KNX20-22A640 是金升阳一款为智能家居、建筑自动化及安全监控等行业开发的导轨式总线电源。产品按照10 年寿命设计（内部电容满足10年寿命），内部集成了扼流圈，另提供一组辅助电源输出，是一款高可靠性、高性价、环保节能的智能电源。一、产品简介KNX20-22A640 是一款为智能家居、建筑自动化及安全监控等行业开发的导轨式总线电源。产品按照10 年寿命设计（内部电容满足10年寿命），内部集成了扼流圈，另提供一组辅助电源输出，是一款高可靠性、高性价、环保节能的智能电源。产品面板配置LED指示灯，可显示各种工作状态（正常运作/过载/复位）。产品符合EN61558 、EN50491安规设计规范，行业标准体积（52.0*90.0*58.2mm），-30℃ to+70℃宽工作温度范围，可满足各种应用场合使用，高达4KVAC隔离电压及安全特低电压（SELV）保证用户安全可靠使用。二、产品应用：广泛应用于智能家居和现代建筑自动化，照明控制，窗帘和百叶窗控制，暖气空调系统，安全监控系统等领域。三、产品特点：● 安全特低电压（SELV）● 输入电压范围：180 - 264VAC/254 - 370VDC● 工作温度范围：-30℃ to + 70℃● 低待机功耗、高效率● 4000VAC 隔离电压● 低纹波噪声● 输出短路、过流、过压保护● 符合EN61558、EN50491认证/标准标准● 满足2000米海拔应用● 总线复位功能● LED工作状态指示，可显示正常运作、过载、复位● 内部集成扼流圈● 导轨安装结构设计● 10 年寿命设计免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/2/5 14:01:46
金升阳LIHF系列增强型高端导轨电源，功率段涵盖240W/480W/960W，布局完善，可满足高端制造不同细分领域对高功率导轨电源的需求。该系列可应用于船舶、冶金、风电、轨交、精密制造等高端工业领域。一、产品优势1）宽输入电压 全球通用输入电压范围：85-277VAC/120-390VDC，305VAC可持续2H，交直流两用。2）性能强大① 效率高达95%，极大提升可靠性；② 工作温度范围：-40℃ to +85℃，60℃可满载工作，适用机房内复杂的温度环境；③ 功率富余：112%~125%静态功率，5 s瞬态功率(240W-2倍，480W/960W-1.5倍)，可带动直流电机等重负载；④ 240W/480W瞬态峰值电流：6倍额定电流持续15ms；⑤ 支持5+1母线并联均流，支持485/ModBus通讯，带PFC，DC OK，AC OK；⑥ 输出短路、过流、过压、过温保护，输入欠压保护。3）安全可靠① 通过双85验证测试，恶劣应用环境下可正常使用；② 符合ANSI/ISA71.04-2013 G3等级防腐测试，可用于高污染环境；③ 真空电镀外壳，基板双面三防漆，满足防盐雾，防爆，防腐蚀，5G振动；④ 高等级EMC性能，满足铁路/工控/船级/风电/电站等行业标准，防护等级更高，抗扰能力更强；⑤ 符合IEC/EN/BSEN62368、IEC/EN61010、EN61558、EN62477、GB4943、NB/T31017等认证标准，完美匹配众多行业、地区需求。4）品质保证① 5年质保，且超长寿命；② 二维码/SN码，单体唯一追溯，提升质量追溯能力；③ 更高等级的质量指标要求（工序要求/外观标准/不良率等）。二、 产品应用该系列产品主要用于风电、轨交、精密制造、新能源、船舶等对可靠性要求苛刻的工业场景，为其提供高稳定、高抗扰、高性能的优质电源。本产品适合在自然空冷却环境...
