FM33LE0 支持以下 Flash 编程方法：
•在系统编程（ISP）：通过 FMSH 专用编程器或者 KEIL 用户界面实施芯片编程，使用 SWD 接口
•在应用编程（IAP）：通过 bootloader 代码实现芯片自编程，用户可定义任意串口，可用于实现程序在线升级
编程前必须对 Flash 进行擦除。Flash 支持三种擦除操作：全擦、扇区擦、页擦
一、Flash 擦写时钟
执行 Flash 擦写时使用校准后的 RCHF 时钟，但是系统时钟可以是任意时钟。NVMIF 根据当前RCHF 实际频率设置，来产生相应的计时长度。需要支持的 RCHF 频率为 8M、16M 和 24M。
擦写时钟独立于 CPU 时钟，两者之间作为异步时钟处理。
二、Flash 擦写方法
FM33LE0 支持 Flash 擦除操作，以及单次编程和连续编程。
Flash 擦写前须进行 Key 校验，写入顺序错误或写入值错误，或者在 Flash Key 验证正确之前就进行擦除或编程 Flash 操作将会进入错误状态，并产生相应中断。Flash Key 认证错误之后将禁止擦写
Flash 直到下一次复位。而在正常擦写完成后，向 KEY 寄存器写入任意值都会使状态机返回初始的写保护状态。状态转换如下图：
软件可以通过查询 FLSIF.KEYSTA 来确认当前 Key 输入状态。
三、全擦操作（Matrix Erase）
全擦操作只能由 SWD 接口启动，软件禁止进行全擦。全擦操作仅擦除 main array，不会擦除特殊信息扇区。SWD 可以在制造商或用户模式下启动全擦，操作流程如下：
•编程器通过 SWD 配置 ERTYPE 寄存器为 10
•编程器通过 SWD 清除 PREQ 寄存器，置位 EREQ 寄存器
•编程器通过 SWD 写入 Flash 全擦 Key：0x9696_9696 和 0x7D7D_7D7D
•SWD 向 Flash 任意地址写擦除请求 0x1234_ABCD
•芯片启动对 Flash 的全擦，并暂停任何 Master 对 Flash 的访问
•全擦完成后置位中断标志和全擦标志（全擦标志表示 main array 全部擦除，任何对 main array的编程将清除此标志）
•在全擦标志有效的情况下，SWD 可以任意擦写 NVR0，否则擦写 NVR0 被禁止并触发错误中断
•软件确认擦除结束后向 FlashKEY 寄存器写任意值恢复写保护
四、扇区擦操作（Sector Erase）
SWD 和应用代码都可以执行扇区擦。操作流程如下：
•配置 ERTYPE 寄存器为 00
•清除 PREQ 寄存器，置位 EREQ 寄存器
•写入 Flash 块擦 Key：0x9696_9696 和 0xEAEA_EAEA
•向需要擦除的 Page 内任意地址写擦除请求 0x1234_ABCD
•芯片检查目标扇区是否属于被 ACLOCK 锁定的 Block，如果没有锁定则启动对目标扇区的擦除，如果被锁定则触发错误标志
•扇区擦完成后置位中断标志
•软件确认擦除结束后向 FlashKEY 寄存器写任意值恢复写保护
五、页擦操作（Pgae Erase）
SWD 和应用代码都可以执行页擦。操作流程如下：
•配置 ERTYPE 寄存器为 00 或 11
•清除 PREQ 寄存器，置位 EREQ 寄存器
•写入 Flash 块擦 Key：0x9696_9696 和 0xEAEA_EAEA
•向需要擦除的扇区内任意地址写擦除请求 0x1234_ABCD
•芯片检查目标扇区是否属于被 ACLOCK 锁定的 Block，如果没有锁定则启动对目标扇区的擦除，如果被锁定则触发错误标志
•扇区擦完成后置位中断标志
•软件确认擦除结束后向 FlashKEY 寄存器写任意值恢复写保护
六、单次编程
单次编程由软件发起，通过总线直接写 Flash，每次操作只能执行 word 编程，操作流程如下：
•清除 EREQ 寄存器，置位 PREQ 寄存器
•清除连续编程使能寄存器
•写入 Flash 编程 Key：0xA5A5_A5A5 和 0xF1F1_F1F1
