HFHK-4600+陶瓷（LTCC）高通滤波器的概述及特性应用
2025/5/14 13:53:21
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Mini-Circuits的HFHK-4600+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为5000至15500 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.1 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。
特性
典型插入损耗。1.1分贝
阻带抑制，典型。75分贝
典型通带回波损耗。16分贝
1008表面安装占地面积
功率处理：6 W
屏蔽结构：防止去谐和EMI
应用
5G低于6 GHz
雷达、电子战、电子对抗防御系统
测试和测量设备
电信和宽带无线系统
WiFi 6E
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2026-02-26
LTC5555射频放大器使用巴伦实现单端中频输出LTC5555 评估板默认提供差分中频（IF）输出，但可通过插入一个 4:1 巴伦（如图下图所示）修改为单端工作模式。在中频差分输出端串联的 10nH 电感可补偿中频放大器的输出电容，从而在高达约 500MHz 的频率下产生 200Ω 的差分输出阻抗。该 4:1 巴伦随后将 200Ω 差分输出转换为 50Ω 单端输出。对于中频频率低于 250MHz 的应用，无需使用串联的 10nH 电感。上图中显示了使用 Mini-Circuits TCM4-19+ 巴伦时测得的变频增益与中频输出频率的关系曲线。射频输入扫描范围为 3.35GHz 至 3.85GHz，固定本振频率为 3.33GHz，产生的中频输出范围为 20MHz 至 520MHz。图中还同时绘制了标准 100Ω 差分输出匹配下的实测变频增益作为对比，以突出巴伦引入的插入损耗。
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2026-02-26
SPI 描述DVGA（可变增益放大器）的衰减控制和功率模式可通过由 CSB、CLK 和 SDI 组成的三线 SPI 接口进行编程。第四个引脚 SDO 是一个串行输出，可用于读取寄存器内容。SDO 引脚还可用于在单个总线上 Daisy-chain（菊花链式连接）多个 SPI 接口。例如，在一个四通道接收机应用中，所有四个 LTC5555 下变频器均可通过一次 32 位加载操作进行编程，同时共享一条公共的 CSB 线路。上图显示了 SPI 的框图。如图所示，它是一个 8 位双缓冲 FIFO 从架构。数字输入和 SDO 输出的逻辑电平为 1.8V 至 3.3V CMOS 兼容，具体取决于 VDD 引脚上的供电电压。内部 POR（上电复位）连接到 VDD 引脚，在上电时或当 VDD 降至低于 0.5V 并随后回升至高于 1.2V 时，将所有 8 个比特重置为逻辑 0。POR 需要约 100μs 来重置寄存器。SPI 编程向器件传输数据时，首先将 CSB 拉低以启用端口。然后，在 CLK 上升沿捕获 SDI 上的串行输入数据，并按 MSB（最高有效位）优先顺序移入一个 8 位移位寄存器。来自寄存器的串行数据在时钟下降沿驱动到 SDO。通信突发通过将 CSB 拉高终止。CSB 的上升沿会将移位寄存器的内容锁存到一个 8 位缓冲 D 锁存器中。该缓冲锁存器可防止在下变频器加载数据期间其增益和功率模式发生变化。时序细节请参阅下图。当 CSB 为高电平时，时钟和数据输入在内部被门控关闭，从而在未选中时最小化电流消耗，且 SDO 输出处于高阻态。然而，建议在数据传输之间保持串行接口信号空闲，以避免数字噪声耦合进 RF 信号路径。
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LTC5555 可编程增益下变频混频器非常适合需要精确增益设置的接收机。该集成电路集成了一个有源混频器和一个数字中频可变增益放大器（VGA），其增益控制范围为 15.5 dB。中频增益可通过 SPI 或并行接口以 0.5 dB 为步长进行编程。使能引脚支持快速开启与关断，同时提供低功耗模式。内置射频变压器电子元件提供单端 50Ω 输入；差分本振输入设计用于单端或差分驱动；差分中频输出简化了与差分中频滤波器和放大器的接口。该混频器针对 3 GHz 至 7 GHz 的射频频段优化，但也可在性能略有下降的情况下低至 1.5 GHz 使用。特征从2.5GHz到7GHz的最佳增益平坦度31dBm输出IP39dB功率转换增益15.5dB可调增益范围SPI或并行增益控制，步长为0.5dB非常小的解决方案尺寸3.3V单电源低功耗和关机模式28芯（4mm×5mm）QFN封装应用3.6GHz、4.8GHz和5.8GHz频带无线基础设施接收器无线中继器军用雷达和通信接收机测试和测量设备软件定义的无线电
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轻载电流操作在轻载时，LT8393 电子元器件通常仍以其全开关频率运行，处于连续导通模式或不连续导通模式，因为降压和升压反向电流检测阈值均设置为 -4mV。负反向电流检测阈值允许少量能量在每个周期从输出流向输入，从而防止脉冲跳过频率低于 100Hz，这会导致 LED 灯串闪烁。在降压区域，当降压反向电流阈值在 "B+D" 相位期间被触发时，开关 B 关断。在升压区域，当升压反向电流阈值在 "A+D" 相位期间被触发时，开关 D 关断。在降压-升压区域，当升压反向电流阈值在 "A+D" 相位期间被触发时，开关 D 关断；当降压反向电流阈值在 "B+D" 相位期间被触发时，开关 B 和 D 均关断。然而，当使用较小值的电感且电感电流纹波较大时，LT8393 可能以脉冲跳过模式运行，其中开关在多个周期内保持关断（即跳过脉冲）以维持稳压。
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应用信息输出电容选择与任何微功耗器件一样，输出瞬态响应是输出电容的函数。ADP3335 电子元器件在广泛的电容值、类型和 ESR（anyCAP）范围内稳定工作。低至 1 μF 的电容是稳定性所需的；如果预期有高输出电流浪涌，可以使用更大的电容。ADP3335 在极低 ESR 电容（ESR ≈ 0）下稳定工作，如多层陶瓷电容（MLCC）或有机半导体电解电容（OSCON）。注意，某些电容类型的有效电容在极端温度下可能低于最小值。确保电容在整个温度范围内提供超过 1 μF 的有效电容。输入旁路电容输入旁路电容不是严格必需的，但在涉及长输入线或高源阻抗的任何应用中建议使用。将 1 μF 电容从 IN 连接到地可降低电路对 PCB 布局的敏感性。如果使用更大的输出电容，则也建议使用更大的输入电容。噪声降低可以使用噪声降低电容（CNR），如上图所示，以进一步将噪声降低 6 dB 至 10 dB（如下图）。100 pF 至 1 nF 范围内的低泄漏电容提供最佳性能。由于噪声降低引脚 NR 内部连接到高阻抗节点，因此应仔细进行与该节点的任何连接，以避免从外部源拾取噪声。连接到该引脚的焊盘应尽可能小，不建议使用长 PCB 走线。添加噪声降低电容时，在非关断状态下保持最小 1 mA 的负载电流。需要注意的是，随着 CNR 增加，导通时间将延迟。NR 值大于 1 nF 时，此延迟可能为几毫秒的量级。