸，电路也能正常工作，确保高可靠性。它有望用于粘贴在身体表面收集生物信息的医疗和保健用可穿戴设备等，因其可伸缩性，可在提供较舒适的粘贴感的同时实现高精度数据收集。村田可根据所需规格进行定制设计、试制、验证及批量生产。为收集高精度生物信息做贡献主要特点伸缩性：薄、柔软且伸缩性好的材料，给被测人员带来的不适感和负担也较轻可靠性：依靠特有的电路板设计，实现了高绝缘性和可靠性定制性：可根据所需规格检测多种项目近年来，在医疗领域，为了做出更准确的诊断，除了在医院里进行的精密检查之外，在日常生活中持续收集的生物信息也变得越来越重要。从预防生活方式相关疾病和社会性压力引起的疾病的角度来看，生物信息的日常管理也很重要。但是，以前的生物监测存在人体移动时传感器可能会脱落、损伤婴儿和老年人的纤细皮肤等担忧。此外，身体移动和外部干扰噪声导致测量数据不准也是一个问题。在高湿度环境下使用被作为伸缩基材而广为人知的TPU（热塑性聚氨酯弹性体）时，存在绝缘性能不足和发生离子迁移(1)的风险。因此，村田通过优化材料、设计和工艺技术，开发了本产品，即使在弯曲和拉伸时，其电极和布线也不会失去导电性。这是一种柔软且能伸长的电路板，因此即使安装在活动部位上，它也能追随身体的运动并维持紧密贴合状态，从而使佩戴的感觉更加舒适。此外，通过将运算放大器放置在电极附近并形成具有多层结构的屏蔽层，可以抑制由于弯曲和拉伸而引起的噪声以及外部干扰噪声的混入而引起的信号干扰。此外，村田通过使用即使在高湿度下也能保证高绝缘性的基材，采取措施来预防使用TPU电路板时产生布线之间绝缘性不足的问题。因此，能在保持功能性和安全性的同时让电路工作。村田开发本产品，致力于帮助解决心电图和脑电波等生物信息的监测、可穿戴治疗设备上的应用等医疗和...
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2024/11/5 13:15:36
供应链透露，三星电子和铠侠均计划在第四季度缩减NAND闪存产量。这表明，尽管AI服务器需求强劲，但整体需求令人失望。人工智能服务器需求旺盛，提振了主要存储制造商的运营，但随着大型云服务提供商逐渐增加库存水平，势头正在减弱。全球两大NAND闪存制造商计划在第四季度减产。减产很可能根据市场情况分阶段进行。重新减产可能意味着未来六个月NAND闪存业务的前景黯淡。年底价格下跌，NAND生产商正在建立更多库存，这引发了对第四季度可能减产的担忧。三星和铠侠合计占据超过50%的市场份额。减产幅度尚未确定，但如果这些减产激发整个行业采取类似行动，NAND价格可能会回升。针对减产传闻，三星透露了部分细节，称无意在第四季度减少NAND产量，但将根据市场情况灵活调整。三星每年年底都会进行组织调整，由于2024年半导体部门盈利表现惨淡，存储器行业竞争压力加大，大幅改组和大规模人员调动在所难免。2022年行业大幅度减产，三星试图通过逆势降价来赶走竞争对手，却是最后一批跟进的企业之一，导致库存调整期最长，盈利复苏不如竞争对手。虽然三星内部仍在讨论削减产能，要等到新的人事决定做出后才能确定。业界认为，三星已经从错误中吸取了教训，并改变了市场策略，积极应对低需求，确保了在存储领域的领导地位。铠侠由于担心库存上升，以及为应对生成性AI浪潮，2025年大规模生产第八代NAND设备，计划在第四季度减少产量，以避免产能过剩问题。业界观察，PC、移动及消费产业出货量维持低迷，服务器需求相对稳定，不过经过一年多云服务商持续补货，今年下半年起订单动能已有所放缓，大中华区云客户也已在第三季前抢先囤货，以降低地缘政治风险。NAND制造商面临的最紧迫问题是库存控制。由于该行业预期制造商将降价，库存成本上升可能会破坏定价策略并产生过剩供应压力。系统运营商和主要CSP预计价格会下降，导致对短期订单持谨慎态度，这可能会形成恶性循环...
