FM16W08是一个8K x 8的非易失性存储器，读写类似于标准SRAM。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失的，这意味着在断电后数据会被保留。它提供了超过151年的数据保留，同时消除了电池支持SRAM（BBSRAM）的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快速的写入时间和高写入耐久性使F-RAM优于其他类型的存储器。
FM16W08的操作与其他RAM设备的操作类似，因此，它可以作为系统中标准SRAM的直接替代品。最小读写周期时间相等。由于其独特的铁电存储工艺，F-RAM存储器是非易失性的。这些特性使FM16W08成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。
该器件采用28针SOIC表面安装封装。设备规格在工业范围内得到保证温度范围-40°C至+85°C。
特征
64Kbit铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑结构为8K×8
高耐久性100万亿（1014）读/写
NoDelay™写入
高可靠性铁电工艺
SRAM和EEPROM兼容
行业标准8K×8 SRAM和EEPROM引脚
70-ns访问时间，130ns循环时间
优于电池支持的SRAM模块
无电池问题
单片可靠性
真正的表面贴装解决方案，无需返工步骤
卓越的防潮、防震和防震性能
抗负电压下冲
低功耗
有效电流12mA（最大）
待机电流20 μA (typ)
宽电压操作：VDD=2.7 V至5.5 V
工业温度：-40℃到+85℃
28针小外形集成电路（SOIC）封装
符合有害物质限制（RoHS）标准
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