PWM 功率级布局指南
PWM 功率级由一对 MOSFET 组成，形成开关模式输出，将电流从 PVIN 通过 LC 滤波器切换至负载。PVIN 引脚上的纹波电压是由 PWM 侧 MOSFET 开关的不连续电流引起的。这种快速开关会导致 PVIN 输入端形成电压纹波，必须使用旁路电容进行滤波。
在尽可能靠近 PVIN 引脚的位置放置一个 10 µF 电容，将 PVIN 连接到 PGNDS。由于 10 µF 电容有时体积较大且具有较高的 ESR 和 ESL，通常还会并联使用一个 100 nF 去耦电容，放置在 PVIN 和 PGNDS 之间。
由于去耦是脉动电流环路的一部分，该环路承载高 di/dt 信号，走线必须短而宽，以最小化寄生电感。因此，该电容通常放置在电路板与 ADN8834同一侧，以确保连接短捷。如果布局要求 10 µF 电容必须放在 PCB 的另一侧，应使用多个过孔来降低过孔阻抗。
SW 节点周围的布局也至关重要，因为它在 PVIN 和地之间快速切换，使该节点成为强 EMI 源。保持连接 SW 节点到电感的铜皮面积尽可能小，以最小化 SW 节点与其他信号走线之间的寄生电容。这有助于减少 SW 节点因过量电荷注入而产生的噪声。然而，在大电流应用中，可以合理增加铜皮面积以提供散热并维持大电流。
将 LC 滤波器中电容的接地端尽可能靠近 PGNDS 连接，以最小化返回路径中的 ESL。