嗨,欢迎来到兆亿微波官方商城!
服务热线: 010-62975458  17600099251
购物车图片 购物车 ( )
全部商品分类

集成压控振荡器的宽带锁相环可以取代分立式解决方案吗?

2021/4/21 17:19:43
浏览次数: 17

    几乎每个RF和微波系统都需要频率合成器。频率合成器产生本振信号以驱动混频器、调制器、解调器及其他许多RF和微波器件。频率合成器常被视为系统的心跳,创建方法之一是使用锁相环(PLL)频率合成器。


    传统上,一个简单的PLL将压控振荡器(VCO)输出频率分频,将其与一个参考信号进行比较,然后微调VCO控制电压以微调其输出频率。很多年来,PLL和VCO是两种单独的芯片——这就是分立解决方案。VCO产生实际输出信号;PLL监控输出信号并调谐VCO,以将其相对一个已知参考信号锁定。


    分立解决方案有多个优点:


    可设计每个分立芯片以提供尽可能好的性能。


    PLL和VCO之间的物理距离降低了交叉耦合效应,使输出端的干扰杂散信号最小化。


    如果环路中的一个芯片损坏,只需更换较少的元件。


    分立解决方案在频率合成器行业长期处于优势地位,但它也有缺点。一个主要问题是:为了容纳两个芯片及其所有支持元件,分立解决方案需要大量板空间。这导致终端产品尺寸较大且成本较高。


    分立解决方案的另一个主要问题是传统VCO的输出频率范围较窄。典型VCO带宽为50 MHz至500 MHz;虽然可以达到2 GHz左右,但这需要基于运算放大器的有源滤波器。对任何希望实现更宽频率范围的人来说,这都是一个重大挑战。为了创建频率范围更宽的合成器,需要多个PLL、VCO、支持元件、滤波、开关和电源!这会使设计的板空间和成本呈指数式增加。分立解决方案不仅会影响板设计,而且涉及大量额外工作,包括为每种器件进行质量评定、开发软件及库存管理。


    大约10年前,基于PLL的频率合成器行业有了一次突破。第一代集成式PLL和VCO(PLL/VCO)开始出现在市场上。这一重大发展意味着电路板可以更小,成本可以更低,额外工作可以大幅减少。集成解决方案还意味着VCO架构可以改变,利用一个器件便能实现宽带频率合成器。我们将探讨VCO架构,以及向集成VCO的转变如何开启高性能频率合成器的大门。


    传统VCO是很简单的器件——电压施加于VCO的调谐引脚,随即输出某一频率;电压提高,输出频率也提高;电压降低,输出频率也降低。图1所示为GaAs MMIC VCO的调谐电压与输出频率的关系示例——13 V调谐范围需要有源滤波器或带高压电荷泵的PLL。

集成压控振荡器的宽带锁相环可以取代分立式解决方案吗?

    集成PLL/VCO解决方案采用的VCO架构虽然是基于传统架构,但有很大的不同。集成PLL/VCO将多个传统VCO集成在一起,产生一个带宽非常宽的VCO。各个VCO——通过接入和断开电容而创建——称为频段。PLL和VCO集成在一个芯片上,因而可实现多频段架构。每次用户希望锁定一个新频率时,器件就会启动VCO校准过程,芯片快速遍历VCO频段,选择一个最适合所需输出频率的频段。一旦选定VCO频段,PLL就会锁定环路,使输出保持在所需频率。


    第一代PLL/VCO芯片就有超过4 GHz的带宽!相比之下,分立解决方案只有100 MHz到300 MHz带宽——而且4 GHz频率范围是由一个微小芯片实现的,而不是之前需要的多个PLL、VCO、滤波器和开关。图2所示为一个多频段PLL/VCO的调谐电压与输出频率的关系。本例中,基频VCO输出范围规定为2200 MHz至4400 MHz。VCO输出之后有一组分频器,不过其仍在芯片内部,可将信号分频至最低35 MHz;超过4 GHz带宽就是这样得到的——全部来自单个5 mm × 5 mm封装。

集成压控振荡器的宽带锁相环可以取代分立式解决方案吗?