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2025/2/5 13:58:38
金升阳拓宽高性价比机壳开关电源布局，即千瓦级大功率机壳电源——LM1500-22Bxx系列，本次产品上市补充了低压大电流5V型号，该系列功率段已涵盖15-1500W，满足多样应用场景对功率的不同需求。一、产品优势1） 小体积体积仅：250*127*40.5mm，较市面主流产品小约40%。2）高性能①实现低压大电流200A的突破②支持-30℃ to +50℃满功率工作③效率高达86%@5V（较主流产品提升5%）④高峰值功率满足1.3倍，过流延迟1s，自恢复（主流产品满足1.05倍，过流断电重启恢复）3）高可靠性①工作温度范围：-40℃ to +70℃②满足5000m高海拔应用③电磁抗干扰能力达到perf. Criteria A④隔离电压高达4000VAC，为高耐压需求用户提供保障⑤具备输出短路、过流、过压、过温保护功能⑥具备远端补偿功能⑦端子间距设计安全，底部铆接螺柱可靠⑧三年质保4）数字化，应用便捷①遥控开关机②DC_OK信号监控③ LED信号指示灯二、 产品应用 可广泛适用于工业控制系统、工控系统，路灯控制，电力，智能家居，安防通信等领域。三、产品特点 ● 输入电压范围：180-277VAC/250-380VDC● 小尺寸：250*127*40.5mm● 工作温度范围：-40℃ to +70℃ ● 4000VAC高隔离电压● 输出短路、过流、过压、过温保护● 满足5000m海拔应用● 通过EN/BS EN62368认证，符合IEC62368、GB4943等认证标准 免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/2/5 13:37:24
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出基于Arm®Cortex®-M33的最新高性能微控制器（MCU）系列PSOC™ Control。在ModusToolbox™系统设计工具和软件的支持下，这款综合全面的解决方案使开发人员能够轻松创建高性能、高效率且安全的电机控制和功率转换系统。PSOC™ Control C3分为入门级和主流级产品，提供了兼具扩展性与兼容性的各种性能、功能和存储选项。电机控制专用MCU（C3M）和功率转换专用MCU（C3P）可满足重点应用的需求，例如：家用电器、工业驱动器、机器人、轻型电动车（LEV）、太阳能和HVAC系统。英飞凌科技工业和物联网微控制器高级副总裁Steve Tateosian表示：“新一代工业电机和功率转换应用采用宽禁带功率器件提高系统效率，需要更快的回路控制。我们致力于提供一流的系统解决方案和设计环境，帮助开发者充分利用英飞凌新推出的PSOC™ Control创新的模拟和数字技术。”英飞凌的新型PSOC™ Control C3 MCU能对需要以低延迟和低利用率响应实时事件的系统进行实时控制。这个新型MCU系列搭载强大的Arm® Cortex®-M33，最高运行频率达到180 MHz，并且配备数字信号处理器（DSP）、浮点单元（FPU）和坐标旋转数字计算机（CORDIC，一种用于加速控制回路计算的数学函数硬件加速器）。该系列MCU配备了丰富的外设、片上存储器，以及各种接口和脉宽调制（PWM）架构。PSOC™ Control入门级 MCU（C3P2 和 C3M2）使用高分辨率和高精度A/D转换器和计时器，而主流级MCU（C3P5 和 C3M5）则使用高分辨率 PWM（HRPWM），使高性能系统能够以更小的延迟响应实时事件。这四个系列均支持功率和电机控制回路的执行，其中主流级MCU...
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2025/2/5 13:29:35
LUPS40-24F-N是金升阳一款具备电池充放电管理功能、无内置电池的不间断电源。其性能可靠、功能丰富，60℃可满载，采用数字化控制，可远程关断，输入输出-机壳间耐压1KVAC，具备防反接保护、48H防盐雾、过流/过压/温度异常保护、双面三防漆、卡扣正反双面安装、充放电多档位选择等优势。具有高性价比、高效率、高可靠性、安全隔离等优点。一、产品优势（1）性能强大① 宽输入电压范围：18-30VDC② 效率高达98%③ 工作温度范围：-40℃ to +75℃（60℃可满载）④ 冷启动功能：检修或户外携带等无输入供电使用场景，可通过旋转旋钮使电池包直接给输出负载供电⑤ 待机模式：UPS与电池包组装连接后，在待机情况下，电池包给UPS供电电流极小，可有效延长电池包供电时长⑥ 输入防反接：导轨接线式产品，输入反接风险大，增加输入防反接功能，有效规避应用反接风险（2）安全可靠① 安全隔离：输入输出-机壳间耐压1000VAC② 远程关断：可远程关断电池缓冲放电③ 信号警告功能④ 保护特性：过流/过压/温度异常保护⑤ 高防护：双面三防漆，48H盐雾，可应用于极端恶劣环境（如海边）及复杂控制系统二、产品应用LUPS40-24F-N可搭配金升阳导轨电源、电池包一起使用，为后端负载提供不间断供电，广泛适用于对可靠性要求严苛的应用场景，如工控、电力、安防、风电、通讯、智能家居等，为其提供高稳定、高抗扰、高可靠的不间断电源。三、产品特点● 输入电压范围：18-30VD● 工作温度范围：-40℃ to +75℃（60℃可满载）● 输出过流、输入过压保护● 电池温度异常保护● 电池缓冲放电时间选择● LED信号与指示● 基板涂覆三防漆● ANSI/ISA71.04-2013G3等级防腐测试免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问...
