TSL8029N是一个单通道、集成射频、前端、多芯片模块，专为不同应用而设计。该设备的工作频率为2 GHz至5 GHz。TSL8029N配置有级联的两级GaAs LNA和GaN基SPDT开关。在高增益模式下，级联的两级LNA和开关在3.6 GHz下提供1.3 dB的低噪声系数和33 dB的高增益，在高增益状态下输出三阶截断点（OIP3）为33 dBm（典型值）。
在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路，在50mA的较低电流下提供14.5 dB的增益。在断电模式下，LNA关闭，设备汲取4 mA。
在发射操作中，当RF输入连接到终端引脚（TX）时，开关在3.6GHz下提供0.5 dB的低插入损耗，并处理50 dBm的长期演进（LTE）平均功率（8 dB峰均比（标准杆数）），用于全寿命操作。
该设备采用符合RoHS标准的紧凑型5毫米×5毫米32引脚QFN。
特性
两级LNA和GaN SPDT开关片上偏置和匹配
单电源操作
•3.6 GHz时的增益：33 dB[高增益模式]
@3.6 GHz:14.5 dB[低增益模式]
•3.6 GHz下的NF:1.4 dB[高增益模式]
@3.6 GHz:1.3 dB[低增益模式]
•3.6 GHz时的OP1dB:22 dBm[高增益模式]
@3.6 GHz:12 dBm[低增益模式]
•工作频率：2至5 GHz
•3600 MHz时的插入损耗：0.5 dB[TX模式]
•3.6 GHz下的开关隔离度：18 dB[RX HG模式]
•3.6 GHz时的RX隔离度：53 dB[PD=BP=0 V]
@3.6 GHz：42 dB[PD=BP=5 V]
@3.6 GHz：38 dB[PD=0 V，BP=5 V]
@3.6GHz:45dB[PD=5V&BP=0 V]
•TCASE=105°C时的高功率处理全寿命
•LTE平均功率[8 dB标准杆数]：50 dBm
•高OIP3[高增益模式]：典型值为31 dBm
•高增益模式电流：5V时典型值为90mA
•低增益模式电流：5V时典型值为45mA
•断电模式电流：5V正逻辑控制下典型为4mA
•5毫米×5毫米×0.85毫米，32导联QFN
应用
●4G/5G基础设施无线电、宏基站
●小型蜂窝和蜂窝中继器
●相控阵雷达
●SDARS