TLE6220GP电源开关IC芯片的规格参数、应用及引脚图
2025/2/27 13:49:45
浏览次数:
11
TLE6220GP具有嵌入式保护功能，是英飞凌Infineon品牌专为汽车和工业应用而设计。对于PWM应用（喷射器线圈），输出级可以直接并行控制，也可以通过SPI进行串行控制。因此，TLE 6220 GP特别适用于发动机管理和动力总成系统。智能电源技术（SPT）中的四路低压侧开关，具有串行外围接口（SPI）和四个开漏DMOS输出级。
规格参数
类型:Low Side
输出端数量:4 Output
输出电流:3 A
导通电阻—最大值:320 mOhms
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DSO-22
封装:Reel
封装:Cut Tape
商标:Infineon Technologies
Pd-功率耗散:3 W
产品:Power Switches
特性
·短路保护
·过热保护
·过电压保护
·8位串行数据输入和诊断输出（SPI协议）
·四路直接并联控制
·PWM应用通道
·可与其他四路交换机级联
·低静态电流
·µC兼容输入
·静电放电（ESD）保护
·绿色产品（符合RoHS标准）
·AEC合格
应用
·适用于12V和24V应用的µC兼容电源开关
·汽车和工业系统开关
·电磁阀、继电器和电阻负载
·喷油器
·机器人控制
引脚图
在线留言询价
推荐阅读
-
点击次数:
0
2026-03-23
NCS1-23+是Mini-Circuits的一款射频变压器芯片。其特性及应用范围如下：特性：宽带，1300至2000 MHz低相位不平衡，2度和振幅不平衡，典型值为0.3 dB。微型尺寸，0.079英寸x0.049英寸x0.033英寸LTCC结构低成本可水洗应用范围：宽带码分多址PCS全球定位系统外形图：
-
点击次数:
0
2026-03-23
ADRF5020是一款通用型单刀双掷(SPDT)开关，采用硅工艺制造。它采用3 mm × 3 mm、20引脚基板栅格阵列(LGA)封装，在100 MHz至30 GHz频率范围内提供高隔离度和低插入损耗。其工作原理主要如下：工作原理ADRF5020电子元器件需要在VDD引脚施加正电源电压，在VSS引脚施加负电源电压。建议在电源线上使用旁路电容器以最小化射频耦合。ADRF5020在射频公共端口（RFC）和射频投掷端口（RF1和RF2）内部匹配到50 Ω；因此，不需要外部匹配组件。所有射频端口都直流耦合到0 V，当射频线电位等于0 V时，射频端口不需要直流阻断。该设计是双向的；射频输入信号可以应用于RFC端口，而射频投掷端口（RF1或RF2）作为输出，反之亦然。ADRF5020包含一个驱动器来执行内部逻辑功能，并为用户提供简化的控制接口优势。该驱动器具有两个数字控制输入引脚，CTRL和EN。当EN引脚为低电平时，RF1到RFC路径处于插入损耗状态，而RF2到RFC路径处于隔离状态，或者反之，取决于应用于CTRL引脚的逻辑电平。插入损耗路径（例如，RF1到RFC）在其投掷端口（例如，RF1）和公共端口（RFC）之间同样良好地传导射频信号。隔离路径（例如，RF2到RFC）在其插入损耗路径和其投掷端口（例如，RF2）之间提供高损耗，终止于内部50 Ω电阻器。当EN引脚为高电平时，无论CTRL的逻辑状态如何，RF1到RFC路径和RF2到RFC路径都处于隔离状态。RF1和RF2端口终止于内部50 Ω电阻器，RFC变为开路反射。理想的加电顺序如下：将EPAD和GND引脚连接到接地参考。给VDD和VSS供电。在给VDD供电后给VSS供电可以避免在上升过程中VDD上的电流瞬变。应用数字控制输入CTRL和EN。在VDD供电之前应用数字控制输入可能会无意中正向偏置并损坏内部ESD保护结构。...
-
点击次数:
2
2026-03-19
24MR-35M+同轴适配器定义Mini-Circuits 的 24MR-35M+ 是一款同轴适配器，一端为 2.4 mm 直角公头（Right-Angle Male），另一端为 3.5 mm 公头（Male），支持从直流（DC）至 33 GHz 的广泛应用。该型号在整个频率范围内提供优异的电压驻波比（VSWR）和低插入损耗。24MR-35M+ 采用钝化不锈钢结构制造，整体长度仅为 0.71 英寸（约 18.03 mm），紧凑耐用，适用于空间受限的高频系统。特性超宽带，直流至33GHz低插入损耗，典型值0.11 dB。出色的VSWR，1.11:1典型值。直角车身电气规格（在 +25°C 条件下）参数 频率 (GHz)最小值典型值最大值单位频率范围-DC-33GHz插入损耗0.01–33-0.11 0.44dB电压驻波比 (VSWR)0.01–33-1.111.35:1备注：规格测试最低频率为 0.01 GHz。案例风格图
-
点击次数:
4
2026-03-19
BAT-1+吸收式固定衰减器定义BAT-1+ 是一款宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高可靠性且可重复性优异的砷化镓（GaAs）半导体工艺制造。其工作频率范围从直流（DC）至 60 GHz，在整个频段内实现了出色的衰减精度与平坦度，同时保持卓越的回波损耗性能。该型号可承受高达 2 W 的输入功率，使其成为多种应用的理想选择，包括：测试与测量、卫星通信、雷达系统、电子战（EW）、电子对抗防御系统（ECM Defense Systems）、电信基础设施以及 5G 通信。特性宽频带：DC 至 60 GHz覆盖从基带到毫米波全频段，适用于各类射频系统设计。高功率处理能力：2 W支持中高功率应用场景，如发射链路调节或负载匹配。优异回波损耗：典型值 14 dB表明端口匹配良好，反射小，有助于提升系统稳定性与信号完整性。封装尺寸：1.5 × 1.5 mm，6 引脚 QFN 式封装小型化表面贴装封装，便于集成到高密度 PCB 布局中，适合自动化生产。应用测试与测量设备卫星通信系统雷达、电子战（EW）及电子对抗防御系统（ECM）电信基础设施5G sub-6 GHz 及毫米波（mmW）应用功能图（俯视图）
-
点击次数:
3
2026-03-19
BAT-4+吸收式固定衰减器定义BAT-4+ 是一款宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高可靠性且可重复性优异的砷化镓（GaAs）半导体工艺制造。其工作频率范围从直流（DC）至 60 GHz，在整个频段内实现了出色的衰减精度与平坦度，同时保持卓越的回波损耗性能。该型号可承受高达 2 W 的输入功率，使其成为多种应用的理想选择，包括：测试与测量、卫星通信、雷达系统、电子战（EW）、电子对抗防御系统（ECM Defense Systems）、电信基础设施以及 5G 通信。特性宽频带：DC 至 60 GHz覆盖从基带到毫米波全频段，适用于各类射频系统设计。高功率处理能力：2 W支持中高功率应用场景，如发射链路调节或负载匹配。优异回波损耗：典型值 15 dB表明端口匹配良好，反射小，有助于提升系统稳定性与信号完整性。封装尺寸：1.5 × 1.5 mm，6 引脚 QFN 式封装小型化表面贴装封装，便于集成到高密度 PCB 布局中，适合自动化生产。应用测试与测量设备卫星通信系统雷达、电子战（EW）及电子对抗防御系统（ECM）电信基础设施5G sub-6 GHz 及毫米波（mmW）应用功能图（俯视图）