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ADL5350基于 GaAs pHEMT 工艺的单端无源混频器的电路描述

2025/12/23 13:12:16
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ADL5350 是一款基于 GaAs pHEMT 工艺的单端无源混频器，内部集成了本振（LO）缓冲放大器。该器件利用 FET 结漏-源沟道电导随电压变化的特点，对射频（RF）信号进行调制。其简化原理图见图 57。

本振信号施加于 FET 缓冲放大器的栅极。缓冲放大器为 LO 提供足够增益，以驱动作为电阻开关的混频核心。同时，内部反馈回路为 FET 缓冲放大器和 RF/IF 端口提供所需偏置，使其在常见蜂窝频段内获得最佳调制效率。

ADL5350基于 GaAs pHEMT 工艺的单端无源混频器的电路描述

混频过程通过“以 LO 频率将 RF/IF 端口沟道电导切换至地”来完成。RF 信号先经外部带通网络，抑制镜像频段并降低进入混频器的宽带噪声。受带限后的 RF 信号被加到 RF/IF 端口这一时变负载上，使其包络按 LO 频率被幅度调制。IF 端口需外接滤波网络，用于滤除 RF 分量并保留所需混频产物。

在下变频应用中，IF 滤波网络设计为让差频通过，并对入射 RF 频率呈现开路；在上变频应用中，则让和频通过并抑制入射 RF。因此，混频器的整体频率响应由外部 RF/IF 滤波网络的频率特性决定。

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