
定义
LF21844N是一款高压、高速栅极驱动器,能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压技术使LF2184N的高压侧能够在自举操作中切换到600V。
LF21844N逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,可轻松与控制设备连接。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器,旨在实现最小的驱动器交叉传导。通过外部电阻器可编程的死区时间提供了更多的系统级灵活性。LF21844N采用SOIC(N)-14封装。它在-40°C至+125°C的扩展温度范围内运行。
特征
浮动高压侧驱动器在600V的自举操作中
以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
1.4A源/1.7A汇输出电流能力
输出耐受负瞬态
可编程死区时间保护MOSFET
宽低压侧栅极驱动器电源电压:10V至20V
宽逻辑电源电压偏移电压:-5V至5V
逻辑输入(IN和SD*)3.3V能力
施密特触发逻辑输入,具有内部上拉和下拉功能
高压侧和低压侧驱动器的欠压锁定(UVLO)
扩展温度范围:-40℃至+125℃
应用
DC-DC转换器
AC-DC逆变器
电机控制
D类功率放大器