CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中树立高质量标杆，并进一步利用英飞凌独特的XT互联技术来提高半导体芯片的性能和散热能力（例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封装的型号）。CoolSiC™ G2 MOSFET 650V和1200V在不影响质量和可靠性的前提下，将MOSFET的关键性能（例如存储能量和电荷）提高了20%，不仅提升了整体能效，还进一步推动了低碳化进程。G2的散热能力提高了12%，并将CoolSiC™的SiC性能提升到了一个新的水平。其快速开关能力可在所有工作模式下将功率损耗降低5%到30%（取决于负载条件），具有出色的节能效果。CoolSiC™ G2的新一代SiC技术能够加速设计成本更加优化，且更加紧凑、可靠、高效的系统，从而节省能源并减少现场每瓦功率的二氧化碳排放量。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/29 11:03:32
AI热潮下，机器学习、生成式AI等需要大量计算能力和存储空间，这对存储芯片是一大利好，成为带动存储芯片市场回暖的主要动力之一。TechInsights报告预测，得益于AI数据中心对高带宽存储器（HBM）的旺盛需求，以及对NAND闪存使用量的增长，存储市场已经全面复苏。在此过程中，HBM3e、QLC NAND、GDDR7等存储新品均呈现出极大潜力。三大存储大厂也各显神通，积极卡位，希望在新一轮市场周期中抢得先机。AI需求拉动：供应商将延续涨价态度人工智能需求的激增是本轮存储市场扭转的主要原因之一。据报道，有供应链企业透露，三星将提供高达三成既有DRAM产能生产HBM3e，造成庞大的产能排挤效应，将导致DRAM市场本季度供给更紧俏。而根据集邦咨询调查显示，由于通用型服务器需求复苏，加上DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高，使供应商将延续涨价态度，第三季度DRAM均价将持续上扬，涨幅预计将为8%～13%。Omdia半导体研究高级首席分析师Lino Leng表示，DRAM市场在去年经历了一些产能和库存的调整，而从今年开始，主要还是人工智能产业链的需求引领了DRAM 市场的全面增长，预计这一强势将在下半年得以延续。一方面HBM 这一高端高溢价产品的销售占比将持续增加；另一方面， 受到端侧AI的驱动，PC 和智能手机DRAM平均容量也有望快速提升，共同推动DRAM市场走强。人工智能热潮也推动了NAND闪存芯片的需求，尤其是企业对数据中心等IT基础设施进行大规模投资。资料称，AI数据中心对服务器容量的要求比一般数据中心高出20倍。对此，Omdia半导体研究首席分析师Alex Yon认为，各种AI相关应用的发布，包括AI智能手机、AI PC 新机型的推出以及企业/数据中心都将推动对大容量存储的需求。这些应用中的人工智能工作负载需要大容量、高密度存储，NAND 厂商将在下半年推出新一代28...
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2024/7/29 10:56:34
HVDC 高压输入模块电源主要应用于数据中心，工业计算机等行业，可为数据通信中心的负载点（POL）转换器供电，为保证数据传输稳定，防止数据丢失，需供电系统具有高可靠性，且对体积有较高要求。对此，金升阳重磅推出VRF4D12HBO-1200WR3系列，输入电压范围宽至360-400VDC，效率高达95%；该系列产品还具有PMBUS功能，各类保护功能齐全等优势，帮助客户提高系统整体可靠性。一、产品介绍HVDC 高压输入模块电源主要应用于数据中心，工业计算机等行业，可为数据通信中心的负载点（POL）转换器供电，为保证数据传输稳定，防止数据丢失，需供电系统具有高可靠性，且对体积有较高要求。对此，金升阳重磅推出VRF4D12HBO-1200WR3系列，输入电压范围宽至360-400VDC，效率高达95%；该系列产品还具有PMBUS功能，各类保护功能齐全等优势，帮助客户提高系统整体可靠性。二、产品优势（1）性能优异① 宽输入电压范围：360-400VDC② 高效率，满载效率高达 95.5%③ 工作温度宽至 -40°C to +85°C④ 产品尺寸仅为63.0*61.0*12.7mm，有利于客户进行空间设计（2）功能丰富 ①支持PMBus功能，可实时反馈电流、功率、温度等模块运行数据，数据异常及时报警，全面协助系统主控制器进行状态采集，监控管理和保障分析，控制和监测电源设备，以提高电源效率、延长电源寿命和保证系统的可靠性②可多模块并联升功率，兼容更大功率应用需求③保护功能齐全，集成输入欠压保护，过温保护，输出过压/过流/短路保护（3）安全可靠① 高隔离电压：输入-输出3000VAC② 提供三年质保服务③ 满足EN62368认证标准 ④ 加强绝缘3000VAC，可靠性高，满足数据中心等设备对于电...
