HIP4086和HIP4086A（称为HIP4086/A）是三相N沟道MOSFET驱动器。这两个部分都是专门针对PWM电机控制的。这些驱动器具有灵活的输入协议，用于驱动每种可能的开关组合。用户甚至可以覆盖开关磁阻应用的直通保护。HIP4086/A具有广泛的可编程死区时间（0。5μs至4μs。5μs），这使得它们非常适合通常用于电机驱动的低频（高达100kHz）。HIP4086和HIP4086A之间的唯一区别是HIP4086A禁用了内置电荷泵。
这在需要非常安静的EMI性能的应用中很有用（电荷泵在10MHz下工作）。HIP4086的优点是内置电荷泵允许高侧驱动器无限长的导通时间。为了确保高侧驱动器引导电容器在接通之前完全充电，当首次施加VDD时，激活可编程引导刷新脉冲。当激活时，刷新脉冲接通所有三个低侧桥式FET，同时关断三个高侧桥式FET以对高侧启动电容器充电。刷新脉冲清除后，正常操作开始。HIP4086/A的另一个有用特性是可编程欠压设定点。设定值范围为6。6V至8。5V。
规格参数
激励器数量:6 Driver
输出端数量:6 Output
输出电流:500 mA
电源电压-最小:7 V
电源电压-最大:15 V
上升时间:20 ns
下降时间:10 ns
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 125 C
系列:HIP4086
封装:Reel
封装:Cut Tape
高度:0 mm
长度:15.4 mm
宽度:7.5 mm
单位重量:640 mg
特性
•以三相桥式配置独立驱动6个N沟道MOSFET
•自举电源最大电压可达95VDC，偏置电源为7V至15V
•1.25A峰值关断电流
•用户可编程死区时间（0.5μs至4.5μs）
•Bootstrap和可选的电荷泵保持高侧驱动器偏置电压。
•可编程引导刷新时间
•驱动1000pF负载，典型上升时间为20ns，下降时间为10ns
•可编程欠压设定点
应用
•48V位置控制解决方案
•电动螺丝刀
• 支持电线检测的多功能无绳电钻