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2025/2/5 13:25:37
据《MarketWatch》周五(25 日) 报导，华尔街一直在寻找英伟达(Nvidia)( NVDA-US ) 的潜在替代者，而一名分析师提到了一间在这方面较少被讨论的重量级公司：Alphabet( GOOGL-US )。根据DA Davidson 分析师Gil Luria，Alphabet 悄然拥有「对英伟达GPU 最具吸引力的替代方案」。Alphabet 生产的张量处理单元(TPU) 是其专为机器学习任务设计的加速器版本。Luria 写道，TPU 是英伟达GPU 的可行甚至可能更优秀的替代方案，例如苹果( AAPL-US ) 就选择它们来训练模型。尽管Luria 对Alphabet 的芯片技术给予高度评价，但他对Alphabet 股票的看法却相对保守，给出中立评级。他在最新报告中对Alphabet 提出了批评，认为该公司在估计达4 万亿美元的硬体市场中未能积极把握机会。Luria 在周五写道，该公司「似乎并未积极追求这项机会」，并指出Alphabet「一贯让外部开发者难以接触和有效利用TPU，这形成了一个瓶颈，限制了它们的商业可行性。」相比之下，他认为英伟达拥有一个「强大的」开发者生态系统。除了对4 万亿美元硬件市场机会的讨论，Luria 也提到了其他一些大数字。例如，他估算Alphabet 的TPU 业务与Google DeepMind 人工智能业务的价值加总可能达到7,000 亿美元。作为对比，英伟达的市值约达3.5 兆美元，而英伟达的竞争对手AMD生产GPU 但没有内部类似DeepMind 的业务，其市值约为2,000 亿美元。在Luria 看来，Alphabet 的TPU 业务未能充分发挥潜力，不仅仅是因为开发者策略。他认为该公司应考虑分拆业务，以更好地实现其多个生态系统的价值。根据Luria 的分类加总估值(SOTP) 模型，Alphabet 的总价值为3....
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2025/2/5 13:22:24
韩媒报道，存储大厂三星将第六代10纳米级1c DRAM制程开发延后6个月，到6月才完成。三星之前宣称第六代10纳米级1c DRAM制程2024年底开发完并量产。但良率没有提升，导致时程再延后半年，这会使预定下半年量产的第六代HBM4一并延后。市场人士称，三星第六代10纳米级1c DRAM制程遇到困难。尽管市场在2024年底左右，获得了三星送交的第一个测试芯片。但因为无法达到预期的良率，因此将预定开发完成的时间延后六个月。而在这六个月中，三星预计将良率提升到约70%。根据过往业界的经验，每一代制程的开发周期通常落在18个月左右。但是，三星于2022年12月开发出第五代10纳米级1b DRAM制程，并于2023年5月宣布量产之后，就一直没有1c DRAM状况的消息。如果第六代10纳米级1c DRAM 制程从开发完成到量产的时间约为正常的6个月时间，则三星实际量产的时间预计将在2025年底。而这样的时程，几乎也影响了三星当前正面临生死关头的HBM产品的发展。以1c DRAM制程为例，其核心产品是以DDR5内存为主，而HBM则是其衍生产品，开发时间会落后核心产品的时间。这代表着一旦核心产品延后到2025年底量产，HBM量产可能会在2025年之后进行。这相较于三星先前宣布将于2025年下半年将1c DRAM制程用于HBM4、并量产的情况有所改变，也影响三星HBM市场竞争力。三星计划上半年全力投入六代10纳米级1c DRAM制程，以尽快提高良率。由于竞争对手SK海力士选择稳定方法，第五代10纳米级1b DRAM制程用于HBM4。但三星展现大跃进决心，以快速提高性能和能效。而要达成目标，最重要的就是尽快量产。韩国半导体产业人士指出，三星正在修改1c DRAM部分设计。另外，三星电子为应对其12nm级DRAM内存产品在良率和性能上的双重挑战，已决定在改进现有1b nm工艺的同时，从头设计新...
