SYPS-2-282-75+合路器芯片的概述及特征应用分析
2025/6/18 14:38:07
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SYPS-2-282-75+是Mini-Circuits的一款合路器芯片，其工作频率最小5MHz，最大2750MHz，最大2.7dB插入损耗，符合ROHS标准，外壳AH202-2，8针。
特征
•宽带，5至2750 MHz。可用频率为0.5至3000 MHz
•插入损耗低，典型值为0.8 dB。
•高隔离，典型值25 dB。
应用
•甚高频/超高频
•通信系统
•接收器和发射器
•仪器仪表
•有线电视
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2026-02-25
TPS709 是一系列消耗低静态电流并提供出色电源和负载瞬态性能的电子元器件。这种性能，结合低噪声和非常良好的 PSRR（具有较小的 (VIN - VOUT) 裕量），使该器件成为射频便携式应用、电流限制和热保护的理想选择。TPS709 的额定工作温度为 -40°C 至 +125°C。1.输入和输出电容对于输出电压低于 1.5 V 的情况，TPS709 器件在有效电容为 2.0 μF 或更大的输出电容下稳定工作。对于等于或大于 1.5 V 的输出电压，稳定工作的最小有效电容为 1.5 μF。稳定工作的最大电容为 47 μF。输出电容的等效串联电阻（ESR）必须在 0 Ω 至 0.2 Ω 之间以确保稳定性。有效电容是考虑容差、温度和直流偏置效应引起的变化后的电容最小值。推荐使用 X5R 和 X7R 型陶瓷电容，因为这些电容在温度变化时容值和 ESR 的变化最小。虽然输入电容对稳定性不是必需的，但良好的模拟设计实践是将 0.1 μF 至 2.2 μF 的电容从 IN 连接到 GND。该电容抵消了反应性输入源并改善瞬态响应、输入纹波和 PSRR。如果预期电源瞬态大于 10 V，则需要输入电容。2.瞬态响应与任何稳压器一样，增加输出电容大小可减小过冲和下冲幅度，但会增加瞬态响应持续时间。
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2026-02-25
TPS7A20 是一款超小型低压降 (LDO) 线性稳压器电子元件，可提供 300mA 的输出电流。TPS7A20 旨在提供符合射频和其他敏感模拟电路要求的低噪声、高 PSRR 和出色的负载和线路瞬态性能。欠压锁定（UVLO）操作UVLO 电路确保器件在输入电源达到最小工作电压范围之前保持禁用状态，并确保当输入电源崩溃时器件关断。下图显示了 UVLO 电路对各种输入电压事件的响应。该图可分为以下几个部分：区域 A：器件在输入达到 UVLO 上升阈值之前不会启动。区域 B：正常工作，稳压器件。区域 C：高于 UVLO 下降阈值的电压跌落事件（UVLO 上升阈值 - UVLO 迟滞）。输出可能脱离稳压，但器件保持使能。区域 D：正常工作，稳压器件。区域 E：低于 UVLO 下降阈值的电压跌落事件。在大多数情况下器件被禁用，输出因负载和有源放电电路而下降。当输入电压达到 UVLO 上升阈值时，器件重新使能，随后正常启动。区域 F：正常工作，随后输入下降到 UVLO 下降阈值。区域 G：当输入电压下降到 UVLO 下降阈值至 0 V 时，器件被禁用。输出因负载和有源放电电路而下降。
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2026-02-25
