HMC349AMS8G 开关芯片需要在 VDD 引脚施加正电源电压。建议在电源线上使用旁路电容，以最小化射频耦合。
HMC349AMS8G 在射频公共端口（RFC）和射频投掷端口（RF1 和 RF2）内部已匹配至 50 Ω；因此无需外部匹配元件。所有射频端口均为直流耦合，需要在射频端口处使用隔直电容。该设计是双向的；射频输入信号可施加到 RFC 端口，而射频投掷端口（RF1 或 RF2）作为输出，反之亦然。
HMC349AMS8G 内部集成了一个驱动器来执行逻辑功能，为用户提供简化的控制接口。该驱动器具有两个数字控制输入引脚：CTRL 和 EN。
当 EN 引脚为逻辑低电平时，RF1 至 RFC 路径处于插入损耗（导通）状态，RF2 至 RFC 路径处于隔离（关断）状态，反之亦然，具体取决于施加到 CTRL 引脚的逻辑电平。插入损耗路径（例如 RF1 至 RFC）在投掷端口（例如 RF1）和公共端口（RFC）之间双向传输射频信号的性能相同。
隔离路径（例如 RF2 至 RFC）在插入损耗路径与端接至内部 50 Ω 电阻的投掷端口（例如 RF2）之间提供高损耗隔离。
当 EN 引脚为逻辑高电平时，无论 CTRL 引脚的逻辑状态如何，RF1 至 RFC 路径和 RF2 至 RFC 路径均处于隔离状态。RF1 和 RF2 端口端接至内部 50 Ω 电阻，而 RFC 变为开路反射状态。
理想的上电顺序如下：
连接 GND。
给 VDD 上电。
给数字控制输入上电。逻辑控制输入的相对顺序不重要。但是，如果在 VDD 电源上电之前给数字控制输入上电，可能会无意中产生正向偏置并损坏内部 ESD 保护结构。
施加射频输入信号。该设计是双向的；射频输入信号可施加到 RFC 端口，而射频投掷端口作为输出，反之亦然。所有射频端口都通过内部电阻与 VDD 直流耦合；因此，需要在射频端口处使用隔直电容。