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2024/11/4 11:39:02
针对手机摄像头的拍照应用，美芯晟最新推出了支持ALS和Flicker的小尺寸闪烁光传感器芯片MT3211，可检测环境中闪烁光的干扰频率，避免摄像头拍照时图片产生干扰条纹，在各种光照条件下都能自动实现出色、精准的白平衡点，从而获得出色的拍摄效果。产品特性采用全镀膜方案，支持ALS 和Flicker检测采用OLGA6封装，尺寸仅为2mm×1mm×0.5mm芯片检测灵敏度低至0.1m lux/lsb，适合暗光下检测Flicker检测频率支持最大10kHz，采用独立检测通道，内置高达1KB的FIFO存储空间芯片接口管脚支持1.8V/1.2V电压，适用于1.2V新平台技术亮点■ 精确测量MT3211内部集成高精度光电二极管阵列，光电信号经过专用的模拟-数字转换器，产生高精度的信号数据。此架构对环境光强度和Flicker数据可进行实时精确测量。■ 增益设置MT3211的增益设置允许芯片根据输入信号的强弱来选择最适合的增益级别，从而优化信号的线性度和信噪比。■ 温度计功能该芯片集成了高精度温度计功能，能够实现实时监控芯片的工作温度。此功能不仅提高了系统的可靠性，还支持温度补偿，使芯片在不同温度条件下都能保持稳定的性能。■ 超低功耗通过优化内部电路架构和采用功耗管理策略，MT3211在保持高性能的同时，实现了极低的静态和动态功耗，sleep功耗低至0.35µA，非常适合对功耗敏感的移动端设备。在手机领域，公司凭借持续创新，开发了窄缝环境光和接近传感器、屏下色温和接近传感器、闪烁光传感器和激光测距传感器四个产品系列，已覆盖LCD屏幕应用、OLED屏幕应用、后置摄像头应用等在内的多样化场景，并接连进入多个国内外知名手机品牌客户。此外，公司持续深化手机产业链上下游布局与发展，继续向手机端多细分场景拓展，并将逐步完善多光...
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2024/11/1 13:22:24
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列新型浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL高能系列器件最大能量吸收能力达340 J，比高环境温度下竞品器件高五倍，在25 °C（R25）条件下阻值范围宽，具有高电压处理能力，可提高汽车和工业应用中有源充放电电路的性能。日前发布的热敏电阻R25阻值为150 W至1.5 kW，可实现更高效率，并处理高达1200 VDC的最高电压。器件在更高环境温度下的能量吸收能力高——85 °C下高达180 J，105 °C下高达130 J——设计人员可通过减少电路中使用的元件而节省空间并降低成本。PTCEL高能系列支持较高的开关温度，工作温度高达+105 °C，所有阻值的热容达2.6 J/K。该热敏电阻符合AEC-Q200标准并具有自我保护能力——没有过热风险—— 在AC/DC和DC/DC转换器；DC-Link、电池管理和紧急放电电路；车载充电器；家用储能系统；热泵；电机驱动器和焊接设备中提供限流和过载保护。在这些应用中，器件可承受超过10万次浪涌功率循环，以及在25 kW非开关峰值功率下具备高度迅速的恢复能力。PTCEL高能系列钛酸钡热敏电阻由焊接在两根镀锡CCS引线之间的陶瓷芯块组成，并涂有符合UL 94 V-0标准的高温硅酮漆。器件采用编带和卷盘包装，可使用取放设备自动处理，以降低放置成本。热敏电阻采用10 mm的标准引线间距，也可采用5.0 mm和7.5 mm的引线间距。符合RoHS标准的器件提供SPICE和3D模型。可提供符合RoHS规范的SPICE和3D模型。器件规格表：免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联...
