ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、单刀双掷(SPDT)硅开关，采用无引脚、表贴封装。该开关非常适合高功率和蜂窝基础设施应用，如长期演进(LTE)基站。ADRF5130具有43 dBm（典型值）高功率处理能力、0.6 dB低插入损耗、68 dBm（典型值）输入线性度三阶交调截点和46 dBm下的0.1 dB压缩点(P0.1dB)。片内电路在5 V单正电源电压下工作，典型偏置电流为1 mA，使其成为基于引脚二极管开关的理想替代器件。
该器件采用符合RoHS标准的紧凑型24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装。
ADRF5130操作原理
电源与去耦电容
ADRF5130 要求在 VDD 引脚施加单电源电压。建议在电源线上连接去耦电容，以最小化射频耦合。
数字控制电压
施加于 VCTL 引脚的数字控制电压用于控制 ADRF5130。建议在这些数字信号线上连接小型去耦电容，以改善射频信号隔离。
射频端口特性
ADRF5130 的射频输入端口（RF1）和输出端口（RF2）内部已匹配至 50 Ω，因此无需外部匹配元件。射频引脚为直流耦合，射频线路上需串联隔直电容。该设计为双向结构，输入和输出可互换。
ADRF5130 的理想上电顺序
连接 GND（接地）。
为 VDD 上电。
为数字控制输入上电。若先为数字控制输入上电（早于 VDD 电源），可能会意外正向偏置 ESD 保护结构并造成损坏。
为射频端口上电。根据施加于 VCTL 引脚的逻辑电平，一个射频输出端口（例如 RF1）将设置为导通模式，此时提供从输入到输出的插入损耗路径；而另一个射频输出端口（例如 RF2）将设置为关断模式，此时该输出与输入隔离。