金升阳科技（MORNSUN）近期推出了全面升级的70W煤矿专用高压电源——PVA70-27BxxR2系列。该系列采用紧凑型设计，较同类产品体积缩减38%，支持85-900VAC/120-1300VDC超宽输入电压，并具备4000VAC高隔离耐压能力。产品专为煤矿监控、安防设备等场景设计，工作温度范围达-30℃至+70℃，且集成多重保护机制，为恶劣工业环境提供高可靠性供电解决方案。一、技术难点以及应对方案煤矿电力环境存在电压波动大（127VAC-1140VAC）、空间受限、高隔离安全要求及电磁干扰复杂等挑战。传统电源需通过工频变压器抽头切换适应电压，易因接线错误引发故障。PVA70-27BxxR2的创新方案包括：●自主拓扑与芯片技术：通过优化控制架构，实现无抽头全电压兼容，避免误接线风险；●结构集成优化：减少变压器、散热片等元件数量，在127×70×42mm尺寸内实现70W功率密度，适配紧凑安装空间；●强化电磁兼容性：将EMS性能提升至A级，脉冲群/浪涌抗扰度满足4级标准（±4KV），有效抑制现场干扰；●三防工艺与热管理：PCB双面涂覆三防漆，结合宽温设计，保障高湿、粉尘环境下的长期稳定运行。二、核心作用该电源的核心作用是作为煤矿智能化设备的“高效电能转换枢纽”。它将波动剧烈的电网电压转化为稳定可靠的直流电源，直接支撑监控系统、本安设备、通信交换机等关键负载，助力煤矿少人化、无人化升级。产品关键竞争力●超宽电压兼容性：覆盖85-900VAC输入，兼容127/220/380/660VAC多种煤矿电网标准；●卓越防护性能：4000VAC隔离耐压配合输出短路/过流/过压保护，提升系统安全性；●长效质保与服务：提供3年质保，降低客户维护成本；●节能与可靠性平衡：开板封装设计强化散热，全电压范围效率最优。实际应用场景●煤矿安全监控系统：为瓦斯监测、视频监控...
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2025/9/29 13:55:31
在半导体制造的激烈战场中，2nm制程晶圆代工领域正上演着一场惊心动魄的“价格与市场争夺战”。2025年，三星电子（005930.KS）率先出招，将其2nm（SF2）制程晶圆的代工报价大幅下调至20000美元，这一动作犹如一颗重磅炸弹，在行业内掀起了层层波澜，其目标直指应对台积电在该领域的强势竞争。据台媒DigiTimes的最新报道，三星此次降价绝非偶然，而是有着明确的市场战略考量。其核心目的在于吸引更多客户，进而提升2nm晶圆厂的产能利用率。要知道，此前市场就流传着台积电2nm晶圆代工报价高达30000美元的消息，三星此次新报价与之相比，低了整整三分之一，这无疑给那些对成本较为敏感的客户提供了极具吸引力的选择。回顾三星2nm制程的发展历程，初期其良率情况并不乐观，低于30%。不过，三星并未因此而退缩，而是全力以赴投入良率改进工作，并立下了在年底将良率提升至70%的明确目标。功夫不负有心人，9月初，韩国媒体ETnews就曾报道，三星电子晶圆代工部门正紧锣密鼓地准备量产下一代旗舰级移动处理器Exynos 2600，且预计将采用自家2nm制程，这一消息也从侧面反映出三星在良率提升方面已经取得了实质性的进展。在市场合作方面，三星也迎来了重大利好。电动汽车领域的巨头特斯拉上月与三星签订了一份价值高达22万亿韩元（约165亿美元）的半导体代工合约。这份合约的重点是为特斯拉生产高性能系统半导体“AI6”，该芯片预计将利用三星第二代2nm（SF2P）制程，于2026年在三星美国晶圆厂实现量产。特斯拉的加入，无疑为三星2nm制程的发展注入了一剂强心针，有望进一步提升三星SF2P的良率。然而，三星在2nm制程的市场拓展之路上并非一帆风顺。目前，三星第一代2nm制程除了于Exynos 2600外，尚未有其他大客户采用。反观台积电，虽然其2nm制程还未正式量产，但已经提前锁定了苹果、AMD、高通、...