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2024/7/26 15:52:07
圣邦微电子推出 SGM37863，一款带 1.5A 高压侧电流源的同步升压型 LED 闪光灯驱动器。该器件可应用于智能手机、平板电脑、便携式设备、运动摄像机和红外 LED 驱动器。SGM37863 是一款结构紧凑、高度可定制的单 LED 闪光灯驱动器。恒流 LED 源允许灵活调节，闪光灯模式下 16mA 到 1.5A 电流范围，手电筒模式下可设置 4mA 至 388mA 和 3mA 至 204mA 两种电流范围，每个模式下有 128 阶可编程电流。SGM37863 采用 2MHz 或 4MHz 固定开关频率的同步升压转换器，可自动调节输出电压，维持电流源上的最小净空电压 VHR。自适应控制方法的使用确保了电流源的稳压和效率最大化。SGM37863 具备可编程的 I2C 接口、硬件闪存使能引脚（STROBE）、2MHz 或 4MHz 开关频率选项，以及 1.9A 或 2.8A 升压电流限制，从而可以使用小型电感器和陶瓷电容器。保护功能包括输入电压跳变监控器（IVFM）、过压保护（OVP）、LED 和输出短路保护、热比例缩减（TSB）和热关断（TSD）。推荐工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/26 15:48:09
据悉，三星电子正全力投入为苹果即将推出的下一代 XR 设备量身打造 LLW（Low Latency Wide IO）DRAM 产品。LLW DRAM 作为一种革命性的高性能内存解决方案，以其丰富的 I/O 引脚设计，实现了前所未有的高带宽、超低延迟及节能效果，预示着其在未来端侧 AI 领域的广泛应用前景，并有望逐步取代现有的 LPDDR 技术。苹果 Vision Pro 头显当前所采用的 R1 芯片已率先搭载了由 SK 海力士独家供应的 LLW DRAM，该内存不仅提供了 256GB/s 带宽，还以 1GB 的容量和相较于传统内存八倍的 I/O 引脚数，展现了其在数据传输速度上的巨大优势。若以 LPDDR5 的 64 位位宽作为对比，SK 海力士提供的 LLW DRAM 位宽飙升至 512 位。消息称，三星电子现已积极投身于 LLW DRAM 技术的研发之中，并已迈入小规模生产阶段，目标直指从 SK 海力士手中夺取这一新兴市场的份额。关于苹果 Vision Pro 的最新动态，市场传言其第二代产品定价区间将介于 1500 美元至 2500 美元之间。若“半价”传闻成真，则意味着消费者可能仅需支付约 1750 美元即可拥有这款尖端产品，相较于第一代 Vision Pro 高达 3500 美元的售价，这无疑将极大提升其市场竞争力。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/26 15:45:35