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2024/11/1 11:58:39
全球最大的存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片，以在人工智能（AI）热潮中引领快速增长的存储设备市场。根据三星的存储芯片发展规划，其负责半导体业务的设备解决方案部门（DS）目标是最早在2026年生产出至少有400层单元垂直堆叠的V-NAND，以最大限度地提高容量和性能。三星目前批量生产286层大容量V9 NAND闪存芯片。在现有的NAND芯片中，存储单元堆叠在外围设备的顶部，其功能相当于芯片的大脑。然而，堆叠300层或更高存储单元往往会损坏外围设备。在V10 NAND中，三星计划采用创新的键合技术，在不同的晶圆上分别创建单元和外围设备，然后进行键合。三星表示，这种方法将实现“超高”NAND堆叠，具有大存储容量和出色的散热性能，是AI数据中心使用的超大容量固态硬盘（SSD）的理想选择。据三星称，这种芯片被称为键合垂直NAND闪存或BV NAND，是“AI的理想NAND”。2013年，三星在业内率先推出垂直堆叠存储单元，从而开创了V NAND芯片的先河，实现了容量的最大化。据三星称，其BV NAND可将单位面积的比特密度提高1.6倍。三星的目标是在2027年推出V11 NAND，将数据输入和输出速度提高50%，从而进一步发展堆叠技术。该公司还计划推出SSD订购服务，目标客户是希望管理AI半导体投资高成本的科技公司。到2030年，NAND芯片将超过1000层三星誓要巩固其在大容量、高性能NAND闪存市场的领导地位。基于NAND的存储设备竞争非常激烈，因为AI芯片侧重于推理，而推理需要大容量的存储设备来存储和处理图像及视频。NAND闪存是一种非易失性存储芯片，即使在电源关闭时也能存储数据。它目前用于智能手机、U盘和服务器等设备。根据市场追踪机构TrendForce的数据，截至第二季度，三星已成为NAND领域的主导企业，控制着全球36.9%的市场份...
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2024/11/1 11:51:46
Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，进一步壮大其不断扩展的电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基于GaN的反激式转换器而设计，用于PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式插座、条形插座、工业电源和辅助电源等设备以及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用。NEX806xx/NEX808xx是准谐振/多模反激式控制器，可在宽VCC范围(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自适应同步整流控制器。这些IC可与Nexperia的NEX52xxx PD控制器和其他分立功率器件结合使用，提供全套反激式转换器解决方案，该解决方案优化了电流检测电压电平，并采用了PFM模式、有利于降低待机功率并在整个负载范围内实现高效率。初级侧控制器可用于直接驱动硅MOSFET或GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)，有助于提高功率密度，而同步整流(SR)控制器采用创新的自适应控制方法，消除开关器件误导通的可能性，从而提高整体系统的可靠性。该系列反激式控制器IC采用TSOT23-6倒装芯片封装，具有更好的热性能，还有助于防止意外触发过温保护(OTP)功能。控制电路还包括额外的保护功能，因此非常适合用于消费和工业反激式电源设计。关于NexperiaNexperia总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有14,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有商业电子设计的基本功能提供支持。 Nexperia为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的...
