TSL8329M 是一款双通道集成射频前端多芯片模块，适用于不同应用场景。该器件的工作频率范围为2.0 GHz至4.2 GHz。TSL8329M配置有双通道，内置级联两级低噪声放大器（LNA）和高电子迁移率晶体管（GaN）基单刀双掷（SPDT）开关。
在高增益模式下，级联两级低噪声放大器和开关可实现1 dB的低噪声系数以及在3.6 GHz频率下32 dB的高增益，并具有35 dBm的三阶交调截点（OIP3）（典型值）。在低增益模式下，两级低噪声放大器中的一级工作，提供13 dB的增益，工作电流为45 mA。在省电模式下，低噪声放大器关闭，器件工作电流仅为5 mA。
在发射工作模式下，当射频输入端连接到终端引脚（TERM-CHB或TERM-CHB）时，开关在3.6 GHz频率下插损低至0.45 dB，并能处理43 dBm的长期演进（LTE）平均功率（峰值与平均功率比（PAR）为9 dB），确保全生命周期稳定工作。
特征
•3.6 GHz时的增益：32 dB（高增益模式）
@3.6 GHz:13 dB（低增益模式）
•3.6 GHz下的NF:1.0 dB（高增益模式）
@3.6 GHz:0.9 dB（低增益模式）
•3.6 GHz时的OP1dB:20 dBm（高增益模式）
@3.6 GHz:10.5 dBm（低增益模式）
•工作频率：2.0至4.2 GHz
•高隔离：RXOUT-CHA和RXOUT-CHB：典型值为40 dB
•TERM-CHA和TERM-CHB：典型值为55 dB
•3600 MHz时的插入损耗：0.45 dB（TX模式）
•TCASE=105°C时的高功率处理全寿命
•LTE平均功率（9 dB标准杆数）：43 dBm
•高OIP3（高增益模式）：典型值为35 dBm
•高增益模式电流：5V时典型值为90mA
•低增益模式电流：5V时典型值为45mA
•断电模式电流：5V正逻辑控制下典型为5mA
•6毫米×6毫米，40针QFN
应用
● 4G/5G基础设施无线电
● 小细胞和细胞中继器
● 相控阵雷达
● SDARS