微电子行业标准制定领域的全球领导者JEDEC固态技术协会宣布即将推出内存模块标准，旨在为下一代高性能计算和AI应用提供支持。JEDEC公布了即将推出的DDR5多路复用双列直插式内存模块 (MRDIMM) 和下一代LPDDR6压缩连接内存模块 (CAMM) 标准的关键细节。新的MRDIMM和LPDDR6的CAMM将以无与伦比的带宽和内存容量彻底改变行业。DDR5 MRDIMM提供创新、高效的新模块设计，以提高数据传输速率和整体系统性能。路复用允许将多个数据信号组合并通过单个通道传输，从而有效地增加带宽而无需额外的物理连接，并提供无缝带宽升级，使应用程序能够超过DDR5 RDIMM数据速率。其他计划中的功能包括：平台与RDIMM兼容，可实现灵活的最终用户带宽配置利用标准DDR5 DIMM组件（包括DRAM、DIMM外形尺寸和引脚分布、SPD、PMIC和TS）以方便采用利用RCD/DB逻辑处理能力实现高效的I/O扩展利用现有的LRDIMM 生态系统进行设计和测试基础设施支持多代扩展到DDR5-EOLJEDEC MRDIMM标准旨在提供高达原生DRAM两倍的峰值带宽，使应用程序能够超越当前数据速率并实现新的性能水平。它保持与JEDEC RDIMM相同的容量、可靠性、可用性、可维护性 (RAS) 特性。该委员会的目标是将带宽提高一倍至12.8 Gbps并提高引脚速度。MRDIMM预计将支持两个以上的等级，并正在设计为使用标准DDR5 DIMM组件，以确保与传统 RDIMM系统兼容。目前正在计划采用高MRDIMM外形尺寸，以提供更高的带宽和容量，而无需更改DRAM封装。这种创新的、更高的外形尺寸将使DIMM上安装的DRAM单芯片封装数量增加一倍，无需3DS封装。作为JEDEC的JESD318 CAMM2内存模块标准的后续，JC-45正在开发用于LPDDR6的下一代 CAMM模块，目标是...
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2024/7/26 15:40:53
7月24日，德州仪器公布第二财季营收38.2亿美元，符合分析师预期；第二财季每股收益1.22美元，去年同期1.87美元；第二财季营业利润12.5亿美元，分析师预期12.4亿美元；预计第三财季营收39.4亿-42.6亿美元，分析师预期41.4亿美元。德州仪器管理层表示，智能型手机和个人计算机销售的回升，使企业能够清除前几年造成的库存过剩，从而增加了该公司芯片的订单。受益于个人电子产品等市场对模拟芯片的需求稳定及制造成本降低，德州仪器对下季的收入预测也处在稳健范围，预计第三季度营收在39.4 亿美元至42.6 亿美元之间，每股收益在1.24 美元至1.48 美元之间。德州仪器首席执行官Haviv Ilan表示，虽然工业和汽车市场继续环比下滑，但所有其他终端市场都在增长，公司对其芯片在工业和汽车市场的长期机会持乐观态度。此外，第二季度在中国的业务增长了约20%。值得注意的是，恩智浦的最新财报也透露了汽车市场的疲软一面。恩智浦第二财季营收31.3亿美元。其中，车用芯片营收同比减少7%至17.28亿美元，但工业与物联网芯片营收同比增加7%至6.16亿美元。不过，德州仪器的乐观业绩预测引发投资者们对客户订单将实现加速增长的乐观情绪，并有助于抵消恩智浦半导体所引发的模拟芯片库存与需求焦虑升级。德州仪器首席财务官Rafael Lizardi表示，当前周期的不同之处在于不同地区和地域的表现截然不同。但是他预计本季度总营收将出现环比增长，这是由于一些电子产品制造商客户正在为年底的假日购物季产能做准备。Edward Jones 分析师 Logan Purk 表示，「模拟芯片需求已经触底，并开始出现一些增量成长。」虽然世界半导体贸易统计组织(WSTS)近日公布的最新半导体行业展望数据显示，模拟芯片市场仍然低迷，预计市场规模继2023年萎缩8.7%之后，2024年将萎缩2.7%。但是积极的一面在于W...
