什么是W29N01HV单层式 (SLC) NAND 型闪存？
W29N01HV（1 Gbit）NAND Flash 存储器为空间、引脚和功耗均受限的嵌入式系统提供了一种存储方案。它特别适用于代码到 RAM 的映射、固态应用，以及语音、视频、文本和照片等媒体数据的存储。该器件在单 2.7 V–3.6 V 电源下工作，活动时电流低至 25 mA，CMOS 待机电流仅 10 µA。
整个存储阵列共 138,412,032 字节，划分为 1,024 个可擦除块，每块 135,168 字节。每个块由 64 个可编程页组成，每页 2,112 字节。其中 2,048 字节用于主数据区，另外 64 字节为备用区（通常用于差错管理功能）。
W29N01HV 采用标准 NAND Flash 接口，通过复用的 8 位总线传输数据、地址和命令。五条控制信号线——CLE、ALE、#CE、#RE 和 #WE——完成总线协议控制。此外，器件还提供 #WP（写保护）和 RY/#BY（就绪/忙）两个信号引脚，用于监测芯片状态。
2.具备哪些功能？
基本特性
–密度：1Gbit（单芯片解决方案）
–Vcc：2.7V至3.6V
–总线宽度：x8
–工作温度
工业：-40°C至85°C
单层电池（SLC）技术。
组织
–密度：1G位/128M字节
–页面大小
2,112字节（2048+64字节）
–块大小
64 页面（128K+4K字节）
最高性能
–读取性能（最大值）
随机阅读：25us
顺序读取周期：25ns
–写入擦除性能
页面编程时间：250us（典型值）
块擦除时间：2ms（典型值）
–耐久性100000擦除/程序
循环（1）
–10年数据保留期
指令集
–标准NAND命令集
–额外的指挥支持
复制回
最低功耗
–读数：25mA（典型值3V），
–编程/擦除：25mA（典型3V），
–CMOS待机：10uA（典型值）
空间高效包装
–48针标准TSOP1
–48球VFBGA
–63球VFBGA
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