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2025/2/5 13:19:48
1月23日，韩国存储芯片大厂SK海力士发布截至2024年12月31日的第四季及2024年财报。受益于2024年存储芯片需求回暖及价格上涨，SK海力士全年业绩创下了历史新高。具体来说，SK海力士2024年第四季的营收金额为19.7670万亿韩元，环比增长12%，同比增长75%；营业利润为8.0828万亿韩元，环比增长15%，同比增长2236%；营业利润率为41%；净利润为8.0065万亿韩元，环比增长39%，去年同期则为亏损1.3795亿韩元，净利润率为41%。整个2024年度的营收为66.1930万亿韩元，同比（2023年度营收为32.7657万亿韩元）暴涨102%；营业利润为23.4673万亿韩元（去年同期亏损9.1375万亿韩元），营业利润率为35%；净利润为19.7969万亿韩元，净利润率为30%，营收金额较2022年的历史新高还高出了21万亿韩元以上，为历年营收的新高，其营业利润也超越了2018年存储芯片市场超繁荣期的业绩。HBM成为业绩增长最大驱动力由于全球经济持续低迷，智能手机、PC等主流IT产品需求持续低迷，这也使得通用（传统）存储芯片需求复苏延迟，但是面向AI的存储芯片需求坚挺，主要加速了存储芯片需求两极分化。与三星电子不同，SK海力士利用其在HBM市场的技术优势及居于领导地位的市场份额，推动了其整体业绩的增长。业界表示，HBM的平均售价（ASP）比通用DRAM高出3至5倍。此前三星电子预计，该公司去年第四季度的营业利润为6.5万亿韩元，而SK海力士去年四季度营业利润则高达8.1万亿韩元，首次超过了三星电子。SK 海力士表示，在针对AI的半导体內存需求强劲的情况下，凭借业界的HBM技术实力和以盈利为主的经营活动，实现了年度历史最高业绩。其中，2024年第四季呈现高成长趋势的HBM，占了整个DRAM销售金额的40%以上（三季度为30%），企业级固态硬盘（eSS...
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2025/2/5 13:16:59
英飞凌科技股份公司推出专为有刷直流电机应用设计的全桥/H桥集成电路（IC）产品系列——MOTIX™ Bridge BTM90xx。新型BTM90xx 全桥IC不仅丰富了英飞凌的产品阵容，还补充了从驱动器IC到高度集成化系统级芯片（SoC）解决方案的MOTIX™低压电机控制IC产品组合。随着汽车行业的不断发展，曾经的高端功能如今已成为标配。因此，智能低压电机在塑造未来汽车用户体验方面将发挥日益重要的作用。汽车制造商正在寻求更加可靠、节能、经济，同时在恶劣条件下也能正常工作的半导体解决方案。为满足这一需求，英飞凌科技股份公司推出专为有刷直流电机应用设计的全桥/H桥集成电路（IC）产品系列——MOTIX™ Bridge BTM90xx。新型BTM90xx 全桥IC不仅丰富了英飞凌的产品阵容，还补充了从驱动器IC到高度集成化系统级芯片（SoC）解决方案的MOTIX™低压电机控制IC产品组合。BTM90xx系列的用途包括但不限于车门、后视镜、座椅、车身、区域控制模块等汽车应用，并针对这些应用专门进行了优化。另外，由于附有安全文档，该系列还可用于安全相关应用。BTM90xx 系列的强大功能可以实现智能和微型电机控制解决方案。该系列的正常工作电压范围为7 V至18 V（扩展后为4.5 V至40 V），可提供多种保护和诊断功能，例如过热、欠压、过流、交叉电流或短路检测等。BTM90xx 系列可测量高边和低边开关的电流，适用于电流限制至少为10 A（BTM901x）或 20 A（BTM902x）的汽车应用，使PWM的最高频率可以达到20 kHz。BTM9011EP 和 BTM9021EP是适用于SPI的型号，支持减少引脚数量的菊花链功能，有助于降低整体系统成本。BTM9021还集成了看门狗功能。BTM90xx 采用微型TSDSO-14（4.9 x 6.0 mm）封装，减少了所需的PCB板总空...