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2024/7/26 10:08:47
美光宣布推出全新的MRDIMM DDR5，目前已经出样，可为AI、HPC应用提供超大容量、超高带宽、超低延迟。2024年下半年开始批量出货。后续几代MRDIMM将继续提供比同代RDIMM高达45%的每通道内存带宽提升。值得注意的是，MRDIMM的JEDEC标准尚未正式发布。MRDIMM的全称为“Multiplexed Rank DIMM”，最初由AMD联合JEDEC组织提供提出，就是将两个DDR5 DIMM合二为一，从而提供双倍的数据传输率，而且可以同时访问两个Rank。两个DDR5-4800组合在一起，就得到了DDR5-9600，规划目标是达到DDR5-17600。Intel也在准备类似的设计，叫做MCRDIMM(Multiplexer Combined Ranks DIMM)，主要与SK海力士合作。美光MRDIMM DDR5容量分别是32GB、64GB、96GB、128GB、256GB，频率最高8800MT/s。适用于高性能1U和2U服务器。对比传统的RDIMM DDR5，它的有效带宽提升最多39％，总线效率提升超过15％，延迟降低最多40％。256GB TFF（薄型） MRDIMM对比类似容量的TSV RDIMM，性能可以领先35％。美光MRDIMM目前仅支持Intel新发布的至强6平台，或许后续也会支持AMD第五代Turin EPYC。三星还在开发8800MT/s MRDIMM，已进入样品阶段。DDR5 MRDIMM模块有望通过提高数据处理速度和效率，对AI和HPC领域产生重大影响。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/23 16:02:07
中新经纬7月23日电 当地时间22日，在科技股反弹的带动下，美股三大指数集体收涨，纳指涨1.58%，标普500指数涨1.08%，道指涨0.32%。《华尔街日报》分析，最近几个交易日，投资者一直在抛售高速发展的科技股，转而购买规模较小的公司股票，部分原因是押注如果美联储在未来几个月开始降息，这些企业将受益更多。不过，周一这种轮动暂停了，交易员们重新回到了他们最喜欢的科技公司。而路透社指出，拜登的退选可能会促使投资者平仓，因为他们押注特朗普的胜利将增加美国的财政和通胀压力。但一些分析师表示，下一届政府领导下的美国政府分裂的可能性增加，市场可能会受益。盘面上，大型科技股多数上涨，苹果跌0.16%，亚马逊跌0.33%，奈飞涨2.29%，谷歌涨2.24%，脸书涨2.23%，微软涨1.33%。银行股涨跌不一，摩根大通涨0.25%，高盛涨0.47%，花旗跌1.03%，摩根士丹利涨0.37%，美国银行跌1.39%，富国银行跌0.09%。能源股全线走低，埃克森美孚跌0.69%，雪佛龙跌1.34%，康菲石油跌1.76%，斯伦贝谢跌0.46%，西方石油跌3%。芯片股表现强劲，应用材料涨6.28%，恩智浦半导体涨5.39%，阿斯麦涨5.13%，微芯科技涨4.9%，英伟达涨4.76%，高通涨4.7%，博通涨2.36%，台积电涨2.17%，英特尔涨1.18%。热门中概股普涨，小鹏汽车涨超6%，蔚来涨超5%，理想汽车涨超4%，微博涨超3%，网易、京东、百度、哔哩哔哩涨超2%，阿里巴巴、唯品会涨超1%，拼多多、富途控股等小幅上涨。欧洲三大股指同样全线上涨，德国DAX指数涨1.29%报18407.07点，法国CAC40指数涨1.16%报7622.02点，英国富时100指数涨0.53%报8198.78点。国际油价小幅下跌，WTI 8月原油期货收跌0.35美元，跌幅约0.44%，报79.78美元/桶；布伦特9月...
