TDA22590 集成功率级芯片内部集成了一颗低静态电流同步降压栅极驱动器 IC，并与控制 MOSFET 和同步 MOSFET 共同封装在 4 mm × 6 mm 的小尺寸封装内。该封装针对 PCB 布局、热传导、驱动与 MOSFET 控制时序以及开关节点振铃进行了优化，只要遵循布局指南即可实现最小振铃。驱动器与 MOSFET 的配对设计，可在 CPU、GPU、FPGA 和 DDR 存储器所需的低输出电压下实现更高效率。
改进型 MOSFET 电流镜电流输出检测方式，相比业界领先的基于控制器的电感 DCR 检测以及 MOSFET Rdson 电流检测方法，具有更优的电流检测精度。
保护功能包括：IC 温度报告与过温保护（OTP，含热关断）、逐周期过流保护（OCP）、控制 MOSFET 短路检测（HSS，高边短路检测）、VDRV 与自举电容欠压保护。TDA22590 还具备“自举电容刷新”功能，防止自举电容过度放电。
此外，TDA22590 支持“高级故障报告”功能，在多相降压转换器中，可帮助控制器识别故障相及故障类型。
芯片支持高达 2 MHz 的开关频率，实现高性能瞬态响应，有助于缩小输出电感及输入/输出电容尺寸。
特征
主要特性
集成驱动器、肖特基二极管、控制 MOSFET Q1、同步 MOSFET Q2
片内 MOSFET 电流检测与报告：5 μA/A
输入电压 4.25 V–16 V；VCC/VDRV 4.5 V–5.5 V
V<sub>=12 V 时输出电压 0.225 V–5.5 V，持续输出电流 90 A
开关频率高达 2 MHz
VDRV 欠压锁定 (UVLO)、自举欠压保护
温度模拟输出 8 mV/°C
过温保护 + 热关断；逐周期 OCP 及标志；高边短路 (HSS) 检测及标志
自举电容自动补电
兼容 3.3 V 三态 PWM 输入
支持 Body-Braking™ 负载瞬态加速
EN=低时进入 DEEP SLEEP，静态电流 32 μA（典型）
无铅 RoHS 兼容，4 mm × 6 mm × 0.465 mm CE（嵌入式芯片）封装
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