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2025/1/23 13:41:52
Pentronic推出了一款热电偶，专门用于测量表面温度，其测量端头装有自粘聚酰亚胺薄膜。这款热电偶适用于在平面或管道上进行临时或长期的温度测量。其应用领域广泛，常见于研发工作。扁平的测量端头和直径仅0.25毫米的细线，确保了极快的响应时间——仅需数秒即可。新款传感器型号也已研发成功，其设计更加灵活多变，能更好地满足客户对电缆长度及连接器样式的多样化需求。聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK推出16位单通道、高精度、全集成数模转换器（DAC） TPC2201，产品支持HART通信协议输入，可实现单通道0mA~20mA电流输出及±10V的电压输出。同时，TPC2201支持菊花链模式，可广泛应用在工业自动化和过程控制等领域。TPC2201产品优势高精度电压输出在AVDD±15V供电、DVDD内部LDO和内部基准条件下，经过两点校准测量，TPC2201电压输出精度表现出色，常温下误差极低，精度可达0.0025% FSR。高精度电流输出在相同的供电和校准条件下，TPC2201电流输出精度同样表现出色，常温下误差极低，精度可达0.0035% FSR。低温漂TPC2201在全温范围内（-40℃ ~ 125℃）同样表现出色。在电流输出方面，TPC2201输出温漂仅为±5.5ppm FSR/°C，最大总不可调整误差为0.125% FSR（Typ.）。在电压输出方面，TPC2201输出温漂仅为±1.5ppm FSR/°C，最大总不可调整误差为±0.02% FSR（Typ.）。温升性能卓越在负载电阻为0Ω，工作电流为24mA，24V电源的测试环境下。TPC2201在无自适应电源的条件下，温升约为23℃；在自适应电源的条件下，温升约为15℃。TPC2201产品特性16位精度电流输出支持多种电流输出范围：4mA~...
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2025/1/23 13:36:48
根据由希捷委托Recon Analytics进行的一项全球调查显示，AI的采用将在未来几年内推动数据生成的爆炸性增长。由于现有的本地存储可能不足以满足AI生成数据的存储需求，云存储已成为各行业企业的首选。调查显示，未来三年的存储需求将增加一倍。调查显示，AI的采用已广泛普及，72%的受访企业已经在使用这项技术，28%的企业计划在未来三年内采用。云存储已成为处理AI驱动数据增长的首选媒介，预计到2024年，65%的AI相关数据将存储在云端，到2028年这一比例将增至69%。报告指出，在存储容量方面，情况颇为有趣：在使用超过100PB存储容量的组织中，87%的企业将AI训练检查点保存在云环境或硬盘和固态硬盘的组合中。频繁的检查点保存是常见做法，28%的公司每天保存，43%的公司每周保存，这增加了对存储的需求。企业也在优先考虑延长AI训练数据的保留期限，这被认为是提高模型精度的关键，调查显示。有90%的受访者认为，延长保留期限能带来更好的AI结果。存储每日检查点的公司中，32%的企业将数据保留超过12个月，而29%的企业保留6至12个月。这种对数据长期保存的重视反映了历史数据在优化AI模型中的日益重要性。在基础设施优先级方面，安全被视为最关键的部分，25%的受访者将其列为首要任务。同时，认为存储容量为最优先事项的受访者仅占18%。其他值得注意的基础设施关注点包括数据管理、计算资源、网络容量和法规合规。企业也在积极适应AI采用带来的不断增长的存储需求。在采取的措施中，61%的企业采用了可扩展的云存储解决方案，56%的企业实施了的数据管理软件，55%的企业升级了现有基础设施。此外，49%的企业利用数据压缩技术来管理不断增加的AI生成数据量。这些策略凸显了对可扩展和高效解决方案的关注，以适应指数级的存储增长。数据复制已成为确保数据完整性和优化AI结果的另一策略。大约80%的受访者认为复...