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2025/9/29 13:49:34
在当前工业自动化向智能化、柔性化发展的趋势下，高效可靠的通信与控制技术成为关键支撑。兆易创新（GigaDevice）近期推出的GDSCN832 EtherCAT从站控制器与GD32H75E超高性能微控制器（MCU） 构成了一套完整的芯片级解决方案。该方案深度融合硬件加速与实时控制算法，显著提升了EtherCAT网络的数据传输效率和同步精度，特别适用于工业机器人、协作机器人及精密运动控制领域，助力实现多轴设备的高精度协调与柔性制造。依托这些产品，兆易创新将进一步推动工业自动化与机器人技术的深度融合，为开发者带来更丰富、高效的解决方案，驱动工业控制系统的创新与升级。EtherCAT®技术需要怎样的MCU来适配诞生于2003年的EtherCAT®（Ethernet for Control Automation Technology）是一种专为工业自动化设计的高性能以太网通信协议。它通过提供高速、稳定的数据传输，满足了伺服控制系统对精确同步和快速响应的需求。EtherCAT®支持微秒级的分布式时钟同步，确保多轴协调运动控制的高精度，同时其简单的网络拓扑结构和灵活配置简化了安装与维护，并减少了CPU负载，使更多资源可以用于复杂的控制算法。此外，EtherCAT®拥有广泛的设备兼容性和强大的生态系统，众多制造商提供符合标准的产品，如伺服驱动器、I/O模块等，确保互操作性的同时，允许用户根据需求选择最合适的硬件组合。在工业机器人领域，EtherCAT®的应用尤为突出。其微秒级的响应速度和纳秒级的同步精度对于六轴机械臂等需要多轴协同的设备至关重要。据公开资料显示，库卡、发那科等主流机器人厂商广泛采用EtherCAT®作为控制总线，以实现焊接、搬运、喷涂等复杂作业。目前热门的人形机器人需要控制大量关节并集成多种传感器，EtherCA...
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2025/9/28 14:01:09
瑞萨电子于2025年9月25日宣布推出面向高端电机控制的RA8T2微控制器（MCU）产品群。该系列MCU基于性能强大的1GHzArm®Cortex®-M85处理器，并可选配250MHz的Arm®Cortex®-M33协处理器，形成异构双核架构。产品采用22nmULL工艺制程，集成了高达1MB的高速MRAM（磁阻随机存取存储器）和2MBSRAM（包括紧耦合内存TCM），并配备专为电机控制优化的PWM定时器、16位ADC及丰富的工业网络接口（如双千兆以太网MAC和EtherCAT从站控制器），旨在满足工业自动化、机器人等应用对高算力、高实时性和精密控制的严苛需求。一、技术难点以及应对方案在现代工业自动化和机器人领域，实现精密的电机控制面临多重挑战：需要极高的计算性能来运行复杂的控制算法（如磁场定向控制FOC），同时要保证极低的响应延迟和抖动（高实时性），并且需要将实时控制、通信任务（如网络同步）乃至轻量AI功能高效地集成在单一芯片上。RA8T2系列通过以下创新设计应对这些挑战：●异构双核计算架构：主核Cortex-M85负责高性能数学运算和复杂控制算法，其集成的ArmHelium™技术显著提升了DSP和机器学习任务的效率。可选配的Cortex-M33核则可独立处理通信协议栈、系统管理等非实时任务，或与M85核协同工作。这种分工实现了硬实时控制与非实时操作的隔离，降低了系统复杂度，节省了成本与PCB空间。●高速内存子系统：集成的高速MRAM不仅具有非易失性，其写入速度和耐用性均优于传统Flash，有利于数据记录和快速启动。为每个CPU核心配备的TCM可确保关键代码和数据以极低延迟被访问，极大减少了中断和分支处理时的抖动，为高精度实时控制提供了稳定的性能基础。●专为电机控制优化的外设：定时器支持高达300MHz的PWM频率，具备互补输出、死区...
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2025/9/28 13:57:58
英飞凌科技（Infineon Technologies）近日宣布扩展其CoolSiC™ 650V G2系列碳化硅（SiC）MOSFET产品线，新增75mΩ导通电阻（RDS(on)）规格型号。该器件提供多样封装选择，包括TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及TO247-4，全面支持顶部冷却（TSC）与底部冷却（BSC）两种散热方案。新品基于第二代CoolSiC技术，旨在为AI服务器电源、可再生能源系统、电动汽车充电桩等中高功率应用提供更高功率密度和卓越的散热灵活性。一、技术难点以及应对方案在中高功率开关模式电源（SMPS）等应用中，设计工程师常面临散热效率与功率密度提升的矛盾：传统硅基器件在高频开关下损耗较大，而有限的PCB空间对散热设计构成严峻挑战。英飞凌CoolSiC™ 650V G2 MOSFET通过以下技术创新应对这些难题：●独特的非对称沟槽栅结构：该技术通过优化晶面处理，显著降低了栅氧化层界面态密度，从而获得更高的沟道载流子迁移率。这不仅有效降低了导通电阻，还改善了开关损耗。●XT互联技术：在1200V G2单管产品中采用的改进型.XT扩散焊技术，能显著降低焊料层厚度，从而降低结壳热阻。与标准焊接技术相比，该技术可降低热阻约30%，提升了散热效率。●支持双面散热（TSC/BSC）的封装设计：例如，TOLT封装允许设计人员利用PCB正反两面进行散热，其直接散热效率最高可达95%。这种设计减少了寄生效应，提升了空间利用率。二、核心作用这款75mΩ CoolSiC™ MOSFET的核心作用是作为中高功率电路中的高效电能转换开关。它通过利用碳化硅材料优异的开关特性和低导通损耗，在提升系统整体效率的同时，有效降低热能损耗，从而支持设备向更紧凑、功率密度更高的方向发展。三、产品关键竞争力●优异的开关性能：产品具有超低开关损耗和快速开关能力，其...
