数据存储器和特殊功能寄存器位于线性地址空间中，如下图所示。数据存储器和寄存器具有无限制的读取访问权限。
数据存储器由 80 页组成，每页 32 字节。八个相邻页面形成一个 2 Kb 块。每个块可以通过设置寄存器页中相关的保护字节（从地址 0A00h 开始）单独设置为开放（默认）、写保护或 EPROM 模式。
除了 10 个块保护控制字节（每个 2 Kb 数据存储器块一个）外，寄存器页还包含 20 字节的用户 EEPROM、一个存储器块锁定字节和一个寄存器页锁定字节。
从地址 0A20h 开始，DS28EC20 有一个只读存储器页，存储一个工厂字节和一个 2 字节字段，保留用于工厂管理的服务，以编程制造商识别码。该页的所有其他字节保留。
除 EEPROM 外，器件还有一个 32 字节易失性暂存器。对 EEPROM 阵列的写入是一个两步过程：首先，数据写入暂存器，然后复制到主阵列。用户可以在复制前验证暂存器中的数据。
保护控制寄存器与存储器块锁定字节一起，确定 10 个数据存储器块中的每一个是否启用写保护、EPROM 模式或复制保护。
| 值 | 功能 |
| 55h | 为相关存储器块设置写保护 |
| Aah | 设置 EPROM 模式 |
如果将存储器块锁定字节编程为 55h 或 Aah，则为所有写保护数据存储器块设置复制保护。EPROM 模式的块不受影响。
将寄存器页锁定字节编程为 55h 或 Aah 可复制保护整个寄存器页。如果将保护控制寄存器和锁定字节设置为 55h 或 Aah，它们会自我写保护。任何其他设置都保持开放，允许无限制写访问。
写保护
写保护防止数据被更改，但不阻止复制-暂存器功能；这允许用相同数据重新编程存储器。在 EEPROM 器件中，数字信息以浮栅上的电荷（电子）形式存储。量子力学效应允许电子大量传输到浮栅和从浮栅传输，以编程和擦除存储单元。电子以与温度相关的速率离开浮栅。温度越高，电子逃逸的速率越快。该速率在 EC 表中表示为数据保持（Data Retention）。重新编程存储器可将电荷恢复到原始值，实现完整的数据保持时间。这在数据保持令人关注的应用中特别有用，例如在高温下。
复制保护
复制保护阻止复制-暂存器功能的执行。此功能实现了更高级别的安全性，应仅在所有写保护位置及其相关保护控制字节设置为最终值后使用。复制保护不阻止将数据从一个器件复制到另一个器件