W29N01HV（1 Gbit）NAND Flash 存储器为空间、引脚和功耗均受限的嵌入式系统提供了一种存储方案。
编程操作
页编程（80h-10h）
W29N01HV 的页编程命令必须按块内地址从低页到高页的顺序依次编程，禁止跳序编程。
若将一页分区使用，本器件最多允许对同一页进行 4 次部分页编程；之后必须先擦除才能再次编程。
注意：不支持在未擦除的情况下对同一位进行多次编程。
串行数据输入（80h）
页编程操作以向命令寄存器写入“串行数据输入”命令（80h）开始；随后输入 4 个地址周期，再连续写入数据。
每个 #WE 周期把串行数据装入数据寄存器。数据输入完成后，向命令寄存器写入“编程”命令（10h）。
此时内部写状态控制器自动执行编程与校验算法。
编程开始后，可通过监测 RY/#BY 引脚或状态寄存器第 6 位（与 RY/#BY 同步）来判断是否完成。
内部阵列编程期间（tPROG 时段）RY/#BY 保持低电平。
在页编程过程中，芯片仅响应两条命令：读状态（70h）和复位（FFh）。
当器件进入就绪状态后，状态寄存器第 0 位（I/O0）指示编程结果：
Bit0 = 0 表示编程成功；Bit0 = 1 表示编程失败。
命令寄存器将保持“读状态”模式，直到下发新的命令。
随机数据输入（85h）
在执行页编程（80h）并已将初始数据装入数据寄存器后，若还需在同一页内补充写入数据，可在下发“编程”命令（10h）之前，使用“随机数据输入”命令（85h）指定新的列地址进行写入。
该命令可在同一页内多次使用。
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