HFCG-1760+高通滤波器的概述、特征及应用分析
2025/6/13 14:40:19
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HFCG-1760+是一款高通滤波器，通带范围为1800 MHz至8000 MHz，支持多种应用。由于战略性地构建了布局，该模型在宽带上提供了2 dB的典型插入损耗。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状因子，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，由于寄生效应导致的性能变化最小。
特征
•体积小
•温度稳定
•LTCC结构
•良好的功率处理能力，2.5W
应用
•发射器/接收器
•测试和测量
•军事应用
•电信和宽带无线系统
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2026-02-26
典型应用电路下图展示了 HMC521ALC4 的典型应用电路。HMC521ALC4 是一款无源器件，无需任何外部电子元件。其本振（LO）和射频（RF）引脚在内部已交流耦合；中频（IFx）引脚则在内部直流耦合。对于不需要直流工作的应用场景，可通过在外部的 IFx 端口串联一个电容来阻断直流，该电容值应根据所需通过的中频频段进行选择。若需支持中频直流工作（即 DC 耦合），则不得超过“绝对最大额定值”部分所规定的 IFx 端口的源电流与灌电流限值。当将 HMC521ALC4 用作上变频器时：若要选择上边带，请将 IF1 引脚连接至混合耦合器的 90° 端口，并将 IF2 引脚连接至 0° 端口。若要选择下边带，请将 IF1 引脚连接至 0° 端口，并将 IF2 引脚连接至 90° 端口。此时，信号从混合耦合器的求和端口输出，而差值端口需接 50 Ω 终端负载。当将 HMC521ALC4 用作下变频器时：若要选择上边带（低侧本振），请将 IF1 引脚连接至 0° 端口，并将 IF2 引脚连接至 90° 端口。若要选择下边带（高侧本振），请将 IF1 引脚连接至 90° 端口，并将 IF2 引脚连接至 0° 端口。此时，信号同样从混合耦合器的求和端口输出，而差值端口需接 50 Ω 终端负载。需要注意：“0° 端口”与“90° 端口”指内部 90° 混合耦合器的两个正交输入/输出端口。正确连接 IF1/IF2 可控制输出的是上边带或下边带，这对抑制镜像频率至关重要。所有未使用的端口（如差值端口）必须端接 50 Ω 以保证性能稳定。
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2026-02-26
HMC521ALC4 是一款紧凑型的砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），采用正交（I/Q）混频架构，符合 RoHS 标准，采用 24 引脚无铅陶瓷芯片载体（LCC）封装。该电子元器件可作为镜像抑制混频器或单边带上变频器使用。其内部包含两个标准的双平衡混频单元和一个 90° 混合耦合器，均基于 GaAs 金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造。该图片为引脚配置图相比传统的混合式镜像抑制混频器和单边带上变频组件，HMC521ALC4 体积更小，并且无需引线键合，支持表面贴装制造技术，便于自动化生产与高密度集成。特性下变频器，工作频率范围：8.5 GHz 至 13.5 GHz变频损耗：典型值 9 dB镜像抑制比：典型值 27.5 dBc本振（LO）到射频（RF）隔离度：典型值 39 dB输入三阶截点（IIP3）：典型值 16 dBm中频（IF）带宽宽：直流至 3.5 GHz封装尺寸：3.9 mm × 3.9 mm，24 引脚无铅陶瓷芯片载体（LCC）封装，面积仅 16 mm²应用领域微波及甚小口径终端（VSAT）无线电系统测试测量设备军事电子战（EW）、电子对抗（ECM）以及指挥、控制、通信与情报（C3I）系统
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2026-02-26
HMC412BMS8GE 是一款无源双平衡混频器，工作频率范围为 8 GHz 至 16 GHz。该器件在本振（LO）驱动电平为 9 dBm 至 15 dBm 时正常工作，并在整个指定频段内提供 8 dB 的变频损耗。此混频器无需任何外部元件或偏置电路。具备的特征转换损耗：8 dB噪声系数：8 dBLO到RF隔离：44 dBLO到IF隔离：38射频到中频隔离：29 dB输入三阶截距：19 dB1 dB压缩的输入功率：10 dB无外部组件MSOP8GE SMT封装常见应用长途无线电平台微波收音机VSAT
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2026-02-26
毫米波砷化镓 MMIC 的安装与键合技术芯片应直接通过共晶焊或导电环氧树脂粘贴到接地平面上。推荐使用厚度为 0.127mm（5 mil）的氧化铝薄膜基板上的 50 欧姆微带传输线，用于将射频信号引入和引出芯片（见上图）。如果必须使用厚度为 0.254mm（10 mil）的氧化铝薄膜基板，则应将芯片抬高 0.150mm（6 mil），使芯片表面与基板表面齐平。实现此目的的一种方法是：先将厚度为 0.102mm（4 mil）的芯片粘贴到厚度为 0.150mm（6 mil）的钼散热片（moly-tab）上，再将该组合体粘贴到接地平面（见下图）。微带基板应尽可能靠近芯片放置，以最小化键合线长度。典型的芯片至基板间距为 0.076mm（3 mils）。应在 Vdd 输入端使用一个射频旁路电容。推荐使用一个 100 pF 的单层电容（通过共晶焊或导电环氧树脂安装），其位置距离芯片不超过 0.762mm（30 Mils）。下附的照片展示了 HMC264 MMIC 芯片的典型装配示例。
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2026-02-26
LTC5555射频放大器使用巴伦实现单端中频输出LTC5555 评估板默认提供差分中频（IF）输出，但可通过插入一个 4:1 巴伦（如图下图所示）修改为单端工作模式。在中频差分输出端串联的 10nH 电感可补偿中频放大器的输出电容，从而在高达约 500MHz 的频率下产生 200Ω 的差分输出阻抗。该 4:1 巴伦随后将 200Ω 差分输出转换为 50Ω 单端输出。对于中频频率低于 250MHz 的应用，无需使用串联的 10nH 电感。上图中显示了使用 Mini-Circuits TCM4-19+ 巴伦时测得的变频增益与中频输出频率的关系曲线。射频输入扫描范围为 3.35GHz 至 3.85GHz，固定本振频率为 3.33GHz，产生的中频输出范围为 20MHz 至 520MHz。图中还同时绘制了标准 100Ω 差分输出匹配下的实测变频增益作为对比，以突出巴伦引入的插入损耗。