输入信号耦合
RF 输入（INHI）为单端输入，必须交流耦合。INLO（输入共模）必须交流耦合到地。
对于 1 MHz 至 10 GHz 的输入频率，建议耦合电容为 47 nF 陶瓷 0402 封装电容。耦合电容必须安装在靠近 INHI 和 INLO 引脚的位置。
耦合电容值可以增加以降低输入级的高通截止频率。高通转角由输入耦合电容和内部 10 pF 高通电容共同设置。INHI 和 INLO 上的直流电压约为 VPOS 以下一个二极管压降。
虽然输入可以进行电抗匹配，但通常没有必要。一个外部 52.3 Ω 并联电阻（连接在输入耦合电容的信号侧，如下图所示）与相对较高的输入阻抗相结合，可提供足够的宽带 50 Ω 匹配。
耦合时间常数 50 × C_C/2 形成一个高通转角，在 f_HP = 1/(2π × 50 × C_C) 处有 3 dB 衰减，其中 C1 = C2 = C_C。
使用典型的 47 nF 值，该高通转角约为 ~68 kHz。
在高频应用中，f_HP 必须尽可能大，以最小化不需要的低频信号的耦合。在低频应用中，出于类似原因，在输入端添加一个简单的 RC 网络形成低通滤波器。该低通滤波器网络通常必须放置在耦合电容的发生器侧，从而降低给定高通转角频率所需的电容值。