    虽然这一突破性技术大大提高了频率范围,减少了板空间、成本和额外工作,但它仍有缺点,使得集成解决方案不能完全取代分立解决方案。许多应用的最重要性能规格(除了频率范围)是相位噪声。


    相位噪声为何如此重要?想象一个信号通过晴朗空气传输的系统。假设在发射天线处发射信号的信噪比为50 dB。这意味着,接收机要接收的信号比发射信号任一侧的噪声(即邻近的更高和更低频率)要强50 dB。假定此信号可以传输10英里,这之后的信号功率将衰变为噪声,传输将丢失。现在,假设频率合成器的相位噪声改善了3 dB。这意味着发射信号的信噪比为53 dB。因此,发射信号功率是先前10英里距离信号的两倍,它在衰变为噪声之前能够传输得更远。更远的传输距离意味着所需的中继器/发射器会更少,成本得以降低。


    除了这个通信例子以外,还有来自电子测试与测量领域对相位噪声性能的推动。无论通信行业需要什么样的相位噪声性能,电子测试与测量仪器需要的相位噪声性能只会更高,只有这样才能测量通信协议。


    虽然许多解决方案能从分立式转移到集成式——节省数以百万计美元的工艺成本——但第一代PLL/VCO的相位噪声性能还不够好,不适合许多要求低相位噪声的应用。除相位噪声性能外,与很多需要分立PLL和VCO的应用相比,频率范围也相当低。


    频率范围问题可通过倍频器和乘法器解决,但这些是高功耗器件,而且会增加解决方案的成本和板空间。


    幸运的是,在推出这些集成解决方案的同时,业界便已着手开发新的IC工艺以获得人们强烈期盼的相位噪声和频率范围改善。


    此时的舞台已为第二代集成PLL/VCO的亮相做好准备。第二代产品的要求如下:


    输出频率大于4.4 GHz。


    相位噪声性能可与分立解决方案相比拟。


    在单个小封装中集成PLL和VCO。


    成本低于分立解决方案。


    2014年晚些时候,第二代集成PLL/VCO正式登场。市场上开始出现超过10 GHz输出频率范围的产品,其相位噪声堪比分立VCO,采用5 mm × 5 mm封装,价格低于类似的分立PLL和VCO解决方案(但其频率范围要窄得多)。


    例如,ADI公司的ADF4355系列实现了第二代的所有要求:


    输出频率从50 MHz到13.6 GHz (一个端口≤6.8 GHz,另一个端口≤6.8 GHz)。


    相位噪声:


    传统分立VCO在10 GHz时:–110 dBc/Hz (100 kHz偏移)和–135 dBc/Hz (1 MHz偏移)。分立VCO用频率范围换取相位噪声性能。


    ADF4355系列在10 GHz时:–106.5 dBc/Hz (100 kHz偏移)和–130 dBc/Hz (1 MHz偏移)。


    5 mm × 5 mm LFCSP封装。


    价格随器件而异,但成本低于分立解决方案。


    现在,用户不仅可享有分立解决方案的相位噪声性能好处,还能获得集成解决方案的所有其他好处。更有利的是,PLL技术在这些年中也得到了发展,因此,第二代PLL/VCO器件的PLL性能也有很多改善。


    对于第一代PLL/VCO,PLL模块的最大鉴频鉴相器(PFD)频率在32 MHz左右,小数N分频器的分辨率在12位左右。这种组合意味着典型通道分辨率在数十kHz。第二代PLL/VCO的最大PFD频率大于100 MHz,小数N分频器的分辨率为25位,甚至高达49位。这主要有两个好处——PFD频率越高,PLL相位噪声就越低(PFD频率每提高一倍,N分频器便可减半,N分频器噪声分布相应地降低3 dB);25位甚至更高的分辨率支持精密频率生成和亚Hz频率步进(频率分辨率)。


    杂散性能


    集成PLL/VCO有一个重要方面需要讨论。上文指出了分立解决方案的一个优点,那就是两个芯片之间的物理隔离降低了PLL与VCO之间的交叉耦合,从而降低了干扰杂散信号的功率。当集成PLL和VCO时,杂散性能不可避免会下降。市场上的某些器件设法将此性能下降保持在非常低的水平,使PLL/VCO具有令人吃惊的良好杂散性能—— HMC830就是一例。其他PLL/VCO器件需要采取一些额外措施来改善杂散水平,以便支持某些高性能产品。


    改变PFD频率以消除整数边界杂散


    一种技术是利用频率规划算法改变PLL的PFD频率。这样可以将PFD模块引起的杂散信号转移到不会造成较大影响的区域,从而在事实上消除杂散。相关详细信息请参阅“分析、优化和消除集成VCO的锁相环在高达13.6 GHz处的整数边界杂散”一文。


    隔离PLL和VCO


    如上所述,PLL和VCO电路紧密靠近可能引起不需要的耦合。为解决这一问题,可使用双芯片解决方案将PLL和VCO电路从物理上隔离开来。这样既能获得分立解决方案的低杂散信号优势,又能享有集成解决方案的宽输出频率优势。