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2025/1/23 13:33:35
在当今的通信技术领域，射频前端设计至关重要，它是实现无线信号收发的关键环节，其性能直接影响着通信设备的质量和用户体验。射频前端设计公司由于产品具有技术密集、更新换代快等特性，需要持续的高研发投入来保持竞争力。射频前端芯片产品涉及多种复杂技术，如滤波器、功率放大器、低噪声放大器等的设计与制造工艺。这些技术不仅要满足不断提升的通信标准，如从 4G 到 5G 乃至未来 6G 的演进，还要适应各类终端设备小型化、多功能化的需求。每一次技术的升级和应用场景的拓展，都要求对产品进行重新设计和优化，需要不断投入开发新的芯片设计方案以满足变化的市场需求，这无疑需要大量的研发资源投入。国内外射频前端厂商研发投入存在巨大差距然而，目前国内射频前端设计厂商在研发投入水平上与国外领先厂商存在显著差距。像 Skyworks、Qorvo、Murata 等海外巨头，长期以来都将大量资金投入到研发中，可以说，在研发投入层面，海外老牌射频前端厂商展现出压倒性优势。例如，Skyworks、Qorvo、Murata等海外老牌射频前端厂商，每年研发投入在40亿~60亿人民币，是国内射频前端厂商投入的10倍还多，这个水平的投入动辄已经超过国内射频厂商卓胜微的营业收入规模。如此巨额资金，为其技术创新与产品迭代构筑坚实根基。相较而言，国内厂商受限于资金规模与营收体量，研发投入捉襟见肘。这使得国内厂商在前沿技术探索、基础研究突破方面面临重重困难，技术追赶之路漫长而艰辛。此外，不同定位射频厂商的研发支出占比也存在一些规律性差异。据笔者统计，主攻发射侧的Qorvo和唯捷创芯的研发支出占营收的比重常年在15%以上，慧智微更是达到50%以上，猜测在国际一线品牌客户大规模出货的昂瑞微这一比例也不低。而相比之下，差异化定位于开关、接收侧产品的卓胜微，其2017-2022年研发比重基本在10%以下，直到近两年才逐步加大投入，这种转变或...
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2025/1/23 13:29:10
媒体周五 (17 日) 报导，由于供过于求，全球 NAND 快闪存储器的价格已连续 4 个月下滑，为应对这一不利局面，厂商也开始减产，以平衡供求，进而稳定价格。继美光、三星决定减产后，南韩另一大存储器芯片制造商 SK 海力士也计划削减产量。报导指出，SK 海力士是计划将上半年 NAND 快闪存储器的产量削减 10%。就机构先前发布的报告来看，SK 海力士是全球第二大 NAND 快闪厂商，销售额仅次于三星电子。SK 海力士目前 NAND 快闪产能为每月 30 万片晶圆，削减 10% 等于减少 30000 片晶圆的产出。SK 海力士将 NAND 快闪存储器的产量削减 10%，与美光的削减比例相当。美光先前已表示将减少 NAND 快闪生产设备上的支出，并正在放慢制程制程节点的迁移速度，将使产量减少约 10%。除了已宣布减产的美光、决定减产的三星电子和计划减产的 SK 海力士，后续预计还会有其他大厂跟进。报导提到，消息人士透露铠侠预计也会减产。近一年来，通用 NAND 价格从上涨到持平再到下跌，经历大起大落。TrendForce 数据显示，通用 NAND 价格从 2023 年 10 月开始经历 5 个月的上涨后，于 2024 年 3 月增速减缓，维持平稳状态；而后从 9 月开始转为下跌，9 月、10 月和 11 月的环比降幅分别为 11.44%、29.18% 和 29.8%。目前，通用 NAND 价格已从 8 月的 4.9 元降至 2.16 元，跌幅超过 50%，是继 2015 年 8 月以来的最低价格。根据预测，2024 年第 4 季 NAND 合约价格将下降 3-8%，获利能力进一步减弱，因此 2025 年或许会有部分产品线从 NAND 转向 DRAM。2025 年第 1 季 NAND 市场将面临严峻挑战，供货商库存持续上升，订单需求下降，平均合约价预计环比将再下降 10-15...
