圣邦微电子（SGMICRO）近期推出了SGMNQ12340，这是一款40V耐压的N沟道MOSFET，采用紧凑的TDFN-2×2封装。该产品以13mΩ（典型值）的超低导通电阻、8.5nC的低栅极电荷以及9A的连续漏极电流为核心优势，旨在提升VBUS过压保护、AMOLED显示控制、电池管理及DC/DC转换器等场景的能效与功率密度。一、技术难点及应对方案在开发高压紧凑型MOSFET时，需平衡耐压能力、导通电阻与开关损耗之间的矛盾，同时确保小型化封装下的散热可靠性。圣邦微电子通过以下技术应对这些挑战：●低阻沟道设计：通过优化晶圆工艺，将导通电阻典型值控制在13mΩ（@10V VGS），显著降低导通损耗。●快速开关特性：将总栅极电荷（Qg）降至8.5nC（典型值），减少开关过程中的延迟与损耗，支持高频应用。●散热与封装优化：采用TDFN-2×2封装集成散热焊盘，结合150℃最高结温设计，确保高温环境下的稳定运行。二、产品特性●电气性能：漏源电压（VDS）40V，连续漏极电流（ID）9A，栅源阈值电压（VGS_TH）1.2V–2.2V。●能效核心：导通电阻典型值13mΩ（最大值18mΩ），总栅极电荷典型值8.5nC，优化能效与开关频率。●可靠性与环保：工作温度范围-55℃至+150℃，符合RoHS标准及无卤素要求。●物理尺寸：封装尺寸2mm×2mm，适合高密度PCB布局。三、同类竞品对比与分析品牌/型号 耐压 (VDS) 导通电阻 (Rds(on)) 栅极电荷 (Qg) 封装尺寸 关键应用圣邦微 SGMNQ12340 40V 13mΩ (典型) 8.5nC (典型) TDFN-2×2 VBUS保护、DC/DC转换圣邦微 SGMNL12330 30V 9mΩ (典型) 21.1nC TDFN-2×2 无线充电、工业电源TI CSD1731...
浏览次数：
3
2025/10/17 13:39:42
随着云服务和生成式AI应用的普及，全球数据中心正面临前所未有的存储压力。在这一背景下，东芝电子元件台湾公司于2025年10月14日宣布，已在存储行业率先完成12碟片堆叠技术的验证，计划于2027年向市场推出容量达40TB级别的3.5英寸数据中心专用机械硬盘。这一技术突破标志着机械硬盘容量竞赛进入新阶段。与当前主流大容量3.5英寸机械硬盘最多10碟片的设计相比，12碟片堆叠技术理论上可带来20%的容量提升，同时保持了标准外形尺寸不变，确保了与现有数据中心基础设施的兼容性。技术核心：材料创新与记录技术协同东芝12碟片堆叠技术的实现依赖于多项关键创新。其中最核心的是用玻璃基板替代了传统的铝基板，这一转变使碟片更薄、更坚固，从而为在相同空间内集成更多碟片创造了条件。同时，东芝将这一碟片堆叠技术与微波辅助磁记录技术相结合，通过微波增强写入信号效果，提升了单位面积的磁记录密度。这些技术进步共同带来了机械稳定性、平面精度、存储密度和可靠性的全面提升。按照12碟片封装实现40TB总容量计算，每张碟片的存储密度至少需达到3.3TB。东芝正在研究的另一条技术路线是将12碟片堆叠与热辅助磁记录技术结合，这可能是实现未来更高容量硬盘的关键。市场背景：AI驱动下的存储需求激增东芝此次技术突破正值全球数据存储需求空前增长的时期。云服务扩张、流媒体视频服务普及以及生成式AI和数据科学的快速发展，导致数据生成和存储需求持续爆炸性增长。在AI存储领域，尽管NAND闪存在性能敏感应用中加速替代传统机械硬盘，但机械硬盘在大容量、低成本存储方面仍具有不可替代的优势。和众汇富研究发现，HDD在冷数据归档领域仍有优势，形成了"热数据用NAND、冷数据存HDD"的分层存储格局。东芝美国电子元件公司工程与产品营销副总裁Raghu Gururangan表示："东芝的12碟硬盘平台提供了支持AI...