    ADI公司分立小数N分频PLL产品系列中的HMC704非常适合这一任务。在这种解决方案中,VCO输出信号之一(ADF4355系列全部都有两路输出)馈送到HMC704(对此信号使用可选的10 dB衰减器可进一步降低杂散水平)。ADF4355 PLL最初用于完成VCO校准并锁定所需频率。然后可关闭ADF4355 PLL部分,即让电荷泵处于三态并使计数器保持复位状态,从而消除PLL中的所有杂散,而HMC704将使环路保持锁定。这样做有多方面好处:


    使用非VCO所在芯片中的PLL可降低杂散功率。


    HMC704的固有杂散性能优于ADF4355 PLL——因此,杂散进一步降低。


    HMC704的归一化相位噪底低于ADF4355 PLL——因此,频率合成器输出端的噪声更低。


    为使环路闭合,HMC704电荷泵输出连接到一个环路滤波器。环路滤波器输出必须连接到ADF4355 VTUNE引脚。当环路锁定时,HMC704仅用作PLL,ADF5355仅用作VCO。要完全消除ADF4355 PLL中的杂散,当ADF4355 PLL不使用时,必须将ADF4355参考输入引脚接地。幸运的是,这在HMC704中很容易做到。HMC704有一个通用输出(GPO)引脚——此引脚可直接连到ADF4355参考输入引脚。当ADF4355需要参考信号时(用于VCO校准),HMC704可将其参考信号路由到GPO引脚;当没必要将ADF4355参考输入引脚接地时,可设置HMC704通过GPO引脚输出GND。图3显示的便是这种电路。

集成压控振荡器的宽带锁相环可以取代分立式解决方案吗?

