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CMPA0060002F单片微波集成电路（MMIC）的简述及特征

2025/9/10 14:46:34
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CMPA0060002F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。与硅或砷化镓相比，GaN具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供了更高的功率密度和更宽的带宽。该MMIC采用分布式（行波）放大器设计方法；在较小的占地面积内实现极宽的带宽。提供裸片和具有铜钨散热器的拧紧封装。

CMPA0060002F单片微波集成电路（MMIC）的简述及特征

特征

•17 dB小信号增益

•3 W典型PSAT

•工作电压高达28V

•高击穿电压

•高温操作

•产品总尺寸为0.5英寸x 0.5英寸

应用

•超宽带放大器

•光纤驱动器

•测试仪器

•EMC放大器驱动器
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