浏览次数：
1
2025/10/17 13:31:44
英特尔Fab52工厂已正式投入18A（1.8纳米）制程的量产，这标志着美国在芯片制造领域迈出了关键一步。该工厂将生产下一代笔电处理器PantherLake以及服务器芯片Xeon6+，预计于2026年正式上市。18A制程的技术突破Intel18A制程集成了两项核心技术：RibbonFET和PowerVia。RibbonFET：作为英特尔的全新闸极环绕式（GAA）电晶体结构，它能显著提升电晶体密度。PowerVia：这是一项背面供电技术，通过将供电层移至电晶体背面，有效提升了功率效率与稳定性。这些技术带来了显著的性能提升：与前代Intel3工艺相比，18A制程性能提升15%，芯片密度增加30%，并在相同性能下功耗降低超过25%。Fab52工厂与产能规划Fab52工厂位于亚利桑那州钱德勒市，是英特尔Ocotillo园区的重要组成部分。关键设备：工厂已导入多台ASML的极紫外光（EUV）光刻机。有消息指出，其EUV机台初始每小时产能约为195片晶圆，后续可提升至220片。产能爬坡：18A制程的月产能预计在2026年达到1万至1.5万片，并在2027年后有望进一步提升至3万片的水准。首批产品与应用领域基于18A制程的首批产品旨在强化AI运算能力，涵盖客户端与数据中心市场：PantherLake：作为首款18AAI笔电晶片，它集成了CPU、GPU及专用AI加速器，AI算力最高可达180TOPS。预计2025年底开始出货，2026年1月广泛上市。Xeon6+：这款服务器处理器最多支援288个高效能核心，其每时钟周期指令数（IPC）较前代提升17%，专注于AI训练、推理和高密度运算。这些芯片将应用于AIPC、超大规模数据中心、电信等领域，并将拓展至机器人等边缘应用。战略意义与市场竞争18A制程的量产对英特尔具有重要的战略意义：重夺制程地位：英特尔通过18A技术在超微制程竞赛中抢先在1.8纳...
浏览次数：
1
2025/10/17 13:31:07
全球内存芯片市场正迎来新一轮增长周期。三星电子近日发布业绩预告，预计2025年第三季度营业利润将达到12.1万亿韩元（约85亿美元），较去年同期大幅增长32%。这一表现不仅远超市场分析师预期的10.1万亿韩元，更创下三星三年多来的最高单季利润。公司计划于10月30日公布各业务部门的详细业绩数据，为市场提供更全面的业绩解读。01 业绩亮眼：利润超预期，股价创新高三星电子第三季度的业绩表现令人瞩目。12.1万亿韩元的营业利润远超市场预期，显示出公司在内存市场的强劲复苏。这一优异表现直接反映在资本市场上。2025年以来，三星股价已累计上涨75%，创下历史新高，凸显投资者对三星未来发展前景的强烈信心。业绩增长的主要推动力来自半导体业务。根据公司披露的数据，三星电子2025年总营收预计将同比增长8.7%，达到86万亿韩元。半导体销售的强劲表现，主要得益于产品价格的上涨和出货量的增加。02 内存市场：传统芯片需求强劲，价格大幅攀升当前内存市场的繁荣主要源于传统DRAM和NAND产品的量价齐升。尽管HBM芯片在内存业务中占比不断扩大，但传统内存产品的收益在供应紧张的情况下表现突出。市场调查机构TrendForce的数据显示，广泛应用于服务器、智能手机和个人电脑的某些DRAM芯片价格，在第三季度与2024年同期相比暴涨了171.8%。这一惊人的价格涨幅直接提升了三星的盈利能力。近年来，内存制造商将投资重点转向HBM等内存产品，客观上限制了传统内存芯片的产量。供应短缺的持续存在，进一步推高了AI服务器所需芯片的价格。03 业务结构：HBM进展滞后，传统内存补位尽管三星在HBM领域的进展略逊于预期，但传统内存业务的强劲表现有效弥补了这一短板。三星向包括英伟达在内的主要客户供应HBM的进度落后于原定计划。路透社报道指出，尽管供应HBM给主要客户的进度有所放缓，但由于服务器和AI相关芯片需求强劲，...
