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HMC966 I/Q 下变频器的简述及特征分析

2025/12/23 13:35:34
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HMC966LP4E 是一款紧凑型 GaAs MMIC I/Q 下变频器，采用无铅、符合 RoHS 标准的 SMT 封装。该器件在小信号下提供 14 dB 的转换增益、2.5 dB 的噪声系数，并在整个频段内实现 40 dBc 的镜像抑制。HMC966LP4E 内部结构为 LNA 后接镜像抑制混频器，混频器由一个主动 ×2 倍频器驱动。

HMC966 I/Q 下变频器的简述及特征分析

镜像抑制混频器省去了 LNA 后的滤波器，并抑制了镜像频率处的热噪声。芯片提供 I 和 Q 两路混频输出，需外接 90° 移相器以选择所需边带。

HMC966LP4E 体积远小于传统的混合式镜像抑制下变频组件，且兼容表面贴装生产工艺。

具备的特征

转换增益：14 dB

图像抑制：40 dBc

2 LO到RF隔离：40 dB

噪声系数：2.5 dB

输入IP3:0 dBm

24芯4X4毫米SMT封装：16mm²

HMC966LP4E非常适合：

•点对点和点对多点无线电

•军用雷达、电子战和电子情报

•卫星通信

如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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