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2025/9/28 13:53:17
联发科在深圳正式发布年度旗舰芯片天玑9500。这款芯片采用台积电第三代3nm制程（N3P工艺），集成超过300亿个晶体管，成为联发科有史以来性能最强大的移动平台。天玑9500首次搭载Arm最新发布的C1系列CPU内核和Mali G1-Ultra GPU，采用“全大核”CPU设计。性能测试显示，其单核成绩达4007分，多核成绩达11217分，超越了苹果A19 Pro。vivo X300系列将首发搭载天玑9500，并于10月13日正式发布。01 工艺与架构：台积电3nm加持，能效比大幅提升天玑9500采用台积电第三代3nm制程（N3P工艺），相比前代N3E工艺，在相同功耗下性能提升5%，或在相同频率下功耗降低5-10%。这一先进制程为天玑9500的能效表现奠定了坚实基础。芯片采用全新“全大核”CPU架构，包含1个主频高达4.21GHz的C1-Ultra超大核、3个3.5GHz的C1-Premium大核以及4个2.7GHz的C1-Pro能效核。这一配置使得天玑9500的单核性能较上一代提升32%，多核性能提升17%。能效方面表现更为突出，天玑9500在峰值性能下超大核功耗降低55%，多核整体功耗下降37%。这意味着用户在享受高性能同时，能够获得更长的电池续航时间。02 图形处理：GPU性能提升33%，光追性能翻倍天玑9500搭载全新的Mali G1-Ultra GPU，引入GPU Dynamic Cache架构。这一设计使得图形性能提升33%，同时在峰值性能下功耗降低42%。光线追踪性能大幅提升119%，并率先支持120FPS高帧率光追手游。游戏实测表现亮眼，在《王者荣耀》120帧模式下，功耗相比上一代降低19%；《原神》全高画质下功耗降低9%。天玑9500还全球率先支持虚幻引擎5.6 MegaLights和5.5 Nanite方案，为移动游戏提供主机级别的画质体验。这意味着手游...
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2025/9/28 13:49:27
Bourns公司近期推出了SE系列微型温度保护器（TCO）小型断路器组件，专为支持最高240W功率的USB电力传输（PD）标准而设计。该产品采用紧凑的表贴式封装（尺寸仅4.7mm x 2.8mm，高度1.23mm），是Bourns当前最小型的54V耐压TCO器件。其核心价值在于为Type-C连接器提供高效的过温保护，助力客户在满足欧盟通用充电器指令等法规要求的同时，提升高功率快充设备的安全性。一、技术难点以及应对方案随着USB PD标准功率提升至240W，Type-C连接器在异常插入或灰尘积累时易因微短路引发局部过热，甚至导致连接器熔化或设备损坏。传统方案需依赖外部IC或复杂电路，不仅占用空间，还增加成本和设计复杂度。SE系列的解决方案聚焦三点突破：●双金属机械结构：通过温度敏感双金属片触发机械式断路，无需外部供电即可在超温时瞬时切断电路。●精准温度阈值：提供72°C至85°C范围内多档跳闸温度选项（公差±5°C），适应不同设备的散热需求。●简化系统设计：直接集成于连接器附近，省去额外开关或IC，降低元件数量和布板难度。二、核心作用SE系列的核心作用是作为高功率USB-C线缆和设备的“热安全卫士”。其通过实时监测连接器温度，在检测到异常发热时立即断开电流，防止过热引发的燃烧风险，同时凭借自恢复或可重置特性（部分型号），在故障排除后恢复供电，提升产品可靠性和用户体验。三、产品关键竞争力●超高功率密度：在4.7mm x 2.8mm封装内支持240W PD标准，适合空间受限的紧凑型设备。●宽温域保护：72°C–85°C可调跳闸温度范围，覆盖多数快充场景的过热临界点。●高可靠性设计：采用耐腐蚀双金属机制（如AD/SD系列特性），确保在潮湿环境中长期稳定工作。●合规性优势：符合RoHS指令，并满足欧盟通用充电器指令对USB-...