浏览次数：
3
2025/10/17 13:23:01
东芝电子元件推出一款车载光继电器“TLX9165T”，其采用10引脚SO16L-T封装，支持输出耐压1800V（最小值）的高压车载电池。电动汽车的普及离不开两大关键突破：更短的充电时长与更长的续航里程，而这两者的实现，均依赖电池系统的高效运转。作为电池系统的核心控制单元，电池管理系统（BMS）一方面通过精准监控电池充电状态，为系统高效运行提供支撑；另一方面则实时监测电池与车身间的绝缘状况，保障高压电池的使用安全。值得注意的是，鉴于BMS需处理高电压场景，当前其已普遍采用电气隔离光继电器，以适配高压工作需求。正因如此，能够实现可靠电气隔离、保障高压电路安全的光继电器，自然成为储能系统中的关键元器件之一。它通过高效的信号隔离与电路控制，有效规避高压电路对低压控制单元的干扰，同时防止漏电、短路等安全隐患，为储能系统在高电压环境下的稳定、安全运行提供核心保障。也由此，储能系统与电动汽车领域并行，共同构成了电气隔离光继电器的重要应用市场，推动其在新能源高电压场景中的技术迭代与规模化应用。当前400V电池系统是电动汽车主流，但市场对更长续航、更快充电的需求推动其加速向800V电池系统过渡，而适配800V系统的光继电器需1600V以上耐压值。东芝新款光继电器搭载最新高压MOSFET，输出耐压达1800V（最小值），可适配800V电池系统。该光继电器采用10引脚SO16L-T封装，封装树脂CTI超600（属IEC60664-1标准I类材料），引脚配置优化使光接收器侧爬电距离超7.5mm，符合IEC60664-1标准，支持1500V工作电压以保障安全。设计上，其引脚间距与配置和SO16L-T封装一致，兼容通用PCB图案设计，便于电路集成与生产。车载光继电器“TLX9165T”应用场景：车载设备：BMS（电池电压监控、机械式继电器粘连检测和接地故障检测等）工业设备：ESS替代机械式继电器车载光...
浏览次数：
3
2025/10/15 10:38:47
在全球工业自动化与智能化浪潮下，AMD近日正式发布了专为工业场景打造的锐龙嵌入式9000系列处理器。该系列采用4nm制程工艺和Zen 5架构，将高达16个高性能核心与工业级可靠性相结合，为工业PC、自动化系统和机器视觉应用提供了前所未有的计算性能与能效表现。业计算面临的挑战与技术瓶颈现代工业计算环境对硬件平台提出了极为严苛的要求。性能与功耗的平衡成为首要难题，工业设备不仅需要处理复杂的AI推理与机器视觉任务，还必须在有限的散热条件下稳定运行。长期可靠性是另一大挑战，工业部署周期常跨越数年至数十年，传统消费级处理器难以在此漫长周期内保证持续稳定的性能输出。环境适应性同样制约着工业设备表现，工厂车间的极端温度、振动与电磁干扰对处理器的稳健性构成了持续考验。此外，网络安全威胁与系统升级复杂性也增加了工业系统的维护成本与风险，迫切需要从硬件层面构建安全屏障。AMD的创新解决方案与技术突破锐龙嵌入式9000系列通过多项尖端技术，为工业计算挑战提供了全面解决方案：Zen 5架构与4nm制程是性能基础，相比前代产品实现了显著的每瓦性能提升，功耗配置覆盖65瓦至170瓦，满足从节能控制到高性能机器视觉的多样化需求。高速连接与存储能力包括对DDR5内存和PCIe Gen 5接口的支持，结合3D V-Cache技术提供的最高128MB缓存，为实时数据处理任务提供了充足的带宽与低延迟保障。集成图形处理能力基于AMD RDNA 2架构，无需独立GPU即可提供高质量的视觉输出，既降低了系统复杂度与成本，又满足了工业可视化场景的需求。长效生命周期支持提供长达7年的产品供货期（PRO版本更达10年），确保工业系统在其完整生命周期内都能获得稳定的组件供应。产品在工业系统中的核心作用在工业自动化系统中，锐龙嵌入式9000系列扮演着 “智能计算中枢” 的关键角色：作为实时数据处理引擎，其低延迟特性与高性能计算...
浏览次数：
4
2025/10/15 10:34:45
全球半导体行业正迎来新一轮强劲增长周期。台积电将于10月16日举行第三季度法人说明会，业界普遍预期，随着2纳米制程产能陆续开出且供不应求，台积电明年资本支出有望超越今年水平，再创历史新高。这一乐观预期源于苹果、超微、高通、联发科等科技巨头已提前将明年2纳米产能预订一空，连带使封装产能全数满载。在AI与高效能运算需求的强劲推动下，台积电2026年营收被看好突破3兆元新台币，再写新纪录。2纳米制程：引爆增长的核心引擎台积电正处于法说会前缄默期，但供应链透露的消息已描绘出明朗的前景。台积电最新2纳米生产基地新竹宝山厂Fab20和高雄楠梓Fab22已进入试产及验证阶段。半导体设备业者指出，台积电2纳米制程的整体良率已达近七成，这一数字远超行业平均水平，展现了台积电在制程上的技术成熟度。这一良率水平对于即将量产的制程而言堪称出色，为后续大规模生产奠定了坚实基础。业界估计，台积电年底首批量产的2纳米制程月产能可达4万片，随着新竹、高雄等地四座厂区陆续投入生产行列，明年底整体月产能可望上看近10万片。更令人惊讶的是，在大客户们力挺下，台积电明年2纳米产能已全被抢光，提前宣告产能满载到明年底。客户群扩张：多元需求推动产能满载台积电2纳米制程的客户群不断扩大，已从最初公布的6家客户扩展至15个客户，其中10个用于高性能计算产品，充分展示了人工智能领域的巨大推动力。这一客户结构变化反映了市场趋势的转变——过去移动SoC厂商是采用尖端制程技术的先驱，而现在高性能计算客户正发挥更大作用，采用尖端制程技术的时间点越来越靠前。除了传统的苹果、AMD、高通、联发科等移动芯片大厂，谷歌、博通和亚马逊等公司也都在为自家定制AI芯片争夺台积电2纳米产能。客户群的多元化降低了台积电对单一市场的依赖，为其持续增长提供了更稳固的基础。封装：产能同步满载台积电制程接单热转之际，封装需求同步冲高。半导体设备业者指出，台...
