毫米波砷化镓 MMIC 的安装与键合技术
芯片应直接通过共晶焊或导电环氧树脂粘贴到接地平面上。

推荐使用厚度为 0.127mm(5 mil)的氧化铝薄膜基板上的 50 欧姆微带传输线,用于将射频信号引入和引出芯片(见上图)。如果必须使用厚度为 0.254mm(10 mil)的氧化铝薄膜基板,则应将芯片抬高 0.150mm(6 mil),使芯片表面与基板表面齐平。实现此目的的一种方法是:先将厚度为 0.102mm(4 mil)的芯片粘贴到厚度为 0.150mm(6 mil)的钼散热片(moly-tab)上,再将该组合体粘贴到接地平面(见下图)。

微带基板应尽可能靠近芯片放置,以最小化键合线长度。典型的芯片至基板间距为 0.076mm(3 mils)。
应在 Vdd 输入端使用一个射频旁路电容。推荐使用一个 100 pF 的单层电容(通过共晶焊或导电环氧树脂安装),其位置距离芯片不超过 0.762mm(30 Mils)。下附的照片展示了 HMC264 MMIC 芯片的典型装配示例。