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2025/1/22 13:32:48
在汽车、工业和数据中心应用中，高效管理高带宽数据传输以及多个器件或子系统之间无缝通信至关重要，PCIe®交换机因而成为不可或缺的解决方案。它们提供了可扩展性、可靠性和低延迟连接，对于处理现代高性能计算（HPC）系统的高要求工作负载必不可少。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出全新的PCI100x系列Switchtec™ PCIe 4.0交换机样品，提供多种型号以支持数据包交换和多主机应用。PCI1005是一款数据包交换机，可将单个主机PCIe端口扩展至多达6个端点。PCI1003器件通过非透明桥接（NTB）实现多主机连接，并完全可配置以支持4至8个端口。所有器件均符合PCI-SIG 5.0规范，运行速度高达16GT/s。所有型号均支持高速DMA。Switchtec技术特性包括自动错误报告（AER）、下游端口遏制（DPC）和完成超时合成（CTS）。PCI100x器件支持广泛的温度范围，包括商用（0°C至 +70°C）、工业（−40°C至+85°C）和汽车级2（−40°C至+105°C）的环境温度等级。负责Microchip USB和网络业务部的副总裁Charles Forni表示：“PCI100x系列是一种高性价比的解决方案，同时不牺牲高性能和高可靠性。它使设计人员能够利用PCIe交换机的功能，应用于大众市场的汽车和嵌入式计算应用。除了这些连接解决方案外，客户还可以从Microchip获得许多关键组件，包括授时、电源管理和传感器。”Microchip广泛的PCIe交换机产品组合为数据中心、GPU服务器、SSD机箱和嵌入式计算等应用提供了高密度、低功耗和可靠的解决方案。该产品组合还包括Flashtec® NVMe®控制器和NVRAM驱动器、以太网P...
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2025/1/21 13:43:05
Nexperia正在通过全新NEH71x0电源管理IC（PMIC）系列扩展能源采集产品组合。新发布的PMIC系列结合了性能、高性价比和多功能性，为低功耗应用的可持续设计建立了新的标准。与竞争产品不同的是，这些全新PMIC消除了对外部电感器的需求，从而大大减少了电路板空间和物料清单（BOM）成本。新产品采用紧凑的4 mm x 4 mm QFN28封装，适合于遥控器、密钥卡（key fob）、智能标签、资产跟踪器、传感器、环境监测器、可穿戴设备、键盘、胎压监测器以及大量的物联网（IoT）应用。这些新型PMIC代表了一种完整的能源采集电源管理解决方案，得益于其冷启动功能，工程师能够延长电池寿命，为电池或超级电容器进行充电，甚至在某些设计中不再需要使用电池。通过采用NEH71x0（NEH7100BU、NEH7110BU）PMIC，设计人员可以从光、动能/压电或温度梯度等多种环境能源进行选择。这些高性能能源采集IC的输入功率范围为15μW至100mW，能够以高达95%的效率进行能量转换。全新PMIC包括片上(内部集成)最大功率点跟踪（MPPT）自适应算法，用于优化所收集的能量，该算法每0.5秒执行一次，使PMIC对不断变化的环境条件响应非常灵敏。NEH71x0系列集成了一系列电源管理功能用于保护电池和存储元件，其中包括过电压保护、低电压检测和过电流保护等功能。新产品中增加的低压差（LDO）稳压器和USB充电进一步降低了BOM成本，并简化了系统设计过程。为了实现更多功能，NEH7100BU还集成有I2C可编程能力和测量读数，可为工程师的设计提供了更多的灵活性和控制。Nexperia能源采集产品部负责人Simon van der Jagt表示：“NEH71x0系列通过这种无电感器解决方案提供集成式电源管理功能，解决了能源采集行业中的一个关键挑战。新产品能够帮助客户降低成本，同...