浏览次数：
1
2025/10/15 10:31:51
为解决传统接触器在兼容性、可靠性及智能化三大痛点，金升阳推出接触器宽压节能专用控制模块--KM系列，该系列搭载自研IC芯片，集输入电压范围宽、支持单线圈无短路环设计、兼容多种接触器型号及低功耗小体积等多功能于一体。严格遵循GB/T14048.4-2020、GB/T14808-2016等国家标准，品质有保障。可广泛应用于行吊专用接触器、电梯专用接触器及储能系统BMS专用接触器等其他负载，金升阳可为其提供一站式电源解决方案。产品优势1.低成本高兼容性a.支持单线圈无短路环设计，有效降低物料成本；b.支持24-550VAC&DC宽压输入,适用于全球电网；c.单一型号覆盖更多场景，可以简化选型与库存。2.低功耗高可靠性a.低视在功率，节能降耗可达90%；b.抗晃电能力强，吸合稳定，防止脱扣；c.内置EMC/浪涌防护，保护功能齐全。3.小体积高智能化a.集成芯片尺寸紧凑，释放更多设计空间；b.通过优化线圈电流，有效实现噪音抑制；c.智能IC精准驱动，支持远程控制及高温预警。4.长寿命高安全性a.20ms极速响应，有效提高触头使用寿命；b.100%国产化物料，供应稳定，品质保障；c.支持无电解电容设计,显著延长电气寿命。性能对照表产品特点•交直流通用，宽压范围输入•节能降耗，低视在功率•小体积•噪音≤25db•20ms极速响应•支持无电解电容设计•工作环境温度：-40℃to+70℃免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
1
2025/10/14 13:48:00
Littelfuse公司近日发布IX3407B单通道电隔离栅极驱动器，该产品采用2.5 kV电容隔离技术，为大功率应用设计带来突破性进展。新型驱动器通过提供7 A峰值电流输出和卓越的噪声抑制能力，显著提升了电机驱动器、逆变器和工业电源系统的性能与可靠性。这款驱动器专为应对高功率密度设计挑战而开发，具备高速开关性能和简化的系统架构，为工程师在太阳能逆变器、工业自动化和高效UPS系统等应用提供了更为优化的解决方案。技术难点与行业挑战高功率电子系统设计面临多重挑战。信号完整性在高压环境下难以维持，低压控制信号与高压功率器件之间的接口常成为系统故障点。空间限制制约产品创新，传统隔离方案如光耦合器或变压器占用大量电路板面积，阻碍设备小型化趋势。热管理同样是关键难题，功率器件在高温环境下运行稳定性直接影响系统寿命。此外，电磁干扰在工业环境中尤为突出，高噪声环境下的共模瞬态抗扰度决定系统可靠性。系统复杂度与成本控制间的平衡也考验着设计工程师的智慧。Littelfuse的创新解决方案●IX3407B通过多项技术创新应对上述挑战。集成电容隔离技术是核心突破，提供2.5 kV可靠电气隔离，同时实现高速信号传输。●高驱动能力确保开关效率，7 A峰值拉/灌电流配合独立输出引脚，实现精准栅极控制，减少开关损耗。●增强的噪声免疫力提升系统稳定性，150 kV/µs的CMTI等级使器件能在嘈杂的工业环境中稳定工作。●智能保护功能增加系统可靠性，集成主动关断(ASD)与欠压锁定(UVLO)功能，有效防范各种故障状态。产品的核心作用IX3407B在功率系统中充当信号桥梁与驱动核心，负责将低压控制信号安全、高效地转换为能驱动高压功率器件的大电流信号。其电容隔离屏障在控制电路与功率级之间建立安全隔离，保护敏感控制元件免受高压侧干扰和损坏。作为开关性能优化器，驱动器通过快速、精确的栅极控制，显著降低功率...