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2024/10/31 13:15:33
近日，市场研究机构Yole Group最新的报告显示，目前半导体行业正处于强劲的上升轨道上，预计到 2024 年全球晶圆厂设备 （WFE）收入将达到 1330 亿美元，同比增长 19%。其中，其中83%来自设备出货，17%来自服务和支持。但是不同设备细分市场的增长将有很大差异。Yole Group 分析师将2024年WFE市场的增长主要归因于市场对面向生成式AI的DRAM/HBM 和处理器的投资增长，而 NAND Flash的资本支出仍然疲软，传统逻辑和专业市场的资本支出则面临潜在风险。在这种不确定的环境中，WFE 供应商正在通过使其应用组合多样化来维持或提高其收入水平，从而应对不均衡的资本支出。从更长的时间周期来看，Yole Group预计到2029年，全球总体WFE收入预计将达到1650亿美元。“其中，WFE 出货量预计将增长到 1390 亿美元，复合年增长率为 +4.7%。这部分显然是由 存储和逻辑芯片的设备架构变化驱动的。与此同时，服务和支持部分将产生270亿美元的收入，复合年增长率为+3.3%。事实上，它是由安装基础利用率的激增和机械复杂性的增加推动的。”值得一提的是，从区域营收来源看，在 2023 年和 2024 年，中国大陆将成为最重要的WFE设备发货目的地，占 WFE 市场总收入的三分之一。从头部供应商营收来看，总部位于美国的公司传统上在营收方面整体处于地位。目前，WFE 市场领导者是 ASML、应用材料 （AMAT）、泛林集团（Lam Research）、Tokyo Electron Limited （TEL） 和 科磊（KLA）。Yole Group 的 Taguhi Yeghoyan 解释说：“应用材料公司在 2023 年排名第二，并通过应用组合差异化实现了销售额增长。其他企业的收入在 2023 年有所下降（与 NAND 需求下滑相关），但在 2024...
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2024/10/30 11:30:29
在电机驱动和开关模式电源（SMPS）等电池供电应用中，电源架构通常要求在模块发生故障时能够断开该模块与主电源轨的连接。为实现这一功能，往往会采用MOSFET等高边断开开关，以防止负载短路影响电池。英飞凌科技股份公司推出EiceDRIVER™ 1EDL8011，这款高边栅极驱动器能够在发生故障时保护电池供电应用，例如无绳电动工具、机器人、电动自行车、吸尘器等。该半导体器件具有高栅极电流能力，可实现高边N沟道MOSFET的快速导通和关断。它由一个集成电荷泵和一个外部电容器组成，可提供强大的启动能力。当工作输入电压较低时，内部电荷泵就会提供MOSFET栅极电压。该栅极驱动器IC可管理浪涌电流并提供故障保护。其输入电压欠压锁定（UVLO）保护功能可防止器件在危险条件下工作。该驱动器采用 DSO-8 封装，非常适合空间有限的设计。它包含了过流保护（OCP）、可调电流设置阈值、时间延迟，以及在 MOSFET 导通转换期间具有灵活消隐功能的安全启动机制。1EDL8011 的工作电压范围宽达8 V至125 V，栅极下沉电流高达1 A，可实现高效开关。此外，该产品的关断模式静态电流低至1 µA，有助于尽可能降低睡眠模式下的功耗。该器件还具有VDS 感应功能，可通过监测断开MOSFET的漏极至源极电压触发过流关断。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/10/30 11:15:29
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值输出电流分别达3 A和4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns。今天发布的光耦合器包含一个AlGaAs LED（该LED通过光学耦合方式连接到具有功率输出级的集成电路，用于太阳能逆变器和微逆变器）、交流和无刷直流工业电机控制逆变器，以及用于UPS中交流/直流转换的逆变级。器件非常适合直接驱动额定值达1200 V / 100 A的IGBT。VOFD341A和VOFD343A支持的工作温度高，这为更紧凑的设计提供了更高的温度安全裕量，而器件的高峰值输出电流无需额外的驱动级即可实现更快开关。器件的传播延迟低，可将开关损耗降至最低程度，同时有助于进行更精确的PWM调节。光耦合器的高隔离封装可支持高达1140 V的高工作电压，因此可用于高压逆变级，同时仍能保持足够的电压安全裕量。这些器件符合RoHS规范，可支持高达50 kV/µs的抗扰，从而防止在快速开关功率级中出现下降函数。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/10/29 10:43:40