AMC3301 由低压侧电源 VDD 供电，标称值 3.3 V 或 5 V。德州仪器建议在 VDD 引脚处尽可能靠近器件放置 1 nF 低 ESR 去耦电容（如下图中的 C8），并再并联 1 μF 电容（C9）以滤除电源路径上的噪声。
DC/DC 转换器低压侧用 100 nF 低 ESR 电容（C4）去耦，该电容应紧靠器件，连接在 DCDC_IN 与 DCDC_GND 之间。高压侧除 1 nF 低 ESR 电容（C3）须尽可能靠近器件放置外，还应再使用 1 μF 电容（C2），连接在 DCDC_OUT 与 DCDC_HGND 之间。
对于高压侧 LDO，请在器件旁边先放置 1 nF 低 ESR 电容（C6），再并联 100 nF 去耦电容（C5）。
高压侧的地参考 HGND 取自分流电阻负端（该端同时连接至器件的 INN 引脚）。为获得最佳直流精度，应使用独立走线将 HGND 引至器件，而不是在输入端直接把 HGND 与 INN 短接。高压侧 DC/DC 的地端 DCDC_HGND 则应在器件引脚处直接短接至 HGND。
电容必须在应用中所承受的直流偏置条件下仍能提供足够的有效容值。多层陶瓷电容（MLCC）在实际工况下通常只能表现出标称容值的一小部分，选型时必须考虑这一因素。对于低高度封装电容，其介质场强高于高封装器件，问题尤为突出。知名电容厂商会提供“容值-直流偏置”曲线，可大大简化选型过程。
下面表格列出了适用于 AMC3301 的推荐器件，该表并非穷尽清单；可能存在同样（或更优）的替代器件，但表中所列型号已在 AMC3301 开发阶段得到验证。