浏览次数：
5
2025/10/14 13:44:13
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布推出通过AEC-Q200认证的金属化聚丙烯薄膜DC-Link电容器---MKP1848e，该系列产品工作温度高达+125℃，并在高湿环境下展现出卓越的稳定性。这些特性使其成为汽车、能源和工业等严苛环境应用的理想选择。新发布的MKP1848e系列基于IEC60384-16第3版的III级标准，能在额定电压和60°C/93%相对湿度条件下持续稳定工作1344小时，为电源转换系统提供了前所未有的可靠性保障。01 严苛环境下的技术挑战现代汽车电子和工业设备对元器件提出了前所未有的要求。高温环境稳定性成为首要挑战，发动机舱和电力电子设备内部温度常常超过传统元器件的承受极限。高湿环境耐受性直接影响产品寿命，特别是在电动汽车底盘和户外能源设备中，湿度波动会导致传统电容器性能急剧下降。纹波电流能力制约着功率密度提升，高功率应用需要元器件承受更大的电流应力。此外，空间限制与热循环应力也是设计工程师面临的主要难题，紧凑布局和温度急剧变化对电容器的机械和电气性能构成了严峻考验。02 Vishay的创新解决方案MKP1848e系列通过材料创新和结构优化，为行业挑战提供了全面解决方案。金属化聚丙烯薄膜技术确保了在宽温度范围内的稳定性，同时提供了优异的介电特性。优化的内部结构设计将纹波电流能力提升至44.5A，较上一代产品提高25%，满足高功率应用需求。创新的防潮封装技术基于IEC60384-16 Grade III标准，确保在高湿环境下长期可靠运行。增强的端接技术提供卓越的抗热冲击能力，支持-40℃至+125℃的1000次温度循环，适应最严苛的环境应力。03 产品的核心作用MKP1848e在电源系统中扮演着能量缓冲与滤波核心的角色，特别是在高功率DC-Link应用中，其性能直接影响整个系统的效率和可靠性。作为直流母线电...
浏览次数：
6
2025/10/13 13:22:53
Holtek半导体近日推出两款专为烟雾报警器设计的增强型Flash MCU——BA45F25752和BA45F25762。这两款产品高度集成了双通道烟雾检测AFE、红外/蓝光LED驱动、万年历及蜂鸣器驱动器等关键功能，为智能烟雾报警器提供完整的单芯片解决方案。相较于前代BA45F5750/BA45F5760系列，新产品增加了蓝光LED支持、温度补偿和蜂鸣器驱动等实用功能，特别适合需要事件记录功能的高端烟雾探测产品。01 行业痛点与技术挑战现代烟雾报警器设计面临几大核心挑战。误报频繁是首要问题，传统传感器易受厨房油烟、蒸汽等干扰，导致误报警。功耗控制直接影响产品寿命，特别是电池供电设备需保证长达10年的稳定运行。此外，功能单一制约产品升级，消费者需要更智能、具备事件记录功能的产品。设计复杂度也不容忽视，如何在有限空间内集成更多功能成为工程师的难题。02 Holtek的创新解决方案●BA45F25752/BA45F25762通过多项创新技术解决行业痛点。双通道烟雾检测架构结合红外与蓝光LED，实现多光谱分析，显著提升检测准确性。●低功耗LIRC设计确保3V锂电池供电设备可达10年使用寿命，满足长期免维护需求。内置温度传感器提供实时环境补偿，避免温度变化引起的误报。●集成万年历模块为事件记录提供精准时间戳，支持时间敏感性调整策略。内置升压电路可直接驱动蓝光LED和蜂鸣器，简化外围设计。03 产品核心价值这两款MCU在烟雾探测系统中扮演着智能处理中枢的角色，实现了从信号采集到报警输出的全流程控制。其双检测通道支持同时分析红外与蓝光散射特性，能有效区分真实火警烟雾与干扰颗粒。万年历功能超越简单计时，支持智能灵敏度调整，根据不同时段自动优化检测参数。关键竞争优势●存储配置灵活：BA45F25752提供8K×16 Flash ROM/1024×8 RAM/128...