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2025/9/26 13:55:19
全球存储芯片巨头美光科技交出了一份令人瞩目的2025财年成绩单。在截至2025年8月28日的财年中，公司营收达到373.78亿美元，同比激增48.85%，创下历史新高。这份强劲的财报得益于全球人工智能热潮对高性能存储解决方案的旺盛需求。美光第四财季营收达113.15亿美元，环比增长21.65%，同比增长46.00%。公司预计2026财年第一季度营收将进一步增长至约125亿美元。01 财务业绩亮点：全面超越市场预期美光2025财年的表现可圈可点，不仅营收实现近50%的增长，盈利能力也大幅提升。全年毛利率从2024财年的23.7%跃升至40.9%，营业利润率更是从7.7%提升至29.0%。第四财季的单季表现尤为出色，毛利率达到44.7%，营业利润率为32.3%，所有关键财务指标均超出市场预期上限。按非公认会计准则计算，美光第四财季净利润达34.7亿美元，每股摊薄收益3.03美元，优于市场预期的2.86美元。强劲的业绩推动美光股价在盘后交易中一度上涨超过4%。02 业务板块分析：云存储业务成最大亮点从业务部门来看，美光重新划分的四大部门表现出明显差异。云内存业务部门收入达45.4亿美元，占总收入的40%，毛利率高达59%。这一部门环比增长34%，同比增幅更是超过三倍，主要受强劲的位元出货量增长和创纪录的HBM收入驱动。与此形成对比的是，核心数据中心业务部门营收为15.7亿美元，同比下滑22%。这反映了企业正在将投资从传统服务器转向AI服务器。移动客户端业务部门营收38亿美元，汽车与嵌入式业务部门营收14亿美元，均实现环比增长。03 技术产品进展：HBM成为增长引擎美光2025财年从HBM、高容量DIMM、服务器LP DRAM产品中取得了100亿美元收入，是2024财年的五倍以上。仅第四财季，HBM产品收入就接近20亿美元。HBM3E量产推动市场份额增长，公司的HBM市场份额有望再...
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2025/9/26 13:50:54
TDK株式会社近期重磅扩展了其CN系列低电阻软端子积层陶瓷电容器（MLCC）产品线，推出了具备1000V额定电压和22nF电容的新型号。此产品采用紧凑的3225封装尺寸（3.2mmx2.5mmx2.5mm），并拥有C0G温度特性。它成功解决了传统树脂电极MLCC电阻值偏高的问题，其端子电阻可与标准端子产品相媲美，为要求严苛的汽车和通用高压应用提供了兼具高可靠性、小型化及低损耗的解决方案。一、技术难点以及应对方案在LLC谐振电路、无线充电模块以及采用SiCMOSFET的电动汽车驱动电路等高压谐振应用中，设计工程师常面临多重挑战：●空间限制与高耐压需求：为满足高功率应用的耐压和容量要求，传统设计往往需要将多个电容器进行串并联，这大大增加了电路板面积和元件数量。●可靠性问题：电路板在安装和运行过程中可能承受外部应力，易导致电容器产生裂纹，影响长期可靠性。●性能折衷：虽然采用树脂电极的软端子MLCC能有效缓解应力、防止安装裂纹，但其固有的电阻值通常较高，会导致能量损耗增加。TDK的CN系列MLCC通过创新技术应对了上述难题：独特的树脂电极结构：TDK对树脂电极结构进行了优化，新品仅在电路板安装侧覆盖树脂层，使得电流能够更有效地传输至外层，从而显著降低了端子的电阻值，使其与常规MLCC产品相当。C0G（1类介质）材料：该介质材料确保了电容在-55°C至+125°C的温度范围内以及在不同电压下表现出极高的稳定性，损耗极低，这对于高频谐振电路至关重要。高耐压与容量密度：在微小的3225封装内实现1000V耐压和22nF的容量，减少了串联电容器的需求，直接助力于节省空间的设计。二、核心作用这款MLCC的核心作用是作为高压、高可靠性电路中的关键无源元件。它在谐振电路中用于确定频率，在缓冲电路中用于吸收电压尖峰、保护开关器件。其卓越的电气稳定性（C0G特性）和机械可靠性（软...