TLV757P 低压降稳压器 (LDO) 是一款超小型低静态电流 LDO，可提供 1A 拉电流，具有良好的线路和负载瞬态性能。经优化的 TLV757P 可支持 1.45V 至 5.5V 的 输入电压范围 从而适用于各种应用。为最大程度地降低成本和解决方案尺寸，该器件在 0.6V 至 5V 范围内以固定输出电压的形式提供，以支持现代 MCU 更低的内核电压。此外，TLV757P 具备带有使能功能的低 IQ，从而可将待机功耗降至最低。该器件 具有 内部软启动功能，旨在降低浪涌电流，该电流将为负载提供受控电压并在启动过程中最大程度地降低输入电压压降。关断时，该器件可主动下拉输出以快速释放输出并确保已知的启动状态。TLV757P 电子元器件在与支持小尺寸总体解决方案的小型陶瓷输出电容器搭配使用时，可保持稳定。高精度带隙与误差放大器支持 1% 的典型精度。所有器件版本均具有集成的热关断保护、电流限制和低压锁定 (UVLO) 功能。TLV757P 包含一个内部过流保护限制，有助于在短路事件中减少热耗散。具备的特性• 输入电压范围：1.45 V 至 5.5 V• 可提供固定输出电压：0.6V 至 5V（50mV 步长）• 低 IQ：25μA（典型值）• 低压降：在 1 A 下为 425 mV（最大值）（VOUT 为3.3V）• 输出精度：1%（最大值）• 内置软启动功能，具有单调 VOUT 上升• 折返电流限制• 有源输出放电• 高 PSRR：100kHz 时为 45dB• 与 1µF 的陶瓷输出电容器搭配使用时可保持稳定常见应用• 机顶盒、电视和游戏机• 便携式和电池供电类设备• 台式机、笔记本电脑和超极本• 平板电脑和遥控器• 白色家电和电器• 电网基础设施和保护继电器• 摄像头模块和图像传感器典型应用图
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2026-02-24
电路元件参考下图，即推荐的 AD8099 同相电路原理图。RF 和 RG — 反馈电阻和增益设置电阻决定放大器的噪声增益；典型 RF 值范围为 250 Ω 至 499 Ω。CF — 在环路响应中产生一个零点，以补偿输入电容（包括杂散电容）和反馈电阻 RF 产生的极点。CF 有助于减少闭环响应中的高频峰值和振铃。此处使用的评估电路典型范围为 0.5 pF 至 1.5 pF。R1 — 该电阻将放大器输入端接至信号源的源电阻，典型值为 50 Ω。（这是特定于应用的，并非总是需要。）RS — 许多低增益配置的高速放大器要求输入级端接至标称阻抗以保持稳定性。RS 值应保持在 50 Ω 或更低以维持低噪声性能。在较高增益下，RS 可减小甚至消除。典型范围为 0 Ω 至 50 Ω。CC — 补偿电容在相位恶化的较高频率处降低开环增益。通过降低开环增益，相位裕度增加，放大器得以稳定。典型范围为 0 pF 至 5 pF。CC 值与增益相关。RC — 封装串联电感和补偿电容（CC）形成串联谐振电路。RC 抑制该谐振并防止振荡。闭环增益为 2 时，RC 推荐值为 50 Ω。该电阻在开环响应中引入一个零点，必须保持较低，以使该零点出现在较高频率。补偿网络的目的是降低开环增益。如果电阻过大，增益将降低到电阻值，而不一定是 0 Ω，这是单个电容在频率上会达到的效果。典型值范围为 0 Ω 至 50 Ω。C1 — 为降低 RC 的阻抗，C1 与 RC 并联放置。C1 不是必需的，但在低闭环增益下大大减少了峰值。典型值范围为 0 pF 至 2 pF。C2 和 C3 — 旁路电容连接在两个电源之间，以获得最佳失真和 PSRR 性能。这些电容应尽可能靠近放大器的电源引脚放置。对于 C3 和 C5，应使用 0508 外壳尺寸。0508 外壳尺寸提供降低的电感和更好的频率响应。C4 和 C2 — 电解旁路电容。
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2026-02-24
PCB 布局补偿网络由放大器增益要求决定。对于较低增益，布局和元件放置更为关键。对于较高增益，补偿元件较少，布局较为简单。寄生效应补偿引脚周围的区域对寄生电容非常敏感。为实现 AD8099 的完整增益带宽积，应确保没有走线连接到外部补偿引脚或在其附近，以获得尽可能低的电容。当需要补偿时，到补偿引脚、负电源以及元件之间互连（下图中的 Cc、C1 和 Rc）的走线应尽可能宽，以最小化电感。AD8099 引脚下的所有接地和电源平面应清除铜皮，以防止输入和输出引脚到地的寄生电容。SOIC 封装上的单个安装焊盘如果不清除 AD8099 引脚下方的接地或电源平面，可增加多达 0.2 pF 的对地电容。寄生电容可能导致峰值和不稳定，应最小化以确保正常工作。AD8099 的新引脚排列缩短了放大器输出和反相输入之间的距离。这有助于最小化反馈路径的寄生电感和电容，进而减少振铃和二次谐波失真。