浏览次数：
1
2025/10/13 13:18:05
10月10日，业界传来重要消息，英伟达已正式批准三星电子的第五代高带宽内存（HBM3E）用于其最新一代GB300人工智能加速器。这一突破标志着三星在经历多次技术验证失利后，终于重返英伟达核心供应链体系，打破了此前由美光和SK海力士主导的“双寡头垄断”格局。英伟达CEO黄仁勋已向三星电子会长李在镕发出正式信函，确认三星的12层堆叠HBM3E模块已通过资格测试。双方目前正就供应数量、价格及交付时间表进行最后协商。01 破冰之旅：三星的19个月回归路三星电子重返英伟达供应链的道路可谓一波三折。此次合作突破，距离三星首次传出有望进入英伟达供应链已过去一年七个月。回顾此次合作进程，时间线显示，2024年3月的英伟达GTC大会期间，黄仁勋曾对三星HBM技术给予关键认可——在其展示的HBM3E样品上签下“Jensen Approved”（黄仁勋认可）。然而，在后续推进中，三星HBM3E产品在英伟达严格的质量测试中屡次出现问题，导致合作进程一度停滞。转折点出现在2025年，有消息称，李在镕紧急下令三星内部启动“强硬式改革”，聚焦HBM技术稳定性与可靠性提升，要求团队务必达到业界标准。自2025年8月底起，李在镕将大部分时间投入美国商务活动，期间与黄仁勋进行了面对面会谈，这种被称为 “李式销售”的高强度客户对接策略，对合作达成起到了关键作用。02 HBM格局：三足鼎立的市场现状美光则采取了差异化策略，完全跳过HBM3代，直接专注于HBM3E。该公司已向客户交付HBM4样品，并实现了11Gbps的业界速度。在此背景下，三星重返英伟达供应链具有里程碑意义。HBM3E是当前AI芯片的关键组成部分，其总线速度超过1TB/s，成为英伟达、AMD和英特尔最新AI芯片的必备元件。03 GB300芯片：AI加速器的核心动力英伟达GB300系列是AI加速器市场的重要产品，它们正被广泛应用于全球各大云服务提供商...
浏览次数：
3
2025/10/13 13:14:27
全球智能手机市场正迎来结构性转变，高端化趋势推动平均售价持续攀升。根据CounterpointResearch最新数据，2025年全球智能手机平均售价预计达370美元，并将在2029年稳步增长至412美元，年均复合增长率达3%。这一增长动能主要来自5G普及、生成式AI技术应用以及消费者对高端机型需求的提升，标志着智能手机产业从销量驱动转向价值驱动的新阶段。均价走势与市场动态2025年全球智能手机平均售价预计将达370美元，较2024年的357美元实现稳步提升。这一增长趋势并非短期波动，而是可持续的结构性调整，预计到2029年，全球智能手机平均售价将达412美元，2025-2029年间年均复合增长率为3%。与此同时，全球智能手机年收入也将同步增长，预计到2029年将达到5640亿美元，2025年至2029年的收入复合年增长率将达5%。市场回暖与价格提升同步进行。IDC预测2025年全球智能手机出货量将同比增长1%，达到12亿台。尽管出货量增幅有限，但平均售价的增速明显高于出货量增长，这意味着智能手机市场正从追求规模转向注重价值提升。价格攀升的核心驱动力硬件成本上涨与技术创新智能手机平均售价上涨与物料清单成本增加密切相关。SoC是导致成本上涨的主要因素之一。随着芯片制造商采用更工艺节点，从2025年开始晶圆制造成本有所上升。高通和联发科等公司推出的最新SoC产品不仅价格更高，性能也更加强大。以联发科Dimensity9400为例，其NPU、Cortex-X925和Immortalis-G925性能分别提升了40%、30%和40%，售价较前代产品高出20%以上。内存价格同样成为关键因素。从2023年第三季度到2024年第二季度，DRAM和NAND的现货价格平均上涨了60%以上。生成式AI趋势推动了对LPDDR5x9600和NANDUFS4.0等高性能内存的需求，这些新型内存解决方...