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2025/9/25 14:03:18
Microchip Technology Inc. 近日宣布推出其新一代千兆工业以太网交换机系列——LAN9645xF 和 LAN9645xS。该系列产品以其高度的可配置性为核心亮点，提供5、7和9端口等多种型号选择，并最多可集成5个10/100/1000BASE-T PHY（物理层接口）。它们旨在为工业自动化、航空航天与国防、数据中心等严苛应用环境提供高速、可靠的网络连接解决方案。一、技术难点以及应对方案在现代工业网络系统中，设计工程师常面临几大核心挑战：实时性与确定性：工业控制要求数据传输具有极低的延迟和抖动，传统以太网尽力而为的传输模式无法满足要求。网络高可靠性：工业现场环境复杂，网络设备或链路故障不能导致生产中断，需要无缝冗余切换机制。实际应用场景●工业自动化与控制系统：用于PLC、机器人控制器、远程IO模块内部，实现设备级可靠互联。●航空航天与国防：为机载系统、地面支持设备提供耐用的高速网络连接。●数据中心与可持续发展：适用于需要精确时序和可靠性的服务器互联或能源管理设备。系统复杂性与成本：实现高级网络功能（如TSN）往往需要多芯片方案，增加了设计与成本压力。LAN9645x系列通过以下创新方案应对这些挑战：集成TSN与AVB支持：LAN9645xF型号在管理模式下支持时间敏感网络（TSN） 和音视频桥接（AVB） 等先进协议，为实时控制数据提供确定性延迟保障。硬件级冗余保护：该系列支持符合IEC 62439-3标准的并行冗余协议（PRP） 和高可用性无缝冗余（HSR），通过硬件辅助实现故障时的无缝切换与零丢包，极大提升网络可靠性。灵活的运行模式：产品可在独立非管理型系统和连接主机并完整支持Linux®分布式交换机架构（DSA）的管理模式下运行，为不同复杂度的应用提供成本与性能的最佳平衡。二、核心作用LAN9645xF/S系列的核心作用是作为工业网络设备...
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2025/9/25 13:59:36
在HBM4存储芯片的激烈角逐中，美光科技凭借其卓越的技术实力，以11Gbps的行业速度强势突围，打破了SK海力士和三星长期以来的市场主导格局，为AI存储市场注入了新的活力。此前，业界普遍担忧美光因无法满足英伟达对HBM4速度超过10Gbps的要求，将在竞争中处于劣势。然而，美光用实际行动回应了质疑，不仅成功研发出达到业界最高速度11Gbps的HBM4产品，还已向客户交付了样品，展现了其强大的技术创新能力。与三星和SK海力士不同，美光在HBM4的研发上采取了自主研发DRAM和BaseDie技术的策略，更注重低功耗性能。尽管这一策略曾让外界对美光能否满足高速需求产生疑虑，但美光首席执行官SanjayMehrotra明确表示，公司已经准备好了一款既能提供超过11Gbps速度，又能实现最佳能效的产品。在生产策略上，三星电子采用了一代的1cDRAM生产HBM4，并借助4纳米晶圆代工技术制造最底层的BaseDie；而SK海力士则选择将BaseDie的生产外包给台积电。相比之下，美光坚持自主研发，展现了其在技术上的独立性和创新性。尽管美光的量产时间表晚于三星和SK海力士的预计，但业内分析认为，美光提前进入HBM4市场将产生重大影响。随着HBM4市场的不断扩大，美光有望凭借其技术优势和市场份额实现快速增长。到2026年，美光在HBM市场的份额预计将超过今年，进一步巩固其市场地位。SanjayMehrotra透露，美光计划于明年第二季度开始量产HBM4，并在下半年全面投产。这一举措无疑将加剧HBM4市场的竞争，从原本的SK海力士和三星的双赢局面，转变为三方激烈角逐的新格局。结语美光科技在HBM4领域的强势突围，不仅展现了其卓越的技术实力和创新能力，也为AI存储市场带来了新的竞争格局。随着量产时间的临近，美光有望在HBM4市场中占据一席之地，并推动整个行业的持续发展。免责声明：本文为转载文章，...