•向 Flash 目标地址写数据，如果目标地址被 ACLOCK 锁定，则触发错误标志，如果没有锁定，则执行编程
•编程完成后置位中断标志
•软件确认编程结束后向 FlashKEY 寄存器写任意值恢复写保护
七、连续编程
连续编程指通过 DMA 的 Memory 通道一次向 Flash 写入 half-sector（256 字节）。连续编程时 DMA从 RAM 指定地址读取数据，Flash 目标编程地址必须是 half-sector 对齐的，也就是 Flash 地址低 6位为 0。采用这种方式时一次编程的数据长度是固定的，主要用于快速大数据量写入。
在启动连续编程期间，DMA 完全占据 Flash 总线，暂停 CPU 对 Flash 的一切访问。连续编程的操作流程如下：
•清除 EREQ 寄存器，置位 PREQ 寄存器
•置位连续编程使能寄存器（DMA 模式使能）
•向 RAM 中写入 256 字节待编程数据
•配置 DMA 存储器通道，设定传输方向、读地址和写地址
•使能 DMA 存储器通道
•写入 Flash 编程 Key：0xA5A5_A5A5 和 0xF1F1_F1F1
•软件触发 DMA 存储器通道，DMA 连续 64 次读取 RAM 并对 Flash 编程，芯片每收到 1 个 word自动完成 4 次 byte program
•芯片检查被编程扇区是否被 ACLOCK 锁定，如果锁定则触发错误中断并通知 DMA 停止编程
•256 字节完全编程结束后产生中断，释放 Flash 总线
•软件确认编程结束后向 FlashKEY 寄存器写任意值恢复写保护
注意：如果 CPU 在 Flash 中取指时进行 Flash 擦写，则 CPU 取指将被暂停，直到擦写操作完成。如果 CPU 跳转到 RAM 中取指运行，则 Flash 擦写不会暂停 CPU 的执行。Flash 擦写过程中，若用户希望在 RAM 中执行代码时仍然能够实时响应中断，应将中断向量表重新映射到 RAM 中。
八、启动区交换（BootSwap）
BootSwap主要目的是，防止在系统更新启动代码时出现意外中断（停电、异常复位等），如果此时原来的启动代码已经被擦除，将导致芯片重启后无法正常运行。BootSwap功能通过编程informationpage3最低地址word实现。
BootSwap示意图如下：
实现BootSwap功能后，假设启动代码占据0000~1FFF共8KB空间，系统升级时应先将新的启动代码写入2000~3FFF地址，然后使能BootSwap。此时有几种可能性：
•芯片擦写2000~3FFF地址时掉电，由于原来的启动代码还在，不会影响重启
•芯片成功写入boot program1，然后使能bootswap并执行软复位，芯片重启后将执行bootprogram1
•芯片擦写boot program0时掉电，由于boot program1已经写入，将不影响后续运行另一种BootSwap应用方法如下图，为了保证可靠的更新启动代码，使用2nd 8KB物理空间作为原来Boot程序的备份，如果编程期间发生异常掉电，则触发BootSwap：
如果启动程序更新期间没有发生异常掉电，则可以不执行软复位，无需真正Swap，仅需在更新原来的Boot程序前使能BootSwap，成功更新后撤销BootSwap即可：
推荐应用按照如下步骤升级：
•更新application program
•如需升级boot，先将新的boot程序写入第二个8KB空间
•配置information block，使能BootSwap
•执行软复位，重启后执行新的boot程序
•将第二个8KB空间改写为新的应用程序
逻辑地址对Flash物理地址的重映射由NVMIF模块完成，不论程序还是DEBUG都以逻辑地址进行访问。
寄存器标志（FLSIF.BTSF）来表示当前的Boot区是1st 8KB物理地址、还是2nd 8KB物理地址，用于给用户代码查询当前启动情况。
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