浏览次数：
3
2025/10/11 13:19:13
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布成功开发出一款创新型保护用肖特基势垒二极管——RBE01VYM6AFH。该产品在低正向电压（VF）与低反向电流（IR）这对通常相互制约的关键参数之间取得了突破性平衡，可为ADAS（高级驾驶辅助系统）摄像头及各类搭载高像素图像传感器的应用提供更高可靠性的电路保护解决方案。近年来，随着ADAS摄像头等应用的精度提升，其搭载的图像传感器的像素也越来越高。这使得产品无法对电源关断时图像传感器感光产生的光生电压进行充分控制，从而存在对应用产品造成损坏的风险，而采用具有低VF特性的肖特基势垒二极管进行保护被认为是行之有效的方案。另一方面，为了防止运行时的热失控，还需要具备低IR特性。但由于VF与IR之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何兼顾二者一直是个难题。在这种背景下，ROHM通过从根本上重新改进器件结构，成功开发出兼具低VF和低IR特性的肖特基势垒二极管，使其能够胜任保护工作。“RBE01VYM6AFH”是一款突破常规思维的产品，它创新性地将通常用于整流用途的肖特基势垒二极管的低VF特性用在了保护用途中。通过采用基于ROHM自有技术的创新型器件结构，同时实现了通常难以兼顾的低VF和低IR特性。凭借这些优异的特性，新产品即使在严苛的环境条件（VF：Ta=－40℃、IR：Ta=125℃）下，仍同时满足市场VF＜300mV（IF=7.5mA）和IR＜20mA（VR=3V）的特性要求。因此，新产品不仅能够防止应用产品停止运行时的高光生电压*1导致的电路损坏，还能大大降低运行过程中出现热失控和误动作的风险。新产品的封装采用小型扁平引脚SOD-323HE（2.5mm×1.4mm）封装形式，兼具出色的可安装性和节省空间优势。在需要在狭小空间中安装的车载摄像头、工业设备、安防设备等众多应用中，均可灵活使用。另外，新产品还符合车载电子元器件可...
浏览次数：
4
2025/10/11 13:13:42
威世科技（VishayIntertechnology）于2025年9月30日宣布推出四款新型1200VFREDPt®超快恢复整流器，包括VS-E7JX0112-M3、VS-E7JX0212-M3以及通过AEC-Q101认证的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3。这些器件采用eSMP®系列SlimSMAHV（DO-221AC）封装，具有105nC的低反向恢复电荷（Qrr）和1.45V的低正向压降（VF），同时恢复时间短至45ns，结电容低至2.5pF。该系列产品针对工业驱动、电动汽车车载充电器、储能系统等高频应用场景，在提升效率的同时显著降低开关损耗。一、技术难点以及应对方案在高温、高频率的工业与汽车应用环境中，传统整流器因开关损耗大、恢复特性差，容易导致系统效率下降和发热问题。Vishay通过以下技术方案解决这些痛点：●铂掺杂寿命控制技术：采用平面结构和铂掺杂优化电荷存储，在保持低反向恢复电流的同时，将恢复时间缩短至45ns–50ns，显著降低开关损耗。●紧凑型封装设计：SlimSMAHV封装的尺寸为2.6mm×5.2mm，厚度仅0.95mm，比传统SMA封装更薄。其3.2mm的最小爬电距离和CTI≥600的模塑料，满足IEC60664-1高压安全标准，有助于减少外部元件数量。●电气参数均衡优化：通过权衡Qrr与VF的关系，1A型号的VF低至1.45V，2A型号为1.60V，同时将结电容控制在2.5pF–3.0pF，兼顾高频性能与导通损耗。二、核心作用该系列整流器的核心作用是作为高频电源电路的“高效开关枢纽”，通过快速恢复特性抑制电压尖峰和振荡，为快速开关IGBT与Si/SiCMOSFET提供去饱和保护，并作为钳位、缓冲或续流二极管，提升系统可靠性和功率密度。三、产品关键竞争力●优异的开关性能：Qrr低至105nC（1A型...
浏览次数：
2
2025/10/10 13:19:23
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子于2025年10月9日宣布，推出全新无磁电感式位置传感器（IPS）IC产品系列，包括RAA2P3226、RAA2P3200和RAA2P4200三款型号。新产品具备高分辨率、高精度与高可靠性，是传统磁编码器/光学编码器的理想替代方案。与此同时，瑞萨同步推出一款网页版电感式位置传感器线圈优化工具，该工具通过自动化线圈布局、仿真和调谐，助力客户轻松创建定制化线圈方案，显著降低了设计门槛。一、技术难点以及应对方案在工业自动化、机器人等高精度应用场景中，传统的位置传感技术（如磁编码器和光学编码器）常常面临一些挑战：它们可能体积较大、成本较高，并且易受环境因素（如粉尘、潮湿、杂散磁场）干扰，需要频繁维护。瑞萨电子的新型电感式位置传感器（IPS）IC及其配套工具通过以下方式应对这些挑战：●无磁感应原理：IPS产品基于非接触式线圈传感器技术，采用简易金属标靶和双线圈/单线圈配置。这种原理使其天生不受杂散磁场影响，并且能够在-40°C至125°C的宽温范围以及粉尘、潮湿、机械振动和电磁干扰等恶劣环境下稳定运行，基本无需维护。●网页版线圈优化工具：针对定制化线圈设计复杂、精度要求高的难点，瑞萨推出的网页版工具能够自动化完成线圈的布局、仿真和调谐。这使工程师无需深度依赖芯片供应商的技术支持，就能设计出高精度的线圈，显著降低了开发难度和学习成本。二、核心作用这一系列传感器IC的核心作用是作为各类工业运动控制系统的 “高精度位置感知核心” 。它们通过检测金属标靶相对于传感线圈的旋转、线性或弧形位置变化，将机械运动转换为精确的数字或模拟信号，从而为机器人关节、电机换向、执行器等应用提供可靠的位置反馈。三、产品关键竞争力●卓越的精度与速度：高端型号RAA2P3226支持双线圈传感，提供最高19位分辨率和优于0.01°的绝对精度。RAA2P32...