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2025/9/25 13:56:02
据权威机构TechInsights最新报告，长江存储凭借其创新的Xtacking 4.0技术，成功实现267层3D NAND TLC芯片的规模化量产，同时，更高层级的300层以上技术布局也已紧锣密鼓地展开。长江存储的Xtacking架构以其独特的“阵列-逻辑分离”设计脱颖而出，通过晶圆对晶圆的混合键合技术，实现了高性能与高密度的完美结合。在最新的Xtacking 4.0版本中，铜-铜直接键合的对准精度被提升至次微米级别，这一突破不仅优化了信号传输路径，还显著减薄了芯片厚度，为研发更高层数的NAND技术奠定了坚实基础。报告详细披露了长江存储在267层NAND芯片中的多项优化设计。通过精细调控模厚工程与垂直通道孔设计，芯片通道孔数被巧妙设定为16个，垂直通道间距（VCP）则精确控制在132纳米，从而在高密度与制程可控性之间找到了完美的平衡点。此外，长江存储还创新性地引入了“无阶梯式字线接触（Stairless WLC）”结构，这一设计不仅大幅降低了制程复杂度，还有效减少了边缘面积的浪费，为迈向300层以上的技术高峰铺平了道路。尽管当前长江存储仍面临着美国出口管制等外部限制，但凭借Xtacking架构的独特优势，公司在技术演进中依然保持着强劲的竞争力。随着NAND技术不断向300层迈进，混合键合精度、应力工程以及新型结构设计将成为行业竞争的关键所在。未来，长江存储能否持续突破良率提升与供应链优化的双重难题，将直接决定其在全球NAND市场中的竞争地位。结语长江存储在NAND闪存领域的技术突破，不仅彰显了其在半导体行业的创新实力，也为全球NAND市场的竞争格局带来了新的变数。随着技术的不断演进和市场的持续拓展，长江存储有望在全球NAND市场中占据更加重要的地位。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系...
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2025/9/25 13:49:14
全球DRAM市场出现罕见的结构性异动：本应逐步退场的DDR4内存价格持续飙升至历史高位，部分型号较4月涨幅超300%，甚至反超新一代DDR5产品。这一反常现象源于三星、SK海力士、美光等头部厂商将产能转向DDR5和HBM（高带宽内存），导致DDR4供应缺口急剧扩大。与此同时，AI服务器、工控设备等对DDR4的刚性需求未减，供需失衡推动价格持续攀升，且短期内无降温迹象。价格异动的核心动因：产能转移与需求刚性供给端收缩是本轮涨价的主因。三星、SK海力士、美光及长鑫存储四大原厂已于2025年明确DDR4停产计划（EOL），将产能优先分配给利润更高的DDR5和HBM。其中，HBM因AI算力需求暴增，成为产能争夺焦点——英伟达Blackwell平台AI服务器需搭配36GBHBM3E，而三星12层HBM3E产能已被大客户锁定。TrendForce数据显示，原厂对DDR4的供应重心偏向服务器市场，PC与消费电子领域满足率不足50%，导致后者合约价在7月飙涨60%-85%。需求端韧性则加剧了供需矛盾。工控、安防、网络设备等行业因产品认证周期长，短期内无法切换至DDR5，对DDR4形成“刚性依赖”。同时，AI服务器为兼顾成本与兼容性，仍大量采用DDR4模组，而云服务商（如阿里、腾讯）的资本开支扩张进一步拉动了需求。恐慌性囤货行为放大了短缺效应：渠道商在停产消息后大量扫货，DDR416Gb现货价在6月初首次反超DDR5，倒挂幅度达30%。对产业链的影响与市场格局重构PC与消费电子品牌首当其冲。由于DDR4模组价格失控（16Gb型号9月均价达17.165美元，为DDR5同容量的2.6倍），PCOEM厂商被迫加速导入DDR5平台。华硕、戴尔等品牌已下调DDR4机型产量，将DDR5笔记本占比提升至60%以上。存储厂商成为受益方。三星半导体DS部门2025年Q4营业利润预计同比翻倍；中国台湾南亚科技因...