    ADI公司推出了四款具有第二代PLL/VCO性能的重要器件——ADF4355系列。该系列有四款器件:其中三款非常相似,仅频率范围不同;第四款是低功耗版本。


    ADF4355-2:集成式PLL/VCO,输出53 MHz至4400 MHz。


    ADF4355:集成式PLL/VCO,输出53 MHz至6800 MHz。


    ADF5355:集成式PLL/VCO,输出53 MHz至13,600 MHz。


    ADF4355-3:低功耗集成式PLL/VCO,输出51 MHz至6600 MHz。


在线留言询价
推荐阅读
  • 点击次数: 4
    2026-06-22
    数据存储器的地址范围,指的是存储器中所有可用地址的起始地址到结束地址之间的范围。换句话说,它表示了一个计算机系统或存储器模块能够访问的所有存储单元的地址集合。每个存储单元都有一个唯一的地址,CPU通过这些地址来读写数据。例如,若一个存储器的地址范围是从0x0000到0xFFFF,则它能够访问的存储单元数量为地址总数的大小,即2的16次方个单元,也就是65536个地址单元。地址范围与存储器容量的关系存储器容量通常以字节(Byte)为单位衡量,而地址范围决定了系统可以定位和访问多少个存储单元。其计算关系为:存储器容量 = 地址范围的大小 × 每个存储单元的大小其中,“地址范围的大小”是指地址的总个数,即地址最高值减去地址最低值再加1。例如,对于一个8位地址线的存储器,地址范围是0到255(共256个地址),如果每个地址单元存储1字节,那么存储器容量就是256字节。地址范围的决定因素1. 地址线的数量存储器的地址线数量决定了地址范围的大小。地址线越多,能够表示的地址越多,存储空间越大。地址线为n根时,理论最大地址范围为0到2ⁿ - 1。2. 存储器的物理设计存储器芯片的设计决定了实际可用的地址范围,有时芯片会只使用部分地址线,或通过分段管理,划分不同的地址区域以满足系统需求。3. 系统架构与地址映射操作系统和处理器体系结构会对地址空间进行管理和划分,例如内存映射、虚拟地址空间等,这也影响了有效地址范围的使用。地址范围的作用和意义1. 指导存储容量设计设计者根据系统需求确定合理的地址范围,从而配备合适容量的存储器,既避免资源浪费,也满足性能需求。2. 确定存储地址的边界地址范围清晰定义了存储器的有效访问区间,防止系统访问非法地址,提高系统的稳定性和安全性。3. 支持地址译码和访问控制通过地址范围,可以实现对不同存储模块的地址译码,避免地址冲突,实现多存储器协同工作。4. ...
  • 点击次数: 3
    2026-06-22
    随机存取存储器,即RAM,是一种能够在任意时间内随机访问任何存储单元的存储器,与顺序访问存储器不同,RAM不需要按照固定顺序读取数据。它通常用来临时存储计算机正在运行的程序和数据,属于易失性存储器,即断电后数据会丢失。随机存取存储器的主要功能1. 临时数据存储RAM为CPU提供临时的数据存储空间,用于保存目前正在执行的程序指令和相关数据。因其高速读写特点,能够快速响应CPU的访问请求,确保系统运行的流畅性。2. 支持程序执行当程序启动时,程序代码和数据会被加载进RAM中,CPU直接从RAM读取指令执行。RAM的高速访问能力显著提高了程序运行效率,相较于从外部硬盘读取数据,RAM访问速度快了数百倍甚至更多。3. 数据缓存和缓冲RAM还用于存储输入输出设备的数据缓存,协调数据传输。比如在视频播放、游戏运行等场景,RAM缓存临时数据,避免因数据传输延迟导致性能瓶颈。4. 临时工作区RAM充当计算机系统中的临时工作区,为操作系统和应用程序提供足够的空间进行数据处理和运算。它支持多任务并行处理,提高系统资源的利用效率。随机存取存储器的作用1. 提升系统性能RAM的高速读写功能直接决定了计算机和电子设备的响应速度和处理能力。RAM容量越大,系统能够同时处理的任务越多,运行速度越快。2. 支持多任务处理现代操作系统依赖于RAM对多个程序进行有效管理,实现多任务并行运行。RAM为各个程序分配独立的存储空间,确保系统稳定高效运行。3. 保障数据临时存储安全性在程序运行过程中,RAM提供一个安全、快速的存储环境,确保临时数据的快速传输和处理,保障程序执行的连续性。4. 支持系统启动和加载计算机启动时,BIOS和操作系统核心文件被加载到RAM中,准备系统工作环境。RAM的可靠性和容量影响系统启动速度和稳定性。总结来说,随机存取存储器(RAM)因其高速的数据访问能力和灵活性,成为各类电子设备中不可...
  • 点击次数: 2
    2026-06-22
    嵌入式闪存指的是集成在主控芯片或系统内的闪存存储单元,常见的类型有NOR闪存和NAND闪存。嵌入式闪存存储芯片通常与处理器紧密集成,广泛应用于微控制器(MCU)、系统单芯片(SoC)以及智能设备中,用于存储程序代码、配置数据和应用数据。嵌入式闪存存储芯片的优势1. 高度集成,节省空间嵌入式闪存直接集成到芯片内部,减少了外部存储器的需求,极大减少了系统电路板面积,满足现代电子产品对小型化、紧凑化的设计需求。这对于便携设备和空间受限的应用尤为重要。2. 低功耗设计嵌入式闪存通常优化了功耗管理,支持低功耗运行模式,适合对能耗敏感的设备,如可穿戴设备、无线传感器节点等。低功耗不仅延长了设备的电池寿命,还提升了系统的整体能源效率。3. 快速的访问速度嵌入式闪存通过与处理器的紧密耦合,提供较快的读写速度,缩短程序启动和数据访问时间,提升系统响应性能。尤其是在执行代码存储应用中,能够直接从闪存运行程序,大幅提升启动速度。4. 高可靠性和耐用性嵌入式闪存设计时注重耐久性和可靠性,具备较强的抗震动、抗干扰能力,且具备较高的擦写寿命,满足工业控制、汽车电子等严苛环境的应用需求。5. 成本效益优越集成度高的嵌入式闪存减少了外部元件数量,降低了整体硬件成本和系统复杂度。同时,生产制造过程中,由于减少了PCB设计和组件数量,降低了装配与测试费用。6. 安全性支持部分嵌入式闪存芯片集成了安全功能,如加密存储、防篡改机制、读写保护等,为安全关键应用(如金融、医疗、智能卡)提供了可靠保障。应用领域实例微控制器(MCU)系统:嵌入式闪存用于存储固件和配置数据,保障设备高效可靠运行。消费电子:智能手机、智能手表、智能家居设备中集成闪存,实现快速启动和持久存储。汽车电子:满足汽车对稳定性和安全性的高要求,支持车载娱乐系统和自动驾驶功能。工业控制:保证工业设备在复杂环境下数据的完整性和可用性。嵌入式闪存存储芯片凭...