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2025/1/21 13:41:21
华北工控新发布产品EMB-4148，一款支持Intel Alder/Raptor Lake-P/U系列处理器的4寸EPIC嵌入式单板，具备高性能、低功耗特性，同时配置了丰富I/O接口，适用于人机界面、智能机器人、工业物联网等行业领域。增强的数据处理能力和显示性能EMB-4148支持Intel Alder/Raptor Lake-P/U i3/i5/i7处理器和Intel 600 Series芯片组，TDP up to 28W，基于多核多线程特性可以更高效、低功耗地处理多任务并行处理负载。CPU可集成Intel超核心显卡以提供增强的图形处理性能。此外，EMB-4148支持1*LVDS、1*HDMI、1*DP++接口，可以实现独立多显和最高4K分辨率显示。板载2*SODIMM内存插槽，Up to DDR5 5200 MT/s，整板最高可达96GB，带宽及数据吞吐量优势进一步放大，并支持1*SATA 3.0、1*M.2 M KEY 2280 PCIe x4(GEN4) NVME SSD实现高速缓存和存储容量的扩充，满足大内存的产品需求。丰富的通讯接口和I/O接口配置EMB-4148支持2*千兆RJ45网口、1*SIM、1*M.2 B Key 3042/3052接入4G/5G模块，和1*M.2 E Key 2230接入Wifi/蓝牙模块，满足有线/无线网络通讯要求。支持4*USB3.2x1 GEN1(5 Gbps)、4*USB2.0接口，可以实现多设备更高速率的互联互通。以及4*RS232、2*RS232/RS422/RS485接口，方便用户实现长/短距离灵活的数据传输与处理。EMB-4148还配置了1*Line out、1*Mic in、1*AMP功放接口，和1*PS/2接口、2*CAN8*GPIO、1*CPU FAN、1*JSATAPWR SATA硬盘供电接口、1*JLVDSP...
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2025/1/20 13:18:49
英飞凌于近日宣布不再支持第一代（G1）CoolGaN™技术用于新设计，此举曾引发外界对其硅基氮化镓（GiT）技术承诺的担忧。然而，英飞凌通过推出新一代技术，再次证明了其致力于推进GIT技术发展的决心。英飞凌成功实现了向8英寸（200毫米）晶圆转型，大幅提升了生产能力，从而显著提高了GaN器件的产量。此外，英飞凌采用创新的有源区结合（BOA）技术，无需牺牲芯片面积，从而进一步优化了制造工艺。值得注意的是，这些器件的热性能主要由硅主体材料决定，后者对器件的热特性有重要影响。此外，不论是BOA设计，还是传统的非有源区结合（NBOA）设计，有源区保持不变，在热性能方面，有源区同样发挥着关键作用。因此，BOA 技术保持了与第一代CoolGaN™设计相同的高散热能力。英飞凌最新推出的650V G5 CoolGaN™晶体管系列专为直接替代现有产品而设计，为现有平台提供了无缝升级路径，帮助设计人员快速实现重新设计。这一全新的分立式GaN晶体管系列在前代技术的基础上进一步提升，并在性能上超越了市场上的GaN竞品。650V G5 CoolGaN™晶体管系列在以下方面取得了显著进步：• 输出电容（Eoss）存储能量减少50%：大幅降低开关损耗，特别是在硬开关应用中。• 输出电荷（Qoss）减少60%：实现高效运行，并大幅降低软开关拓扑结构的损耗。• 栅极电荷减少60%：大幅降低驱动损耗，提高效率。这些改进使晶体管能够以最低的功耗支持高频工作，推动功率密度水平达到行业最佳。除了上述改进之外，最新的650V G5 CoolGaN™晶体管系列还将脉冲电流能力提高了约30%，带来了多项重要优势：支持在PFC（功率因数校正）拓扑结构中使用宽输入电压范围，以提供更佳的设计灵活性和多功能性；此外，还可以防止线路掉电事件，确保器件可靠运行，并将器件故障风险降至最低。值得一提的是，CoolGaN™ G5的热漂移和...
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2025/1/20 13:14:36
圣邦微电子推出 SGM05HU1AL，一款 5.5V 单向静电放电（ESD）和浪涌保护装置。该器件可应用于 USB VBUS 和 CC 线路保护、麦克风线路保护，以及 GPIO 保护。SGM05HU1AL 专用于保护电压敏感元件免受 ESD 影响。出色的箝位能力、低漏电、高峰值脉冲电流处理能力和快速响应时间为暴露于 ESD 的设计提供了同类最佳的保护。由于体积小，它适用于手机、平板电脑、数码相机以及其他许多需要占用大量电路板空间的便携式应用。器件特性：低钳位电压：6.9V低漏电：10nA小型封装：UDFN-1×0.6-2BL为下列 IEC 标准提供保护：IEC 61000-4-2 4 级：±30kV 接触放电IEC 61000-4-5（雷击）: 43A（8/20μs）无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 规范免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/20 13:11:59