W29N01HV（1 Gbit）NAND Flash 存储器为空间、引脚和功耗均受限的嵌入式系统提供了一种存储方案。
回拷（Copy Back）操作
回拷操作需要两组命令：先下发“回拷读”命令序列（00h-35h），再下发“回拷编程”命令序列（85h-10h）。
回拷读（00h-35h）
该命令与“回拷编程”配合使用。
操作流程：
向命令寄存器写入 00h；
输入 4 个周期的源页地址；
再写入 35h，启动把选中页的数据从存储阵列搬入数据寄存器。
命令序列执行完毕且 RY/#BY 返回高电平后，可通过反复拉低 #RE 把数据读出；数据从当初“回拷读”命令指定的列地址开始顺序输出。
此时可不限次数地使用“随机数据输出”命令（05h-E0h）调整输出列地址。
至此，芯片处于就绪状态，等待接收“回拷编程”命令。
回拷编程（85h-10h）
“回拷读”完成且 RY/#BY 变高后，即可写入“回拷编程”命令。
操作流程：
向命令寄存器写入 85h；
输入 4 个周期的目标页地址；
再写入 10h，内部控制器自动开始把数据编程到新的目标页。
编程期间 RY/#BY 保持低电平；也可用“读状态”命令（70h）代替 RY/#BY 检测完成时间。
状态寄存器 Bit6=1 时表示就绪，此时 Bit0 指示操作结果：0=成功，1=失败。
在“回拷编程”序列中，可插入“随机数据输入”命令（85h）来修改原始数据：
先用“回拷读”把源页搬入数据寄存器；
再写 85h 并给出需修改的列地址，同时在外部数据线上放置新数据；
可多次使用 85h 任意修改；
最后写 10h，原始数据与修改后的数据一起被写入目标页。
由于回拷过程不经过外部存储器，且源页数据可能已存在位错误，建议在编程前先用可靠的 ECC 算法校验/修正数据。
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