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2025/9/25 13:43:53
圣邦微电子最新推出的SGM42618步进电机驱动器，以其创新的自适应衰减算法和1/32微步进精度，为工业自动化、机器人及精密仪器设备提供了更高水平的运动控制解决方案。这款驱动器不仅支持2.6A大电流输出，更具备智能调节功能，能够自动适配不同电机参数，大幅缩短产品开发周期。一、技术挑战与创新解决方案步进电机控制系统设计长期面临几个关键技术瓶颈：电流控制精度、电机适配复杂性以及能效与散热平衡问题。传统驱动器需要工程师根据电机参数手动调整衰减模式，这个过程耗时且需要丰富的经验。不同电机型号、甚至同型号不同批次的电机都需要重新调试，极大增加了产品开发难度和时间成本。SGM42618通过三项创新技术解决了这些难题：●自适应衰减模式：芯片内置智能算法，能够自动检测电机参数并选择最优衰减模式，无需人工干预●多模式配置：保留手动配置功能，支持快衰、慢衰和混合衰减模式，为特殊应用场景提供灵活性●低阻抗功率输出：0.4Ω（高边+低边）的导通电阻显著降低热损耗，提高系统能效这些技术创新使得工程师在不同项目中使用不同型号步进电机时，无需重新设计和调试驱动电路，极大提高了开发效率。二、核心功能与价值SGM42618作为一款双极性步进电机驱动器，其核心价值在于提供了高度集成的运动控制解决方案。芯片内部集成两个H桥和细分控制逻辑电路，通过斩波控制技术精确调节电机绕组电流。器件提供标准的步进（STEP）和方向（DIR）输入接口，可与主流控制器直接连接。通过USM0和USM1引脚，用户可以灵活选择1、1/2、1/4、1/8、1/16或1/32细分模式，满足从普通移动到精密定位的不同应用需求。全面的保护机制是另一大亮点：包括过流保护、短路保护、欠压锁定和过温关断功能，确保系统在各种异常条件下都能安全运行，提高终端产品的可靠性。三、性能优势与市场竞争力SGM42618在多个关键性能指标上展现出明显优势：从对比数...
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2025/9/23 14:21:19
三星电子12层HBM3E产品正式通过英伟达认证，标志着其成为继SK海力士、美光之后第三家进入英伟达HBM核心供应链的厂商。这一突破不仅为三星扭转HBM竞争劣势注入强心剂，更将全球HBM技术竞争焦点引向2026年量产的HBM4，AI算力存储市场格局面临重塑。1.技术突破与市场意义三星此次通过认证的12层HBM3E产品，历时约18个月完成技术攻坚。此前三星因DRAM设计缺陷导致HBM3及8层HBM3E方案未达英伟达标准，而此次突破依托1c纳米级DRAM技术和4nm逻辑芯片优化，实现了性能与散热的平衡。尽管初期供应量有限（SK海力士与美光2025年产能已售罄），但认证本身对三星具有战略意义：技术认可重于短期营收，为其重回高端存储竞赛奠定基础。2.HBM4竞争格局与技术前瞻随着英伟达下一代Rubin架构GPU计划于2026年推出，HBM4成为新一轮竞争焦点。三大原厂技术路径已显分化：三星：宣称凭借1cDRAM和4nm逻辑芯片实现11Gbps传输速率，暂居行业首位。SK海力士：已完成HBM4开发并准备量产，强调“超过10Gbps”性能，但未披露细节。美光：面临技术追赶压力，目前尚未公开其HBM4速率指标。HBM4的核心升级在于I/O数从HBM3E的1024翻倍至2048，带宽提升至2TB/s以上，但制造门槛也显著提高。BaseDie从存储架构转向逻辑芯片架构，推动成本上升，预计溢价幅度将超30%。据TrendForce预测，HBM4将在2026年下半年取代HBM3E成为主流，SK海力士有望维持超50%市占率，三星与美光需进一步提升良率才能缩小差距。3.市场影响与供需展望AI服务器需求持续推动HBM市场扩张。2025年HBM位元需求量同比增速达89%，2026年预计保持67%高增长。目前三大原厂垄断格局稳固，但市占率动态变化：2025年SK海力士、三星、美光占比约为5:3:2，2026...
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2025/9/23 14:10:50
全球存储巨头三星电子已正式通知客户，计划在2025年第四季度上调移动端DRAM和NANDFlash合约价。其中LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM产品涨幅达15%-30%，eMMC/UFS等NAND闪存产品涨幅为5%-10%。这一决策反映了存储市场供需结构的根本性转变。随着AI应用从训练向推理和边缘设备延伸，大容量存储需求激增，而三大原厂将产能优先分配给HBM和DDR5，导致传统存储产品供应紧张。01涨价详情与市场背景三星此次价格调整针对移动端存储产品，包括LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM产品，以及UFS/eMMC等NAND闪存产品。价格调整计划于2025年第四季度实施。这一轮涨价潮中，三星并非唯一行动者。美光已暂停报价并计划调涨多类内存产品价格；闪迪（SanDisk）也宣布对部分NAND闪存领域涨价10%；西部数据则表示将逐步上调所有机械硬盘价格。存储市场的这一波“涨声”源于供需失衡。AI应用推广导致AI服务器和AIPC对存储需求大增，而存储厂商将产能转向高带宽内存（HBM）和DDR5，减少了传统存储产品的供应。02供需失衡的结构性分析当前存储市场供需失衡具有明显的结构性特征。HBM需求激增是导致供应紧张的关键因素之一，主要DRAM厂商正优先保障英伟达、AMD等AI加速器厂商的HBM产品供应。DDR4内存的供需矛盾尤为突出。随着厂商将产能转向DDR5和HBM，DDR4供应减少，但市场需求并未立即消失，导致其价格持续上涨。据集邦科技预估，2025年第三季DDR4市场供需缺口约为3%，且这一缺口可能持续扩大，缺货状况可能延续至2026年第四季度。NANDFlash市场同样面临供应紧张。基于AI海量数据存储建置的需求，加上硬碟缺货与交期延长，大量订单转向企业级固态硬碟，造成NANDFlash短缺。03产业链影响与连锁反应存储涨价潮已引发产业链连锁反应。台系存...
