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德州仪器TPS51367具有超低静态电流的 3V 至 22V、12A 同步降压转换器

2025/9/16 14:54:42
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TPS51367是一款高压输入、同步转换器，此转换器带有集成的FET，它基于DCAP-2控制拓扑结构，从而实现快速瞬态响应并支持POSCAP和所有MLCC输出电容器。与TI领先的封装技术组合在一起，TI专有的FET技术为诸如VCCIO和VDDQ等用于DDR笔记本内存的单输出电源轨或者广泛应用中的任何负载点(POL)提供最高密度的解决方案。TPS51367的主要特性是其ULQ™-100模式以实现低偏置电流（低功率模式下为100µA，由LP#启用）。

这个特性对于延长系统待机模式中的电池使用寿命非常有帮助。此特性集包括800kHz的开关频率。可由一个外部电容器设定的软启动时间。自动跳跃、预偏置启动、集成引导加载开关、电源良好、使能和一整套的故障保护机制，其中包括OCL，UVP，OVP5VUVLO和热关断。它采用3.5mmx4.5mm，焊球间距0.4mm，28引脚QFN(RVE)封装，额定运行温度范围为-10°C至85°C。

特性

•输入电压范围：3V至22V

•输出电压范围：0.6V至2V

•12A集成FET转换器

•最少的外部组件数量

•ULQ™-100模式运行以实现系统待机期间的长电池使用寿命

•软启动时间可由外部电容器设定

•开关频率：400kHz和800kHz

•D-CAP2™架构以实现高分子有机半导体固体电容器(POSCAP)和所有多层陶瓷电容(MLCC)输出电容器的使用

•用于精确过流限制(OCL)保护的集成且支持温度补偿的低侧导通电阻感测

•电源良好输出OCL，过压保护(OVP)，欠压保护(UVP)和欠压闭锁(UVLO)保护

•热关断（非锁存）

•输出放电功能

•集成升压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关

•焊球间距0.4mm，高度1mm的28引脚，3.5mmx4.5mm，RVE，四方扁平无引线(QFN)封装
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