安全注意事项
LTM4636 在 VIN 与 VOUT 之间未提供电气隔离，且内部无熔断器。如需保护，应在每路输入端串接一只“慢断”型保险丝，其额定电流取最大输入电流的两倍，以防止灾难性故障。
当内部顶层 MOSFET 发生短路失效时，关断信号无法消除过压，底层 MOSFET 会持续导通试图保护负载。此时输入电源将通过失效的顶层管和持续导通的底层管向地注入极大电流，可能导致严重发热与 PCB 损坏。因此应选用保险丝或断路器作为二级保护，把故障电流限制在安全范围。LTM4636 具备前文所述的增强型过温保护
布局检查清单 / 示例
LTM4636 高度集成，使 PCB 布局非常简单，但仍需遵循以下要点以获得最佳电气与热性能：
为大电流路径（VIN、GND、VOUT）保留大面积铜箔，可减小传导损耗与热应力。
将高频陶瓷输入、输出电容尽量靠近 VIN、GND、VOUT 引脚放置，以抑制高频噪声。
在器件正下方布置独立的地电源层。
为降低过孔传导损耗并减小模块热应力，请用多个过孔连接顶层与其他电源层。
不要在焊盘正中央直接打未塞孔的过孔；若必须打，应做树脂塞孔或电镀覆盖。
在信号引脚处放置测试点，便于调试。
为与信号引脚相连的外围器件设置独立 SGND 铜区，并在器件下方单点连接 SGND 与功率地。
多颗并联时，把 COMP 与 VFB 引脚用内电层就近短接在一起。
用 RsNUB、CsNUB（2.2 Ω、2200 pF）吸收开关节点振铃。
下图给出了推荐的布局范例。