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2025/9/23 14:08:02
半导体解决方案提供商MicrochipTechnology（微芯科技）近日发布全新DualPack3（DP3）系列电源模块，采用IGBT7技术，提供1200V和1700V两种电压等级及300-900A的宽电流范围。这款创新产品采用紧凑的半桥拓扑设计（152mm×62mm×20mm），相比IGBT4技术降低15-20%的功率损耗，并能在高达175°C的过载温度下稳定运行。该系列模块为工业驱动、可再生能源、数据中心等应用提供高功率密度解决方案，显著简化系统设计并降低物料成本。一、技术难点与应对方案功率密度与散热平衡：高功率输出往往导致热管理难题。DP3模块通过优化的封装设计和IGBT7技术，在紧凑尺寸内实现高效散热，支持175°C高温运行，解决了功率密度与热管理的平衡问题。系统复杂度控制：传统方案需要并联多个模块以满足功率需求。该产品采用半桥拓扑结构和框架尺寸升级，单模块即可提供更高输出功率，减少并联需求，降低系统复杂度和BOM成本。过载能力提升：工业应用经常面临瞬时过载情况。通过IGBT7技术的增强，模块在过载时能在175°C高温下可靠运行，提供更强的过载耐受能力。二、核心作用DualPack3电源模块在电力电子系统中充当"高效能量转换核心"的角色，主要负责电能的精确控制和高效转换。其核心价值在于通过高度集成设计和IGBT7技术，为各种功率应用提供紧凑、高效、可靠的电源转换解决方案，同时显著降低系统复杂度和总体成本。三、产品关键竞争力●卓越能效表现：相比IGBT4技术降低15-20%功率损耗，提升系统效率●高功率密度：紧凑封装尺寸提供更大输出功率，节省系统空间●强过载能力：支持175°C高温过载运行，增强系统可靠性●简化设计：半桥拓扑减少并联需求，降低系统复杂度●供应链保障：为行业标准EconoD...
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2025/9/22 14:23:01
电子组件制造商Bourns（柏恩）近日推出PEC04、PEC05和PEC06三个系列的增量式微型编码器，分别采用4mm、5mm和6mm超小型设计。这些编码器具备IP40防尘等级，提供30,000-50,000次旋转循环寿命，支持-20°C至+70°C的工作温度范围，并采用坚固紧凑的表贴式设计。该系列产品提供2位元正交码输出与360度连续机械旋转角度，为消费电子、智能穿戴设备和智能家居应用提供高可靠性、轻省空间的位置感测解决方案。一、技术难点与应对方案微型化与耐用性平衡：在极小的尺寸内实现可靠的机械结构和信号输出是主要挑战。Bourns通过优化的机械设计和高质量材料选择，在4-6mm的尺寸内实现了30,000-50,000次的旋转寿命，解决了微型化与耐久性之间的矛盾。环境适应性：小型设备更容易受到灰尘、温度变化的影响。该系列产品采用IP40防尘等级设计和-20°C至+70°C的宽温工作能力，确保在各种环境条件下稳定工作。信号稳定性：微小尺寸对信号输出的精确性和稳定性提出挑战。通过2位元正交码输出设计和360度连续机械旋转角度，确保了位置和速度信息的准确检测和传输。二、核心作用这些微型编码器在电子设备中充当"精密位置感知核心"的角色，主要负责检测和传递旋转位置、运动方向和速度信息。其核心价值在于为空间受限的电子设备提供高精度、高可靠性的位置感测功能，将机械运动转换为精确的数字信号，为设备控制提供关键输入，实现人机交互的精准控制。三、产品关键竞争力●极致紧凑设计：4mm/5mm/6mm超小尺寸，适合空间极度受限的应用场景●卓越耐用性：30,000-50,000次旋转循环寿命，确保长期可靠运行●环境适应性：IP40防尘等级和-20°C至+70°C工作温度范围●精确信号输出：2位元正交码输出，提供准确的位...
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2025/9/22 14:17:19