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2024/7/23 15:45:56
太空应用是英飞凌科技股份公司的一个重要领域。英飞凌的产品被用于卫星、火星探测器仪器、太空望远镜等，即便在极端恶劣的条件下，这些应用也必须具备出色的可靠性。英飞凌近日推出抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。英飞凌F-RAM存储器具有固有的抗辐射性能，该技术非常适合满足太空应用不断发展的任务要求，而这些应用历来使用的是速度较慢、不太坚固的EEPROM非易失性存储器。与同类产品相比，英飞凌产品的特点包括：更快的存储器随机存取速度；通过采用即时非易失性写入技术提高数据安全性；低功耗、极低的编程电压（低至2V）以及20 mA最大工作电流。英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner表示：“随着越来越多的太空应用被设计成在系统端处理数据，而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理，因此对高可靠性非易失性存储器的需求会不断增加，以配合太空级处理器与FPGA实现数据记录应用。英飞凌于2022年在该市场推出了首款SPI F-RAM存储器。此次推出并行接口存储器体现了我们致力于为新一代太空需求提供一流的、高度可靠且灵活的解决方案。”英飞凌抗辐射F-RAM存储器的目标应用包括传感器与仪器的数据存储、校准数据的数据记录、适用于数据加密的安全密钥存储，以及启动代码存储等。除外太空应用，这款存储器还适用于航空电子等应用的温度要求（-55°C 至 125°C）。与SPI版本一样，英飞凌新推出的并行接口F-RAM存储器通过其化学成分获得了出色的非易失性存储器特性，例如用原子态瞬时切换取代了EEPROM技术中的捕获电荷至程序位。F-RA...
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2024/7/17 17:04:48
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供了更具成本效益的解决方案。凭借电气特性与封装的优势结合，它们能够在消费类充电器和笔记本适配器、数据中心电源、可再生能源逆变器、电池存储等众多应用中发挥出色的性能。该产品系列包含13款器件，额定电压为700 V、导通电阻范围在20 mΩ至315 mΩ之间。由于器件规格粒度增多，再加上PDFN、TOLL、TOLT等多种行业标准封装选项加持，因此客户可以根据应用的要求选择RDS电阻和封装，以更具成本效益的解决方案优化并实现电气与热系统性能。该系列器件的特点是开启和关闭速度快且开关损耗极小。此外，凭借具有850 V业界最高瞬态电压的700 V E模式，它们能够更好地抵御用户环境中的异常情况（例如电压峰值），提高整个系统的可靠性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/16 11:05:46
实时计算密集型应用（如智能嵌入式视觉和机器学习）正在推动嵌入式处理需求的发展，要求在边缘实现更高的能效、硬件级安全性和高可靠性。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日发布PIC64系列产品，进一步扩大计算范围，满足当今嵌入式设计日益增长的需求。PIC64系列支持需要实时和应用级处理的广泛市场，使Microchip成为MPU领域的单一供应商解决方案提供商。PIC64GX MPU是即将发布的新产品系列中的首款产品，可支持工业、汽车、通信、物联网、航空航天和国防领域的智能边缘设计。Microchip首席执行官兼总裁Ganesh Moorthy表示：“Microchip是8 位、16位和32位嵌入式解决方案的领导者，随着市场发展，我们的产品线也必须随之发展。新增的64位MPU产品组合使我们能够提供低、中、高端计算处理解决方案。PIC64GX MPU 是多款64位 MPU中的首款产品，旨在支持智能边缘，满足所有细分市场的广泛性能需求。”智能边缘通常需要具有非对称处理功能的64位异构计算解决方案，以便在具有安全启动功能的单处理器集群中运行Linux®、实时操作系统和裸机。Microchip的PIC64GX 系列采用具有非对称多处理（AMP）和确定性延迟的64位RISC-V®四核处理器，可满足中端智能边缘计算需求。PIC64GX MPU是首款具有AMP功能的RISC-V®多核解决方案，适用于混合关键性系统。它采用四核设计，具有支持 Linux 的中央处理器（CPU）集群、第五微控制器级显示器和 2 MB 灵活的二级缓存，运行频率为625 MHz。PIC64GX系列引脚与Microchip的PolarFire® SoC FPGA器件兼容，为嵌入式解决方案开发提供了极大的灵活性。此外，该款产品可利用 Microchip ...