  • 点击次数: 2
    2026-06-22
    非易失性存储器作为一种能够断电后依然保存数据的存储介质,其归属到底是内存还是外存,在实际应用和理论分类中常常引发讨论。那么,非易失性存储器属于内存还是外存?什么是非易失性存储器?非易失性存储器指的是断电后仍能保存数据的存储介质,典型代表包括闪存、固态硬盘(SSD)、只读存储器(ROM)、磁性存储器等。与之对应的是易失性存储器,如动态随机存储器(DRAM)、静态随机存储器(SRAM),它们需要持续供电才能保持数据。内存和外存的区别内存(主存):计算机中直接与CPU交互,速度快、容量相对较小,用于临时存储数据和指令的存储器,例如DRAM。内存通常是易失性的。外存(辅助存储器):用于长时间存储数据,容量大,速度较内存慢,例如硬盘、光盘和USB闪存驱动器。外存一般为非易失性。非易失性存储器的定位挑战传统上,内存强调速度和对CPU的直接访问能力,而外存强调数据的长期保存和大容量。非易失性存储器因具备持久保存数据的能力,天然具备外存的特质;但某些高速非易失性存储器随着技术进步,也开始具备内存的性能表现,模糊了内存和外存的界限。1. 作为外存的非易失性存储器最典型的是闪存和SSD,它们容量大,速度比传统机械硬盘快,广泛作为外部存储设备使用。这类非易失性存储器主要用于存储文件、操作系统和大规模数据,不能作为CPU的直接工作内存。2. 作为内存的非易失性存储器随着技术发展,出现了非易失性内存技术(如MRAM、PRAM、ReRAM等),这些存储器速度接近传统内存,且能保留数据,即使断电也不丢失。目前,这类非易失性存储器被研究和部分应用于可直接作为主存或辅助主存的角色,促进内存和存储层次结构的融合。3. 缓存级别与内存层次优化部分非易失性存储器被用于CPU缓存层或作为内存与外存之间的高速缓存桥梁,增强系统整体性能。这种应用进一步模糊了传统的内存与外存界限。总结来说,非易失性存储器的归属并非绝对,...
  • 点击次数: 3
    2026-06-22
    动态随机存储器(DRAM)作为计算机系统中重要的存储器之一,具有存储密度高、成本低等优点,但由于其存储单元采用电容器存储电荷的方式,会随着时间的推移而慢慢漏电,导致存储的数据逐渐丢失。因此,DRAM需要定期刷新以保持数据的完整性。什么是DRAM刷新?DRAM中的每个存储单元包含一个电容,用于存储一个数位的电荷。由于电容会自发放电或漏电,存储的数据位会随时间衰减。为了防止数据丢失,必须周期性地对存储单元进行“刷新”,即重新给电容充电,使其电荷恢复到正常水平,从而确保数据安全。DRAM的刷新方式分类DRAM的刷新方式主要可以分为以下几种:1. 循环刷新方式循环刷新是最常见和传统的刷新方式,控制器按照固定顺序依次对存储器中的每一行(或一部分行)进行刷新。它的特点是刷新操作均匀分布在整个存储周期中,不会集中产生刷新峰值。优点:实现简单,刷新均匀,系统负载平稳。缺点:刷新频率固定,可能导致不必要的刷新操作,降低存储器区块利用效率。2. 自刷新方式自刷新是DRAM芯片内置的一种刷新模式,当系统进入待机或休眠状态时,DRAM自身的内部电路能够自动管理刷新,独立于外部刷新请求,保持数据不丢失。优点:省去外部刷新控制逻辑,降低功耗,非常适合低功耗设计。缺点:刷新周期较长,刷新速度较慢,适合静止或低活动状态下使用。3. 按需刷新方式按需刷新方式根据实际数据访问需求进行刷新操作,只刷新当前或即将被访问的存储区域,减少不必要的刷新次数。优点:提高刷新效率,减少能耗,适合高性能和低延迟系统。缺点:实现复杂,刷新控制逻辑复杂,难以保证所有数据均能及时刷新。4. 批量刷新方式批量刷新是指DRAM在一段时间内集中完成多行的刷新工作,之后进入正常访问状态。它通常以刷新命令为单位,在限定时间内连续刷新多行存储单元。优点:刷新操作完成快,适用于系统可以短暂“冻结”访问的场景。缺点:刷新过程可能对系统正常访问造成...
热门分类
关于我们

───  公众号二维码  ───

兆亿微波商城微信公众号

兆亿微波商城www.rfz1.com是一个家一站式电子元器件采购平台,致力于为广大客户提供高质量、高性能的电子元器件产品。产品覆盖功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器、电源芯片、电路板及射频电缆等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等,为客户提供一站式供应链采购服务。 

  • 品质 • 正品行货 购物无忧
  • 低价 • 普惠实价 帮您省钱
  • 速达 • 专业配送 按时按需
Copyright ©2020 - 2021 兆亿微波科技有限公司
X
1

QQ设置

    1
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

5

电话号码管理

电话 电话 电话
010-62975458
    1
6

二维码管理

    1
返回顶部
展开