图13展示了内部电路模块、少量外部元件，以及图1所附的曲线。术语“主电源”和“辅助电源”是任意的，可根据应用需求互换。工作过程如下：
当任一或两个电源接入，且控制引脚 CTL 的电压低于输入低电平阈值 0.35 V（V_IL）时，器件开始工作。若仅主电源存在，电源选择器将从 V_IN 引脚为 ADPL83200 供电。放大器 A1 将向模拟控制器输出一个与 V_IN 和 SENSE 引脚之间电压差成比例的电流。当 SENSE 引脚电压低于 V_IN - 20 mV（V_ER）时，模拟控制器将指示线性栅极驱动与电压钳位模块拉低 GATE 引脚电压，从而导通外部 P 沟道 MOSFET。动态下拉电流为 50 μA（I_SINK），当 GATE 电压达到地电位或栅极钳位电压时停止。栅极钳位电压为高于 V_IN 或 V_SENSE 中较高者 7 V（V_S(LOW)）。当 SENSE 电压被拉高至 V_IN - 20 mV 时，ADPL83200 将调节 GATE 电压，以维持 V_IN 与 V_SENSE 之间 20 mV 的压差，该压差即为 MOSFET 的 V_DS。此时系统进入正向调节模式，负载由主电源供电。随着负载电流变化，GATE 电压将被控制以维持这 20 mV 压差。若负载电流超过 MOSFET 在 20 mV V_DS 下所能提供的电流，GATE 电压将被钳位，MOSFET 表现为固定电阻，正向压降略有上升。MOSFET 导通期间，STAT 引脚为开路状态。
当辅助电源接入时，SENSE 引脚将通过外部二极管被拉至高于 V_IN 的电压。电源选择器将改为从 SENSE 引脚为 ADPL83200 供电。当 SENSE 电压高于 V_IN + 20 mV（V_RO）时，模拟控制器将指示线性栅极驱动与电压钳位模块将 GATE 电压拉高，以关闭 P 沟道 MOSFET。若 SENSE 电压高于 V_IN + 20 mV，模拟控制器将迅速将 GATE 引脚电压拉至 SENSE 引脚电压，以快速关闭外部 MOSFET（若尚未完全关闭）。为实现干净切换，反向关闭阈值带有迟滞，防止状态不确定。此时系统进入反向关闭模式，负载通过外部二极管由辅助电源供电，主电源不再提供电流。外部二极管可防止辅助电源电压低于主电源、电流倒灌或反接等情况。在反向关闭模式下，若 STAT 引脚连接，将吸收 10 μA 电流（I_LSINK）。注意，外部 MOSFET 的接法使得其体二极管在 V_IN 刚上电时会短暂正偏，当辅助电源接入后将反偏。
当 CTL（控制）输入被拉高时，外部 MOSFET 的栅源电压将被强制为一个小电压 V_GS(OFF)，同时若 STAT 引脚连接，将吸收 10 μA 电流。该功能可用于实现负载在两个电源之间的可控切换（如图17所示），或作为可开关的高边驱动器（如图19所示）。CTL 引脚内部具有 3.5 μA 下拉电流（I_CTL），确保该引脚开路时输入为低电平。