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2024/7/15 17:30:02
TDK株式会社宣布进一步扩大其用于汽车以太网通信 10BASE-T1S的 ACT1210E 系列（3.2 x 2.5 x 2.5 毫米 – 长x 宽x 高）共模滤波器产品阵容。该新款共模滤波器将于2024年7月开始量产。• 实现符合OPEN联盟共模滤波器EMC测试规范的IV级线间电容的产品• 通过将绕组线激光焊接到金属化端子上从而实现高可靠性• 符合 AEC-Q200 （D版）要求产品的实际外观与图片不同。TDK标志没有印在实际产品上。TDK株式会社（TSE：6762）宣布进一步扩大其用于汽车以太网通信 10BASE-T1S的 ACT1210E 系列（3.2 x 2.5 x 2.5 毫米 – 长x 宽x 高）共模滤波器产品阵容。该新款共模滤波器将于2024年7月开始量产。与传统产品相比，新款 ACT1210E-131-2P-TL00 滤波器将线间电容降低了约30%。在OPEN联盟共模扼流圈EMC测试规范中，该产品首开行业先河，以最低线间寄生电容达到了IV级水平。在100 kHz频率下的共模电感为130 µH，额定电流达70 mA。除共模滤波器外，10BASE-T1S 通信电路中还包括防物理层设备（PHY）和防静电（ESD）组件以及其它电子元件，而这些元件各有其电容。随着总电容量不断增加，信号波形湍流随之增强，进而导致正常通信中断。为解决这一问题，工程师需要选择适合低电容的元件。为实现高S参数，新产品采用了TDK专有的设计结构以及优化材料，以减少电容引起的信号失真的影响，并有效抑制共模噪声。不仅如此，TDK 的创新高精度自动绕线技术确保了品质稳定和高可靠性。TDK 提供阵容广泛的汽车用共模滤波器，不仅包括符合当前主流 CAN、CAN FD 和 Flex-Ray协议要求的滤波器，同时也包括符合以太网协议要求的滤波器，比如通信速率分别为100兆比特/秒和1000兆比特/...
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2024/7/15 17:25:55
据中国台湾业界消息，台积电2nm（N2）制程芯片即将于下周在位于中国台湾北部新竹科学园区的宝山工厂试产，有望率先用于苹果iPhone 17 Pro和其它苹果产品。知情人士透露，台积电于2023年12月首次向苹果进行2nm制程相关示范，预计试产时间为2024年10月。业界认为，台积电2nm技术量产进度优于预期，此前市场预计最早将于第四季度量产。据台积电官方介绍，2nm制程节点相比3nm能效可提升10%~15%，功耗则最多降低30%。当试产良率达到一定标准时，便可以推进到量产阶段。台积电将从2nm工艺开始应用GAA（全环绕栅极）纳米片晶体管结构，这有助于提高性能。此外台积电还将基于2nm节点推出背面供电（BSPR）技术，进一步提升芯片密度和速度，预计2026年量产。得益于人工智能（AI）芯片的强劲需求，台积电现有3nm产能供不应求。业界最新消息称，“产能到年底前都排得很满”，此外有传言称台积电将提高3nm代工服务价格。有消息称苹果已经与台积电秘密达成独家协议，包下台积电2nm首批全部产能，这与此前苹果独占首批3nm产能的做法类似，A17 Pro为首款采用台积电3nm制程的量产芯片，拥有约190亿个晶体管。为应对AI芯片订单需求，台积电位于高雄的第二座2nm工厂也在加紧建设当中。根据外资报告，台积电2024年资本支出可能达到上限值320亿美元，2025年有望进一步升至370亿美元，原因是提前部署2nm工艺量产，采购设备。随着竞争对手三星同样发力2nm GAA工艺，并获得订单，台积电提前部署产能目的是为保持在晶圆代工领域的地位。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/15 17:24:27
英飞凌科技股份公司近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫，这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能，确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White表示：“这两个系列的发布是建立在英飞凌去年收购GaN Systems的基础之上，它们将为我们的客户带来更高的效率和性能。英飞凌新一代高压和中压CoolGaNTM系列展示了我们的产品优势，并且完全采用8英寸工艺制造，证明了GaN在更大晶圆直径上的快速扩展能力。我们期待客户通过这些新一代GaN器件推出各种创新应用。”全新650 V G5系列适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用。该系列产品是英飞凌基于GIT的新一代高压产品。另一个采用8英寸工艺制造的全新系列是G3中压器件，覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaNTM晶体管电压等级，以及40 V双向开关（BDS）器件。G3中压产品主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/11 15:14:40
