LT®8640/LT8640-1降压稳压器采用静音切换器架构，旨在最大限度地减少EMI排放，同时在高达3MHz的频率下提供高效率。
引脚配置图
关于其引脚配置功能详解如下所示：
BIAS（引脚 1）
当 BIAS 被置于高于 3.1 V 的电压时，内部稳压器改从 BIAS 而非 Vin 取电。若输出电压为 3.3 V–25 V，应把此脚直接接至 Vout。若接其它电源，须在该脚就近加 1 µF 旁路电容；若无合适电源，则接 GND。
INTVcc（引脚 2）
内部 3.4 V 稳压器旁路脚。内部功率驱动器与控制电路均由此供电，最大输出电流 20 mA，禁止外接负载。当 BIAS>3.1 V 时由 BIAS 供电，否则由 Vin 抽取电流；BIAS 在 3.0 V–3.6 V 区间时，INTVcc 电压介于 2.8 V–3.4 V。须在该脚对功率地就近接 ≥1 µF 低 ESR 陶瓷电容。
BST（引脚 3）
为顶侧功率开关提供高于输入电压的驱动电压。务必在 IC 旁边就近放置 0.1 µF 自举电容。
Vin1（引脚 4）
LT8640/LT8640-1 需要两只 1 µF 输入旁路电容：一只接在 Vin1 与 GND1 之间，另一只接在 Vin2 与 GND2 之间，均须尽量靠近芯片。此外，还需在芯片附近放一只 ≥2.2 µF 的较大电容，其正端同时接 Vin1、Vin2，负端接地。
GND1（引脚 6、7）
功率开关地，为内部底侧功率开关的回流路径，两脚必须互连。输入电容负端应尽可能靠近 GND1，并与完整地平面相连。
SW（引脚 8、9）
内部功率开关输出节点。两 SW 脚互连后接电感与自举电容，该节点在 PCB 上面积应尽可能小，以获得最佳性能并降低 EMI。
GND2（引脚 10、11）
功率开关地，同 GND1 说明：两脚互连，输入电容负端尽量靠近，并与地平面相接。
Vin2（引脚 13）
输入旁路要求与 Vin1 相同，见上文。
EN/UV（引脚 14）
低电平关断，高电平使能。上升阈值为 1.00 V，下降阈值为 0.96 V。若不用关断功能，直接接 Vin；亦可通过外部电阻分压设定欠压锁定阈值。
RT（引脚 15）
在该脚与地之间接电阻，用于设定开关频率。
TR/SS（引脚 16）
输出跟踪与软启动脚。启动过程中，若 TR/SS 电压低于 0.97 V，芯片强制 FB 脚电压等于 TR/SS 电压；高于 0.97 V 后跟踪功能关闭，内部基准重新接管误差放大器。该脚内部由 INTVcc 提供 1.9 µA 上拉电流，外接电容即可编程输出电压上升斜率。关断或故障时，内部 2 kΩ MOSFET 将其拉低；若由低阻抗源驱动，需串电阻。若不用跟踪功能，可悬空。
SYNC/MODE（引脚 17，仅 LT8640）
四种工作模式：
Burst Mode——接地，轻载时静态电流超低；
跳脉冲模式——悬空，负载降至较低时才开始跳脉冲（悬空时引脚漏电流需 <1 µA）；
扩频模式——接 INTVcc（≈3.4 V）或 3 V–4 V 外部电源，在跳脉冲基础上加入扩频调制；
同步模式——外接时钟，器件以跳脉冲模式同步至外部频率。
SYNC/MODE（引脚 17，仅 LT8640-1）
四种模式：
Burst Mode——接地；
强制连续模式（FCM）——悬空，全负载范围内保持固定频率，瞬态响应快；
扩频模式——接 INTVcc 或 3 V–4 V 外部电源，在强制连续模式下加扩频；
同步模式——外接时钟，器件以强制连续模式同步至外部频率。
GND（引脚 18）
LT8640/LT8640-1 系统地，须与系统完整地平面相连。
PG（引脚 19）
电源良好开漏输出。当 FB 电压落在最终稳压值 ±8 % 以内且无故障时，PG 变高；只要 Vin>3.4 V，PG 即有效，不受 EN/UV 状态影响。
FB（引脚 20）
LT8640/LT8640-1 把 FB 脚稳压在 0.970 V。将反馈分压器抽头接至此脚，并在 FB 与 Vout 之间接一只相位超前电容（典型 4.7 pF–22 pF）。
SW（裸露焊盘引脚 21、22）
两裸露焊盘应与 SW 铜箔相连并焊牢，以获得最佳热性能。若受工艺限制无法连接，可悬空，但热性能会下降。
如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。