浏览次数：
3
2025/10/10 13:15:33
Microchip Technology（微芯科技公司）近日推出MCP9604集成热电偶调理IC，作为业界首款单芯片四通道I²C热电偶调理解决方案，该系统精度高达±1.5°C。该器件支持-200°C至+1372°C的宽温区测量，兼容8种主流热电偶类型，通过高度集成的单芯片设计取代传统分立方案，显著降低高低温工业应用的成本与设计复杂度。一、技术难点以及应对方案工业温度测量长期面临多通道系统误差累积、外部元件依赖度高及校准流程繁琐等挑战。传统分立方案需组合多芯片和被动元件，导致误差叠加、PCB布局复杂且校准成本高昂。MCP9604通过三重创新破局：●高阶算法整合：采用NIST ITS-90标准方程式（支持K型热电偶第九阶精度）替代传统一阶线性近似，显著提升测量准确性；●全链路集成：单芯片内集成ADC、冷端补偿传感器、放大器及数学运算引擎，减少多达15个外部元件；●自动校准优化：通过硬件集成消除分立方案所需的逐台验证与校准流程，缩短部署周期数周。二、核心作用MCP9604的核心作用是作为工业温度测量系统的 “精准数据采集中枢” ，将多路热电偶的微弱信号转换为高精度数字温度读数，通过I²C接口直接输出至主控制器，为化工、医疗、 HVAC等系统提供可靠的多点测温保障。三、产品关键竞争力●卓越的精度与通道密度：四通道同步测量实现±1.5°C系统精度，支持J/K型等8类热电偶；●显著的降本增效：高集成度削减BOM成本，简化PCB布局，避免多器件校准；●宽泛的环境适应性：覆盖-200°C至+1372°C范围，适用于极端高低温场景；●便捷的开发支持：配套EV19L27A评估板及免费软件，支持快速原型验证。实际应用场景●工业过程控制：化工反应釜、食品产线、HVAC系统的多点温度监控；●医疗与低温...
浏览次数：
1
2025/10/10 13:13:33
威世科技（VishayIntertechnology）近日推出了业内首款采用表面贴装（SMD）封装的车规级Y1陶瓷安规电容器——SMDY1汽车级系列。该器件在Y1绝缘等级下支持高达500VAC（1500VDC）的额定工作电压，并提供最高4.7nF的电容值。产品已通过AEC-Q200认证并支持PPAP文档，专为纯电动（EV）、混合动力（HEV）和插电式混合动力汽车（PHEV）中恶劣高湿热环境下的EMI/RFI抑制和滤波而设计。一、技术难点以及应对方案在传统汽车电子设计中，安规电容器普遍面临三大挑战：引线式封装占用PCB空间大、人工插装成本高，以及在高温高湿环境下稳定性不足。SMDY1系列通过以下创新方案解决这些痛点：●紧凑型SMD设计：采用回流焊工艺实现表面贴装，显著降低加工成本。其扁平化外壳支持PCB背面安装，避免了引线元件所需的双面电气间隙，助力小型化设计。●强化环境适应性：防潮等级达到IEC60384-14附录I标准的IIB级，并通过了“双85”（85°C/85%相对湿度、1000小时满载）严格测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。●高绝缘与阻燃保障：提供爬电距离10mm（C壳）和14.5mm（D壳）两种封装选项，并采用符合UL94V-0标准的阻燃环氧树脂封装，提升系统安全性。二、核心作用SMDY1系列的核心作用是作为汽车电力电子系统的“电磁兼容与安全卫士”。它通过高效抑制电磁干扰（EMI/RFI）和提供可靠的电气隔离，确保车载充电器（OBC）、牵引逆变器、电池管理系统（BMS）等关键部件在复杂工况下稳定工作，并满足严格的安规要求。三、产品关键竞争力●业界首创的封装形式：首款SMD封装的Y1类车规安规电容，兼具高可靠性与安装便捷性。●优异的电气性能：高额定电压（500VAC/1500VDC）与容值范围（470pF至4700pF）兼顾安全与滤波需求。●卓越的环境耐...
浏览次数：
2
2025/10/9 13:19:08