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）推出两款双极型晶体管“TTA2070和TTC5810”（采用SC-62封装：东芝别名PW-Mini ）。这两款产品适用于功率器件中的栅极驱动电路、消费设备和工业设备中的电流开关以及LED驱动电路。TTA2070的集电极-发射极额定电压和集电极额定电流（DC）为-50 V/-1 A；TTC5810的集电极-发射极额定电压和集电极额定电流为50 V/1 A。新产品TTA2070和TTC5810采用小型贴片式SC-62封装。与东芝采用相同封装方式的现有产品[1]相比，新产品的导线材料从金改为铜，树脂材料从含卤素升级为不含卤素，但额定值及电气特性与现有产品相当，因此有助于减少对环境影响。同时，其易于替代东芝的现有产品。东芝将继续扩展有助于减少对环境影响的产品线。注：[1]2SA2070，2SC5810应用消费设备和工业设备功率器件的栅极驱动电路电流开关LED驱动电路等特性使用铜导线材料和无卤素树脂材料，减少对环境影响大集电极额定电流（DC）：IC＝-1 A（TTA2070）IC＝1 A（TTC5810）小型贴片式SC-62封装：4.6 mm×4.2 mm（最大值），厚度＝1.6 mm（最大值）主要规格内部电路应用电路示例注：本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。特性曲线（参考）特性相当。（新产品TTC5810与东芝现有产品2SC5810的对比）免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/11 15:10:10
英飞凌科技股份公司近日推出两项全新的CoolGaN™产品技术：CoolGaN™双向开关（BDS）和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。CoolGaN™ Smart Sense 产品具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降低了功率损耗，同时将各种晶体管开关功能集成到一个封装中，适用于消费类USB-C 充电器和适配器。CoolGaN™ BDS高压产品分为650 V 和 850 V两个型号，采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。该系列半导体器件基于栅极注入晶体管（GIT）技术，拥有两个带有衬底终端和独立隔离控制的分立栅极。它们利用相同的漂移区来阻断两个方向的电压，即便在重复短路的情况下也具备出色的性能，并且通过使用一个BDS代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本。在替代单相H4 PFC、HERIC逆变器，和三相维也纳整流器中的背对背开关时，该系列器件能够优化性能，而且还可用于交流/直流或直流/交流拓扑结构中的单级交流电源转换等。CoolGaN™ BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN™ BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品。相比背对背硅FET，使用40 V GaN BDS的优点包括节省50% - 75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗，以及减少成本。CoolGaN™ Smart Sense产品具有2 kV静电放电耐受能力，可连接到控制器电流...
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2024/7/10 16:52:29
据中国台湾业界消息，人工智能（AI）等领域的热潮正推动被动元件市场繁荣，尽管地缘政治、通货膨胀等因素仍然存在，但被动元件大厂国巨等对AI应用增长的潜力持乐观态度，因为其客户的库存正在回到正常水平。国巨2024年6月营收达1000.04亿元新台币（约合3.08亿美元），环比下降6.6%，同比增长14%。2024年第二季度营收达到314.19亿元新台币，环比和同比分别增长10.2%和17.3%，创下季度营收新高。展望未来，国巨预计由于第二季度基线较高，因此第三季度不太可能出现大幅度增长，预计下半年表现持平，但产能利用率将略有提高。AI产业的增长，推动了导电浆料和厚膜半导体供应商勤凯科技（Ample Electronic Technology）的业绩。该公司预计第三、第四季度将迎来AI PC驱动的元器件升级周期，预计产值将有所提升。勤凯科技已获得AI相关元件专用导电浆料的认证和订单，2024年6月该公司营收同比增长19.1%，预计第二季度同比增幅将超过20%。勤凯科技援引日本村田的预测，称由于今年下半年智能手机和汽车市场将出现复苏，全球主要被动元件制造商已将产能利用率提高到80%~85%。业界分析，展望未来，无源被动元件行业将继续向高电容、高电压、高频率以及模块化集成的小型产品发展，以满足5G、Wi-Fi 6、电动汽车和自动驾驶等领域的需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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